JPH0794761A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH0794761A JPH0794761A JP5261691A JP26169193A JPH0794761A JP H0794761 A JPH0794761 A JP H0794761A JP 5261691 A JP5261691 A JP 5261691A JP 26169193 A JP26169193 A JP 26169193A JP H0794761 A JPH0794761 A JP H0794761A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体受光素子チップを有する受光装置にお
いて、受光素子チップの受光面およびガラスの外面や内
面での反射が原因とされるノイズの発生を防止する。 【構成】 ステム１上にキャリア２を介して受光素子チ
ップ４を搭載し、キャップ７の開口７ａに封着したガラ
ス８を通して受光を行う受光装置において、キャリア２
の上面を傾斜させることで受光素子チップ４の受光面を
光軸に対して傾斜させ、かつガラス８の外面を光軸に対
して傾斜させる。受光素子チップ４の傾斜角度は、光軸
方向から受光面に入射された光がキャップ７の開口７ａ
から外れた領域に反射される角度とする。これにより、
受光素子チップ４での反射光が光源方向に戻され、或い
は受光素子チップに再入射されることはない。
いて、受光素子チップの受光面およびガラスの外面や内
面での反射が原因とされるノイズの発生を防止する。 【構成】 ステム１上にキャリア２を介して受光素子チ
ップ４を搭載し、キャップ７の開口７ａに封着したガラ
ス８を通して受光を行う受光装置において、キャリア２
の上面を傾斜させることで受光素子チップ４の受光面を
光軸に対して傾斜させ、かつガラス８の外面を光軸に対
して傾斜させる。受光素子チップ４の傾斜角度は、光軸
方向から受光面に入射された光がキャップ７の開口７ａ
から外れた領域に反射される角度とする。これにより、
受光素子チップ４での反射光が光源方向に戻され、或い
は受光素子チップに再入射されることはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体受光装置に関し、
特に光通信や光計測に利用できる反射光防止型の半導体
受光装置に関する。
特に光通信や光計測に利用できる反射光防止型の半導体
受光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体受光装置として、容器状
のパッケージ内にフォトダイオード等の半導体受光素子
を内装したものがある。例えば、図５に示すものはその
一例であり、ステム２１の上面にキャリア２２を一体的
に設け、このキャリア２２の上面に受光素子チップ２３
を搭載し、金属線２５によりステム２１に設けたリード
２４と電気的な接続を行う。また、ステム２１の上面に
は受光素子チップ等を封止するキャップ２６が被せられ
る。このキャップ２６の上面には開口２６ａが設けら
れ、板状の透明体、ここではガラス２７を接着剤２８に
より取着し、受光素子チップ２３に対して光を透過させ
るととにも、キャップ内の封止を行っている。この半導
体受光装置では、入力光がガラス２７を透して受光素子
チップ２３で受光されることで、受光素子チップ２３の
光電変換により電気信号として受光することができる。
のパッケージ内にフォトダイオード等の半導体受光素子
を内装したものがある。例えば、図５に示すものはその
一例であり、ステム２１の上面にキャリア２２を一体的
に設け、このキャリア２２の上面に受光素子チップ２３
を搭載し、金属線２５によりステム２１に設けたリード
２４と電気的な接続を行う。また、ステム２１の上面に
は受光素子チップ等を封止するキャップ２６が被せられ
る。このキャップ２６の上面には開口２６ａが設けら
れ、板状の透明体、ここではガラス２７を接着剤２８に
より取着し、受光素子チップ２３に対して光を透過させ
るととにも、キャップ内の封止を行っている。この半導
体受光装置では、入力光がガラス２７を透して受光素子
チップ２３で受光されることで、受光素子チップ２３の
光電変換により電気信号として受光することができる。
【０００３】しかしながら、この構成では、受光素子チ
ップ２３の受光面が入力光の入射経路、即ち光軸に対し
て垂直な面に設定されており、ガラス２７は平行板とし
て同様に光軸に対して垂直な面に設定されている。この
ため、ガラス２７の外面や内面での反射光や受光素子チ
ップの受光面での反射光が入射経路と同一の経路をたど
って光源に戻ってしまったり、光軸内で光が多重反射を
起こして受光素子チップ２３に再入射されてしまう。こ
のようなことが生じると、光源として用いるレーザダイ
オード等の発光素子の発振状態を乱し（じょう乱し）、
或いは受光素子側での受信状態を乱し、ノイズを発生さ
せてしまうことがある。
ップ２３の受光面が入力光の入射経路、即ち光軸に対し
て垂直な面に設定されており、ガラス２７は平行板とし
て同様に光軸に対して垂直な面に設定されている。この
ため、ガラス２７の外面や内面での反射光や受光素子チ
ップの受光面での反射光が入射経路と同一の経路をたど
って光源に戻ってしまったり、光軸内で光が多重反射を
起こして受光素子チップ２３に再入射されてしまう。こ
のようなことが生じると、光源として用いるレーザダイ
オード等の発光素子の発振状態を乱し（じょう乱し）、
或いは受光素子側での受信状態を乱し、ノイズを発生さ
せてしまうことがある。
【０００４】このようなことから、従来では、図６に示
すように、ガラス２７Ａを光軸に対して傾斜させたも
の、或いは図７に示すようにガラス２７Ｂをテーパ状に
形成したものが提案されている。図６のものでは、ガラ
ス２７Ａを傾斜させることにより、ガラス２７Ａの表面
や内面での反射光を光軸からずらせることができ、光源
への戻りや受光素子チップ２３への再入射を防止するこ
とができる。また、図７のものは特開平３−１０４２８
６号公報にも示されており、ガラス２７Ｂの外面や内面
での反射を光軸とは異なる角度に向けて光源への戻りや
受光素子チップ２３への再入射を防止する。
すように、ガラス２７Ａを光軸に対して傾斜させたも
の、或いは図７に示すようにガラス２７Ｂをテーパ状に
形成したものが提案されている。図６のものでは、ガラ
ス２７Ａを傾斜させることにより、ガラス２７Ａの表面
や内面での反射光を光軸からずらせることができ、光源
への戻りや受光素子チップ２３への再入射を防止するこ
とができる。また、図７のものは特開平３−１０４２８
６号公報にも示されており、ガラス２７Ｂの外面や内面
での反射を光軸とは異なる角度に向けて光源への戻りや
受光素子チップ２３への再入射を防止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６及
び図７のいずれのものも、受光素子チップ２３の受光面
が光軸に対して垂直な面に位置しているため、次のよう
な問題が生じている。即ち、図６のものはガラス２７Ａ
に平行板を用いているため、反射光を光軸に沿ってずら
すことは可能であるが、受光素子チップ２３の受光面の
一部で反射された光が、光軸とはずれた位置を通って光
源に戻り、或いは受光面の他の一部に再入射することが
あり、前記した問題を確実に解消することは困難であ
る。また、図７のものは、テーパ状のガラス２７Ｂの一
方の面（内面）が光軸に垂直であり、かつこの内面が受
光素子チップ２３の受光面に対して平行であるため、こ
の内面と受光面との間での多重反射を防止することはで
きず、前記した問題を完全に解消することは困難であ
る。本発明の目的は、このような受光素子チップの受光
面およびガラスの外面や内面での反射によるノイズの発
生を防止した半導体受光装置を提供することにある。
び図７のいずれのものも、受光素子チップ２３の受光面
が光軸に対して垂直な面に位置しているため、次のよう
な問題が生じている。即ち、図６のものはガラス２７Ａ
に平行板を用いているため、反射光を光軸に沿ってずら
すことは可能であるが、受光素子チップ２３の受光面の
一部で反射された光が、光軸とはずれた位置を通って光
源に戻り、或いは受光面の他の一部に再入射することが
あり、前記した問題を確実に解消することは困難であ
る。また、図７のものは、テーパ状のガラス２７Ｂの一
方の面（内面）が光軸に垂直であり、かつこの内面が受
光素子チップ２３の受光面に対して平行であるため、こ
の内面と受光面との間での多重反射を防止することはで
きず、前記した問題を完全に解消することは困難であ
る。本発明の目的は、このような受光素子チップの受光
面およびガラスの外面や内面での反射によるノイズの発
生を防止した半導体受光装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ステム上に搭
載した受光素子チップが、キャップに設けた開口に封着
した透明体を通して受光を行うように構成した半導体受
光装置において、受光素子チップの受光面を光軸に対し
て傾斜させるとともに、透明体の外面を光軸に対して傾
斜させた構成とする。受光素子チップの受光面の傾斜角
度は、光軸方向から受光素子チップの受光面に入射され
た光が、キャップの開口から外れた領域に反射される角
度とする。また、透明体の外面の傾斜方向を受光素子チ
ップの傾斜方向と反対方向に向けることが好ましい。
載した受光素子チップが、キャップに設けた開口に封着
した透明体を通して受光を行うように構成した半導体受
光装置において、受光素子チップの受光面を光軸に対し
て傾斜させるとともに、透明体の外面を光軸に対して傾
斜させた構成とする。受光素子チップの受光面の傾斜角
度は、光軸方向から受光素子チップの受光面に入射され
た光が、キャップの開口から外れた領域に反射される角
度とする。また、透明体の外面の傾斜方向を受光素子チ
ップの傾斜方向と反対方向に向けることが好ましい。
【０００７】
【作用】受光素子チップの受光面が光軸に対して傾斜さ
れているため、受光素子チップに対して光軸方向に入射
される光はキャップ開口から外れた領域に反射されるこ
とになり、光源方向に戻され、或いは受光素子チップに
再入射されることもない。また、透明体の外面を受光素
子チップの傾斜面と反対方向に傾斜させることで、受光
素子チップの受光面に対して入射される光を光軸方向か
ら更に離れた角度で入射させ、受光素子チップを傾斜さ
せたことによる効果を助長する。
れているため、受光素子チップに対して光軸方向に入射
される光はキャップ開口から外れた領域に反射されるこ
とになり、光源方向に戻され、或いは受光素子チップに
再入射されることもない。また、透明体の外面を受光素
子チップの傾斜面と反対方向に傾斜させることで、受光
素子チップの受光面に対して入射される光を光軸方向か
ら更に離れた角度で入射させ、受光素子チップを傾斜さ
せたことによる効果を助長する。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の半導体受光装置の断面図
である。ステム１の上面にキャリア２を一体的に設け
る。このキャリア２の上面の一部はステム１の上面に対
して所定の角度θ１で傾斜されており、かつ所要パター
ンのメタライズパターン３が形成され、そのメタライズ
パターン３の傾斜された部分にフォトダイオード等の受
光素子チップ４が搭載され、この受光素子チップ４とメ
タライズパターン３の他の部分とを金属線５で電気接続
し、前記ステム１に設けたリード６と電気的な接続を行
っている。また、前記ステム１の上面には受光素子チッ
プ等を封止するキャップ７が被せられる。このキャップ
７の上面には開口７ａが設けられ、板状の透明体、ここ
では板状のガラス８を接着剤９により取着し、受光素子
チップ４に対して光を透過させるととにも、キャップ７
内の封止を行っている。また、前記ガラス８は平行板状
ではなく、内面は光軸に対して垂直な面とされている
が、その外面は光軸と垂直な面に対して所要の角度θ２
で、かつキャリア２に傾斜状態で搭載された前記受光素
子チップ４の受光面の傾斜角度と同一方向に傾斜された
テーパ状に形成されている。
る。図１は本発明の一実施例の半導体受光装置の断面図
である。ステム１の上面にキャリア２を一体的に設け
る。このキャリア２の上面の一部はステム１の上面に対
して所定の角度θ１で傾斜されており、かつ所要パター
ンのメタライズパターン３が形成され、そのメタライズ
パターン３の傾斜された部分にフォトダイオード等の受
光素子チップ４が搭載され、この受光素子チップ４とメ
タライズパターン３の他の部分とを金属線５で電気接続
し、前記ステム１に設けたリード６と電気的な接続を行
っている。また、前記ステム１の上面には受光素子チッ
プ等を封止するキャップ７が被せられる。このキャップ
７の上面には開口７ａが設けられ、板状の透明体、ここ
では板状のガラス８を接着剤９により取着し、受光素子
チップ４に対して光を透過させるととにも、キャップ７
内の封止を行っている。また、前記ガラス８は平行板状
ではなく、内面は光軸に対して垂直な面とされている
が、その外面は光軸と垂直な面に対して所要の角度θ２
で、かつキャリア２に傾斜状態で搭載された前記受光素
子チップ４の受光面の傾斜角度と同一方向に傾斜された
テーパ状に形成されている。
【０００９】この構成によれば、図２に光の軌跡を示す
ように、キャップ７の開口７ａに設けたガラス８を透過
して図外の光源から入射される入力光は、ガラス８の断
面形状がテーパ状をしているために屈折されて光軸とは
異なる角度に向けられて受光素子チップ４の受光面に入
射される。このとき、光の一部はガラス８の外面や内面
で反射されるが、外面においては光軸に対して傾斜され
ているために反射光も光軸とは異なる角度に向けられ
る。また、内面では外面において屈折された光が入射さ
れるため、その反射光も光軸とは異なる角度に向けられ
る。このため、ガラス８の反射光が光源に戻されること
が防止される。
ように、キャップ７の開口７ａに設けたガラス８を透過
して図外の光源から入射される入力光は、ガラス８の断
面形状がテーパ状をしているために屈折されて光軸とは
異なる角度に向けられて受光素子チップ４の受光面に入
射される。このとき、光の一部はガラス８の外面や内面
で反射されるが、外面においては光軸に対して傾斜され
ているために反射光も光軸とは異なる角度に向けられ
る。また、内面では外面において屈折された光が入射さ
れるため、その反射光も光軸とは異なる角度に向けられ
る。このため、ガラス８の反射光が光源に戻されること
が防止される。
【００１０】また、受光素子チップ４の受光面に入射さ
れた光は、その受光面も光軸に対して傾斜されているた
めに、光軸から大きく偏移された角度で反射されること
になる。このため、この受光面からの反射光はキャップ
７の開口７ａ内に向けて反射されることはなく、開口を
通して光源方向に戻されることはない。また、一部は開
口７ａ内に向けて反射されるが、ガラス８を透過する際
に、ガラス８のテーパ形状によって光軸とは更に大きく
偏移された方向に屈性され、光源方向に戻されることは
ない。同様にガラス８で反射された光が受光素子チップ
４の受光面に再入射されることも殆ど生じない。したが
って、光源でのじょう乱や受光素子チップでの受光の乱
れが防止でき、ノイズを有効に抑制することが可能とな
る。
れた光は、その受光面も光軸に対して傾斜されているた
めに、光軸から大きく偏移された角度で反射されること
になる。このため、この受光面からの反射光はキャップ
７の開口７ａ内に向けて反射されることはなく、開口を
通して光源方向に戻されることはない。また、一部は開
口７ａ内に向けて反射されるが、ガラス８を透過する際
に、ガラス８のテーパ形状によって光軸とは更に大きく
偏移された方向に屈性され、光源方向に戻されることは
ない。同様にガラス８で反射された光が受光素子チップ
４の受光面に再入射されることも殆ど生じない。したが
って、光源でのじょう乱や受光素子チップでの受光の乱
れが防止でき、ノイズを有効に抑制することが可能とな
る。
【００１１】ここで、前記した受光素子チップ４の受光
面の傾斜角度θ１と、ガラス８の外面の傾斜角度θ２に
ついて検討する。先ず、ガラス８が仮に平行板である場
合について考える。図３はその模式図であり、受光素子
チップ４の受光面からガラス８の内面までの距離をｌと
し、ガラス８の有効直径、即ちキャップ７の開口７ａの
口径をφ、その半径をｒとする。受光素子チップ４の受
光面からの反射光がガラス８の有効径内に戻らない、即
ちキャップ７の開口７ａを通して外に射出されないため
の受光素子チップの傾斜角度θ１は次の式で求められ
る。 ｒ＞ｌ・ｔａｎ２θ１ …（１） したがって、 ｔａｎ２θ１＜ｒ／ｌ …（２） 本実施例ではガラス８の有効径φ＝１ｍｍ（ｒ＝０．５
ｍｍ）、距離ｌ＝０．６８ｍｍとしており、この値を
（２）式に代入してθ１について解くと、θ１＞１８．
３°が求められる。
面の傾斜角度θ１と、ガラス８の外面の傾斜角度θ２に
ついて検討する。先ず、ガラス８が仮に平行板である場
合について考える。図３はその模式図であり、受光素子
チップ４の受光面からガラス８の内面までの距離をｌと
し、ガラス８の有効直径、即ちキャップ７の開口７ａの
口径をφ、その半径をｒとする。受光素子チップ４の受
光面からの反射光がガラス８の有効径内に戻らない、即
ちキャップ７の開口７ａを通して外に射出されないため
の受光素子チップの傾斜角度θ１は次の式で求められ
る。 ｒ＞ｌ・ｔａｎ２θ１ …（１） したがって、 ｔａｎ２θ１＜ｒ／ｌ …（２） 本実施例ではガラス８の有効径φ＝１ｍｍ（ｒ＝０．５
ｍｍ）、距離ｌ＝０．６８ｍｍとしており、この値を
（２）式に代入してθ１について解くと、θ１＞１８．
３°が求められる。
【００１２】一方、ガラス８の外面の傾斜角度θ２につ
いては反射光と光軸をずらし、多重反射を抑えることが
目的であるため、大きな角度をつける必要性はない。む
しろ、注意すべき点は、受光素子チップやその他の構成
部品のアセンブリ上の許容範囲内で効果をあげることで
ある。図２に示すように、ガラス８における入射光と屈
折光との間には、スネルの法則が成り立つので、次式で
求められる。 ｎIN・ｃｏｓψIN＝ｎOUT ・ｃｏｓψOUT …（３） ここで、ｎIN，ｎOUT はそれぞれ光が入力する前後の媒
質の屈折率であり、空気の屈折率はｎ＝１、またこ実施
例のガラス８の屈折率はｎ＝１．５である。ψINは入射
光の入射角度であり、ψOUT は屈折後の出射角度であ
る。
いては反射光と光軸をずらし、多重反射を抑えることが
目的であるため、大きな角度をつける必要性はない。む
しろ、注意すべき点は、受光素子チップやその他の構成
部品のアセンブリ上の許容範囲内で効果をあげることで
ある。図２に示すように、ガラス８における入射光と屈
折光との間には、スネルの法則が成り立つので、次式で
求められる。 ｎIN・ｃｏｓψIN＝ｎOUT ・ｃｏｓψOUT …（３） ここで、ｎIN，ｎOUT はそれぞれ光が入力する前後の媒
質の屈折率であり、空気の屈折率はｎ＝１、またこ実施
例のガラス８の屈折率はｎ＝１．５である。ψINは入射
光の入射角度であり、ψOUT は屈折後の出射角度であ
る。
【００１３】例えば、図２において、ガラス８の外面の
傾斜角度θ２＝５°とすると、光軸に沿って入射される
入射光の入射角の補角ψ１はθ２の補角となり、ψ１＝
８５°となる。これから、（３）式を用いると、ガラス
８の外面と内面の各入射角、屈折角の各補角は、ψ２＝
８６．６°，ψ４＝８８．４°，ψ５＝８７．６°とな
り、結果として光軸に対して３．４°の角度で受光素子
チップ４に入射されることが判る。したがって、この角
度と、受光素子チップ４の有効受光面積（φ８０μｍ）
等を考慮すると、受光素子チップ４の傾斜角度θ２を、
前記した値のθ１＞１８．３°に対して、図２における
最悪の光の経路を考えても、θ２＞２０°が安全圏であ
ることが求められ、これから前記した反射光によるノイ
ズの発生を有効に防止できることが判る。
傾斜角度θ２＝５°とすると、光軸に沿って入射される
入射光の入射角の補角ψ１はθ２の補角となり、ψ１＝
８５°となる。これから、（３）式を用いると、ガラス
８の外面と内面の各入射角、屈折角の各補角は、ψ２＝
８６．６°，ψ４＝８８．４°，ψ５＝８７．６°とな
り、結果として光軸に対して３．４°の角度で受光素子
チップ４に入射されることが判る。したがって、この角
度と、受光素子チップ４の有効受光面積（φ８０μｍ）
等を考慮すると、受光素子チップ４の傾斜角度θ２を、
前記した値のθ１＞１８．３°に対して、図２における
最悪の光の経路を考えても、θ２＞２０°が安全圏であ
ることが求められ、これから前記した反射光によるノイ
ズの発生を有効に防止できることが判る。
【００１４】なお、本発明では、図４に示すように、受
光素子チップの傾斜方向とは同一方向にガラス８の外面
の傾斜角度を設定してもよい。この場合には、ガラス８
による光の屈折方向と、受光素子チップ４の受光面の反
射方向とは反対方向となるため、反射光が光源方向に反
射されることや受光面に再入射されることの効果は若干
低下されるが、受光素子チップの受光面に対して垂直に
近い角度で光を入射させたい場合には有効である。ま
た、図示は省略したが、ガラスの外面のみならず、内面
も合わせて傾斜させることも可能である。因みに、従来
では反射量、即ち減衰量が−３０ｄＢであったものが、
受光素子チップを傾斜させることにより−４５ｄＢ程度
に改善し、かつガラスの外面を傾斜させることで更に−
５０ｄＢ以上に改善することが可能となる。
光素子チップの傾斜方向とは同一方向にガラス８の外面
の傾斜角度を設定してもよい。この場合には、ガラス８
による光の屈折方向と、受光素子チップ４の受光面の反
射方向とは反対方向となるため、反射光が光源方向に反
射されることや受光面に再入射されることの効果は若干
低下されるが、受光素子チップの受光面に対して垂直に
近い角度で光を入射させたい場合には有効である。ま
た、図示は省略したが、ガラスの外面のみならず、内面
も合わせて傾斜させることも可能である。因みに、従来
では反射量、即ち減衰量が−３０ｄＢであったものが、
受光素子チップを傾斜させることにより−４５ｄＢ程度
に改善し、かつガラスの外面を傾斜させることで更に−
５０ｄＢ以上に改善することが可能となる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、受光素子
チップの受光面を光軸に対して傾斜させるとともに、透
明体の外面を光軸に対して傾斜させているので、受光素
子チップに対して光軸方向に入射される光が光源方向に
戻されることはなく、かつ受光素子チップに再入射さる
こともない。これにより、ノイズの発生を有効に防止
し、性能の高い受光装置を得ることができる。特に、受
光素子チップの受光面の傾斜角度は、光軸方向から受光
素子チップの受光面に入射された光が、キャップの開口
から外れた領域に反射される角度とすることにより、受
光面での反射光が光源方向に戻されることを確実に防止
することができる。更に、透明体の外面の傾斜方向を受
光素子チップの傾斜方向と反対方向に向けることで、入
射される光を受光素子チップに対して光軸方向と異なる
角度で入射させ、受光素子チップの傾斜による効果を助
長する。
チップの受光面を光軸に対して傾斜させるとともに、透
明体の外面を光軸に対して傾斜させているので、受光素
子チップに対して光軸方向に入射される光が光源方向に
戻されることはなく、かつ受光素子チップに再入射さる
こともない。これにより、ノイズの発生を有効に防止
し、性能の高い受光装置を得ることができる。特に、受
光素子チップの受光面の傾斜角度は、光軸方向から受光
素子チップの受光面に入射された光が、キャップの開口
から外れた領域に反射される角度とすることにより、受
光面での反射光が光源方向に戻されることを確実に防止
することができる。更に、透明体の外面の傾斜方向を受
光素子チップの傾斜方向と反対方向に向けることで、入
射される光を受光素子チップに対して光軸方向と異なる
角度で入射させ、受光素子チップの傾斜による効果を助
長する。
【図１】本発明の半導体受光装置の一実施例の全体構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１の装置の要部を模式的に示す図である。
【図３】本発明における受光素子チップの傾斜角度を説
明するための模式的な図である。
明するための模式的な図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部を模式的に示す図で
ある。
ある。
【図５】本発明が適用される従来の半導体受光装置の断
面図である。
面図である。
【図６】従来の改善された半導体受光装置の断面図であ
る。
る。
【図７】従来の改善された他の半導体受光装置の断面図
である。
である。
１ ステム ２ キャリア ４ 受光素子チップ ６ リード ７ キャップ ７ａ 開口 ８ ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】 ステム上に半導体の受光素子チップを搭
載し、この受光素子チップをキャップで封止し、このキ
ャップに設けた開口に板状の透明体を封着し、この透明
体を通して前記受光素子チップで受光を行うように構成
した半導体受光装置において、前記受光素子チップの受
光面を光軸に対して傾斜させるとともに、前記透明体の
外面を光軸に対して傾斜させたことを特徴とする半導体
受光装置。 - 【請求項２】 受光素子チップの受光面の傾斜角度は、
光軸方向から受光素子チップの受光面に入射された光
が、キャップの開口から外れた領域に反射される角度で
ある請求項１の半導体受光装置。 - 【請求項３】 透明体の外面の傾斜方向を受光素子チッ
プの傾斜方向と反対方向に向けた請求項１または２の半
導体受光装置。
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|---|---|---|---|
| JP5261691A JP2661521B2 (ja) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | 半導体受光装置 |
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| EP94115038A EP0645824B1 (en) | 1993-09-25 | 1994-09-23 | Semiconductor light receiving apparatus |
| DE69411239T DE69411239T2 (de) | 1993-09-25 | 1994-09-23 | Lichtempfangendes Halbleiter-Bauelement |
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|---|---|---|---|
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| JP2661521B2 JP2661521B2 (ja) | 1997-10-08 |
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| JP (1) | JP2661521B2 (ja) |
| DE (1) | DE69411239T2 (ja) |
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- 1994-09-22 US US08/310,743 patent/US5550675A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-23 EP EP94115038A patent/EP0645824B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-23 DE DE69411239T patent/DE69411239T2/de not_active Expired - Fee Related
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