JP3003455B2 - 過熱検出回路 - Google Patents
過熱検出回路Info
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- JP3003455B2 JP3003455B2 JP5122216A JP12221693A JP3003455B2 JP 3003455 B2 JP3003455 B2 JP 3003455B2 JP 5122216 A JP5122216 A JP 5122216A JP 12221693 A JP12221693 A JP 12221693A JP 3003455 B2 JP3003455 B2 JP 3003455B2
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- Japan
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- transistor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、過熱検出回路に関
し、特に過熱検出値にヒステリシスを設ける方法に関す
る。
し、特に過熱検出値にヒステリシスを設ける方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】負荷の電流をＯＮ−ＯＦＦ制御する出力
トランジスタが異常に発熱した場合に、その温度を検出
して出力トランジスタをＯＦＦしたり電流を制限したり
するために、過熱検出回路やそれにより作動する保護回
路を付設することがしばしば行われている。
トランジスタが異常に発熱した場合に、その温度を検出
して出力トランジスタをＯＦＦしたり電流を制限したり
するために、過熱検出回路やそれにより作動する保護回
路を付設することがしばしば行われている。
【０００３】従来、この種の過熱検出回路１９ｃは、図
３に示すように出力トランジスタ１０を制御する入力電
圧１３が回路電源となり動作するように構成し、過熱検
出電圧発生回路１６ｃと、後述するようにその内に含ま
れる定電流源の電流値を規定し入力端子ＶｉｎとＧＮＤ
１５との間に配した抵抗５とＰｃｈＭｏｓＦＥＴ４との
直列回路と、電源電圧（すなわち入力電圧１３）や温度
に対して安定化された基準電圧８と、その基準電圧８を
正相入力し過熱検出電圧発生回路１６ｃの出力電圧を負
相入力するコンパレータ７とでなる。
３に示すように出力トランジスタ１０を制御する入力電
圧１３が回路電源となり動作するように構成し、過熱検
出電圧発生回路１６ｃと、後述するようにその内に含ま
れる定電流源の電流値を規定し入力端子ＶｉｎとＧＮＤ
１５との間に配した抵抗５とＰｃｈＭｏｓＦＥＴ４との
直列回路と、電源電圧（すなわち入力電圧１３）や温度
に対して安定化された基準電圧８と、その基準電圧８を
正相入力し過熱検出電圧発生回路１６ｃの出力電圧を負
相入力するコンパレータ７とでなる。
【０００４】なお基準電圧源８やコンパレータ７も、図
示しないが入力電圧１３が電源となっている。
示しないが入力電圧１３が電源となっている。
【０００５】次に、過熱検出電圧発生回路１６ｃについ
て説明する。ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３，１８はそれぞれＰ
ｃｈＭＯＳＦＥＴ４と抵抗５とにより規定された定電流
源となり、それらの電流源出力接点ＣからＧＮＤに向け
順方向に数個直列接続したダイオード６に電流１４ｃを
供給する。
て説明する。ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３，１８はそれぞれＰ
ｃｈＭＯＳＦＥＴ４と抵抗５とにより規定された定電流
源となり、それらの電流源出力接点ＣからＧＮＤに向け
順方向に数個直列接続したダイオード６に電流１４ｃを
供給する。
【０００６】但し、定電流源となるＰｃｈＭＯＳＦＥＴ
１８にはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７が接続され、そのゲー
トはコンパレータ７の出力電圧で制御される。
１８にはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７が接続され、そのゲー
トはコンパレータ７の出力電圧で制御される。
【０００７】加熱検出回路１９ｃは、ダイオード６は出
力トランジスタ１０に近接して配置され集積回路構成さ
れる。次に動作について説明する。入力端子Ｖｉｎに入
力電圧１３が印加され、入力電圧１３が十分立ち上がる
前すなわち基準電圧８がやっと立上った程度の電圧のと
きはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４と抵抗５の直列接続に流れる
電流は小さく、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３に流れる電流は小
さい。したがってダイオードに流れる電流は小さく、Ｃ
点の電圧は低い。
力トランジスタ１０に近接して配置され集積回路構成さ
れる。次に動作について説明する。入力端子Ｖｉｎに入
力電圧１３が印加され、入力電圧１３が十分立ち上がる
前すなわち基準電圧８がやっと立上った程度の電圧のと
きはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４と抵抗５の直列接続に流れる
電流は小さく、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３に流れる電流は小
さい。したがってダイオードに流れる電流は小さく、Ｃ
点の電圧は低い。
【０００８】そこでコンパレータ７の出力は“Ｈ”とな
り、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７はＯＦＦとなり、出力トラ
ンジスタ１０のゲート・ソース間に接続されたＮｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ（保護トランジスタ）９はＯＮしており、出
力トランジスタ１０がＯＦＦとなっている。
り、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７はＯＦＦとなり、出力トラ
ンジスタ１０のゲート・ソース間に接続されたＮｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ（保護トランジスタ）９はＯＮしており、出
力トランジスタ１０がＯＦＦとなっている。
【０００９】なお、保護抵抗２は入力電源１３と保護ト
ランジスタ９を保護するものである。
ランジスタ９を保護するものである。
【００１０】次に入力電圧１３が十分立上ったら、Ｐｃ
ｈＭＯＳＦＥＴ４の電流が増加し、したがってＰｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ３の電流すなわちダイオード６に流れる電流
１４ｃが増加し、点Ｃの電圧が基準電圧８より高くなる
とコンパレータ７の出力は“Ｌ”となる。そうすると、
保護トランジスタ９がＯＦＦし、出力用トランジスタ１
０がＯＮして、電源１２より負荷１１に電流が流れる。
ｈＭＯＳＦＥＴ４の電流が増加し、したがってＰｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ３の電流すなわちダイオード６に流れる電流
１４ｃが増加し、点Ｃの電圧が基準電圧８より高くなる
とコンパレータ７の出力は“Ｌ”となる。そうすると、
保護トランジスタ９がＯＦＦし、出力用トランジスタ１
０がＯＮして、電源１２より負荷１１に電流が流れる。
【００１１】又、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７がＯＮし、Ｐ
ｃｈＭＯＳＦＥＴ１８も一定の電流を送出する。
ｃｈＭＯＳＦＥＴ１８も一定の電流を送出する。
【００１２】したがって、ダイオード６に流れる電流１
４ｃはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３及び１８の和となって、さ
らに点Ｃの電圧は上昇してその状態を保持する。
４ｃはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３及び１８の和となって、さ
らに点Ｃの電圧は上昇してその状態を保持する。
【００１３】入力電圧１３が印加され、出力用トランジ
スタ１０がＯＮしている状態で温度上昇した場合、ダイ
オード６の順方向電圧が下がり点Ｃの電圧が下がり、基
準電圧８以下になった時、コンパレータ７の出力は、
“Ｌ”→“Ｈ”となり、保護トランジスタ９がＯＮし、
出力用トランジスタ１０がＯＦＦし、ＰｃｈＭＯＳＦＥ
Ｔ１７はＯＦＦし、電流１４ｃが減り、点Ｃの電圧がさ
らに降下する。
スタ１０がＯＮしている状態で温度上昇した場合、ダイ
オード６の順方向電圧が下がり点Ｃの電圧が下がり、基
準電圧８以下になった時、コンパレータ７の出力は、
“Ｌ”→“Ｈ”となり、保護トランジスタ９がＯＮし、
出力用トランジスタ１０がＯＦＦし、ＰｃｈＭＯＳＦＥ
Ｔ１７はＯＦＦし、電流１４ｃが減り、点Ｃの電圧がさ
らに降下する。
【００１４】次に温度が低下して過熱検出した温度まで
さがってもダイオード６に流れる電流１４が小さくなっ
ているので点Ｃの電圧は基準電圧８より低いのでまだ復
帰しない。
さがってもダイオード６に流れる電流１４が小さくなっ
ているので点Ｃの電圧は基準電圧８より低いのでまだ復
帰しない。
【００１５】さらに温度が低下して点Ｃの電圧が基準電
圧８より高くなると、コンパレータ７の出力は“Ｌ”と
なって、保護トランジスタ９がＯＦＦ，出力トランジス
タ１０がＯＮに復帰する。
圧８より高くなると、コンパレータ７の出力は“Ｌ”と
なって、保護トランジスタ９がＯＦＦ，出力トランジス
タ１０がＯＮに復帰する。
【００１６】すなわち、過熱検出温度と、復帰の温度と
でヒステリシスを有して構成されている。
でヒステリシスを有して構成されている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の過熱検出回路は、検出値にヒステリシスを持たせるた
めにＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７，１８で構成される帰還回
路を設けており回路が複雑となる。また、検出温度を変
えないでヒステリシス幅を変えるには、図３に示すＰｃ
ｈＭＯＳＦＥＴ１８，３のトランジスタサイズを検出値
が変わらないようにしつつ変えなければならずヒステリ
シス幅の調整が困難であるという欠点がある。
の過熱検出回路は、検出値にヒステリシスを持たせるた
めにＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１７，１８で構成される帰還回
路を設けており回路が複雑となる。また、検出温度を変
えないでヒステリシス幅を変えるには、図３に示すＰｃ
ｈＭＯＳＦＥＴ１８，３のトランジスタサイズを検出値
が変わらないようにしつつ変えなければならずヒステリ
シス幅の調整が困難であるという欠点がある。
【００１８】すなわちＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４及び抵抗５
をそのままにして、復帰温度を調節するには、ＰｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ３のチャンネル巾を調節する。
をそのままにして、復帰温度を調節するには、ＰｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ３のチャンネル巾を調節する。
【００１９】さらに検出温度を一定に保つにはＰｃｈＭ
ＯＳＦＥＴ３とＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１８のチャンネル幅
の合計を一定にするためＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１８も調節
する必要がある。
ＯＳＦＥＴ３とＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１８のチャンネル幅
の合計を一定にするためＰｃｈＭＯＳＦＥＴ１８も調節
する必要がある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明の過熱検出回路
は、負荷ドライブ用出力トランジスタの制御端子と基準
端子との間を接続する保護トランジスタに制御信号を送
出するものであって、前記出力トランジスタを制御する
入力電圧源を回路電源として、複数のダイオードの直列
回路に電流を流し、その電圧降下を出力電圧とする過熱
検出電圧発生回路を有して構成され、入力端子と前記過
熱検出電圧発生回路との間に第１の保護抵抗を、前記過
熱検出電圧発生回路と前記出力トランジスタの制御端子
との間に第２の保護抵抗を接続したことを特徴とする。
は、負荷ドライブ用出力トランジスタの制御端子と基準
端子との間を接続する保護トランジスタに制御信号を送
出するものであって、前記出力トランジスタを制御する
入力電圧源を回路電源として、複数のダイオードの直列
回路に電流を流し、その電圧降下を出力電圧とする過熱
検出電圧発生回路を有して構成され、入力端子と前記過
熱検出電圧発生回路との間に第１の保護抵抗を、前記過
熱検出電圧発生回路と前記出力トランジスタの制御端子
との間に第２の保護抵抗を接続したことを特徴とする。
【００２１】
【作用】上記の構成によると、過熱検出すると保護トラ
ンジスタがＯＮして、加熱検出電圧発生回路の回路電源
が第１の保護抵抗と第２の保護抵抗の分割比で決まる電
圧に降下し、前記加熱検出電圧発生回路の出力電圧が降
下し、検出値にヒステリシスが設けられる。
ンジスタがＯＮして、加熱検出電圧発生回路の回路電源
が第１の保護抵抗と第２の保護抵抗の分割比で決まる電
圧に降下し、前記加熱検出電圧発生回路の出力電圧が降
下し、検出値にヒステリシスが設けられる。
【００２２】したがって、復帰する温度の調節は第２の
保護抵抗の抵抗値をかえることで、検出温度が変化する
ことなく行うことができる。
保護抵抗の抵抗値をかえることで、検出温度が変化する
ことなく行うことができる。
【００２３】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【００２４】図１は、この発明の第１実施例の回路図で
ある。図において、１０は出力トランジスタで、出力ト
ランジスタ１０のドレインとソース間に負荷１１と負荷
電源１２を直列接続し、ソースをＧＮＤ１５に接続し、
入力電圧１３を入力端子ＶｉｎとＧＮＤ１５間に接続し
て、入力電圧１３により出力トランジスタ１０が制御さ
れ負荷電源１３より負荷１１に電流が流れる。出力トラ
ンジスタ１０のゲートとソース間にはＮｃｈＭＯＳＦＥ
Ｔである保護トランジスタ９を接続している。
ある。図において、１０は出力トランジスタで、出力ト
ランジスタ１０のドレインとソース間に負荷１１と負荷
電源１２を直列接続し、ソースをＧＮＤ１５に接続し、
入力電圧１３を入力端子ＶｉｎとＧＮＤ１５間に接続し
て、入力電圧１３により出力トランジスタ１０が制御さ
れ負荷電源１３より負荷１１に電流が流れる。出力トラ
ンジスタ１０のゲートとソース間にはＮｃｈＭＯＳＦＥ
Ｔである保護トランジスタ９を接続している。
【００２５】過熱検出回路１９ａは、入力端子Ｖｉｎと
出力トランジスタ１０のゲート間に直列接続した第１の
保護抵抗１ａ及び第２の保護抵抗２と、これらの抵抗の
接続点とＧＮＤ１５間に直列接続したダイオード接続の
ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４及び抵抗５と、同じく抵抗の接続
点とＧＮＤ１５間にＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４と抵抗５とに
より電流値が規定されるＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３と数個直
列接続したダイオード６とを直列接続しその直列接続点
を電流源出力接点Ｃとする過熱検出電圧発生回路１６ａ
と、基準電圧８と、その基準電圧８を正相入力し過熱検
出電圧発生回路１６ａの出力電圧を負相入力するコンパ
レータ７とを有している。コンパレータ７の出力は保護
トランジスタ９に接続している。
出力トランジスタ１０のゲート間に直列接続した第１の
保護抵抗１ａ及び第２の保護抵抗２と、これらの抵抗の
接続点とＧＮＤ１５間に直列接続したダイオード接続の
ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４及び抵抗５と、同じく抵抗の接続
点とＧＮＤ１５間にＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４と抵抗５とに
より電流値が規定されるＰｃｈＭＯＳＦＥＴ３と数個直
列接続したダイオード６とを直列接続しその直列接続点
を電流源出力接点Ｃとする過熱検出電圧発生回路１６ａ
と、基準電圧８と、その基準電圧８を正相入力し過熱検
出電圧発生回路１６ａの出力電圧を負相入力するコンパ
レータ７とを有している。コンパレータ７の出力は保護
トランジスタ９に接続している。
【００２６】次に上記の回路動作について説明する。こ
の実施例によれば、入力電圧１３が印加され出力用トラ
ンジスタ１０がＯＮしている状態で温度が上昇した場
合、ダイオード６の順方向電圧が下がり、点Ａの電圧が
基準電圧８以下になったときコンパレータ７の出力は
“Ｌ”→“Ｈ”となり、保護トランジスタ９がＯＮし、
出力用トランジスタ１０をＯＦＦさせる。
の実施例によれば、入力電圧１３が印加され出力用トラ
ンジスタ１０がＯＮしている状態で温度が上昇した場
合、ダイオード６の順方向電圧が下がり、点Ａの電圧が
基準電圧８以下になったときコンパレータ７の出力は
“Ｌ”→“Ｈ”となり、保護トランジスタ９がＯＮし、
出力用トランジスタ１０をＯＦＦさせる。
【００２７】保護トランジスタ９がＯＮすると過熱検出
電圧発生回路１６ａの電源は第１の保護抵抗１ａと第２
の保護抵抗２の分割比で決まる電圧に電圧降下し、ダイ
オード電流１４ａが減少し、点Ａの電圧をさらに降下さ
せ復帰する温度を検出値以下にしヒステリシスを持たせ
る。この回路では、検出温度を変化させずにヒステリシ
ス幅を調整するためには、抵抗２の値を変えるだけで調
整可能となる。
電圧発生回路１６ａの電源は第１の保護抵抗１ａと第２
の保護抵抗２の分割比で決まる電圧に電圧降下し、ダイ
オード電流１４ａが減少し、点Ａの電圧をさらに降下さ
せ復帰する温度を検出値以下にしヒステリシスを持たせ
る。この回路では、検出温度を変化させずにヒステリシ
ス幅を調整するためには、抵抗２の値を変えるだけで調
整可能となる。
【００２８】上記実施例において出力トランジスタ１０
はＮｃｈＭＯＳＦＥＴで、そのゲート（制御端子）とソ
ース（基準端子）を接続する保護トランジスタをＮｃｈ
ＭＯＳＦＥＴ９としたが、それらをＮＰＮトランジスタ
とすることもできるし、その他のトランジスタをバイポ
ーラトランジスタに変更することもできる。
はＮｃｈＭＯＳＦＥＴで、そのゲート（制御端子）とソ
ース（基準端子）を接続する保護トランジスタをＮｃｈ
ＭＯＳＦＥＴ９としたが、それらをＮＰＮトランジスタ
とすることもできるし、その他のトランジスタをバイポ
ーラトランジスタに変更することもできる。
【００２９】又、過熱検出電圧発生回路１６ａは、トラ
ンジスタ４と抵抗５とにより電流を規定されたトランジ
スタ３によってダイオード６に電流を供給するものであ
るが、トランジスタ３に変えて抵抗とすることもでき
る。
ンジスタ４と抵抗５とにより電流を規定されたトランジ
スタ３によってダイオード６に電流を供給するものであ
るが、トランジスタ３に変えて抵抗とすることもでき
る。
【００３０】
【実施例２】図２は、この発明の第２実施例の回路図で
ある。この実施例は第１の保護抵抗１ｂをＰｃｈＭＯＳ
ＦＥＴ３，４のソース間に接続したこと以外第１の実施
例と同様であるため同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。この実施例では、過熱を検出し保護ト
ランジスタ９がＯＮすると過熱検出電圧発生回路１６ｂ
の電源電圧が第１の保護抵抗１ｂと第２の保護抵抗２の
抵抗比で決まる電圧に降下し、ダイオードの電流１４ｂ
が減少し点Ｂの電圧をさらに降下させ、復帰する温度を
検出値以下にしヒステリシスを持たせる。この回路でも
実施例１と同様の効果が得られる。
ある。この実施例は第１の保護抵抗１ｂをＰｃｈＭＯＳ
ＦＥＴ３，４のソース間に接続したこと以外第１の実施
例と同様であるため同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。この実施例では、過熱を検出し保護ト
ランジスタ９がＯＮすると過熱検出電圧発生回路１６ｂ
の電源電圧が第１の保護抵抗１ｂと第２の保護抵抗２の
抵抗比で決まる電圧に降下し、ダイオードの電流１４ｂ
が減少し点Ｂの電圧をさらに降下させ、復帰する温度を
検出値以下にしヒステリシスを持たせる。この回路でも
実施例１と同様の効果が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は負荷ド
ライブ用出力トランジスタを制御する入力信号の入る入
力端子とＧＮＤ間に設けた過熱検出回路において、保護
抵抗を分割し、一方を入力端子と過熱検出電圧発生回路
の間に接続し、他方を過熱検出電圧発生回路と出力トラ
ンジスタのゲート端子の間に接続する構成とすることに
より、どちらか一方の抵抗値を変えるだけでヒステリシ
ス幅を変化させることができるので設計容易となるとい
う効果がある。
ライブ用出力トランジスタを制御する入力信号の入る入
力端子とＧＮＤ間に設けた過熱検出回路において、保護
抵抗を分割し、一方を入力端子と過熱検出電圧発生回路
の間に接続し、他方を過熱検出電圧発生回路と出力トラ
ンジスタのゲート端子の間に接続する構成とすることに
より、どちらか一方の抵抗値を変えるだけでヒステリシ
ス幅を変化させることができるので設計容易となるとい
う効果がある。
【図１】 この発明の第１の実施例の回路図である。
【図２】 この発明の第２の実施例の回路図である。
【図３】 従来技術の回路図である。
１ａ，１ｂ 第１保護抵抗 ２ 第２保護抵抗 ３，４ ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ ５ 抵抗 ６ ダイオード ７ コンパレータ ８ 基準電圧 ９ ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ（保護トランジスタ） １０ 出力トランジスタ １１ 負荷 １２ 負荷電源 １３ 入力電圧 １４ａ，ｂ ダイオードの電流 １５ ＧＮＤ １６ａ，ｂ 過熱検出電圧発生回路 Ｖｉｎ 入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０２Ｈ 7/12 Ｈ０２Ｈ 7/12 Ｂ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G05F 3/20 G05F 1/10 G05F 3/02
Claims (3)
- 【請求項１】負荷ドライブ用出力トランジスタの制御端
子と基準端子との間を接続する保護トランジスタに制御
信号を送出するものであって、 前記出力トランジスタを制御する入力電圧源を回路電源
として複数のダイオードの直列回路に電流を流し、その
電圧降下を出力電圧とする過熱検出電圧発生回路を有し
て構成され、入力端子と前記過熱検出電圧発生回路との
間に第１の保護抵抗を、前記過熱検出電圧発生回路と前
記出力トランジスタの制御端子との間に第２の保護抵抗
を接続したことを特徴とする過熱検出回路。 - 【請求項２】基準電圧源と、その出力を一方の入力とし
他方に前記過熱検出電圧発生回路の出力を入力しその出
力で前記保護トランジスタを制御するコンパレータとを
有し、前記基準電圧源及び前記コンパレータの回路電源
が前記入力電圧源であることを特徴とする請求項１の過
熱検出回路。 - 【請求項３】前記ダイオードを前記出力トランジスタに
近接配置して集積回路化した請求項１又は請求項２の過
熱検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122216A JP3003455B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 過熱検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122216A JP3003455B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 過熱検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06332555A JPH06332555A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3003455B2 true JP3003455B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=14830430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5122216A Expired - Lifetime JP3003455B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 過熱検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003455B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3358459B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2002-12-16 | 株式会社デンソー | 温度検出回路 |
| JP6205996B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-10-04 | 株式会社デンソー | 温度検出回路 |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP5122216A patent/JP3003455B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06332555A (ja) | 1994-12-02 |
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