JPH08102629A - 差動増幅回路 - Google Patents
差動増幅回路Info
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- JPH08102629A JPH08102629A JP6261736A JP26173694A JPH08102629A JP H08102629 A JPH08102629 A JP H08102629A JP 6261736 A JP6261736 A JP 6261736A JP 26173694 A JP26173694 A JP 26173694A JP H08102629 A JPH08102629 A JP H08102629A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45371—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising parallel coupled multiple transistors at their source and gate and drain or at their base and emitter and collector, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor or the composite common emitter transistor respectively
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- H03F2203/45374—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more discrete resistors
-
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45702—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広範囲な振幅可変をおこなう場合でも、極端
に周波数特性を低下させずに回路の消費電力を減らす、
可変振幅方式の差動増幅回路を提供する。 【構成】 トランジスタ１、２のベースにぞれぞれトラ
ンジスタ３、４のベースを並列接続する。トランジスタ
１と２、３と４のエミッタを一組ずつ共通とし、各々の
共通エミッタに定電流源を接続する。トランジスタ１の
コレクタに抵抗器５を、トランジスタ２のコレクタに抵
抗器６を接続する。また、トランジスタ１と３、トラン
ジスタ２と４のコレクタ間にそれぞれ抵抗器１４、１５
を接続する。
に周波数特性を低下させずに回路の消費電力を減らす、
可変振幅方式の差動増幅回路を提供する。 【構成】 トランジスタ１、２のベースにぞれぞれトラ
ンジスタ３、４のベースを並列接続する。トランジスタ
１と２、３と４のエミッタを一組ずつ共通とし、各々の
共通エミッタに定電流源を接続する。トランジスタ１の
コレクタに抵抗器５を、トランジスタ２のコレクタに抵
抗器６を接続する。また、トランジスタ１と３、トラン
ジスタ２と４のコレクタ間にそれぞれ抵抗器１４、１５
を接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は差動増幅回路に関し、
特に、出力に任意の振幅を得ることができる可変振幅方
式の差動増幅回路に関するものである。
特に、出力に任意の振幅を得ることができる可変振幅方
式の差動増幅回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】つぎに、従来技術による可変振幅型の差
動増幅回路の構成を図２に示す。図２の差動増幅回路
は、差動信号源９、１０、トランジスタ１〜４、抵抗器
５，６、電圧源１２と制御電圧源１３とトランジスタ８
ａとからなる定電流源８、並びに電圧源７から構成さ
れ、出力１１を得るものである。そして、トランジスタ
１とトランジスタ３とが並列に、またトランジスタ２と
４とが並列にそれぞれ接続されおり、これにより、トラ
ンジスタ１〜４のエミッタが共通となった差動増幅回路
が構成される。
動増幅回路の構成を図２に示す。図２の差動増幅回路
は、差動信号源９、１０、トランジスタ１〜４、抵抗器
５，６、電圧源１２と制御電圧源１３とトランジスタ８
ａとからなる定電流源８、並びに電圧源７から構成さ
れ、出力１１を得るものである。そして、トランジスタ
１とトランジスタ３とが並列に、またトランジスタ２と
４とが並列にそれぞれ接続されおり、これにより、トラ
ンジスタ１〜４のエミッタが共通となった差動増幅回路
が構成される。
【０００３】図２の構成では、差動信号源９、１０から
トランジスタ１〜４のベースに入力信号を与え、定電流
源８の制御電圧源１３を可変させることで、抵抗器５及
び抵抗器６に流れる電流を可変させている。そして、電
圧源７で規定された電源電圧から抵抗器５を流れる電流
による電圧降下によって、出力１１に任意の振幅が得ら
れる。
トランジスタ１〜４のベースに入力信号を与え、定電流
源８の制御電圧源１３を可変させることで、抵抗器５及
び抵抗器６に流れる電流を可変させている。そして、電
圧源７で規定された電源電圧から抵抗器５を流れる電流
による電圧降下によって、出力１１に任意の振幅が得ら
れる。
【０００４】ここで、トランジスタ１〜４は並列に接続
しているため、抵抗器５を流れる電流はトランジスタ１
とトランジスタ３に分かれて流れ、また抵抗器６を流れ
る電流はトランジスタ２とトランジスタ４に分かれて流
れる。つまり、トランジスタ１〜４を並列接続すること
で、トランジスタ１〜４の１個当たりに流れる電流が減
少する。
しているため、抵抗器５を流れる電流はトランジスタ１
とトランジスタ３に分かれて流れ、また抵抗器６を流れ
る電流はトランジスタ２とトランジスタ４に分かれて流
れる。つまり、トランジスタ１〜４を並列接続すること
で、トランジスタ１〜４の１個当たりに流れる電流が減
少する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示す
差動増幅回路において、例えば、抵抗器５の抵抗値が５
０Ωである場合において出力１１に０．１Ｖの振幅を得
ようとすれば、抵抗器５に流れる電流を２ｍＡとしなけ
ればならない。しかし、トランジスタ１〜４が並列に接
続されているため、トランジスタ１個当たりに流れる電
流は１ｍＡと更に小さくなってしまう。また出力１１に
５Ｖの振幅を得ようとした場合には、抵抗器５に流れる
電流は１００ｍＡとなり、トランジスタ１個当たりに流
れる電流は５０ｍＡとなってしまう。
差動増幅回路において、例えば、抵抗器５の抵抗値が５
０Ωである場合において出力１１に０．１Ｖの振幅を得
ようとすれば、抵抗器５に流れる電流を２ｍＡとしなけ
ればならない。しかし、トランジスタ１〜４が並列に接
続されているため、トランジスタ１個当たりに流れる電
流は１ｍＡと更に小さくなってしまう。また出力１１に
５Ｖの振幅を得ようとした場合には、抵抗器５に流れる
電流は１００ｍＡとなり、トランジスタ１個当たりに流
れる電流は５０ｍＡとなってしまう。
【０００６】このように、図２の構成では、抵抗器５お
よび抵抗器６の抵抗値が小さな値であると、出力１１に
大振幅出力を得ようとした場合には抵抗器５及び抵抗器
６には大電流を流さなければ大振幅の出力１１は得られ
ない。そして、トランジスタ１〜４の最大定格電流を考
慮した場合、トランジスタ１個当たりに流れる電流を減
らすために、並列に接続するトランジスタの数を増やさ
なければならなくなり、このため部品点数が増大してし
まう。また、抵抗器５及び抵抗器６に大電流が流れるた
めに消費電力が増えてしまう。
よび抵抗器６の抵抗値が小さな値であると、出力１１に
大振幅出力を得ようとした場合には抵抗器５及び抵抗器
６には大電流を流さなければ大振幅の出力１１は得られ
ない。そして、トランジスタ１〜４の最大定格電流を考
慮した場合、トランジスタ１個当たりに流れる電流を減
らすために、並列に接続するトランジスタの数を増やさ
なければならなくなり、このため部品点数が増大してし
まう。また、抵抗器５及び抵抗器６に大電流が流れるた
めに消費電力が増えてしまう。
【０００７】一方、抵抗器５及び抵抗器６の抵抗値を大
きくすれば、抵抗器を流れる電流を減らすことができ
る。しかし、この状態で小振幅出力を得ようとした場合
には、抵抗器５及び抵抗器６に流れる電流は少なくな
り、さらにトランジスタを並列に接続している事もあっ
て、トランジスタ１個当たりに流れる電流は、極めて微
少な電流しか流れなくなってしまう。そして、トランジ
スタのＩC −ｆT 特性から、トランジスタに流れるコレ
クタ電流が微少である場合には、トランジスタの周波数
特性が悪くなり、このため、可変振幅増幅回路の周波数
特性が低下してしまう。
きくすれば、抵抗器を流れる電流を減らすことができ
る。しかし、この状態で小振幅出力を得ようとした場合
には、抵抗器５及び抵抗器６に流れる電流は少なくな
り、さらにトランジスタを並列に接続している事もあっ
て、トランジスタ１個当たりに流れる電流は、極めて微
少な電流しか流れなくなってしまう。そして、トランジ
スタのＩC −ｆT 特性から、トランジスタに流れるコレ
クタ電流が微少である場合には、トランジスタの周波数
特性が悪くなり、このため、可変振幅増幅回路の周波数
特性が低下してしまう。
【０００８】このように、従来の可変振幅方式の差動増
幅回路では、小電力で広範囲な振幅可変ができないとい
う問題があった。この発明は、広範囲な振幅可変をおこ
なう場合でも周波数特性を低下させることなく、回路を
流れる電流を減らして消費電力を減少させる可変振幅増
幅回路を提供することを目的とする。
幅回路では、小電力で広範囲な振幅可変ができないとい
う問題があった。この発明は、広範囲な振幅可変をおこ
なう場合でも周波数特性を低下させることなく、回路を
流れる電流を減らして消費電力を減少させる可変振幅増
幅回路を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明は、第１のスイッチング素子と第２のスイ
ッチング素子の出力端子に第１の定電流源を接続し、第
１のスイッチング素子の制御端子に第３のスイッチング
素子の制御端子を並列接続し、第２のスイッチング素子
の制御端子に第４のスイッチング素子の制御端子を並列
接続し、第１及び第２のスイッチング素子の入力端子と
電圧源との間に抵抗器をそれぞれ接続し、第３のスイッ
チング素子及び第４のスイッチング素子の出力端子に第
２の定電流源を接続してなり、第１のスイッチング素子
の入力端子と第３のスイッチング素子の入力端子との
間、並びに第２のスイッチング素子の入力端子と第４の
スイッチング素子の入力端子との間に、それぞれ抵抗器
を接続する。
め、この発明は、第１のスイッチング素子と第２のスイ
ッチング素子の出力端子に第１の定電流源を接続し、第
１のスイッチング素子の制御端子に第３のスイッチング
素子の制御端子を並列接続し、第２のスイッチング素子
の制御端子に第４のスイッチング素子の制御端子を並列
接続し、第１及び第２のスイッチング素子の入力端子と
電圧源との間に抵抗器をそれぞれ接続し、第３のスイッ
チング素子及び第４のスイッチング素子の出力端子に第
２の定電流源を接続してなり、第１のスイッチング素子
の入力端子と第３のスイッチング素子の入力端子との
間、並びに第２のスイッチング素子の入力端子と第４の
スイッチング素子の入力端子との間に、それぞれ抵抗器
を接続する。
【００１０】上記のスイッチング素子としては、例え
ば、ＮＰＮ型トランジスタ等のトランジスタが用いられ
る。また、実際の回路構成では、第１及び第３のトラン
ジスタの制御端子、並びに第２および第４のトランジス
タの制御端子に、それぞれ差動信号源が接続される。さ
らに、第３、第４のスイッチング素子はぞれぞれ１つに
限定されず、複数個を並列接続する構成としても良い。
また、第１〜第４のスイッチング素子は、第１、第２の
定電流源によってオン、オフ制御される。
ば、ＮＰＮ型トランジスタ等のトランジスタが用いられ
る。また、実際の回路構成では、第１及び第３のトラン
ジスタの制御端子、並びに第２および第４のトランジス
タの制御端子に、それぞれ差動信号源が接続される。さ
らに、第３、第４のスイッチング素子はぞれぞれ１つに
限定されず、複数個を並列接続する構成としても良い。
また、第１〜第４のスイッチング素子は、第１、第２の
定電流源によってオン、オフ制御される。
【００１１】
【作用】この発明の差動増幅回路は、出力に得ようとす
る振幅の大きさによって、第１、第２のスイッチング素
子にそれぞれ複数接続した抵抗器における電流の経路を
変えて抵抗値を切り替えるものである。
る振幅の大きさによって、第１、第２のスイッチング素
子にそれぞれ複数接続した抵抗器における電流の経路を
変えて抵抗値を切り替えるものである。
【００１２】
【実施例】つぎに、この発明による実施例の可変振幅方
式の差動増幅回路の構成を図１に示す。図１は図２の回
路に抵抗器１４と１５、並びに定電流源１６を追加した
ものである。図１で、抵抗器１４はトランジスタ１のコ
レクタとトランジスタ３のコレクタ間に、抵抗器１５は
トランジスタ２のコレクタとトランジスタ４のコレクタ
間にそれぞれ接続される。また、定電流源１６は、図１
では電圧源１７と制御電圧源１８並びにトランジスタ１
６ａとから構成される。
式の差動増幅回路の構成を図１に示す。図１は図２の回
路に抵抗器１４と１５、並びに定電流源１６を追加した
ものである。図１で、抵抗器１４はトランジスタ１のコ
レクタとトランジスタ３のコレクタ間に、抵抗器１５は
トランジスタ２のコレクタとトランジスタ４のコレクタ
間にそれぞれ接続される。また、定電流源１６は、図１
では電圧源１７と制御電圧源１８並びにトランジスタ１
６ａとから構成される。
【００１３】図１の構成では、トランジスタ１のエミッ
タとトランジスタ２のエミッタとが、またトランジスタ
３のエミッタとトランジスタ４のエミッタとがそれぞれ
共通とした差動増幅回路構成になっている。そして、そ
れぞれの共通エミッタには定電流源８、定電流源１６が
それぞれ接続されている。
タとトランジスタ２のエミッタとが、またトランジスタ
３のエミッタとトランジスタ４のエミッタとがそれぞれ
共通とした差動増幅回路構成になっている。そして、そ
れぞれの共通エミッタには定電流源８、定電流源１６が
それぞれ接続されている。
【００１４】以上の構成である実施例の差動増幅回路で
は、トランジスタ１〜４のベースには差動の信号が入力
されるため、トランジスタ１とトランジスタ３がオンし
ているときはトランジスタ２とトランジスタ４はオフし
ている。
は、トランジスタ１〜４のベースには差動の信号が入力
されるため、トランジスタ１とトランジスタ３がオンし
ているときはトランジスタ２とトランジスタ４はオフし
ている。
【００１５】そして、この差動増幅回路において小振幅
の出力を得る場合、定電流源１６の制御電圧源１８を電
圧源１７で規定した電圧と同じか、もしくは小さくし
て、トランジスタ３またはトランジスタ４をオフさせ
る。そして、この状態で、定電流源８の制御電圧源１３
を可変させ、抵抗器５または抵抗器６を流れる電流の大
きさを可変させることで、任意の振幅を得る。この場
合、トランジスタ３とトランジスタ４はオフしているた
め、電圧源７から抵抗器５を流れる電流はトランジスタ
１に、また抵抗器６を流れる電流はトランジスタ２にそ
れぞれ流れる。
の出力を得る場合、定電流源１６の制御電圧源１８を電
圧源１７で規定した電圧と同じか、もしくは小さくし
て、トランジスタ３またはトランジスタ４をオフさせ
る。そして、この状態で、定電流源８の制御電圧源１３
を可変させ、抵抗器５または抵抗器６を流れる電流の大
きさを可変させることで、任意の振幅を得る。この場
合、トランジスタ３とトランジスタ４はオフしているた
め、電圧源７から抵抗器５を流れる電流はトランジスタ
１に、また抵抗器６を流れる電流はトランジスタ２にそ
れぞれ流れる。
【００１６】一方、この差動増幅回路において、大振幅
出力を得ようとする場合には、定電流源８の制御電圧源
１３を電圧源１２で規定した電圧と同じか、もしくは小
さくして、トランジスタ１または２をオフさせる。この
状態で、定電流源１６の制御電圧源１８を可変させ、抵
抗器５と抵抗器１４または抵抗器６と抵抗器１５を流れ
る電流の大きさを可変させる。
出力を得ようとする場合には、定電流源８の制御電圧源
１３を電圧源１２で規定した電圧と同じか、もしくは小
さくして、トランジスタ１または２をオフさせる。この
状態で、定電流源１６の制御電圧源１８を可変させ、抵
抗器５と抵抗器１４または抵抗器６と抵抗器１５を流れ
る電流の大きさを可変させる。
【００１７】ここで、電圧源７からの電流は、トランジ
スタ１とトランジスタ２はオフしているのでこれらには
流れ込まず、抵抗器１４または抵抗器１５を通ってトラ
ンジスタ３またはトランジスタ４に流れる。この場合、
抵抗器５と抵抗器１４が直列に接続された形となるた
め、トランジスタ３のコレクタに接続された抵抗器の抵
抗値が大きくなる。従って、大振幅を得るのに必要な電
流を少なくすることができる。
スタ１とトランジスタ２はオフしているのでこれらには
流れ込まず、抵抗器１４または抵抗器１５を通ってトラ
ンジスタ３またはトランジスタ４に流れる。この場合、
抵抗器５と抵抗器１４が直列に接続された形となるた
め、トランジスタ３のコレクタに接続された抵抗器の抵
抗値が大きくなる。従って、大振幅を得るのに必要な電
流を少なくすることができる。
【００１８】ここで、定電流源８をオフさせるか定電流
源１６をオフさせるかにより、上記のように電流の流れ
る経路を変えることができ、トランジスタのコレクタに
接続されている抵抗が抵抗器５だけの場合の経路、並び
に抵抗器５と抵抗器１４が直列に接続される場合の経路
とができ、これら分割した抵抗器によって抵抗値の切り
替えができる。
源１６をオフさせるかにより、上記のように電流の流れ
る経路を変えることができ、トランジスタのコレクタに
接続されている抵抗が抵抗器５だけの場合の経路、並び
に抵抗器５と抵抗器１４が直列に接続される場合の経路
とができ、これら分割した抵抗器によって抵抗値の切り
替えができる。
【００１９】なお、実際の回路において、抵抗器５に流
れる電流により発生した電圧降下分の振幅を出力１１に
出力する場合において、抵抗器１４による電圧降下を抑
えるために、例えば、出力１１には入力インピーダンス
の大きいバッファ回路を接続して出力する構成が採られ
る。
れる電流により発生した電圧降下分の振幅を出力１１に
出力する場合において、抵抗器１４による電圧降下を抑
えるために、例えば、出力１１には入力インピーダンス
の大きいバッファ回路を接続して出力する構成が採られ
る。
【００２０】次に、上記の実施例の回路において、抵抗
器５の抵抗値を２０Ω、抵抗器１４の抵抗値を１２０Ω
とし、出力１１に０．１Ｖの振幅を得たい場合には、ト
ランジスタ３またはトランジスタ４をオフさせるよう定
電流源１７を制御する。これにより抵抗器５を流れる電
流はトランジスタ１に流れ込む。したがって、この状態
において抵抗器５に５ｍＡの電流を流すように定電流源
８を制御すれば、電圧源７で規定した電圧から抵抗器５
に５ｍＡ流れただけの電圧降下分の０．１Ｖの振幅が出
力１１から得られる。そして、電圧源７で規定した電圧
レベルが振幅のハイレベルとなり、このレベルから電圧
降下分の０．１Ｖ下がったレベルが振幅のロウレベルと
なる。
器５の抵抗値を２０Ω、抵抗器１４の抵抗値を１２０Ω
とし、出力１１に０．１Ｖの振幅を得たい場合には、ト
ランジスタ３またはトランジスタ４をオフさせるよう定
電流源１７を制御する。これにより抵抗器５を流れる電
流はトランジスタ１に流れ込む。したがって、この状態
において抵抗器５に５ｍＡの電流を流すように定電流源
８を制御すれば、電圧源７で規定した電圧から抵抗器５
に５ｍＡ流れただけの電圧降下分の０．１Ｖの振幅が出
力１１から得られる。そして、電圧源７で規定した電圧
レベルが振幅のハイレベルとなり、このレベルから電圧
降下分の０．１Ｖ下がったレベルが振幅のロウレベルと
なる。
【００２１】また、出力１１に５Ｖ振幅を得たい場合に
は、トランジスタ１またはトランジスタ２をオフさせる
よう定電流源８を制御する。これにより、トランジスタ
１とトランジスタ２がオフしているため、電流は抵抗器
５から抵抗器１４に流れてトランジスタ３に流れ込む。
そして、トランジスタ３のコレクタに接続されている抵
抗値は、抵抗器５と抵抗器１４が直列に接続された形と
なることから、１４０Ωとなる。したがって、抵抗器５
と抵抗器１４に３６ｍＡの電流が流れるように定電流源
１６を制御すれば、出力１１に５Ｖの振幅が得られる。
は、トランジスタ１またはトランジスタ２をオフさせる
よう定電流源８を制御する。これにより、トランジスタ
１とトランジスタ２がオフしているため、電流は抵抗器
５から抵抗器１４に流れてトランジスタ３に流れ込む。
そして、トランジスタ３のコレクタに接続されている抵
抗値は、抵抗器５と抵抗器１４が直列に接続された形と
なることから、１４０Ωとなる。したがって、抵抗器５
と抵抗器１４に３６ｍＡの電流が流れるように定電流源
１６を制御すれば、出力１１に５Ｖの振幅が得られる。
【００２２】図２の従来の差動増幅回路では、抵抗器５
の抵抗値を５０Ωである場合、出力に０．１Ｖの振幅を
得ようとすれば抵抗器５に流す電流は２ｍＡであり、ま
た５Ｖの振幅を得ようとする場合には同じく１００ｍＡ
の電流を流さなければならなかった。
の抵抗値を５０Ωである場合、出力に０．１Ｖの振幅を
得ようとすれば抵抗器５に流す電流は２ｍＡであり、ま
た５Ｖの振幅を得ようとする場合には同じく１００ｍＡ
の電流を流さなければならなかった。
【００２３】しかし、実施例の差動増幅回路では、並列
に接続したトランジスタの共通エミッタの各々に定電流
源を接続し、並列に接続したトランジスタのコレクタ間
に抵抗器を接続した差動増幅回路構成であるので、定電
流源を制御して電流の流れる経路を変えることで抵抗器
の抵抗値の切り替えができる。そして、０．１Ｖの振幅
を出力に得る場合には抵抗器に流れる電流は５ｍＡで、
同じく５Ｖの振幅を出力に得る場合は３６ｍＡ程度の電
流が流れる。したがって、従来例に比べて抵抗器に流れ
る最大電流が１／３程度減少し、このため消費電力を大
幅に減らすことができるものである。
に接続したトランジスタの共通エミッタの各々に定電流
源を接続し、並列に接続したトランジスタのコレクタ間
に抵抗器を接続した差動増幅回路構成であるので、定電
流源を制御して電流の流れる経路を変えることで抵抗器
の抵抗値の切り替えができる。そして、０．１Ｖの振幅
を出力に得る場合には抵抗器に流れる電流は５ｍＡで、
同じく５Ｖの振幅を出力に得る場合は３６ｍＡ程度の電
流が流れる。したがって、従来例に比べて抵抗器に流れ
る最大電流が１／３程度減少し、このため消費電力を大
幅に減らすことができるものである。
【００２４】なお、図１の構成において、トランジスタ
１〜４の各々にトランジスタをカスケード接続する構成
としても良く、この構成の場合にも同様の作用・効果が
得られるものである。
１〜４の各々にトランジスタをカスケード接続する構成
としても良く、この構成の場合にも同様の作用・効果が
得られるものである。
【００２５】また、上記の実施例はトランジスタとして
ＮＰＮトランジスタを用いた場合について説明したが、
ＰＮＰトランジスタ、あるいはその他のスイッチング素
子を用いた場合でも同様な結果が得られることは言うま
でもない。
ＮＰＮトランジスタを用いた場合について説明したが、
ＰＮＰトランジスタ、あるいはその他のスイッチング素
子を用いた場合でも同様な結果が得られることは言うま
でもない。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば、出力の振幅の大きさ
によってスイッチング素子に接続した抵抗器における電
流の経路を変えて抵抗値を切り替えるようにしたので、
広範囲な振幅可変をおこなう場合でも周波数特性を低下
させることなく、また回路を流れる電流を減らして消費
電力を減少させることができる。
によってスイッチング素子に接続した抵抗器における電
流の経路を変えて抵抗値を切り替えるようにしたので、
広範囲な振幅可変をおこなう場合でも周波数特性を低下
させることなく、また回路を流れる電流を減らして消費
電力を減少させることができる。
【図１】この発明による可変振幅方式の差動増幅回路の
実施例の構成図である。
実施例の構成図である。
【図２】従来技術による可変振幅方式の差動増幅回路の
回路図である。
回路図である。
１〜４ トランジスタ ５・６・１４・１５ 抵抗器 ７・１２・１７ 電圧源 ８・１６ 定電流源 ９・１０ 差動信号源 １１ 出力 １３・１８ 制御電圧源
Claims (6)
- 【請求項１】 第１のスイッチング素子(1) と第２のス
イッチング素子(2)の出力端子に第１の定電流源(8) を
接続し、前記第１のスイッチング素子(1) の制御端子に
第３のスイッチング素子(3) の制御端子を並列接続し、
前記第２のスイッチング素子(2) の制御端子に第４のス
イッチング素子(4) の制御端子を並列接続し、前記第１
及び前記第２のスイッチング素子(1,2) の入力端子と電
圧源(7) との間に抵抗器(5,6) をそれぞれ接続し、前記
第３のスイッチング素子(3) 及び前記第４のスイッチン
グ素子(4) の出力端子に第２の定電流源(16)を接続して
なる差動増幅回路において、 前記第１のスイッチング素子(1) の入力端子と前記第３
のスイッチング素子(3) の入力端子との間、並びに前記
第２のスイッチング素子(2) の入力端子と第４のスイッ
チング素子(4) の入力端子との間に、それぞれ抵抗器(1
4,15) を接続したことを特徴とする差動増幅回路。 - 【請求項２】 前記第１〜第４のスイッチング素子(1,
2,3,4) がトランジスタであることを特徴とする請求項
１記載の差動増幅回路。 - 【請求項３】 前記第１〜第４のスイッチング素子(1,
2,3,4) がＮＰＮ型トランジスタであることを特徴とす
る請求項２記載の差動増幅回路。 - 【請求項４】 前記第１及び第３のトランジスタ(1,3)
の制御端子、並びに前記第２および第４のトランジスタ
(2,4) の制御端子に、それぞれ差動信号源(9,10)が接続
されていることを特徴とする請求項１、２または３記載
の差動増幅回路。 - 【請求項５】 前記第１〜第４のスイッチング素子(1,
2,3,4) が前記第１、第２の定電流源(8,16)によりオ
ン、オフ制御されることを特徴とする請求項１、２、３
または４記載の差動増幅回路。 - 【請求項６】 前記第３、第４のスイッチング素子(3,
4) が複数設けられていることを特徴とする請求項１、
２、３、４または５記載の差動増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261736A JPH08102629A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 差動増幅回路 |
| US08/526,883 US5614865A (en) | 1994-09-30 | 1995-09-12 | Differential amplifier with improved operational range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261736A JPH08102629A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 差動増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102629A true JPH08102629A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17366003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261736A Pending JPH08102629A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 差動増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5614865A (ja) |
| JP (1) | JPH08102629A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121836A (en) * | 1998-05-08 | 2000-09-19 | Lucent Technologies | Differential amplifier |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2924171A1 (de) * | 1979-06-15 | 1980-12-18 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbarer transistorverstaerker |
| FR2689705B1 (fr) * | 1992-04-01 | 1994-06-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit amplificateur video a commande de gain et d'alignement. |
| US5461342A (en) * | 1994-07-13 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Wide bandwidth, phase-stable amplifier circuit and method |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6261736A patent/JPH08102629A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-12 US US08/526,883 patent/US5614865A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5614865A (en) | 1997-03-25 |
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