JPH05243587A - 受光デバイス - Google Patents
受光デバイスInfo
- Publication number
- JPH05243587A JPH05243587A JP4041799A JP4179992A JPH05243587A JP H05243587 A JPH05243587 A JP H05243587A JP 4041799 A JP4041799 A JP 4041799A JP 4179992 A JP4179992 A JP 4179992A JP H05243587 A JPH05243587 A JP H05243587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- substrate
- optical fiber
- receiving device
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １Ｇｂｐｓを越えるような広帯域の通信用の
受光素子を高密度に実装することにより、小型の受光デ
バイスを提供する点。 【構成】 斜めに切断して傾斜面で構成する基板側面に
受光素子を実装し、この基板の裏面や側面にも形成する
素子のバイアスラインに、バイパスコンデンサを形成す
ることにより、高密度に部品を実装した小型の受光デバ
イスを得る。
受光素子を高密度に実装することにより、小型の受光デ
バイスを提供する点。 【構成】 斜めに切断して傾斜面で構成する基板側面に
受光素子を実装し、この基板の裏面や側面にも形成する
素子のバイアスラインに、バイパスコンデンサを形成す
ることにより、高密度に部品を実装した小型の受光デバ
イスを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、受光デバイスに係わ
り、特に、光通信などに必要な光−電気変換や増幅装置
を気密封止した小型パッケイジに高密度に実装して、広
帯域・高感度を実現した受光デバイスの改良に関する。
り、特に、光通信などに必要な光−電気変換や増幅装置
を気密封止した小型パッケイジに高密度に実装して、広
帯域・高感度を実現した受光デバイスの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバを取り付けた光通信用受光デ
バイスは、光−電気変換機能を備えており、受光素子と
してフオトダイオード(Photo Diode略称PD) またはアバ
ランシェフオトダイオード (Abalanche Photo Diode 略
称APD)を使用する。この受光デバイスの内部構造を図４
を参考にして説明すると、導入線即ち出力端子１を絶縁
物を通し（図示せず）、これらを金属製ステム２に気密
に取り付け、更に金属製パッケイジ３を気密に形成す
る。金属製パッケイジ３内には、受光デバイスに必要な
部品を設置し、出力端子１に対応する金属製パッケイジ
３端面に光ファイバ４を配置する。
バイスは、光−電気変換機能を備えており、受光素子と
してフオトダイオード(Photo Diode略称PD) またはアバ
ランシェフオトダイオード (Abalanche Photo Diode 略
称APD)を使用する。この受光デバイスの内部構造を図４
を参考にして説明すると、導入線即ち出力端子１を絶縁
物を通し（図示せず）、これらを金属製ステム２に気密
に取り付け、更に金属製パッケイジ３を気密に形成す
る。金属製パッケイジ３内には、受光デバイスに必要な
部品を設置し、出力端子１に対応する金属製パッケイジ
３端面に光ファイバ４を配置する。
【０００３】また、金属製パッケイジ３内に設置する受
光デバイスに必要な部品としては、光ファイバ４に対応
してレンズ５を同一軸上に配置すると共に、この軸上に
位置する出力端子１には、受光素子６も取り付け、更
に、後段の電子回路の一部と電気的に接続する。更にま
た、気密性を維持する金属製パッケイジ３に配置する受
光素子６は、信頼性が確保できる。
光デバイスに必要な部品としては、光ファイバ４に対応
してレンズ５を同一軸上に配置すると共に、この軸上に
位置する出力端子１には、受光素子６も取り付け、更
に、後段の電子回路の一部と電気的に接続する。更にま
た、気密性を維持する金属製パッケイジ３に配置する受
光素子６は、信頼性が確保できる。
【０００４】このような受光デバイスを用いた場合、金
属製パッケイジ３の容量が、後段の電子回路の一部を構
成する増幅素子（図示せず）の入力容量に並列に加わる
上に、リードがインダクタンスを持つことになって共振
や帯域劣化を引き起こすので、大容量・高速用としては
不利な構造である。
属製パッケイジ３の容量が、後段の電子回路の一部を構
成する増幅素子（図示せず）の入力容量に並列に加わる
上に、リードがインダクタンスを持つことになって共振
や帯域劣化を引き起こすので、大容量・高速用としては
不利な構造である。
【０００５】その対策としては、受光素子６と増幅素子
を極力短い距離で結んで、金属製パッケイジ３の容量の
影響を防いだ構造が（信学全Ｂ−９３８）でも取り上げ
られており、これを図５に示す。この構造でも光ファイ
バ４から伝搬する光信号は、受光素子６により電気信号
に変換されるが、金属製パッケイジ３内での実装方法が
異なる。
を極力短い距離で結んで、金属製パッケイジ３の容量の
影響を防いだ構造が（信学全Ｂ−９３８）でも取り上げ
られており、これを図５に示す。この構造でも光ファイ
バ４から伝搬する光信号は、受光素子６により電気信号
に変換されるが、金属製パッケイジ３内での実装方法が
異なる。
【０００６】即ち、金属製パッケイジ３には、直方体形
状のサブキャリア７を設け、ここに増幅素子８をマウン
トし、更に、光ファイバ４に対応する金属製パッケイジ
３に形成する孔部Ａに対応するサブキャリア７に受光素
子６を取り付ける。従って、受光素子６からの出力電気
信号は、金属細線２１で伝搬して増幅素子８に入力す
る。
状のサブキャリア７を設け、ここに増幅素子８をマウン
トし、更に、光ファイバ４に対応する金属製パッケイジ
３に形成する孔部Ａに対応するサブキャリア７に受光素
子６を取り付ける。従って、受光素子６からの出力電気
信号は、金属細線２１で伝搬して増幅素子８に入力す
る。
【０００７】増幅素子８の発振や受光素子６の電源ライ
ン即ちバイアスラインに雑音が乗ることによる特性劣化
を防ぐために、各素子の周囲に接地用コンデンサ９を配
置する。また、受光素子６と増幅素子８は、図４と同様
に出力端子１を気密に金属製パッケイジ３に取り付ける
ことにより特性とりわけ信頼性を確保する。
ン即ちバイアスラインに雑音が乗ることによる特性劣化
を防ぐために、各素子の周囲に接地用コンデンサ９を配
置する。また、受光素子６と増幅素子８は、図４と同様
に出力端子１を気密に金属製パッケイジ３に取り付ける
ことにより特性とりわけ信頼性を確保する。
【０００８】このような受光デバイスでは、大容量・高
速用として安定した周波数特性を得ている。
速用として安定した周波数特性を得ている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような増幅素子８
を内蔵した受光デバイスは、気密封止を容易にできる上
に、周波数特性も広帯域にわたって平坦な特性が得ら
れ、受光素子６を厚いサブキャリア７の側面に実装する
ために平面実装時に受光デバイスの高さが大きくなる問
題がある。その上、接地用コンデンサ９を増幅素子８を
含めた電子回路用素子に対して設けるが、上面だけを使
うので小形化に制約を生じる。
を内蔵した受光デバイスは、気密封止を容易にできる上
に、周波数特性も広帯域にわたって平坦な特性が得ら
れ、受光素子６を厚いサブキャリア７の側面に実装する
ために平面実装時に受光デバイスの高さが大きくなる問
題がある。その上、接地用コンデンサ９を増幅素子８を
含めた電子回路用素子に対して設けるが、上面だけを使
うので小形化に制約を生じる。
【００１０】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、電子回路用素子を高密度実装してコンパ
クトな受光デバイスを提供することを目的とする。
もので、特に、電子回路用素子を高密度実装してコンパ
クトな受光デバイスを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】光信号を伝搬する光ファ
イバと，前記光ファイバに対応して配置する基板と，前
記光ファイバの端面に対向する基板に形成しかつ光ファ
イバの光軸に対して傾斜する面と，前記傾斜する面に取
り付け前記光ファイバの端面から放射する光信号を電気
信号に変換する受光素子と，前記受光素子と光ファバ端
面間に配置して両者を光学的に結合するレンズと，前記
基板面に形成する配線パターンと，前記配線パターンと
電気的に接続し受光素子と共に構成する電子回路と，前
記電子回路の一部の周囲に配置するコンデンサと，前記
配線パターンに配置する電子回路用部品とに本発明に係
わる受光デバイスの特徴がある。
イバと，前記光ファイバに対応して配置する基板と，前
記光ファイバの端面に対向する基板に形成しかつ光ファ
イバの光軸に対して傾斜する面と，前記傾斜する面に取
り付け前記光ファイバの端面から放射する光信号を電気
信号に変換する受光素子と，前記受光素子と光ファバ端
面間に配置して両者を光学的に結合するレンズと，前記
基板面に形成する配線パターンと，前記配線パターンと
電気的に接続し受光素子と共に構成する電子回路と，前
記電子回路の一部の周囲に配置するコンデンサと，前記
配線パターンに配置する電子回路用部品とに本発明に係
わる受光デバイスの特徴がある。
【００１２】
【作用】本発明に係わる広帯域の受光デバイスでは、使
用する基板側面を斜めに切断した面に受光素子を実装
し、その周囲に接地用コンデンサを配置する他に、基板
面に形成する配線層に電子回路用部品を実装することに
より、高密度実装を行って小型の受光デバイスを製造可
能にする。
用する基板側面を斜めに切断した面に受光素子を実装
し、その周囲に接地用コンデンサを配置する他に、基板
面に形成する配線層に電子回路用部品を実装することに
より、高密度実装を行って小型の受光デバイスを製造可
能にする。
【００１３】
【実施例】本発明に係わる実施例を図１乃至図３を参照
して説明する。即ち、図１の断面図、図２の斜視図及び
図３の裏面図に示すように、金属製パッケイジ１０に
は、絶縁物から成り形状が板状の基板１１を取り付ける
構造であり、各表面に導電性金属で構成する配線パター
ンを形成すると共に、その一部を金属製パッケイジ１０
の底部１３より突出する。これにより配線パターン１２
の一部が金属製パッケイジ１０外に設置する。基板１１
は、図２に明らかなように、光ファイバ１４の先端を基
板１１の側面Ｂに向きあって配置すると共に傾斜させ厚
さ６００μｍのものを通常使用する。
して説明する。即ち、図１の断面図、図２の斜視図及び
図３の裏面図に示すように、金属製パッケイジ１０に
は、絶縁物から成り形状が板状の基板１１を取り付ける
構造であり、各表面に導電性金属で構成する配線パター
ンを形成すると共に、その一部を金属製パッケイジ１０
の底部１３より突出する。これにより配線パターン１２
の一部が金属製パッケイジ１０外に設置する。基板１１
は、図２に明らかなように、光ファイバ１４の先端を基
板１１の側面Ｂに向きあって配置すると共に傾斜させ厚
さ６００μｍのものを通常使用する。
【００１４】図１にあるように、金属製パッケイジ１０
の端面には、光ファイバ１４の先端に向き合ってレンズ
１５を設置し、両者の延長線上にある基板１１の側面Ｂ
に形成する配線パタ−ン１２に、受光素子１６を半田な
どにより固着する。
の端面には、光ファイバ１４の先端に向き合ってレンズ
１５を設置し、両者の延長線上にある基板１１の側面Ｂ
に形成する配線パタ−ン１２に、受光素子１６を半田な
どにより固着する。
【００１５】また、光ファイバ１４の先端から放射され
る光信号は、レンズ１５により受光素子１６に結合され
るが、その反射波が光ファイバに入射すると誤信号とな
るので、受光素子１６を固着する基板１１の側面Ｂを傾
斜する。この傾斜面の角度をθ、光ファイバ１４の先端
と受光素子１６間の距離をＬ、光ファイバ１４の径を２
ａとした時，Ｌｔａｎθ＞ａとなるようにθを決める。
る光信号は、レンズ１５により受光素子１６に結合され
るが、その反射波が光ファイバに入射すると誤信号とな
るので、受光素子１６を固着する基板１１の側面Ｂを傾
斜する。この傾斜面の角度をθ、光ファイバ１４の先端
と受光素子１６間の距離をＬ、光ファイバ１４の径を２
ａとした時，Ｌｔａｎθ＞ａとなるようにθを決める。
【００１６】基板１１上面に形成する配線パタ−ンに
は、受光素子１６と共に電子回路を構成する増幅素子１
７を半田などにより固着し、発振や雑音を抑えるために
極力その近くのバスライン１８に接地用コンデンサ１９
を半田などで固着する。
は、受光素子１６と共に電子回路を構成する増幅素子１
７を半田などにより固着し、発振や雑音を抑えるために
極力その近くのバスライン１８に接地用コンデンサ１９
を半田などで固着する。
【００１７】しかし、基板１１の大きさが制限されるた
めに接地用コンデンサ１９を接地するスペースが採れな
い場合があるので、基板１１の他の側面（図２参照）や
裏面に配置する場合もある。
めに接地用コンデンサ１９を接地するスペースが採れな
い場合があるので、基板１１の他の側面（図２参照）や
裏面に配置する場合もある。
【００１８】受光素子１６を基板１１の側面Ｂに固着す
るために、側面Ｂにバイアスライン２０を設け、図３に
示すように他の側面に回し、Ａｕ，Ａｌ及びＣｕなどか
ら選定する金属細線２１により接地用コンデンサ１９に
電気的に接続し、更に後段の電子回路に接続する。増幅
素子１７のバイアスは、パッド２２からスルーホール２
３により基板１１の裏面に導かれ、図３に明らかにする
ように周囲の接地パターン２４と絶縁したパッド２５に
結ぶ。
るために、側面Ｂにバイアスライン２０を設け、図３に
示すように他の側面に回し、Ａｕ，Ａｌ及びＣｕなどか
ら選定する金属細線２１により接地用コンデンサ１９に
電気的に接続し、更に後段の電子回路に接続する。増幅
素子１７のバイアスは、パッド２２からスルーホール２
３により基板１１の裏面に導かれ、図３に明らかにする
ように周囲の接地パターン２４と絶縁したパッド２５に
結ぶ。
【００１９】一方、金属細線２６によりコンデンサ２
７，パッド２８を経てスルーホール２９により再び基板
１１の上面に導かれてバイアスライン２０へと接続す
る。同様に、バイアスライン１８についてもスルーホー
ルによって基板１１の裏面に導いて、ここにコンデンサ
３０を取り付けることができる。この外に、コンデンサ
を基板１１の傾斜した側面Ｂに配置したり、増幅素子を
他の側面に実装することもできる。
７，パッド２８を経てスルーホール２９により再び基板
１１の上面に導かれてバイアスライン２０へと接続す
る。同様に、バイアスライン１８についてもスルーホー
ルによって基板１１の裏面に導いて、ここにコンデンサ
３０を取り付けることができる。この外に、コンデンサ
を基板１１の傾斜した側面Ｂに配置したり、増幅素子を
他の側面に実装することもできる。
【００２０】このように基板１１の傾斜した側面Ｂに受
光素子１６にマウントし、側面や裏面にコンデンサを配
置することにより高密度実装が可能になり、受光デバイ
スを小形化することができる。
光素子１６にマウントし、側面や裏面にコンデンサを配
置することにより高密度実装が可能になり、受光デバイ
スを小形化することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、従来より高密度
に実装することができるので、受光デバイスが小型にな
る上に、反射による戻り光の影響も抑えられるので、１
Ｇｂｐｓを越えるような広帯域で動作し、しかも小型で
高感度な受光デバイスが得られる。
に実装することができるので、受光デバイスが小型にな
る上に、反射による戻り光の影響も抑えられるので、１
Ｇｂｐｓを越えるような広帯域で動作し、しかも小型で
高感度な受光デバイスが得られる。
【図１】本発明に係わる受光デバイスの断面図である。
【図２】本発明に係わる受光デバイスの要部の断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明に係わる受光デバイスの裏面図である。
【図４】従来の受光デバイスの断面図である。
【図５】従来の受光デバイスの一部切欠斜視図である。
１：出力端子、 ２：ステム、 ３、１０：パッケイジ、 １１：基板、 １２：配線パターン、 １３：パッケイジ底部、 ４、１４：光ファイバ、 ５、１５：レンズ、 ６、１６：受光素子、 ７：サブキャリア、 ８、１７：増幅素子、 ９、１９、２７、３０：コンデンサ、 １８、２０：バスライン、 ２１、２６：金属細線、 ２２、２５、２８：パッド、 ２３、２９：スルーホール、 ２４：接地パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】 光信号を伝搬する光ファイバと，前記光
ファイバに対応して配置する基板と，前記光ファイバの
端面に対向する基板に形成しかつ光ファイバの光軸に対
して傾斜する面と，前記傾斜する面に取り付け前記光フ
ァイバの端面から放射する光信号を電気信号に変換する
受光素子と，前記受光素子と光ファバ端面間に配置して
両者を光学的に結合するレンズと，前記基板面に形成す
る配線パターンと，前記配線パターンと電気的に接続し
受光素子と共に構成する電子回路と，前記電子回路の一
部の周囲に配置するコンデンサと，前記配線パターンに
配置する電子回路用部品とを具備することを特徴とする
受光デバイス
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041799A JPH05243587A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 受光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041799A JPH05243587A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 受光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243587A true JPH05243587A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12618386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041799A Pending JPH05243587A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 受光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243587A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794761A (ja) * | 1993-09-25 | 1995-04-07 | Nec Corp | 半導体受光装置 |
| EP0684651A3 (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-02 | Sumitomo Electric Industries | Photodetector module and manufacturing method. |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4041799A patent/JPH05243587A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794761A (ja) * | 1993-09-25 | 1995-04-07 | Nec Corp | 半導体受光装置 |
| EP0684651A3 (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-02 | Sumitomo Electric Industries | Photodetector module and manufacturing method. |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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