JPS5815287A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS5815287A JPS5815287A JP56114822A JP11482281A JPS5815287A JP S5815287 A JPS5815287 A JP S5815287A JP 56114822 A JP56114822 A JP 56114822A JP 11482281 A JP11482281 A JP 11482281A JP S5815287 A JPS5815287 A JP S5815287A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はレーザーダイオード等の発光素子をステムに
固着しキャップを被冠封止してなる光半導体装置に関す
る。
固着しキャップを被冠封止してなる光半導体装置に関す
る。
発光ダイオードは透明樹脂で封止した樹脂封止型のもの
と、ステムとキャップとで構成されるキャンで封止した
キャン封止型のものとがある。前者は構造が簡単で安価
であるという利点を有する半面、耐湿性が悪く信頼性が
劣るという欠５（、がある。後者は構造が複雑で高価で
あるという欠点はあるが、耐湿性に優れているの２・・
、信頼性が高いという利点がある。そこで、レーザーダ
イオード等の工業用の発光ダイオードは、キャン封止型
のものが用いられている。
と、ステムとキャップとで構成されるキャンで封止した
キャン封止型のものとがある。前者は構造が簡単で安価
であるという利点を有する半面、耐湿性が悪く信頼性が
劣るという欠５（、がある。後者は構造が複雑で高価で
あるという欠点はあるが、耐湿性に優れているの２・・
、信頼性が高いという利点がある。そこで、レーザーダ
イオード等の工業用の発光ダイオードは、キャン封止型
のものが用いられている。
第１図は従来のキャン封止型レーザーダイオードの一例
を示す断面“図である。図において、１はステムで、金
属外環２に複数のリード線封着孔３を有し、各リード線
封着孔３にはガラス４を介してリード線５，６が封着さ
れており、金属外環２の下面には他のリード線７が溶接
ないしろう付けにより固着されている。８は金属外環２
上に固着続されている。１０はキャップで、コバールと
ゼトされる鉄・ニッケル・コバル）合金（Ｆｅ ５３
％、Ｎ１２８％、ｃｏｉ８％）よりなるキャップ本体１
１の頂部に透孔１２を設け、この頂部の内側に透明ガラ
スまたはサファイヤ等よりなる透光部材１３を気密に固
着したものである。透光部材ＩＢ、が透明′ガラヌの場
合は、キャップ本体２１に直接融着により固着されるし
、サファイヤの場合はメタライズして銀ろう等のろう材
により固着する。
を示す断面“図である。図において、１はステムで、金
属外環２に複数のリード線封着孔３を有し、各リード線
封着孔３にはガラス４を介してリード線５，６が封着さ
れており、金属外環２の下面には他のリード線７が溶接
ないしろう付けにより固着されている。８は金属外環２
上に固着続されている。１０はキャップで、コバールと
ゼトされる鉄・ニッケル・コバル）合金（Ｆｅ ５３
％、Ｎ１２８％、ｃｏｉ８％）よりなるキャップ本体１
１の頂部に透孔１２を設け、この頂部の内側に透明ガラ
スまたはサファイヤ等よりなる透光部材１３を気密に固
着したものである。透光部材ＩＢ、が透明′ガラヌの場
合は、キャップ本体２１に直接融着により固着されるし
、サファイヤの場合はメタライズして銀ろう等のろう材
により固着する。
、 上記の構成において、リード線５と７または６と７
、もしくは５と７および６と７に通電するす、発光素子
８が発光し、光線１４が透光部材１３を通って外部に放
射される。
、もしくは５と７および６と７に通電するす、発光素子
８が発光し、光線１４が透光部材１３を通って外部に放
射される。
ところで、上記のような構成においては、光線１４がノ
イズを含むことが確認された。この原因は、透光部材１
８の下面が発光素子８に対して平行な水平面になってい
ると、発、光素子８の光線１４の一部が透光部材ｌ、８
の下面で反射した反射光線１５が、発光素子８に戻って
くるためであることが判明した。
イズを含むことが確認された。この原因は、透光部材１
８の下面が発光素子８に対して平行な水平面になってい
ると、発、光素子８の光線１４の一部が透光部材ｌ、８
の下面で反射した反射光線１５が、発光素子８に戻って
くるためであることが判明した。
そこで、この発明はノイズの少ないレーザーダイオード
のような光半導体装置を提供することを目的とするもの
で、透光部材の下面を水平面に対し所定角度傾斜せしめ
たことを特徴とする。
のような光半導体装置を提供することを目的とするもの
で、透光部材の下面を水平面に対し所定角度傾斜せしめ
たことを特徴とする。
、以下、この発明の実施例を図面により説明する。
第２図は第１の実施例のレーザーダイオードの断面図を
示す。図において、ステムｌは第１図と同様であり、同
一部分に同一参照符号を付してその説明を省略する。第
１図と相違する点はキャップ２０の構造である。このキ
ャップ２０は、コバールよりなる円筒状のキャップ本体
２１の頂部を、水平面に対して角度θだけ傾斜させ、こ
の頂部に透孔２２を形成し、透孔２２の内側に透明ガラ
スまたはサファイヤ等よりなる透光部材２３を気密に固
着したことである。したがって、透光部材２３の下面も
水平面に対して角度０だけ傾斜している。
示す。図において、ステムｌは第１図と同様であり、同
一部分に同一参照符号を付してその説明を省略する。第
１図と相違する点はキャップ２０の構造である。このキ
ャップ２０は、コバールよりなる円筒状のキャップ本体
２１の頂部を、水平面に対して角度θだけ傾斜させ、こ
の頂部に透孔２２を形成し、透孔２２の内側に透明ガラ
スまたはサファイヤ等よりなる透光部材２３を気密に固
着したことである。したがって、透光部材２３の下面も
水平面に対して角度０だけ傾斜している。
上記の構成において、リード線５と７″Ｔまたは６と７
、あるいは５と７および６と７に通電すると、発光素子
８が発光し、その光線２４は透光部材２３に対して角度
θで入射し、媒質の変化する空洞部分と透光部材２８の
界面および透光部材２３と外気部分とで屈折して外部に
放射される。ところで、前述のように透光部材２３に対
する光線２４の入射角はθであるから、透光部材２３の
下面における反射光線２５の反射角も０であり、入射光
線２４と反射光線２５とのなす角度は２θとなる。この
ため、反射光線２５が発光素子８に戻って来ることがな
くなり、反射光線２５の照射による擾乱作用がなくなる
ためノイズが防止できる。なお、上記角度θは、発光素
子８と透光部材２８の下面中央部との間の離隔寸法ｔに
よって異なり、離隔寸法ｔが大きいほど小さくできる。
、あるいは５と７および６と７に通電すると、発光素子
８が発光し、その光線２４は透光部材２３に対して角度
θで入射し、媒質の変化する空洞部分と透光部材２８の
界面および透光部材２３と外気部分とで屈折して外部に
放射される。ところで、前述のように透光部材２３に対
する光線２４の入射角はθであるから、透光部材２３の
下面における反射光線２５の反射角も０であり、入射光
線２４と反射光線２５とのなす角度は２θとなる。この
ため、反射光線２５が発光素子８に戻って来ることがな
くなり、反射光線２５の照射による擾乱作用がなくなる
ためノイズが防止できる。なお、上記角度θは、発光素
子８と透光部材２８の下面中央部との間の離隔寸法ｔに
よって異なり、離隔寸法ｔが大きいほど小さくできる。
第８図はこの発明の第２の実施例のレーザーダイオード
の断面図を示す。この実施例は、キャップ３０が円筒状
のキャップ本体８１の頂部を水平面として透孔８２を形
成し、この頂部の内側に下光部材８５を固着したことを
特徴とする。この実施例においても、前記実施例と同様
の作用効果が得られる。また、キャップ本体８１の頂部
が水平面になっているので、視覚心理上安定感があると
いう利点がある。
の断面図を示す。この実施例は、キャップ３０が円筒状
のキャップ本体８１の頂部を水平面として透孔８２を形
成し、この頂部の内側に下光部材８５を固着したことを
特徴とする。この実施例においても、前記実施例と同様
の作用効果が得られる。また、キャップ本体８１の頂部
が水平面になっているので、視覚心理上安定感があると
いう利点がある。
第４図はこの発明の第８の実施例のレーザーダイオード
の断面図を示す。この実施例は、キャップ４０が、コバ
ーｌしよりなる円筒状のキャ７７”４体４１の頂部を水
平面として透孔４２を設けるとともに、この頂部の内側
に、上面が水平面で下面が傾斜面となった、厚さが連続
的に変化する青光部材４３を固着したことを特徴とする
。このような透光部材４８は、例えば長尺の棒状の透光
部材原料を、一端は中心軸に対して直角に切断するとと
もに、他端は中心軸に対して斜めに切断して、上下両面
を研磨して製作することができる。この実施例において
も前記各実施例と同様の作用効果が得られる。のみなら
ず、第２図に示す第１の実施例に比較して、キャップ本
体４１の頂部が水平面になっているので、視覚心理上安
定感があるし、第８図に示す第２の実施例に比較して、
キャップ４０に大きな凹部がなく、洗浄が容易でしかも
塵埃が溜り難いという利点がある。
の断面図を示す。この実施例は、キャップ４０が、コバ
ーｌしよりなる円筒状のキャ７７”４体４１の頂部を水
平面として透孔４２を設けるとともに、この頂部の内側
に、上面が水平面で下面が傾斜面となった、厚さが連続
的に変化する青光部材４３を固着したことを特徴とする
。このような透光部材４８は、例えば長尺の棒状の透光
部材原料を、一端は中心軸に対して直角に切断するとと
もに、他端は中心軸に対して斜めに切断して、上下両面
を研磨して製作することができる。この実施例において
も前記各実施例と同様の作用効果が得られる。のみなら
ず、第２図に示す第１の実施例に比較して、キャップ本
体４１の頂部が水平面になっているので、視覚心理上安
定感があるし、第８図に示す第２の実施例に比較して、
キャップ４０に大きな凹部がなく、洗浄が容易でしかも
塵埃が溜り難いという利点がある。
この発明は以上のように、キャップの透光部材の下面を
水平面に対して所定角度傾斜せしめたから、発光素子の
発光光線の一部が透光部材の下面で反射しても反射光線
が発光素子に戻って来ることがなく、したがって反射光
線による擾乱作用がなくなり、ノイズのない光半導体装
置が得られるという効果が得られる。
水平面に対して所定角度傾斜せしめたから、発光素子の
発光光線の一部が透光部材の下面で反射しても反射光線
が発光素子に戻って来ることがなく、したがって反射光
線による擾乱作用がなくなり、ノイズのない光半導体装
置が得られるという効果が得られる。
第１図は従来のレーデ−ダイオードの一例の断面図、第
２図ないし第４図はこの発明の異なる実施例のレーザー
ダイオードの断面図である。 １・・・・・・ステム、 ８・・・・・・発光素子、 ２０．８０．４０・・・・・・キャップ、２１．８１．
４１・・・・・・キャンプ本体、２２．８２．４２・・
・・・・透孔、 ２８．３５．４８・・・・・・透光部材、２４・・・・
・発光光線、 ２５・・・・・・反射光線、 ３３・・・・・・ ワッシャ。 第１図 第３図 ／Ｖ−２０ 第４図
２図ないし第４図はこの発明の異なる実施例のレーザー
ダイオードの断面図である。 １・・・・・・ステム、 ８・・・・・・発光素子、 ２０．８０．４０・・・・・・キャップ、２１．８１．
４１・・・・・・キャンプ本体、２２．８２．４２・・
・・・・透孔、 ２８．３５．４８・・・・・・透光部材、２４・・・・
・発光光線、 ２５・・・・・・反射光線、 ３３・・・・・・ ワッシャ。 第１図 第３図 ／Ｖ−２０ 第４図
Claims (1)
- 発光素子を固着したステムに、一部に透光部材を備えた
キャップを被冠封止してなる光半導体装置において、前
記キャップの透光部材の下面を水平面に対して所定角度
傾斜せしめたことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114822A JPS5815287A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114822A JPS5815287A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815287A true JPS5815287A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14647546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56114822A Pending JPS5815287A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815287A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205785A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
| JPS6057694A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6054361U (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-16 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6092681A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0645824A1 (en) * | 1993-09-25 | 1995-03-29 | Nec Corporation | Semiconductor light receiving apparatus |
| WO2019208623A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 京セラ株式会社 | 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238939A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical coupler |
| JPS5451787A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-23 | Siemens Ag | Device for monitoring radiation of semiconductor light emitting element |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP56114822A patent/JPS5815287A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| US5550675A (en) * | 1993-09-25 | 1996-08-27 | Nec Corporation | Semiconductor light receiving apparatus |
| WO2019208623A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 京セラ株式会社 | 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール |
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