JPH0789609B2 - 熱しや断回路 - Google Patents
熱しや断回路Info
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- JPH0789609B2 JPH0789609B2 JP60180301A JP18030185A JPH0789609B2 JP H0789609 B2 JPH0789609 B2 JP H0789609B2 JP 60180301 A JP60180301 A JP 60180301A JP 18030185 A JP18030185 A JP 18030185A JP H0789609 B2 JPH0789609 B2 JP H0789609B2
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title 1
- 101000641077 Homo sapiens Diamine acetyltransferase 1 Proteins 0.000 description 7
- 101000713305 Homo sapiens Sodium-coupled neutral amino acid transporter 1 Proteins 0.000 description 7
- 102100030100 Sulfate anion transporter 1 Human genes 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は,IC装置をある温度以下に保つために,IC装置
内に設けた熱しゃ断回路に関するものである。
内に設けた熱しゃ断回路に関するものである。
第２図は従来のこの種の熱しゃ断回路の一例を示す回路
図であり，図において1,2はトランジスタ,3はツェナダ
イオード,4,5は抵抗,6は定電流源である。
図であり，図において1,2はトランジスタ,3はツェナダ
イオード,4,5は抵抗,6は定電流源である。
出力トランジスタを駆動するエミッタ接地の駆動トラン
ジスタ１のベースバイアス抵抗５には，該駆動トランジ
スタ１が通常の温度ではオフ状態に保持され，温度が上
昇して，ある温度に達するとオンとなる電圧が印加され
ている。この電圧は，ツェナダイオード３による電圧が
トランジスタ２のベースエミッタ電圧をのぞき抵抗4,5
によって分圧されたもので，通常，トランジスタ１をオ
フする電圧に保持されている。
ジスタ１のベースバイアス抵抗５には，該駆動トランジ
スタ１が通常の温度ではオフ状態に保持され，温度が上
昇して，ある温度に達するとオンとなる電圧が印加され
ている。この電圧は，ツェナダイオード３による電圧が
トランジスタ２のベースエミッタ電圧をのぞき抵抗4,5
によって分圧されたもので，通常，トランジスタ１をオ
フする電圧に保持されている。
IC装置の温度が上昇し，ある温度に達すると，駆動トラ
ンジスタ１がオンとなり，出力トランジスタ（図示せ
ず）をオフとしIC装置のそれ以上の温度上昇を阻止す
る。
ンジスタ１がオンとなり，出力トランジスタ（図示せ
ず）をオフとしIC装置のそれ以上の温度上昇を阻止す
る。
また他の方法としては、特開昭53-26645号広報に開示さ
れているように、正帰還手段を設けることによって、ヒ
ステリシス特性を示すように制御する方法が提案されて
いる。第３図にその一例を示す。図において、16、21、
22はトランジスタ、20は出力トランジスタ、17、18は抵
抗、19、23、24はダイオードである。ツェナダイオード
３による電圧が、抵抗４、５によって分圧され、トラン
ジスタ１のベースに印加される。この電圧は、通常、ト
ランジスタ１をオフする電圧に保持されている。トラン
ジスタ１のコレクタにダイオード19を介して抵抗17、ト
ランジスタ16による正帰還手段が接続される。トランジ
スタ１のコレクタは、出力トランジスタ20、トランジス
タ21、ダイオード23、24で構成される出力段回路の出力
トランジスタ20のベースに接続される。
れているように、正帰還手段を設けることによって、ヒ
ステリシス特性を示すように制御する方法が提案されて
いる。第３図にその一例を示す。図において、16、21、
22はトランジスタ、20は出力トランジスタ、17、18は抵
抗、19、23、24はダイオードである。ツェナダイオード
３による電圧が、抵抗４、５によって分圧され、トラン
ジスタ１のベースに印加される。この電圧は、通常、ト
ランジスタ１をオフする電圧に保持されている。トラン
ジスタ１のコレクタにダイオード19を介して抵抗17、ト
ランジスタ16による正帰還手段が接続される。トランジ
スタ１のコレクタは、出力トランジスタ20、トランジス
タ21、ダイオード23、24で構成される出力段回路の出力
トランジスタ20のベースに接続される。
このような回路構成とすると、トランジスタ１がオンす
ることにより、正帰還手段であるトランジスタ16もオン
し、これらはラッチ回路を構成するものであるから、ト
ランジスタ１がオンした温度以下になってもオン状態を
保持するというヒステリシス特性を示すことになる。
ることにより、正帰還手段であるトランジスタ16もオン
し、これらはラッチ回路を構成するものであるから、ト
ランジスタ１がオンした温度以下になってもオン状態を
保持するというヒステリシス特性を示すことになる。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の熱しゃ断回路は以上のように構成されていたの
で、ヒステリシス特性を示さない回路ではトランジスタ
１がオン、オフする動作温度付近では、短いサイクルで
オン、オフを繰り返すことになり、いわゆる熱的な発振
を起こす。また、この熱的な発振を防止するためオン、
オフ動作にヒステリシス特性を持たせた従来の回路で
は、トランジスタ１がオンしたとき、出力トランジスタ
20のベース・エミッタ電圧（V BE）がトランジスタ１の
飽和電圧（V SAT1）とダイオード19のベース・エミッタ
電圧（V BE19）を加えた電圧（V BE＝V SAT1＋V BE19）
が、1V BE以上になるため、負荷が対GNDに接続された場
合、出力トランジスタ20は完全にオフにはなり得ないと
いう問題があった。
で、ヒステリシス特性を示さない回路ではトランジスタ
１がオン、オフする動作温度付近では、短いサイクルで
オン、オフを繰り返すことになり、いわゆる熱的な発振
を起こす。また、この熱的な発振を防止するためオン、
オフ動作にヒステリシス特性を持たせた従来の回路で
は、トランジスタ１がオンしたとき、出力トランジスタ
20のベース・エミッタ電圧（V BE）がトランジスタ１の
飽和電圧（V SAT1）とダイオード19のベース・エミッタ
電圧（V BE19）を加えた電圧（V BE＝V SAT1＋V BE19）
が、1V BE以上になるため、負荷が対GNDに接続された場
合、出力トランジスタ20は完全にオフにはなり得ないと
いう問題があった。
また、復帰温度がトランジスタ１とトランジスタ16の電
流密度比、抵抗17の値、およびトランジスタ１のコレク
タ電流等により設定されるが、この調整は非常に困難で
あった。なぜなら、トランジスタ１がオンしたとき、ト
ランジスタ16のベース電圧はトランジスタ１の飽和電圧
（V SAT1）となる。トランジスタ16のコレクタ・エミッ
タ電圧（V CE16）は、トランジスタ１の飽和電圧（V SA
T1）にトランジスタ16のベース・エミッタ電圧（V BE1
6）を加え、トランジスタ１のベース・エミッタ電圧（V
BE1）を引いた電圧となる（V CE16＝V SAT1＋V BE16−
V BE1）。一般的に、ラテラルPNPトランジスタのベース
・エミッタ電圧はNPNトランジスタのベース・エミッタ
電圧より小さい。したがって、V BE16＜V BE1の関係と
なり、トランジスタ16は完全に飽和領域に入る。飽和領
域に入ったトランジスタは極端にh feが下がり、トラン
ジスタ16を流れる電流値はこの低下したh feに依存し、
その絶対値の精度は期待できないことになる。そのた
め、ヒステリシス特性は得られるが、復帰温度を正確に
設定することが困難となるという問題があった。
流密度比、抵抗17の値、およびトランジスタ１のコレク
タ電流等により設定されるが、この調整は非常に困難で
あった。なぜなら、トランジスタ１がオンしたとき、ト
ランジスタ16のベース電圧はトランジスタ１の飽和電圧
（V SAT1）となる。トランジスタ16のコレクタ・エミッ
タ電圧（V CE16）は、トランジスタ１の飽和電圧（V SA
T1）にトランジスタ16のベース・エミッタ電圧（V BE1
6）を加え、トランジスタ１のベース・エミッタ電圧（V
BE1）を引いた電圧となる（V CE16＝V SAT1＋V BE16−
V BE1）。一般的に、ラテラルPNPトランジスタのベース
・エミッタ電圧はNPNトランジスタのベース・エミッタ
電圧より小さい。したがって、V BE16＜V BE1の関係と
なり、トランジスタ16は完全に飽和領域に入る。飽和領
域に入ったトランジスタは極端にh feが下がり、トラン
ジスタ16を流れる電流値はこの低下したh feに依存し、
その絶対値の精度は期待できないことになる。そのた
め、ヒステリシス特性は得られるが、復帰温度を正確に
設定することが困難となるという問題があった。
この発明は上記問題を解決するためになされたもので、
出力トランジスタを完全にオフするとともに、オン・オ
フ動作にヒステリシス特性を示し、かつその温度設定を
正確にすることができる熱しゃ断回路を提供することを
目的とする。
出力トランジスタを完全にオフするとともに、オン・オ
フ動作にヒステリシス特性を示し、かつその温度設定を
正確にすることができる熱しゃ断回路を提供することを
目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明は、第１のトランジスタ
のベース電圧を制御して該第１のトランジスタの電流消
費量を制御し、該第１のトランジスタが接続する出力ト
ランジスタの動作を制御する熱しゃ断回路において、前
記第１及び第２、第３のトランジスタを備え、前記第１
のトランジスタは、エミッタが接地し、ベースが基準電
圧を抵抗分割する分割点に接続し、コレクタが出力トラ
ンジスタにバイアス電流を供給する定電流源に接続し、
かつベース、及びコレクタがそれぞれ第２のトランジス
タのコレクタ、及び抵抗を介してベースに接続し、前記
第２のトランジスタと前記第３のトランジスタは差動回
路を形成し、該第３のトランジスタのベースは基準電圧
に接続し、前記差動回路に定電流を供給する定電流回路
を備えたことを特徴とする。
のベース電圧を制御して該第１のトランジスタの電流消
費量を制御し、該第１のトランジスタが接続する出力ト
ランジスタの動作を制御する熱しゃ断回路において、前
記第１及び第２、第３のトランジスタを備え、前記第１
のトランジスタは、エミッタが接地し、ベースが基準電
圧を抵抗分割する分割点に接続し、コレクタが出力トラ
ンジスタにバイアス電流を供給する定電流源に接続し、
かつベース、及びコレクタがそれぞれ第２のトランジス
タのコレクタ、及び抵抗を介してベースに接続し、前記
第２のトランジスタと前記第３のトランジスタは差動回
路を形成し、該第３のトランジスタのベースは基準電圧
に接続し、前記差動回路に定電流を供給する定電流回路
を備えたことを特徴とする。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図であり，図に
おいて1,2,3,4,5は第２図の同一符号と同一または相当
する部分を示し,7,8,9,10,11,12,13はトランジスタ,14,
15は抵抗である。
おいて1,2,3,4,5は第２図の同一符号と同一または相当
する部分を示し,7,8,9,10,11,12,13はトランジスタ,14,
15は抵抗である。
ダイオード接続されたトランジスタ10及びトランジスタ
２を経て抵抗4,5に電流が流れ，ツェナダイオード３に
よる電圧が分圧されて，トランジスタ１のベースバイア
ス電圧が通常ではオフとなる電位に保持されている。こ
のとき，ダイオード接続されたトランジスタ13とトラン
ジスタ９と抵抗15が直列に接続された回路に電流が流
れ、トランジスタ12のベースに順方向のバイアス電圧が
かかり，トランジスタ12とトランジスタ８を直列に接続
した回路に一定の電流が流れる。
２を経て抵抗4,5に電流が流れ，ツェナダイオード３に
よる電圧が分圧されて，トランジスタ１のベースバイア
ス電圧が通常ではオフとなる電位に保持されている。こ
のとき，ダイオード接続されたトランジスタ13とトラン
ジスタ９と抵抗15が直列に接続された回路に電流が流
れ、トランジスタ12のベースに順方向のバイアス電圧が
かかり，トランジスタ12とトランジスタ８を直列に接続
した回路に一定の電流が流れる。
トランジスタ１の温度が上昇し、ある温度に達してオン
すると、出力トランジスタをオフするとともに、トラン
ジスタ７のベースに順方向電圧がかかり、トランジスタ
７がオンする。
すると、出力トランジスタをオフするとともに、トラン
ジスタ７のベースに順方向電圧がかかり、トランジスタ
７がオンする。
このとき、出力トランジスタのベース電圧（V BE）は、
トランジスタ１の飽和電圧（V SAT1）に抵抗の電圧降下
を加えた電圧となる（V BE＝V SAT1＋I R）。したがっ
て、抵抗14の値を適切に選ぶことによって、出力トラン
ジスタを完全にオフすることができる。
トランジスタ１の飽和電圧（V SAT1）に抵抗の電圧降下
を加えた電圧となる（V BE＝V SAT1＋I R）。したがっ
て、抵抗14の値を適切に選ぶことによって、出力トラン
ジスタを完全にオフすることができる。
また、トランジスタ７のコレクタ・エミッタ電圧（V CE
7）は、V CE7＝V SAT1＋V BE7−V BE1＋I Rとなり、従
来回路の比べて、I R分だけトランジスタ７のコレクタ
・エミッタ電圧（V CE7）が大きくなる。したがって、
抵抗14の値を適切に選ぶことによって、設定通りの電流
がトランジスタ７を流れるため、復帰温度を正確に設定
することができる。
7）は、V CE7＝V SAT1＋V BE7−V BE1＋I Rとなり、従
来回路の比べて、I R分だけトランジスタ７のコレクタ
・エミッタ電圧（V CE7）が大きくなる。したがって、
抵抗14の値を適切に選ぶことによって、設定通りの電流
がトランジスタ７を流れるため、復帰温度を正確に設定
することができる。
したがって，出力トランジスタのオフによってIC装置の
温度が下がり，駆動トランジスタ１の温度が前にオンと
なったときの温度より少しばかり低くなってもオフとな
らない。ある一定値以上低い温度に下ったときにオフと
なる。
温度が下がり，駆動トランジスタ１の温度が前にオンと
なったときの温度より少しばかり低くなってもオフとな
らない。ある一定値以上低い温度に下ったときにオフと
なる。
すなわち，ヒステリシス特性を備え，適宜に長い周期
で，オン，オフすることとなり，回路動作に悪影響を及
ぼすことがなくなり，パッケージとICチップ間の層にス
トレスが誘発されることがなくなる。
で，オン，オフすることとなり，回路動作に悪影響を及
ぼすことがなくなり，パッケージとICチップ間の層にス
トレスが誘発されることがなくなる。
以上のとおり，この発明によれば，熱的な発振が抑えら
れ，回路動作が熱的な発振に影響されることがなくな
り，パッケージとICチップ間にストレスが誘発されるこ
ともなくなる。また、設定通りのヒステリシス特性を正
確に得ることができるという効果がある。
れ，回路動作が熱的な発振に影響されることがなくな
り，パッケージとICチップ間にストレスが誘発されるこ
ともなくなる。また、設定通りのヒステリシス特性を正
確に得ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図，第２図は従
来のこの種の熱しゃ断回路の一例を示す回路図、第３図
は従来の別の熱しゃ断回路の一例を示す回路図である。 1,2,7,8,9,10,11,12,13、16、21、22……トランジスタ,
3……ツェナダイオード,4,5,14,15、17、18……抵抗、1
9、23、24……ダイオード。
来のこの種の熱しゃ断回路の一例を示す回路図、第３図
は従来の別の熱しゃ断回路の一例を示す回路図である。 1,2,7,8,9,10,11,12,13、16、21、22……トランジスタ,
3……ツェナダイオード,4,5,14,15、17、18……抵抗、1
9、23、24……ダイオード。
Claims (1)
- 【請求項１】第１のトランジスタのベース電圧を制御し
て該第１のトランジスタの電流消費量を制御し、該第１
のトランジスタが接続する出力トランジスタの動作を制
御する熱しゃ断回路において、 前記第１及び第２、第３のトランジスタを備え、前記第
１のトランジスタは、エミッタが接地し、ベースが基準
電圧を抵抗分割する分割点に接続し、コレクタが出力ト
ランジスタにバイアス電流を供給する定電流源に抵抗を
介して接続し、かつベース、及びコレクタがそれぞれ第
２のトランジスタのコレクタ、及び前記抵抗を介してベ
ースに接続し、前記第２のトランジスタと前記第３のト
ランジスタは差動回路を形成し、該第３のトランジスタ
のベースは基準電圧に接続し、前記差動回路に定電流を
供給する定電流回路を備えたことを特徴とする熱しゃ断
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180301A JPH0789609B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 熱しや断回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180301A JPH0789609B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 熱しや断回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240817A JPS6240817A (ja) | 1987-02-21 |
| JPH0789609B2 true JPH0789609B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=16080808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180301A Expired - Lifetime JPH0789609B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 熱しや断回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0789609B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013080146A1 (en) | 2011-11-28 | 2013-06-06 | Fiat Group Automobiles S.P.A. | A hanging and conveying device to hang and convey a vehicle body in a motor vehicle assembly line |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2826322B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1998-11-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| ES2396639B1 (es) * | 2011-08-30 | 2014-02-13 | Myphor Materiales Especiales, S.L. | Procedimiento de fabricación de fibras sintéticas estructurales para hormigones y morteros para incrementar el módulo de elasticidad de las mismas, y fibra sintética obtenida. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036650B2 (ja) * | 1976-08-25 | 1985-08-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路 |
-
1985
- 1985-08-16 JP JP60180301A patent/JPH0789609B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013080146A1 (en) | 2011-11-28 | 2013-06-06 | Fiat Group Automobiles S.P.A. | A hanging and conveying device to hang and convey a vehicle body in a motor vehicle assembly line |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240817A (ja) | 1987-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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