KR20010056446A - 산화알미늄과 산화탄탈륨의 연속적 증착방법 - Google Patents

산화알미늄과 산화탄탈륨의 연속적 증착방법 Download PDF

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Abstract

산화알미늄(Al2O3)과 산화탄탈륨(Ta2O5)의 연속적 증착방법에 관해 개시한다. 개시된 방법은: 타겟 기판이 로딩된 소정 온도 범위의 진공챔버 내에 소정의 수송가스와 함께 소정의 금속유기가스을 진공챔버 내로 주입하는 제 1 단계; 퍼지 가스를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스의 잉여분을 제거하는 제 2 단계; 소정의 수송가스와 함께 산화물 원료를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스를 산화시켜 증착하는 제 3 단계; 퍼지 가스를 주입시켜 진공챔버 내의 반응가스와 반응결과물을 배출하는 제 4 단계; 상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 2 회 이상 반복 실시하되, 반복된 상기 제1단계에서 금속유기가스로서 알루미늄유기가스와 탄탈륨유기가스 각각을 적어도 1 회 이상 주입하도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법은 유전체 박막을 형성함에 있어서, 원자층 두께 단위로 제어하기 때문에 원자 크기로 유전체 박막 두께의 제어가 가능할 뿐 아니라, 균일한 두께와 불순물 함유량이 적은 양질의 박막을 얻을 수 있게 된다.

Description

산화알미늄과 산화탄탈륨의 연속적 증착방법{Continuos deposition method of Al2O3 and Ta2O5}
본 발명은 산화알미늄(Al2O3)과 산화탄탈륨(Ta2O5)의 연속적 증착방법에 관한 것이다.
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 반도체 소자의 고집적화 됨에 따라 보다 작은 면적에서 충분한 정전용량을 가지는 캐패시터(capacitor)의 개발이 필요하게 되었다. 지금까지는 SiO2를 박막화하거나 캐패시터의 구조를 스택(stack),트랜치(trench)등의 3차원 구조로 만드는 방법으로 정전용량을 확보하여 왔다. 그러나 SiO2의 박막화에는 파괴전압(breakdown voltage)의 저하와 누설전류(leakage current)의 증가를 유발하므로 한계가 있다. 또한 캐패시터의 구조를 입체화 하므로서 캐패시터의 면적확보를 위해서 HSG(Hemispherical grain)공정을 이용한 공정이 활발히 적용되고 있지만 여전히 공정의 어려움은 존재하고 있다. 특히 256Mbit급 이상의 메모리 반도체 소자에서는 캐패시터 구조의 입체화와 병행하여 기존의 ONO(Oxide/Nitride/Oxide)를 대체할 캐패시터용 절연막의 개발이 필수적이다.
256Mbit급 이상의 메모리 반도체 소자에서 전지 구동이 가능하도록 1.5볼트 동작을 가정한다면 SiO2로 환산한 등가 산화막 두께(Toxeq)가 30Å이하인 캐패시터 절연막이 필요하게 된다. 그러나 ONO구조에서 Toxeq가 50Å이하가 되면 누설전류가 급격히 증가하게 됨으로 향후 50Å이하가 되더라도 누설전류의 증가가 크지 않은 새로운 캐패시터용 절연막의 개발이 필요하다. 최근들어 가장 관심을 갖고있는 새로운 캐패시터용 고유전막은 Al2O3와 Ta2O5이다. 이들 재료는 기존의 SiO2에 비해 유전율이 3-6배 정도 큰 물질로서 SiO2를 대체할 물질의 후보로서 많은 주목을 받고 있다.
일반적으로 Al2O3나 Ta2O5는 스퍼터링(sputtering)법과 화학기상증착 (chemical vapor deposition)법의 두가지 방법에 의해서 증착된다 . 스퍼터링에 의한 증착 기술은 플라즈마(Plasma)를 발생시켜 플라즈마 내의 이온이 타킷에 있는물질을 떼어내어 기판에 증착시키는 방법으로 박막의 순도와 접착력 등에서는 유리한 방법이지만 요철에서의 균일성을 확보하기 어렵다는 단점때문에 점점 미세한 패턴에서는 그 응용이 매우 제한적이다.
화학 기상 증착 기술은 가장 보편화된 기술로 여러 가지의 기체를 주입한 후 기체들에 열, 빛, 플라즈마등의 에너지를 이용하여 기체들의 반응을 유도하여 기판에 증착시키는 기술이다. 화학 기상 증착법에서의 화학 반응 속도는 반응 에너지를 공급하는 열, 빛, 플라즈마등에 의해 제어되거나 기체의 양과 비율 등을 통해 제어되게 된다. 그러나 이러한 화학 반응은 일반적으로 매우 빠르게 일어나 원자들의 열역학적 안정성을 이루면서 증착되도록 제어하기는 매우 어렵다. 따라서 박막의 물리적, 전기적, 화학적 성질 등이 원자 층 증착법에 비해 떨어지는 단점이 있고, 미세한 요철에서의 박막 균일성을 확보하기가 어렵다. 또한 반도체 소자의 집적도의 증가는 더 높은 종횡 비(Aspect Ratio)를 필요로 하기때문에 요철에서 박막 균일도의 요구는 한층 심화되어 가고 있다.
Al2O3와 Ta2O5박막의 경우에 있어서 종래 화학기상증착법으로 증착된 박막은 스퍼터링에 의해서 증착된 박막에 비해 복잡한 구조에서의 단차 피복성(step coverage)은 우수한 반면 누설전류가 너무 크고, 파괴전압이 요구치보다 너무 작다. 따라서 Al2O3와 Ta2O5박막의 누설전류를 줄이고 파괴전압을 증가시키려는 시도가 활발히 이루어지고 있고, 이러한 시도의 한 방법으로 박막의 증착후에 후처리 공정을 통하여 박막의 막질을 개선하려는 시도가 활발하다.
본 발명의 제1의 목적은 높은 유전상수를 갖는 Al2O3와 Ta2O5박막을 용이하게 연속 형성할 수 있는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2의 목적은 원자 단위로 두께의 제어가 가능한 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제3의 목적은 균일한 두께를 가지는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 증착방법에 적용되는 수평형 진공챔버의 개략적 구조도이다.
도 2 는 본 발명의 산화알미늄(Al2O3)과 산화탄탈륨(Ta2O5)의 연속적 증착방법의 일 실시예를 도시한 공정 순서도이다.
도 3a 내지 3d는 산화알미늄(Al2O3)과 산화탄탈륨(Ta2O5)의 연속적 증착방법에서, 산화알루미늄 및 산화탄탈륨의 증착 과정을 개략적으로 순서대로 보인다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면,
타겟 기판이 로딩된 소정 온도 범위의 진공챔버 내에 소정의 수송가스와 함께 소정의 금속유기가스을 진공챔버 내로 주입하는 제 1 단계;
퍼지 가스를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스의 잉여분을 제거하는 제 2 단계;
소정의 수송가스와 함께 산화물 원료를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스를 산화시켜 증착하는 제 3 단계;
퍼지 가스를 주입하시켜 진공챔버 내의 반응가스와 반응결과물을 배출하는 제 4 단계;를 포함하며,
상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 2 회 이상 반복 실시하되, 반복된 상기 제1단계에서 금속유기가스로서 알루미늄유기가스와 탄탈륨유기가스 각각을 적어도1 회 이상 주입하도록 하는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법이 제공된다.
상기 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법에 있어서, 상기 Ta2O5박막을 증착하기 위한 탄탈륨 재료물질로서 Ta(OC2H5)5, Ta(OCH3)5, Ta(OCH3)6, Ta(OC2H5)5, Ta(OC3H7)5, Ta[OCH(CH3)2]5, Ta(OC4H9)5, Ta[OCH2CH(CH3)2]5, Ta[OCH(CH3)C2H5]5, Ta[OC(CH3)3]5, Ta[N(CH3)2]5, Ta(DPM)4Cl, Ta(thd)5, Ta(OR)5, TaCl5중의 어느 하나를 적용하며, Ta2O5박막을 증착을 위한 과정 중 상기 제3단계의 산화물 원료로써는 NH3, H2O, N2H4, O2, N2O, H2O2중의 어느 하나를 적용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법에 있어서, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 알미늄 재료물질로서, Al(CH3)3, AlCl3, Al(CH4)3, Al(CH3)2Cl, Al(CH4)2Cl, Al(O-iC3H7)3, Al(O-tC4H9)3, Al(BH4)3, (CH3)2Al(O-iC3H7), (CH3)2Al(O-tC4H4), (C2H5)2Al(O-iC3H7), Al(OEt)3, Al(OPr)3중의 어느 하나를 적용하며, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 산화물 원료로서, H2O, O2, N2O, H2O2, CH3OH, CH2OHC2OH, t-C2H4OH, n-C4H9OH 중의 어느 하나를 적용하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법에 있어서,
상기 수송가스 및 퍼지 가스로서 알곤(Ar) 또는 질소(N2)를 적용하며, 상기 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법의 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법를 도 1을 참조하면서, 단계별로 요약하면 다음과 같다.
제 1 단계: 타겟 기판이 로딩된 진공챔버 내에 수송가스와 함께 금속유기가스을 진공챔버 내로 주입하는 단계.
제 2 단계: 퍼지 가스를 주입하는 단계.
제 3 단계: 산화물 원료를 주입하는 단계.
제 4 단계: 퍼지 가스를 주입하는 단계.
상기 1 단계에서는 기판을 가열하는 과정이 포함되며, 여기에서 기판은 반도체 소자 또는 캐패시터가 생성 중인 웨이퍼일 수 있고, 수송가스는 질소, 알곤 등이 적용되며, 금속유기가스는 알루미늄 또는 탄탈륨 유기가스이다. 제 2 단계와 제 4 단계에서 퍼지가스는 수송가스와 같이 질소 또는 알곤이다. 제 3 단계에서 산화물 원료는 기체 상태의 물(H2O)이다. 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 증착방법은 금속유기가스를 바꾸어 가면서 상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 반복 수행함으로써, 기판 상에 Al2O3물질과, Ta2O5물질에 의한 다중 적층을 얻을 수 있다.
상기 금속유기가스는, Al2O3박막을 형성하는 단계에서는 Al(CH3)3이다.Al2O3박막 형성시 OH*기는 필수적인 성분으로서 타켓 기판이 대기에 노출되었을 때에 기판의 표면에 자발적으로 발생되는 것이나, 만약에 자발적으로 발생되지 않는 다면, 인위적으로 기판의 표면에 생성시켜야 한다. 그리고 Ta2O5박막을 형성하는 단계에서는 2Ta(OC2H5)5가 사용된다.
이하 Al2O3박막과, Ta2O5박막의 성장과정을 각각 설명한다.
진공챔버는 도 2에 도시된 바와 같이, 가스주입구(1)와 진공배기구(2)가 마련되며, 반응관(3) 내에는 타겟 기판(4)이 설치되는 스테이지(5)가 마련되어 있다.그리고, 반응관(3) 에는 상기 타겟 기판(4)을 가열하기 위한 가열장치(6)가 설치된다.
Al 2 O 3 박막의 형성 과정
Al2O3은 반응식 1, 2 에 의해 기판(4) 위에 증착된다.
AlOH*+ Al(CH3)3---------->Al-O-Al(CH3)2+ CH4
Al-O-Al(CH3)2+ H2O ---------->Al-O-Al(OH)2+ 2CH4
상기 가스 주입구(1)를 통해 가스상태의 알루미늄유기금속인 Al(CH3)3를 수송 가스와 함께 소정량 주입한다. 이와 같이 하면, 알루미늄유기금속 Al(CH3)3는 기판(4)의 표면의 OH*기와 화학적 본딩(chemical bonding)에 의해 부착된다. 기판(4)에 대해 화학적 본딩에 부착된 알루미늄유기금속은 기판(4)의 표면에 1층을 이루고, 1층의 알루미늄유기금속의 위에 쌓이 2층 이상의 알루미늄유기금속은 댕글링 본딩에 의해 상호 결합을 유지한다.
이와 같은 상태에서 퍼지가스를 소정량 주입하여, 댕글링 본딩에 의해 1층의 알루미늄유기금속의 위에 존재하는 2층 이상의 알루미늄유기금속과 반응관 내의 알루미늄유기금속 등의 잔류물질을 제거한다.
가스 상태의 물(H2O)을 일정한 시간 간격동안 반응관 안으로 흘려보내 그 전에 기판에 쌓여 있던 알미늄 유기금속과 반응시켜 화합물( 여기서는 산화알미늄) 한 층이 증착되고, 여분의 물질은 잔여의 물(H2O)과 CH4의 형태로 되어 배기구(2)로 배기된다. 이렇게 하여 한 원자층의 산화알미늄(Al2O3)이 증착된다. 다시 한번 퍼지가스를 주입하여 반응관(3)과 기판(4)상의 여분의 물질을 배기시킨다. 이상과 같은 단계들을 통해 산화알미늄은 원자층 단위로 증착이 된다.
상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 알미늄 재료물질로서, Al(CH3)3, AlCl3, Al(CH4)3, Al(CH3)2Cl, Al(CH4)2Cl, Al(O-iC3H7)3, Al(O-tC4H9)3, Al(BH4)3, (CH3)2Al(O-iC3H7), (CH3)2Al(O-tC4H4), (C2H5)2Al(O-iC3H7), Al(OEt)3, Al(OPr)3중의 어느 하나를 적용할 수 있다.
그리고, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 산화물 원료로서, H2O, O2, N2O, H2O2, CH3OH, CH2OHC2OH, t-C2H4OH, n-C4H9OH 중의 어느 하나를 적용할 수 있다.
Ta 2 O 5 박막의 형성 과정
Ta2O5의 증착에 필요한 원료물질로써, 금속유기가스는 Ta(OC2H5)5이며, 산화물 원료는 역시 물(H2O)를 사용하며, 이 반응 물질들을 수송하기 위한 가스로는 질소(N2)를 사용한다.
Ta2O5는 아래의 반응식 3, 4에 의해 기판(4) 상에 증착된다.
2Ta(OC2H5)5---------->2Ta(OC2H5)5
2Ta(OC2H5)5+ 5H2O ---------->Ta2O5+ 10CH3CH2OH
Ta2O5증착방법은 앞에서 설명한 금속유기가스를 2Ta(OC2H5)5로 변경한 상태에서 전술한 제1단계에서 제4단계를 실시함으로서 산화알미늄의 증착과 동일한 과정을 통해 증착된다.
반응식 3에서는 수송가스와 같이 주입된 2Ta(OC2H5)5가 기판 또는 산화알루미늄(Al2O3) 위에 부착된 것을 의미하며, 반응식 4는 산화물 원료인 가스 상태의 물(H2O)가 주입되었을 때의 반응을 보인다.
한편 Ta2O5의 증착을 위하여 사용될 수 있는 물질로는 탄탈륨 재료물질로서 Ta(OC2H5)5, Ta(OCH3)5, Ta(OCH3)6, Ta(OC2H5)5, Ta(OC3H7)5, Ta[OCH(CH3)2]5, Ta(OC4H9)5, Ta[OCH2CH(CH3)2]5, Ta[OCH(CH3)C2H5]5, Ta[OC(CH3)3]5, Ta[N(CH3)2]5, Ta(DPM)4Cl,Ta(thd)5, Ta(OR)5, TaCl5중의 어느 하나를 적용할 수 있다. 또한, Ta2O5박막을 증착을 위한 과정에 있어서, 상기 제3단계의 산화물 원료로써는 NH3, H2O, N2H4, O2, N2O, H2O2중의 어느 하나를 적용할 수 있다.
도 3a 내지 3d는 산화알루미늄 및 산화탄탈륨의 증착과정을 개략적으로 보인다.
도 3a 는 수송 가스와 함께 금속유기가스(Al(CH3)3, 2Ta(OC2H5)5)가 기판(4)으로 공급되는 상태를 보이며, 도 3b는 한 원자층으로 금속유기가스(Al(CH3)3, 2Ta(OC2H5)5)가 기판(4)에 부착된 이 후, 퍼지가스(N2)에 의해 1층의 금속유기가스(Al(CH3)3, 2Ta(OC2H5)5)를 제외한 잉여 금속유기가스가 기판(4)으로 부터 분리되어 배출되는 상태를 보인다.
도 3c는 산화물 원료인 물(H2O)가 수송가스(N2)와 같은 한 원자층을 이루는 금속유기가스(Al(CH3)3, 2Ta(OC2H5)5)층의 위로 공급되는 상태를 보이며, 도 3d는 상기 물에 의해 금속유기가스(Al(CH3)3, 2Ta(OC2H5)5)가 반응하여 기판(4)에 금속산화물(Al2O3, Ta2O5)가 증착되고, 이 반응에 의해 발생된 유기가스(CH4, CH2CH3OH)의 배출을 보인다.
이상의 과정에서 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 위의 반응식 1, 2 식에 의해 알미늄 산화물을 한 원자층 증착시킨 뒤 반응식 3, 4 에 의해 탄탈륨 산화물을 한 원자층 증착시킨뒤 이를 반복하여 복합층을 형성하거나, 또는 반응식 3, 4에 의해 산화 탄탈륨(Ta2O5)을 한 원자층 증착시킨뒤 상기 반응식 1, 2에 의해 산화 알미늄(Al2O3)을 한 원자층 증착시킬수 있다. 즉, 전술한 Al2O3박막의 형성 과정과 Ta2O5박막의 형성 과정을 반복실시함으로써 기판(4) 상에 Al2O3/Ta2O5또는 Ta2O5/Al2O3적층구조를 얻을 수 있다. 또한 필요에 따라, Al2O3박막의 형성 과정과 Ta2O5박막의 형성 과정 각각을 수회 반복함으로써, 2층이상의 Al2O3박막과 Ta2O5박막을 얻을 수 있게 된다.
본 발명은 산화알미늄(Al2O3)과 산화탄탈륨(Ta2O5)을 연속적으로 증착하는 방법을 제공함으로써, 종래의 화학기상증착(CVD) 방법이나 스퍼터링 증착법으로는 증착이 어려운 산화알미늄(Al2O3)박막과 산화탄탈륨(Ta2O5)박막을 기판에 용이하게 증착할 수 있다. 상기 본 발명의 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법은 유전체 박막을형성함에 있어서, 원자층 두께 단위로 제어하기 때문에 원자 크기로 유전체 박막 두께의 제어가 가능할 뿐 아니라, 균일한 두께와 불순물 함유량이 적은 양질의 박막을 얻을 수 있게 된다.
이러한 본 발명은 고집적 반도체 소자의 캐패시터의 제작 또는 반도체 소자의 게이트 제작 또는 단일의 캐패세터 소자의 제작에 적용될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 타겟 기판이 로딩된 소정 온도 범위의 진공챔버 내에 소정의 수송가스와 함께 소정의 금속유기가스을 진공챔버 내로 주입하는 제 1 단계;
    퍼지 가스를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스의 잉여분을 제거하는 제 2 단계;
    소정의 수송가스와 함께 산화물 원료를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스를 산화시켜 증착하는 제 3 단계;
    퍼지 가스를 주입하시켜 진공챔버 내의 반응가스와 반응결과물을 배출하는 제 4 단계;
    상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 2 회 이상 반복 실시하되, 반복된 상기제1단계에서 금속유기가스로서 알루미늄유기가스와 탄탈륨유기가스 각각을 적어도 1 회 이상 주입하도록 하는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 Ta2O5박막을 증착하기 위한 탄탈륨 재료물질로서 Ta(OC2H5)5, Ta(OCH3)5, Ta(OCH3)6, Ta(OC2H5)5, Ta(OC3H7)5, Ta[OCH(CH3)2]5, Ta(OC4H9)5, Ta[OCH2CH(CH3)2]5, Ta[OCH(CH3)C2H5]5, Ta[OC(CH3)3]5, Ta[N(CH3)2]5, Ta(DPM)4Cl, Ta(thd)5, Ta(OR)5, TaCl5중의 어느 하나를 적용하는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, Ta2O5박막을 증착을 위한 과정 중 상기 제3단계의 산화물 원료로서는 NH3, H2O, N2H4, O2, N2O, H2O2중의 어느 하나를 적용하는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 알미늄 재료물질로서, Al(CH3)3, AlCl3, Al(CH4)3, Al(CH3)2Cl, Al(CH4)2Cl, Al(O-iC3H7)3,Al(O-tC4H9)3, Al(BH4)3, (CH3)2Al(O-iC3H7), (CH3)2Al(O-tC4H4), (C2H5)2Al(O-iC3H7), Al(OEt)3, Al(OPr)3중의 어느 하나를 적용하는 것을 특징으로 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 알미늄 재료물질로서, Al(CH3)3, AlCl3, Al(CH4)3, Al(CH3)2Cl, Al(CH4)2Cl, Al(O-iC3H7)3, Al(O-tC4H9)3, Al(BH4)3, (CH3)2Al(O-iC3H7), (CH3)2Al(O-tC4H4), (C2H5)2Al(O-iC3H7), Al(OEt)3, Al(OPr)3중의 어느 하나를 적용하는 것을 특징으로 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  6. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 산화물 원료로서, H2O, O2, N2O, H2O2, CH3OH, CH2OHC2OH, t-C2H4OH, n-C4H9OH 중의 어느 하나를 적용하는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 산화물 원료로서, H2O, O2, N2O, H2O2, CH3OH, CH2OHC2OH, t-C2H4OH, n-C4H9OH 중의 어느 하나를 적용하는 것을특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 Al2O3박막을 증착하기 위한 산화물 원료로서, H2O, O2, N2O, H2O2, CH3OH, CH2OHC2OH, t-C2H4OH, n-C4H9OH 중의 어느 하나를 적용하는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  9. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 7 항, 제 8 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 수송가스 및 퍼지가스로서 알곤(Ar) 또는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 수송가스 및 퍼지가스로서 알곤(Ar) 또는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 수송가스 및 퍼지가스로서 알곤(Ar) 또는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 수송가스 및 퍼지가스로서 알곤(Ar) 또는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  13. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 7 항, 제 8 항 , 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  14. 제 3 항에 있어서,
    상기 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  15. 제 4 항에 있어서,
    상기 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  16. 제 6 항에 있어서,
    상기 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 진공챔버 내의 온도를 200~600℃ 범위를 유지시키는 것을 특징으로 하는 Al2O3와 Ta2O5박막의 연속 적층방법.
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