JPS61207044A - 溶射基板の回路形成方法 - Google Patents

溶射基板の回路形成方法

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JPS61207044A
JPS61207044A JP60047516A JP4751685A JPS61207044A JP S61207044 A JPS61207044 A JP S61207044A JP 60047516 A JP60047516 A JP 60047516A JP 4751685 A JP4751685 A JP 4751685A JP S61207044 A JPS61207044 A JP S61207044A
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JP
Japan
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substrate
thermal spraying
circuit
conductor circuit
layer
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JP60047516A
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English (en)
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Takashi Shoji
孝志 荘司
Shigemasa Nakamura
中村　重雅
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は溶射によって基板上に導体回路とボンディング
部とを形成することができる溶射基板の回路形成方法に
関するものである。
〔従来の技術〕
一般に、通常のＣｕ張積層板等でＡｆｆｉ線をボンディ
ングするには信頼性を確保するため、従来はＣｕ箔のエ
ツチング回路上に半田を介してＡｌｌをカッパライジン
グした小片のパッド又はＮｉメッキされたＣｕの小片の
パッドを溶着せしめ、そのパッドにＡｆｉｉを超音波圧
接によりボンディングするか、Ｃｕ箔のエツチング上に
Ｎｉメッキを行ない、その上にＡｌｌ線をボンディング
する方法が採用されている。又、基板上にＡｎｔ／Ｃｕ
クラッド箔を積層させ、パターン形成時にＡｌ線をボン
ディングする部分のみレジストを印刷してＡｌを残し、
メッキ、半田付を必要とする部分はＡｌを優先的にエツ
チングしてＣｕを導体回路として残すという方法も採用
されている。ところが、これらの方法は工程が複雑で高
度な技術を必要とする欠点があった。又、溶射基板で回
路を溶射で形成する場合は、通常Ｃｕを溶射するが、基
板とＣｕの溶射層との溶着強度が弱く、Ｃｕの溶射層の
厚みが２００μ以上になると、溶着強度が極端に低下し
て自然に剥離する恐れがあった。又、Ｃｕの溶射層から
なる導体回路にＡ１線をボンデイングする場合には、従
来、あらかじめ導体回路にＮｉメッキを行なう必要があ
るが、Ｎｉメッキを行なう際に、メッキ液が基板の絶縁
層中の気孔を通じて浸入し、電気特性を悪化させたり、
ベース金属が腐食したりする欠点があった。又、溶射に
よって形成された導体回路の表面はＣｕ張積層板等の表
面に比べて表面が非常に粗いため、Ｎｉメッキを行なっ
ても、Ａｌ線を超音波圧接によりボンディングする際、
超音波が吸収されてしまい、ボンディング性が良くない
という欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は上記従来の欠点に鑑みて提案されたもので、ボ
ンディング用のパッドやＮｉメッキＣｕ／Ａｌクラツド
箔等を使用することなく、溶射技術を利用して、基板上
に導体回路とボンディング部を容易に形成することがで
き、導体回路の溶着強度が強く、溶射層の厚みが厚くて
も安定した回路性能を維持することができる溶射基板の
回路形成方法を提供せんとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の溶射基板の回路形成方法は、上記問題点を解決
するために、所定のパターンになるように一次マスキン
グを行なった基板上にＡｊｌ！を溶射して下地層を形成
した後、一次マスクを除去し、その上に半田付を必要と
する部分を除いて二次マスキングを行ない、その上から
Ｃｕを溶射した後、二次マスクを除去することにより、
基板上にＣｕの溶射層からなる導体回路と、Ａ１の下地
層からなるボンディング部とを形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
〔作　用〕
本発明は上記のようにして回路を形成するようにしたの
で、導体回路を形成するＣｕの溶射層は基板上にＡＡを
溶射して形成された下地層に強固に安定して溶射される
ことになる。又、ＡＡを溶射して形成された下地層の一
部は二次マスクを除去するだけでボンディング部が形成
されることになる。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて具体的に説
明する。第１図〜第１１図は本発明の一実施例を工程順
に示す各工程の説明図である。第１図は八Ｊ！　ｓ　Ｆ
　ｅ　％　Ｃｕ　％　Ｍｏ等を母材とする金属製の基板
１を示す。第２図はその金属製の基板１の表面にブラス
ト処理を施し、金属製の基板１の表面に微小な凹凸面２
を形成した状態を示す。
第３図はその凹凸面２の上にＡｌ、Ｏ，，５ｔａｔ、ｇ
１／ｌｊ！ｚ０２・　ｎ５ｉｏｚ、Ｂｅ０１Ｍｇ０等の
セラミックスを溶射して絶縁層３を形成した状態を示す
。
第４図は上記絶縁層３の上に所定のパターンになるよう
に一次マスキングを行なった状態を示し、図中４は一次
マスクを示す。第５図はその上からＡｌを溶射して下地
層５を形成した状態を示す。
第６図は下地層５を形成した後、一次マスク４を除去し
た状態を示す。第７図はその上に半田付を必要とする部
分を除いて二次マスキングを行なった状態を示し、図中
６は二次マスクを示す。第８図はその上からＣｕを溶射
して導体回路７を形成した状態を示す。第９図は導体回
路７を形成した後、二次マスク６を除去した状態を示し
、金属製の基板１上に、絶縁Ｎ３を介して、Ａｌの下地
層５からなるボンディング部８と、ＡＩの下地層５の上
に溶着された導体回路７とが形成されている。
第１０図はその導体回路７の上に半田９によってＩＣチ
ップｌＯをマウントした状態を示す。第１１図は導体回
路７にマウントされたＩＣチップ１０のへｆｆｉ＊１１
を超音波圧接によりボンディング部８にボンディングし
た状態を示す。
次に第１２図及び第１３図は本発明の他の実施例を工程
順に示す各工程の説明図である。第１２図は八Ｎ、０．
、Ｓｉｎｇ、ｍＡｌｚｏｚ　・　ｎ５ｉｏｚ、Ｂ２０、
ＭｇＯ等をベースとするセラミックス製の基板１２を示
す。第１３図はそのセラミックス製の基板１２の表面に
プラスト処理を施し、セラミックス製の基板１２の表面
に微小な凹凸面２を形成した状態を示す。
なお、本実施例においては、セラミックス製の基板１２
自体に絶縁性がある為、金属製の基板１を用いる場合と
異なり、第３図に示すように溶射によって絶縁層３を形
成する工程は省略することができるが、以後の工程は第
４図〜第１１図に示す工程と全く同じである為、その説
明は省略する。
次に、本発明の有効性を確認するために行った実験例に
ついて説明する。
実験は２ｎｕａｔ　Ｘ　５０ｍｍａのＡｌ基板と０．６
３ｎ＋ｍｔＸ５０ｍｍ’のＡ　Ｉｌ　ｔ　Ｏ３基板とを
用いてテストパターンを形成した。Ａｌ基板はアルミナ
質のＡ−４３＃８０のブラスト材を使用して５　Ｋ１７
ｃｍ”の圧力で表面をブラスト処理し、その上からプラ
ズマダイン社のプラズマ溶射機（ＳＧ１００型）で＃６
００のＡ＃２０３を使用して下記条件により溶射し、Ａ
ｌ基板の全面に厚さ１５０μｔの絶縁層を形成した。
Ａｌｔｏｓ基板はへ２基板と同じ条件でその表面にブラ
スト処理のみ施した。上記のようにして絶縁層を形成し
たＡｌ基板とブラスト処理のみを施したＡｌｚＯｉ基板
の表面に、１０５〜４４μのＡＩ！粒子を下記条件で下
地層の溶射厚みを変えて溶射した。
第１４図は上記のようにして形成されたテストパターン
の平面図で、Ａ列はＡｌを溶射した下地層に８８〜５３
μのＣｕ粒子を下記条件で溶射厚みを変えて溶射し、下
地層とＣｕの溶射層の溶着強度を確認するパターン部で
、４ａ＋ｍ’に溶射したＣｕの溶射層（ａ）に３．３ｍ
＋φのＣｕ　リベットを半田付けした後、垂直引張強度
を調べた。
次にＢ列はワイヤーボンド試験測定部で、４＋ｕ＋’に
Ａｌを溶射して形成した下地層山）〜（ｂ）間に、２５
０μφのＡ／線（Ｃ）（破断引張荷重約６００ｇｒ）を
超音波工業型のＡＮ太線用超音波ワイヤーボンディング
装置により圧接した後、プルテスターで八１＆？１（Ｃ
１を切断し、モードを観察した。
次表は、上記実験結果をＡ２を溶射した下地層のない場
合を比較例として対比した実験結果のデータ表である。
以下余白 〔デ　−　タ　釦 上記データ表から明らかなように、Ａｌ下地層の上にＣ
ｕを溶射して形成された導体回路部は、溶着強度がきわ
めて良好で、溶射層の厚みが厚くなっても剥離すること
なく、安定した溶着強度が得られた。又、Ａｌ下地層に
Ａｌ線をボンディングすると、プルテストの結果ワイヤ
ー切れがなく、ボンディング性はきわめて良好で、本発
明の有効性を確認することができた。
〔発明の効果〕
以上具体的に説明したように本発明によれば、（１）　
　下地層を溶射した上に導体を溶射するようにしたので
、母材としては金属製の基板でもセラミックス製の基板
でも使用することができる。
（２）　　＾ｌを溶射した下地層の上にＣｕを溶射して
導体回路を形成するようにしたので、導体回路部の溶着
強度が強い。
（３）　　ボンディング用のパッドやＮｉメッキ、Ｃｕ
／ＡＩ！クラッド箔等を使用することなく、溶射技術を
利用して基板上に導体回路とボンディング部を容易に形
成することができる。
（４１Ａｌの下地層からなるボンディング部に同一材質
のＡＡ’線をボンディングすることができるのでボンデ
ィング性がきわめて良好である。
（５）　　Ｃｕのみで導体回路を形成しようとすると、
回路の厚みがせいぜい１５０μ程度が限度で、回路をそ
れ以上の厚みにすると、スタライズ部で眉間剥離を生じ
、接着強度が低下して絶縁層の部分で剥離する恐れがあ
るが、本発明においては下地層にＡＩ！を溶射している
ので、ＡＪの下地層のずみを調整することにより５００
μ〜約１ｍｍ厚の回路も容易に形成することができる。
等、多くの利点を有し、量産にも十分に対応が可能で、
安定した回路性能を維持することができる溶射基板の回
路形成方法を提供し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第１１図は本発明の一実施例を工程順に示す各
工程の説明図、第１２図及び第１３図は本発明の他の実
施例を工程順に示す各工程の説明図、第１４図はテスト
パターンの平面図である。 １・・・金属製の基板、２・・・凹凸面、３・・・絶縁
層、４・・・一次マスク、５・・・下地層、６・・・二
次マスク、７・・・導体回路、８・・・ボンディング部
、９・・・半田、１０・・・ＩＣチップ、１１・・・Ａ
Ｉｔ線、１２・・・セラミックス製の基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　所定のパターンになるように一次マスキングを行なっ
    た基板上にＡｌを溶射して下地層を形成した後、一次マ
    スクを除去し、その上に半田付を必要とする部分を除い
    て二次マスキングを行ない、その上からＣｕを溶射した
    後二次マスクを除去することにより、基板上にＣｕの溶
    射層からなる導体回路と、Ａｌの下地層からなるボンデ
    ィング部とを形成するようにしたことを特徴とする溶射
    基板の回路形成方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5362926A (en) * 1991-07-24 1994-11-08 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Circuit substrate for mounting a semiconductor element
EP0823832A1 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Ford Motor Company Multi-layer electrical interconnection device and method of making same
DE102014214784A1 (de) * 2014-07-28 2016-02-11 Continental Automotive Gmbh Schaltungsträger, elektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5362926A (en) * 1991-07-24 1994-11-08 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Circuit substrate for mounting a semiconductor element
EP1132961A1 (en) * 1991-07-24 2001-09-12 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Circuit substrate for mounting a semiconductor element
EP0823832A1 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Ford Motor Company Multi-layer electrical interconnection device and method of making same
US6331680B1 (en) 1996-08-07 2001-12-18 Visteon Global Technologies, Inc. Multilayer electrical interconnection device and method of making same
DE102014214784A1 (de) * 2014-07-28 2016-02-11 Continental Automotive Gmbh Schaltungsträger, elektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers

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