JPH0787235B2 - 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH0787235B2 JPH0787235B2 JP1327116A JP32711689A JPH0787235B2 JP H0787235 B2 JPH0787235 B2 JP H0787235B2 JP 1327116 A JP1327116 A JP 1327116A JP 32711689 A JP32711689 A JP 32711689A JP H0787235 B2 JPH0787235 B2 JP H0787235B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレーム用材の構造的改良
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。
半導体装置用リードフレームとは、例えば42ニッケル合
金等の板を成形して製造した板状体よりなり、半導体装
置の製造工程に使用される中間部材である。この半導体
装置用リードフレームとその製造方法を、図面を参照し
て略述する。
金等の板を成形して製造した板状体よりなり、半導体装
置の製造工程に使用される中間部材である。この半導体
装置用リードフレームとその製造方法を、図面を参照し
て略述する。
第７図参照 図は、従来技術に係る半導体装置用リードフレームの１
例の平面図である。
例の平面図である。
図において、６は半導体チップ（図示せず）がその上に
搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支持
バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている。
こゝで、保持バー８は額縁状の形状を有し、支持バー７
を介してアイランド６を支持するとゝもに、下記する接
続導体９も支持する。この接続導体９の一端は、上記の
アイランド６の近傍にこれとは絶縁されて配列され、そ
の他端は、上記のとうり、保持バー８に一体的に連結さ
れている。
搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支持
バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている。
こゝで、保持バー８は額縁状の形状を有し、支持バー７
を介してアイランド６を支持するとゝもに、下記する接
続導体９も支持する。この接続導体９の一端は、上記の
アイランド６の近傍にこれとは絶縁されて配列され、そ
の他端は、上記のとうり、保持バー８に一体的に連結さ
れている。
従来技術に係る半導体装置用リードフレームの製造方法
には、ウェットエッチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。
には、ウェットエッチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。
まず、ウェットエッチング法を使用してなす半導体装置
用リードフレームの製造方法について略述する。
用リードフレームの製造方法について略述する。
第８図参照 図はウェットエッチング法を使用して製造された半導体
装置用リードフレームの接続導体９の断面図の１例（具
体的には、第７図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である。図において、ｌは接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体９を
インナーリードと云う。）の上面の平坦な領域の幅であ
り（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であ
り、Ｐはインナーリード９のピッチである。
装置用リードフレームの接続導体９の断面図の１例（具
体的には、第７図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である。図において、ｌは接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体９を
インナーリードと云う。）の上面の平坦な領域の幅であ
り（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であ
り、Ｐはインナーリード９のピッチである。
ウェットエッチング法を使用してなす半導体装置用リー
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させ
て、上記のレジスト等を露光した後現像してエッチング
用マスクを製造する。つぎに、上記のエッチング用マス
クがその上に形成されている金属板の両面からエッチン
グ液を噴射して、噴射方式のエッチングを実施して金属
板を半導体装置用リードフレームの平面パターンに対応
した形状に成形する。このウェットエッチング工程にお
いては、その等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエ
ッチングは避け難く、エッチング形状は図示するように
なり、その厚さ方向の中間に突起91が残留することは避
け難い。最後に、使用済みのレジストを除去して、所望
の形状に成形された金属板よりなるリードフレームを製
造する。
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させ
て、上記のレジスト等を露光した後現像してエッチング
用マスクを製造する。つぎに、上記のエッチング用マス
クがその上に形成されている金属板の両面からエッチン
グ液を噴射して、噴射方式のエッチングを実施して金属
板を半導体装置用リードフレームの平面パターンに対応
した形状に成形する。このウェットエッチング工程にお
いては、その等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエ
ッチングは避け難く、エッチング形状は図示するように
なり、その厚さ方向の中間に突起91が残留することは避
け難い。最後に、使用済みのレジストを除去して、所望
の形状に成形された金属板よりなるリードフレームを製
造する。
つぎに、プレス打抜き法を使用してなす半導体装置用リ
ードフレームの製造方法について説明する。
ードフレームの製造方法について説明する。
第９図参照 図は、半導体装置用リードフレームの平面パターンに適
合した雄・雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜
いて、リードフレームの形状に成形された金属板よりな
るリードフレームの接続導体９の断面の１例（具体的に
は第７図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）である。
このプレス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リ
ードフレームの接続導体９の断面は不可避的に台形にな
る。図において、ｌ・ｌ′は接続導体９の先端部（ボン
ディングがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅
であり、Ｐはインナーリードピッチである。
合した雄・雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜
いて、リードフレームの形状に成形された金属板よりな
るリードフレームの接続導体９の断面の１例（具体的に
は第７図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）である。
このプレス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リ
ードフレームの接続導体９の断面は不可避的に台形にな
る。図において、ｌ・ｌ′は接続導体９の先端部（ボン
ディングがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅
であり、Ｐはインナーリードピッチである。
上記したとおり、従来技術に係る半導体装置用リードフ
レームにおいては、以下の欠点が避け難い。
レームにおいては、以下の欠点が避け難い。
半導体チップのボンディングパッドと各接続導体とをボ
ンディング接続するためには、インナーリード９の少な
くとも先端部（ワイヤボンディングされる領域）の上・
下面の平坦な領域の幅（第８図・第９図のｌ）は、ある
程度以上である必要があり、従来技術においては、最小
100μｍ程度必要とされている。
ンディング接続するためには、インナーリード９の少な
くとも先端部（ワイヤボンディングされる領域）の上・
下面の平坦な領域の幅（第８図・第９図のｌ）は、ある
程度以上である必要があり、従来技術においては、最小
100μｍ程度必要とされている。
しかし、リードフレームを構成する金属板の厚さが150
μｍの場合、ウェットエッチング法を使用して製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起91が不可避的
に形成されることは、上記のとうりである。そのため、
インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディン
グされる領域）の上面の平坦な領域の幅（第９図のｌ）
を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようとす
ると、上記の突起91相互間の距離が小さくなり、接続導
体相互間の短絡のおそれが発生するので、インナーリー
ドのピッチＰも同時に大きくせざるを得ず、従来技術に
おいて可能な最小のインナーリードのピッチＰの値は25
0μｍである。
μｍの場合、ウェットエッチング法を使用して製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起91が不可避的
に形成されることは、上記のとうりである。そのため、
インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディン
グされる領域）の上面の平坦な領域の幅（第９図のｌ）
を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようとす
ると、上記の突起91相互間の距離が小さくなり、接続導
体相互間の短絡のおそれが発生するので、インナーリー
ドのピッチＰも同時に大きくせざるを得ず、従来技術に
おいて可能な最小のインナーリードのピッチＰの値は25
0μｍである。
また、リードフレームを構成する金属板の厚さが150μ
ｍの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のとお
り、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第９図の
ｌ）が下面の平坦な領域の幅（第９図のｌ′）より小さ
くなるため、インナーリードの少なくとも先端部（ワイ
ヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域の幅を
大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようとする
と、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相互が短
絡するおそれが発生するので、インナーリードのピッチ
Ｐも同時に大きくせざるを得ず、従来技術において可能
な最小なインナーリードのピッチＰの値は250μｍであ
る。
ｍの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のとお
り、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第９図の
ｌ）が下面の平坦な領域の幅（第９図のｌ′）より小さ
くなるため、インナーリードの少なくとも先端部（ワイ
ヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域の幅を
大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようとする
と、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相互が短
絡するおそれが発生するので、インナーリードのピッチ
Ｐも同時に大きくせざるを得ず、従来技術において可能
な最小なインナーリードのピッチＰの値は250μｍであ
る。
ところで、最近広く使用されている多用途半導体集積回
路（ASIC）等においてはピン数が増加し、そのため、イ
ンナーリードピッチＰを180μｍ以下にすることが要求
されているが、上記の理由により、インナーリードの上
・下面の平坦な領域の幅を100μｍ以上にし、しかも、
インナーリードピッチを180μｍ以下にすることは従来
技術においては困難である。
路（ASIC）等においてはピン数が増加し、そのため、イ
ンナーリードピッチＰを180μｍ以下にすることが要求
されているが、上記の理由により、インナーリードの上
・下面の平坦な領域の幅を100μｍ以上にし、しかも、
インナーリードピッチを180μｍ以下にすることは従来
技術においては困難である。
このように、従来技術に係る半導体装置用リードフレー
ムにおいては、インナーリードのピッチＰの長さとワイ
ヤボンディングされる領域の幅ｌとは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避け難い。
ムにおいては、インナーリードのピッチＰの長さとワイ
ヤボンディングされる領域の幅ｌとは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避け難い。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、エッ
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が100μｍ以上であり、
且つ、インナーリードピッチが180μｍ以下である半導
体装置用リードフレームを実現するために必要な中間部
材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部材
を直接使用してなす半導体装置用リードフレームの製造
方法とを提供することにある。
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が100μｍ以上であり、
且つ、インナーリードピッチが180μｍ以下である半導
体装置用リードフレームを実現するために必要な中間部
材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部材
を直接使用してなす半導体装置用リードフレームの製造
方法とを提供することにある。
上記の目的のうち、第１の目的は、銅または銅を主成分
とする金属板よりなる心材（11）が、炭素含有量が0.01
5％以下である鉄・ニッケル合金の板よりなる被覆材（1
2）によって挟まれて中心材（13）が構成され、この炭
素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金の板よ
りなる被覆材（12）の両面が、炭素含有量が0.025〜2.0
％の浸炭層（14）によってカバーされている半導体装置
用リードフレーム用材によって達成される。
とする金属板よりなる心材（11）が、炭素含有量が0.01
5％以下である鉄・ニッケル合金の板よりなる被覆材（1
2）によって挟まれて中心材（13）が構成され、この炭
素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金の板よ
りなる被覆材（12）の両面が、炭素含有量が0.025〜2.0
％の浸炭層（14）によってカバーされている半導体装置
用リードフレーム用材によって達成される。
上記の目的のうち、第２の目的は、請求項［１］記載の
半導体装置用リードフレーム用材（31）の両面にレジス
ト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）を半導体装
置用リードフレームの平面形状に露光・現像してエッチ
ング用マスク（41）を形成し、前記の半導体装置用リー
ドフレーム用材（31）の浸炭層（14）と被覆材（12）と
よりなる中心材（13）を塩化第２鉄と塩化水素水との水
溶液または硝酸と過酸化水素水との水溶液をエッチャン
トとしてウェットエッチングし、続いて心材（11）を硫
酸アンモニウムをエッチャントとしてウェットエッチン
グして、半導体装置用リードフレームを製造する半導体
装置用リードフレームの製造方法によって達成される。
半導体装置用リードフレーム用材（31）の両面にレジス
ト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）を半導体装
置用リードフレームの平面形状に露光・現像してエッチ
ング用マスク（41）を形成し、前記の半導体装置用リー
ドフレーム用材（31）の浸炭層（14）と被覆材（12）と
よりなる中心材（13）を塩化第２鉄と塩化水素水との水
溶液または硝酸と過酸化水素水との水溶液をエッチャン
トとしてウェットエッチングし、続いて心材（11）を硫
酸アンモニウムをエッチャントとしてウェットエッチン
グして、半導体装置用リードフレームを製造する半導体
装置用リードフレームの製造方法によって達成される。
上記いづれの手段においても、浸炭層（２）または（1
4）の望ましい厚さと、これに挟まれる非浸炭層よりな
る中心部材（１）または非浸炭層よりなる被覆材（12）
とこれによって挟まれている心材（11）との積層体とし
ての中心材（13）の厚さとの比は、浸炭の程度すなわち
含有炭素量にもとづいて決定されるウェットエッチング
のエッチングレートの比にもとづいて決定すればよい。
例えば、一方の炭素含有量を0.005％とし、他方の炭素
含有量を0.025％とすると、エッチングレートの比は1.
4:1.0となる。そして、本発明においては、非浸炭層よ
りなる中心部材（１）または非浸炭層よりなる被覆材
（12）とこれによって挟まれている心材（11）との積層
体である中心材（13）の炭素含有量が0.015％以下とさ
れ、浸炭層（２）または（14）の炭素含有量が0.02〜2.
0％とされており、この場合、エッチングレートの比は
1.5:1.0であるので、半導体装置用リードフレームの厚
さを150μｍとすると、非浸炭層よりなる中心部材
（１）または非浸炭層よりなる被覆材（12）とこれによ
って挟まれている心材（11）との積層体である中心材
（13）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに対
する比は80〜20％が望ましく、浸炭層（２）または（1
4）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに対す
る比は20〜40％が望ましい。
4）の望ましい厚さと、これに挟まれる非浸炭層よりな
る中心部材（１）または非浸炭層よりなる被覆材（12）
とこれによって挟まれている心材（11）との積層体とし
ての中心材（13）の厚さとの比は、浸炭の程度すなわち
含有炭素量にもとづいて決定されるウェットエッチング
のエッチングレートの比にもとづいて決定すればよい。
例えば、一方の炭素含有量を0.005％とし、他方の炭素
含有量を0.025％とすると、エッチングレートの比は1.
4:1.0となる。そして、本発明においては、非浸炭層よ
りなる中心部材（１）または非浸炭層よりなる被覆材
（12）とこれによって挟まれている心材（11）との積層
体である中心材（13）の炭素含有量が0.015％以下とさ
れ、浸炭層（２）または（14）の炭素含有量が0.02〜2.
0％とされており、この場合、エッチングレートの比は
1.5:1.0であるので、半導体装置用リードフレームの厚
さを150μｍとすると、非浸炭層よりなる中心部材
（１）または非浸炭層よりなる被覆材（12）とこれによ
って挟まれている心材（11）との積層体である中心材
（13）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに対
する比は80〜20％が望ましく、浸炭層（２）または（1
4）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに対す
る比は20〜40％が望ましい。
本発明は、鉄・ニッケル合金のウェットエッチングレー
トが、その炭素含有量に依存しており、その炭素含有量
が増加するとエッチングレートが低下すると云う性質を
積極的に利用したものであり、非浸炭層よりなる中心部
材（１）または非浸炭層よりなる被覆材（12）とこれに
よって挟まれている心材（11）との積層体としての中心
材（13）のエッチングレートは浸炭層（２）または（1
4）のエッチングレートより大きいので、浸炭層（２）
または（14）はそれ程サイドエッチされないが、非浸炭
層よりなる中心部材（１）または非浸炭層よりなる被覆
材（12）や銅または銅を主成分とする金属板よりなる心
材（11）は大きくサイドエッチされることになり、その
結果、両者または三者のサイドエッチ量はおゝむね同一
となり、エッチング面はおゝむね平面状となる。実験の
結果によれば、ピンとされる接続導体の側面は巨視的に
はおゝむね平面となり、十分広いボンディング領域と十
分微細なインナーリードピッチとを、同時に、実現する
ことができる。
トが、その炭素含有量に依存しており、その炭素含有量
が増加するとエッチングレートが低下すると云う性質を
積極的に利用したものであり、非浸炭層よりなる中心部
材（１）または非浸炭層よりなる被覆材（12）とこれに
よって挟まれている心材（11）との積層体としての中心
材（13）のエッチングレートは浸炭層（２）または（1
4）のエッチングレートより大きいので、浸炭層（２）
または（14）はそれ程サイドエッチされないが、非浸炭
層よりなる中心部材（１）または非浸炭層よりなる被覆
材（12）や銅または銅を主成分とする金属板よりなる心
材（11）は大きくサイドエッチされることになり、その
結果、両者または三者のサイドエッチ量はおゝむね同一
となり、エッチング面はおゝむね平面状となる。実験の
結果によれば、ピンとされる接続導体の側面は巨視的に
はおゝむね平面となり、十分広いボンディング領域と十
分微細なインナーリードピッチとを、同時に、実現する
ことができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例に係る半導体装
置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレーム
の製造方法とについて説明する。
置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレーム
の製造方法とについて説明する。
第１実施例（請求項［１］に対応） 半導体装置用リードフレーム用材 第1a図参照 炭素含有量が0.015％以下であり厚さが150μｍである鉄
・ニッケル合金よりなる板を800℃において一酸化炭素
と水素と窒素とを2:4:4の割合に含有する浸炭ガスに約
５分間接触させて、浸炭をなして、その表層に浸炭層14
を形成する。
・ニッケル合金よりなる板を800℃において一酸化炭素
と水素と窒素とを2:4:4の割合に含有する浸炭ガスに約
５分間接触させて、浸炭をなして、その表層に浸炭層14
を形成する。
この工程において実現する浸炭濃度は0.3％であり、浸
炭深さは約50μｍである。
炭深さは約50μｍである。
このようにして製造された半導体装置用リードフレーム
用材３は、下記する半導体装置用リードフレームの製造
方法を使用するときは、エッチング面がおゝむね平面状
となり、十分広いボンディング領域と十分微細なインナ
ーリードピッチとを同時に実現する半導体装置用リード
フレームを製造することができる。
用材３は、下記する半導体装置用リードフレームの製造
方法を使用するときは、エッチング面がおゝむね平面状
となり、十分広いボンディング領域と十分微細なインナ
ーリードピッチとを同時に実現する半導体装置用リード
フレームを製造することができる。
第２実施例（請求項［２］に対応） 半導体装置用リードフレーム用材 第1b図参照 銅または銅を主成分とし厚さが60μｍである金属板を心
材11とし、この心材11を、炭素含有量が0.015％以下で
あり厚さが45μｍである鉄・ニッケル合金の板よりなる
被覆材12をもって挟んで熱圧着して中心材13を形成す
る。
材11とし、この心材11を、炭素含有量が0.015％以下で
あり厚さが45μｍである鉄・ニッケル合金の板よりなる
被覆材12をもって挟んで熱圧着して中心材13を形成す
る。
第1c図参照 この中心材13を800℃において一酸化炭素と水素と窒素
とを2:4:4の割合に含有する浸炭ガスに約2.5分間接触さ
せて、浸炭をなして、その表層に浸炭層14を形成する。
とを2:4:4の割合に含有する浸炭ガスに約2.5分間接触さ
せて、浸炭をなして、その表層に浸炭層14を形成する。
この工程において実現する浸炭濃度は0.3％であり、浸
炭深さは約25μｍである。
炭深さは約25μｍである。
このようにして製造された半導体装置用リードフレーム
用材31は、下記する半導体装置用リードフレームの製造
方法を使用するときは、エッチング面がおゝむね平面状
となり、十分広いボンディング領域と十分微細なインナ
ーリードピッチとを同時に実現する半導体装置用リード
フレームを製造することができる。
用材31は、下記する半導体装置用リードフレームの製造
方法を使用するときは、エッチング面がおゝむね平面状
となり、十分広いボンディング領域と十分微細なインナ
ーリードピッチとを同時に実現する半導体装置用リード
フレームを製造することができる。
第３実施例（請求項［３］に対応） 半導体装置用リードフレームの製造方法 第２図参照 スピンコート法を使用して、上記の半導体装置用リード
フレーム用材３または31の上に、レジスト膜４を形成す
る。
フレーム用材３または31の上に、レジスト膜４を形成す
る。
第３図参照 半導体装置用リードフレームの平面形状に対応する形状
にレジスト膜４を露光・現像して、エッチングマスク41
を製造する。
にレジスト膜４を露光・現像して、エッチングマスク41
を製造する。
第４図参照 塩化第２鉄（FeCl3）と塩化水素（Hcl）との水溶液また
は硝酸（HNO3）と過酸化水素水との水溶液をエッチャン
トとして、約60℃の液温において両面噴射エッチングを
約１分間実行する。
は硝酸（HNO3）と過酸化水素水との水溶液をエッチャン
トとして、約60℃の液温において両面噴射エッチングを
約１分間実行する。
このエッチング時間は、高濃度に炭素を含有する鉄・ニ
ッケル合金の板よりなる浸炭層14または２のみをエッチ
ングするに必要な時間であり、このエッチングが完了し
た時点においては図示するような形状となる。すなわ
ち、約５μｍのサイドエッチングが発生する。
ッケル合金の板よりなる浸炭層14または２のみをエッチ
ングするに必要な時間であり、このエッチングが完了し
た時点においては図示するような形状となる。すなわ
ち、約５μｍのサイドエッチングが発生する。
第５図参照 さらにつゞけて、両面噴射エッチングを、炭素含有量が
0.015％以下であり厚さが20〜60μｍである鉄・ニッケ
ル合金よりなる被覆材12に対して、約１分続行する。塩
化第２鉄（FeCl3）と塩化水素（HCl）との水溶液または
硝酸（HNO3）と過酸化水素水との水溶液の低炭素含有量
の鉄・ニッケル合金（本実施例においては、0.015％以
下）に対するエッチングレートは高炭素含有量の鉄・ニ
ッケル合金浸炭層（本実施例においては、0.02％〜2.0
％の範囲）に対するエッチングレートの約1.5倍である
から、この工程において、エッチングレートが急増し
て、炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金
の板よりなる被覆材12は急速にエッチングされるが、炭
素含有量が0.02％〜2.0％である浸炭層14はほとんどエ
ッチングされず、おゝむね図示するようなエッチング形
状となる。
0.015％以下であり厚さが20〜60μｍである鉄・ニッケ
ル合金よりなる被覆材12に対して、約１分続行する。塩
化第２鉄（FeCl3）と塩化水素（HCl）との水溶液または
硝酸（HNO3）と過酸化水素水との水溶液の低炭素含有量
の鉄・ニッケル合金（本実施例においては、0.015％以
下）に対するエッチングレートは高炭素含有量の鉄・ニ
ッケル合金浸炭層（本実施例においては、0.02％〜2.0
％の範囲）に対するエッチングレートの約1.5倍である
から、この工程において、エッチングレートが急増し
て、炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金
の板よりなる被覆材12は急速にエッチングされるが、炭
素含有量が0.02％〜2.0％である浸炭層14はほとんどエ
ッチングされず、おゝむね図示するようなエッチング形
状となる。
第６図参照 こゝで、エッチャントを硫酸アンモニュウム（（NH4）2
SO4）に変更して、両面噴射エッチングを続行し、銅ま
たは銅を主成分とする金属板よりなる心材11をエッチン
グする。硫酸アンモニュウム（（NH4）2SO4）の銅また
は銅を主成分とする金属に対するエッチングレートは、
高炭素濃度の鉄・ニッケル合金に対するエッチングレー
トは勿論低炭素含有量の鉄・ニッケル合金（本実施例に
おいては、0.015％以下）に対するエッチングレートよ
りさらに大きいから、銅または銅を主成分とする金属板
よりなる心材11は急速にエッチングされるが、低炭素含
有量の鉄・ニッケル合金よりなる被覆材12はあまりエッ
チングされず、炭素含有量が0.02％〜2.0％である浸炭
層14はほとんどエッチングされず、おゝむね図示するよ
うなエッチング形状となる。
SO4）に変更して、両面噴射エッチングを続行し、銅ま
たは銅を主成分とする金属板よりなる心材11をエッチン
グする。硫酸アンモニュウム（（NH4）2SO4）の銅また
は銅を主成分とする金属に対するエッチングレートは、
高炭素濃度の鉄・ニッケル合金に対するエッチングレー
トは勿論低炭素含有量の鉄・ニッケル合金（本実施例に
おいては、0.015％以下）に対するエッチングレートよ
りさらに大きいから、銅または銅を主成分とする金属板
よりなる心材11は急速にエッチングされるが、低炭素含
有量の鉄・ニッケル合金よりなる被覆材12はあまりエッ
チングされず、炭素含有量が0.02％〜2.0％である浸炭
層14はほとんどエッチングされず、おゝむね図示するよ
うなエッチング形状となる。
その結果、巨視的には、エッチング面はおゝむね平面と
なる。図においては、大きな段差が表されているが、こ
れは、説明の都合上凹凸を拡大して表示したものである
が、厚さ150μｍに対し、横方向の段差は数μｍであ
り、巨視的にはおゝむね平面である。最後に使用済みレ
ジスト膜よりなるエッチングマスク41を除去して、半導
体装置用リードフレームを完成する。
なる。図においては、大きな段差が表されているが、こ
れは、説明の都合上凹凸を拡大して表示したものである
が、厚さ150μｍに対し、横方向の段差は数μｍであ
り、巨視的にはおゝむね平面である。最後に使用済みレ
ジスト膜よりなるエッチングマスク41を除去して、半導
体装置用リードフレームを完成する。
以上の工程をもって製造された半導体装置用リードフレ
ームのエッチング面はおゝむね平面であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
とを同時に実現することができる。
ームのエッチング面はおゝむね平面であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
とを同時に実現することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置用リード
フレーム用材は、炭素含有量が0.015％以下である鉄・
ニッケル合金の板よりなる中心部材の表層が浸炭されて
炭素含有量が0.025〜2.0％の浸炭層に転換されている
か、銅または銅を主成分とする金属板よりなる心材が、
炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金の板
よりなる被覆材によって挟まれて中心材が構成されてお
り、この炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル
合金の板よりなる被覆材の表層が浸炭されて、炭素含有
量が0.025〜2.0％の浸炭層に転換されているので、ウェ
ットエッチング法を使用してなす半導体装置用リードフ
レームの製造方法を使用するときは、エッチング面がお
ゝむね平面状となり、十分広いボンディング領域と十分
微細なインナーリードピッチとを同時に実現する半導体
装置用リードフレームを製造することができる。また、
本発明に係る半導体装置用リードフレームの製造方法
は、上記の半導体装置用リードフレーム用材に対して、
ウェットエッチング法を使用してなす半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を使用することゝされているの
で、エッチング面がおゝむね平面となり、十分広いボン
ディング領域と十分微細なインナーリードピッチとを同
時に実現する半導体装置用リードフレームを製造するこ
とができる。
フレーム用材は、炭素含有量が0.015％以下である鉄・
ニッケル合金の板よりなる中心部材の表層が浸炭されて
炭素含有量が0.025〜2.0％の浸炭層に転換されている
か、銅または銅を主成分とする金属板よりなる心材が、
炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金の板
よりなる被覆材によって挟まれて中心材が構成されてお
り、この炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル
合金の板よりなる被覆材の表層が浸炭されて、炭素含有
量が0.025〜2.0％の浸炭層に転換されているので、ウェ
ットエッチング法を使用してなす半導体装置用リードフ
レームの製造方法を使用するときは、エッチング面がお
ゝむね平面状となり、十分広いボンディング領域と十分
微細なインナーリードピッチとを同時に実現する半導体
装置用リードフレームを製造することができる。また、
本発明に係る半導体装置用リードフレームの製造方法
は、上記の半導体装置用リードフレーム用材に対して、
ウェットエッチング法を使用してなす半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を使用することゝされているの
で、エッチング面がおゝむね平面となり、十分広いボン
ディング領域と十分微細なインナーリードピッチとを同
時に実現する半導体装置用リードフレームを製造するこ
とができる。
第1a図は、本発明の第１実施例（請求項［１］に対応）
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図であ
る。 第1b図は、本発明の第２実施例（請求項［２］に対応）
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図であ
る。 第1c図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リード
フレームの製造方法（請求項［３］に対応）を実施して
製造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第２図〜第６図は、本発明の実施例に係る半導体装置用
リードフレームの製造方法（請求項［２］［３］に対
応）の工程図である。 第７図は、半導体装置用リードフレームの平面図であ
る。 第８図は、エッチング法を使用してなす従来技術に係る
半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して製造
した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第９図は、プレス打抜き法を使用してなす従来技術に係
る半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して製
造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 １……炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合
金の板よりなる中心部材、 ２……炭素含有量が0.02〜2.0％である鉄・ニッケル合
金の板よりなる浸炭層、 ３……半導体装置用リードフレーム用材、 11……銅または銅を主成分とする金属板よりなる心材、 12……炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合
金の板よりなる被覆材、 13……心材が被覆材に挟まれている中心材、 14……浸炭層、 31……半導体装置用リードフレーム用材、 ４……レジスト膜、 41……エッチング用マスク、 ６……アイランド、 ７……支持バー、 ８……保持バー、 ９……接続導体、 91……突起。
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図であ
る。 第1b図は、本発明の第２実施例（請求項［２］に対応）
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図であ
る。 第1c図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リード
フレームの製造方法（請求項［３］に対応）を実施して
製造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第２図〜第６図は、本発明の実施例に係る半導体装置用
リードフレームの製造方法（請求項［２］［３］に対
応）の工程図である。 第７図は、半導体装置用リードフレームの平面図であ
る。 第８図は、エッチング法を使用してなす従来技術に係る
半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して製造
した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第９図は、プレス打抜き法を使用してなす従来技術に係
る半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して製
造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 １……炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合
金の板よりなる中心部材、 ２……炭素含有量が0.02〜2.0％である鉄・ニッケル合
金の板よりなる浸炭層、 ３……半導体装置用リードフレーム用材、 11……銅または銅を主成分とする金属板よりなる心材、 12……炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合
金の板よりなる被覆材、 13……心材が被覆材に挟まれている中心材、 14……浸炭層、 31……半導体装置用リードフレーム用材、 ４……レジスト膜、 41……エッチング用マスク、 ６……アイランド、 ７……支持バー、 ８……保持バー、 ９……接続導体、 91……突起。
Claims (2)
- 【請求項１】銅または銅を主成分とする金属板よりなる
心材（11）が、炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニ
ッケル合金の板よりなる被覆材（12）によって挟まれて
中心材（13）が構成され、 該炭素含有量が0.015％以下である鉄・ニッケル合金の
板よりなる被覆材（12）の両面が、炭素含有量が0.025
〜2.0％の浸炭層（14）によってカバーされてなる ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム用材。 - 【請求項２】請求項［１］記載の半導体装置用リードフ
レーム用材（31）の両面にレジスト膜（４）を形成し、 該レジスト膜（４）を半導体装置用リードフレームの平
面形状に露光・現像してエッチング用マスク（41）を形
成し、 前記半導体装置用リードフレーム用材（31）の浸炭層
（14）と被覆材（12）とよりなる中心材（13）を塩化第
２鉄と塩化水素水との水溶液または硝酸と過酸化水素水
との水溶液をエッチャントとしてウェットエッチング
し、続いて心材（11）を硫酸アンモニウムをエッチャン
トとしてウェットエッチングして、半導体装置用リード
フレームを製造する ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327116A JPH0787235B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327116A JPH0787235B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188657A JPH03188657A (ja) | 1991-08-16 |
| JPH0787235B2 true JPH0787235B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=18195480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1327116A Expired - Lifetime JPH0787235B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787235B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575006A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP4611569B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182453A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | エツチング加工用素材 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1327116A patent/JPH0787235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03188657A (ja) | 1991-08-16 |
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