JPH0783834B2 - 米粒の加湿方法及びその装置 - Google Patents

米粒の加湿方法及びその装置

Info

Publication number
JPH0783834B2
JPH0783834B2 JP62147223A JP14722387A JPH0783834B2 JP H0783834 B2 JPH0783834 B2 JP H0783834B2 JP 62147223 A JP62147223 A JP 62147223A JP 14722387 A JP14722387 A JP 14722387A JP H0783834 B2 JPH0783834 B2 JP H0783834B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rice
rice grains
conveyor
water
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62147223A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63310644A (ja
Inventor
利彦 佐竹
Original Assignee
株式会社佐竹製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15425355&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0783834(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to JP62147223A priority Critical patent/JPH0783834B2/ja
Application filed by 株式会社佐竹製作所 filed Critical 株式会社佐竹製作所
Priority to AU17466/88A priority patent/AU591047B2/en
Priority to MYPI88000621A priority patent/MY102833A/en
Priority to US07/204,639 priority patent/US5002788A/en
Priority to MX011822A priority patent/MX172179B/es
Priority to PH37052A priority patent/PH25487A/en
Priority to EP88109298A priority patent/EP0294838B1/en
Priority to DE3854365T priority patent/DE3854365T2/de
Priority to KR1019880007047A priority patent/KR920001529B1/ko
Publication of JPS63310644A publication Critical patent/JPS63310644A/ja
Publication of JPH0783834B2 publication Critical patent/JPH0783834B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02BPREPARING GRAIN FOR MILLING; REFINING GRANULAR FRUIT TO COMMERCIAL PRODUCTS BY WORKING THE SURFACE
    • B02B1/00Preparing grain for milling or like processes
    • B02B1/08Conditioning grain with respect to temperature or water content
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02BPREPARING GRAIN FOR MILLING; REFINING GRANULAR FRUIT TO COMMERCIAL PRODUCTS BY WORKING THE SURFACE
    • B02B1/00Preparing grain for milling or like processes
    • B02B1/04Wet treatment, e.g. washing, wetting, softening
    • B02B1/06Devices with rotary parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02BPREPARING GRAIN FOR MILLING; REFINING GRANULAR FRUIT TO COMMERCIAL PRODUCTS BY WORKING THE SURFACE
    • B02B1/00Preparing grain for milling or like processes
    • B02B1/04Wet treatment, e.g. washing, wetting, softening
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28026Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H01L21/28035Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • H01L27/0928Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors comprising both N- and P- wells in the substrate, e.g. twin-tub

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Adjustment And Processing Of Grains (AREA)
  • Cereal-Derived Products (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は米粒の加湿方法及びその装置に係り、特に、
精米後の米粒の加湿方法及びその装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、多孔壁からなる精白筒内に精白転子を備えた精米
機によって精米される米粒は、精米される間に発熱して
水分を奪われることにより食味の低下等を惹起(ひき
お)こすので、精米された米粒を水分添加装置等を備え
たタンクに張り込んで、急激な吸水によって米粒にき裂
が生じないよう、時間当たり0.2%程度の速さで5〜10
時間かけてゆっくり加湿を施し、適度の含水率の米粒に
仕上げている。このことは、生産者が過乾燥気味に供出
する傾向も手伝って、精米後の米粒に対する加湿工程を
不可欠なものにしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、近年の精米工場等にあっては、大処理能力を
有する機器が一貫的に配設され、効率的な稼動が行われ
ているが、事加湿工程に関しては、上記のように5〜10
時間を要し、工場全体の流れのネックとなっているのが
現状である。
本発明はこの点にかんがみ、精米後の米粒に対し、でき
るだけ短時間に水分添加を施して適正な含水率(約15
%)の米粒に加湿することのできる米粒の加湿方法及び
その装置を提供することを技術的課題とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第1の発明の米粒の加湿方法は、精米によって温度が上
昇した直後の米粒に水分を添加しながら撹拌作用を与
え、その後、この米粒を加圧下において撹拌しながら加
湿するものである。
また、第2の発明の米粒の加湿装置は、第1の発明の方
法を実施するための装置であって、 イ.精米機の直後に供給口と排出口を有するとともに水
分添加部を備えたコンベアケースにスクリューコンベア
を内装して設ける。
ロ.これに続く後工程側に、空気遮断弁を備えた供給部
と排出部とを有して気密に形成した加圧タンクに撹拌装
置を内装して設ける。
ハ.この加圧タンクには加圧装置と湿風発生装置とを装
着するとともに前記コンベアケースの排出口と前記加圧
タンクの供給部とを連絡する。
〔作 用〕
精米によって温度が上昇した米粒においては、内層部の
水分が表層部に向けて移動(発散)する状態となり、こ
のような状態の米粒に対して通常の加湿の5倍程度の水
分(米粒重量の約1%)を添加しても、米粒内部への吸
水速度が遅く、米粒き裂の発生がほとんどない。
本発明はこの現象を利用し、精米等で温度の上昇した米
粒に対し直ちに水分添加を施すとともに、米温が維持さ
れている間にさらに加圧下で加湿を行うことにより、米
粒き裂を生じることなく、短時間に水分を与える。
〔発明の実施例〕
本発明の好適な一実施例を図面に基づいて説明する。
多孔壁からなる除糠精白筒2内に、金剛砂等で形成した
精白転子3を回転自在に横架するとともに、供給ホッパ
ー4、排出口5及び糠ホッパー6等を備えてなる精米機
1の直後に円筒状のコンベアケース7を立設し、コンベ
アケース7内にはスクリューコンベア8を回転自在に設
ける。スクリューコンベア8のコンベア軸はコンベアケ
ース7の上端から突出するとともに調車10を軸着し、コ
ンベアケース7の上端に設けた電動機11の電動機調車12
と前記調車10とをVベルト等で連動連結してある。ま
た、コンベアケース7の上端には排出口13を、下端には
供給口14を開口するとともに供給ホッパー15を設け、供
給ホッパー15には米粒の温度を測定する温度センサー16
を装着する。
コンベアケース7の下部には水分添加部17を設ける。す
なわち、一端を適宜な水源(水槽等)に連結した水管18
の他端をコンベアケース7の下部の内部に臨ませ、スク
リューコンベア8によって揚送される米粒に直接水を注
く。水管18の端部にはシャワー状に水を出すためのじゃ
口を設けてもよいし、非常に細かい水滴状の水を供給す
る場合もある。添加する水分量は、精米機1から吐出さ
れる米粒の流量及び含水率をほぼ一定とすると、米粒の
温度によって異なる。すなわち、精米機1による米温上
昇が少ない場合は、添加水分量を減らして米粒き裂を防
がなければならず、この制御は、温度センサー16及び水
管18に装着した電磁弁20を、操作盤19に内蔵した制御部
(CPU等)に電気的に接続することで自動的に行うよう
形成される。
コンベアケース7の排出口13にはシュートパイプ21が設
けられ。このシュートパイプ21によって、排出口13から
排出される米粒を、直接次行程の加圧タンク22に供給す
る場合もあるが、加圧タンク22の大きさ等に応じて、バ
ケットエレベーター23及びシュートパイプ24を介して加
圧タンク22の供給ホッパー25と連絡することもある。
次に、加圧タンク22について説明する。加圧タンク22の
やや上方には、操作盤19の制御部に接続した温度センサ
ー26を備えた供給ホッパー25を設け、供給ホッパー25の
下部には空気遮断弁としての供給用ロータリーバルブ27
が接続されるとともに、ロータリーバルブ27を回転させ
る電動機28が設けられる。加圧タンク22の下部は漏斗状
に形成されるとともに、その下端部には空気遮断弁とし
ての排出用ロータリーバルブ29及び排出用ロータリーバ
ルブ29を回転させる電動機30が設けられる。ロータリー
バルブ29の下方には横送りの搬送手段、例えばフローコ
ンベヤー31が設けてある。
加圧タンク22の内部には多孔壁からなるコンベアケース
32が立設されるとともにコンベアケース32には撹拌装置
としてのスクリューコンベア33が回転可能に内装され
る。スクリューコンベア33のコンベア軸34は、中空状に
形成するとともに周壁に多数の通孔35を穿設してある。
また、中空状のコンベア軸34の上端は閉塞(そく)さ
れ、電動機36のシャフトと直結した回転軸37によって回
転可能に吊設してある。他方、コンベア軸34下端は開口
するとともに、加圧タンク22の側壁に設けた湿風発生器
38の吐出管39と摺動自在に接続される。さらに、コンベ
アケース32の下端にはコンベア軸34を回転自在に貫通さ
せた底板40を設け、下部周壁には供給口41を開口すると
ともに、供給口41と供給用ロータリーバルブ27とは供給
樋42によって連結してある。
加圧タンク22の側壁には、超音波振動素子を備えるとと
もに、加圧装置としての圧送ファン43と吸風ダクト44に
よって接続した湿風発生器38が設けられ、また、加圧タ
ンク22内の圧力を測定・表示する圧力計45が付設され
る。
加圧タンク22の上部一側には排風口46が開口され、排風
口46と圧送ファン43の吸気口とは排風ダクト47によって
連結されるとともに、排風ダクト47にはダンパー48が、
給風ダクト44にはダンパー49が各々介設してある。ま
た、排風ダクト47には、ダンパー48を挾んで分岐管50と
分岐管51とが設けられ、それぞれダンパー52及びダンパ
ー53が設けてある。前記各ダンパーにはそれぞれダンパ
ー作動用のサーボ機構付き電動機(図示せず)が装着さ
れるとともに、各電動機は操作盤19内の制御部に電気的
に接続される。
以下に、本実施例における具体的作動について説明す
る。
精米機1の供給ホッパー4に投入される玄米粒は、除糠
精白筒2と精白転子3との間隙を通過する間に、玄米表
層部の糠槽をはぎ取られて精米される。精米された精白
米は排出口5から吐出され、コンベアケース7下部の供
給ホッパー15に供給される。供給ホッパー15内の白米粒
は、温度センサー16によってその温度が計測され、この
計測値(通常、精米することによって15℃〜20℃の米温
上昇がみられる。)はA/D変換されて操作盤19の制御部
に取り込まれる。供給口14からコンベアケース7内に流
入した白米粒は、スクリューコンベア8によって揚送さ
れるのであるが、コンベアケース7の下部に設けた水分
添加部17による水分添加を受ける。
すなわち、水槽等の水が水管18を経て水分添加部17から
白米粒に直接浴びせられるのであるが、単位時間当たり
の吸水量は制御部に連結した電磁弁20によって一定量、
例えば含水率を0.5%上昇させる水量が設定されるとと
もに、温度センサー16の計測値による補正を受け、米温
が一定範囲よりも低い場合は吸水量を減少し、米粒き裂
を防ぐ。こうして、水分添加を受けた白米粒は、スクリ
ューコンベア8によってさらに流動・撹拌されながら揚
送され、その間に水分が白米粒に均等に付着されるとと
もに、米粒の自重による圧力が作用していわゆる加湿研
米が行われる。しかも、流動・撹拌が続行しているので
米温が急激に下がることがなく、ほぼ、精米機1から吐
出したときの温度が保持される。そのため、白米粒の表
面に付着する水分が急速に内部に浸(しん)透して米粒
き裂を生じることがない。なお、コンベアケース7の全
部又は一部を多孔壁となし、除糠を行うこともある。
コンベアケース7の上端に至った白米粒は、その排出口
13から流出し、バケットエレベーター23を介して、又は
直接に加圧タンク22の供給ホッパー25に投入される。供
給ホッパー25内の白米粒は温度センサー26によって米温
測定され、測定値は操作盤19の制御部に入力される、と
同時に供給用ロータリーバルブ27の回転によって供給樋
42を流下し、供給口41からコンベアケース32内に流入す
る。
一方、圧送ファン43の駆動により、分岐管51から流入す
る空気が、湿風発生器38を通過して超微粒子の霧状の水
分を含んた湿風となり、吐出管39及びコンベア軸34を経
て通孔35から加圧タンク22内へ噴出する(ダンパー52…
閉、ダンパー48…閉、ダンパー53…開)。これにより、
加圧タンク22内は高圧状態となり、所定の圧力となった
時点でダンパー48を開放し、排風ダクト47及び給風ダク
ト44によって循環風路を形成し、加圧タンク22内を一定
の高圧の状態に保持するとともに加圧タンク22内に湿風
を供給する。
このような加圧下において、コンベアケース内の白米粒
はスクリューコンベア33によって流動・撹拌されながら
揚送される間に、粒々摩擦によって研米されるととも
に、水分添加部17で添加された水分が内層部へ浸透する
のが促進され、さらに、新たに供給された超微粒子水分
が、流動・撹拌する白米粒面から均等に内層部へ浸透せ
しめられる。白米粒はスクリューコンベア33によって流
動・撹拌されているので、米温は保持されており、き裂
は生じない。加圧タンク22内においても、含水率0.5%
程度を上昇させる水分が与えられるが、温度センサー26
と共に水分センサーを設けることにより、白米粒の含水
率に応じて水分添加量を適宜増減させる場合もある。
こうして、加湿を施されるとともに研米作用を受けた白
米粒は、光沢を帯びた白米粒となってコンベアケース32
上端からあふれて加圧タンク22底部に落下し、排出用ロ
ータリーバルブ29によってフローコンベア31上に供給さ
れ、後工程に搬送される。
なお、本実施例においては、精米機1を仮に1台とした
が、連座してもよいし、研削式、摩擦式、横軸型又は竪
軸型等いずれをも問わない。また、精米機に代えて、米
温を上昇させるための加温装置を設けてもよいが、特別
な熱源を要しない精米機が合理的である。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば次のとおり顕著な効
果がある。すなわち、精米等で温度が上昇した米粒に対
して、まず、水分添加を行い、この米粒を竪型のスクリ
ューコンベアで流動・撹拌しながら搬送する間に、米粒
表面に均等に水分を添加するとともに研米作用を施し、
しかも米温を保持することによって、米粒温度が通常時
のものに比し、格段の安全性(米粒き裂を生じない)を
もって水分添加が行える。しかも、前記した水分添加に
よってある程度の加湿を行った米粒を加圧タンクに導
き、さらに、撹拌装置によって米温を保持するとともに
研米作用を施しつつ、加圧加湿を行うことにより、結果
において通常の10〜20倍の速さで所望の水分添加が可能
となる。
換言すれば、このような結果を加圧タンクだけで得よう
とすれば、巨大なタンクが必要となり、また、水分添加
部を備えたスクリューコンベアだけにした場合も流動・
撹拌時間が短いといった問題点が残り、前述の効果を奏
するものではなく、水分添加部を備えて立設したスクリ
ューコンベア並びに撹拌装置及び湿風発生装置を備えた
加圧タンクを併設することによって、両者をコンパクト
化するとともに所期の目的を達することができるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明実施例の全体を示す正面図である。 1……精米機、2……除糠精白筒、3……精白転子、4
……供給ホッパー、5……排出口、6……糠ホッパー、
7……コンベアケース、8……スクリューコンべア、9
……コンベア軸、10……調車、11……電動機、12……電
動機調車、13……排出口、14……供給口、15……供給ホ
ッパー、16……温度センサー、17……水分添加部、18…
…水管、19……操作盤、20……電磁弁、21……シュート
パイプ、22……加圧タンク、23……バケットエレベータ
ー、24……シュートパイプ、25……供給ホッパー、26…
…温度センサー、27……供給用ロータリーバルブ、28…
…電動機、29……排出用ロータリーバルブ、30……電動
機、31……フローコンベア、32……コンベアケース、33
……スクリューコンベア、34……コンベア軸、35……通
孔、36……電動機、37……回転軸、38……湿風発生器、
39……吐出管、40……底板、41……供給口、42……供給
樋、43……圧送ファン、44……給風ダクト、45……圧力
計、46……排風口、47……排風ダクト、48〜49……ダン
パー、50〜51……分岐管、52〜53……ダンパー。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】精米によって温度が上昇した直後の米粒に
    水分を添加しながら撹拌作用を与え、その後、この米粒
    を加圧下において撹拌しながら加湿することを特徴とす
    る米粒の加湿方法。
  2. 【請求項2】精米機の直後に、供給口と排出口を有する
    とともに水分添加部を備えたコンベアケースにスクリュ
    ーコンベアを内装して設け、これに続く後工程側に、空
    気遮断弁を備えた供給部と排出部とを有して気密に形成
    した加圧タンクに撹拌装置を内装して設け、この加圧タ
    ンクには加圧装置と湿風発生装置とを装着するととも
    に、前記コンベアケースの排出口と前記加圧タンクの供
    給部とを連絡したことを特徴とする米粒の加湿装置。
  3. 【請求項3】上記撹拌装置は、多孔壁からなるコンベア
    ケースとコンベアケースに内装したスクリューコンベア
    とを共に立設してなる特許特許請求の範囲第(2)項記
    載の米粒の加湿装置。
JP62147223A 1987-06-12 1987-06-12 米粒の加湿方法及びその装置 Expired - Fee Related JPH0783834B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62147223A JPH0783834B2 (ja) 1987-06-12 1987-06-12 米粒の加湿方法及びその装置
AU17466/88A AU591047B2 (en) 1987-06-12 1988-06-07 Method of and apparatus for humidifying rice grains
MYPI88000621A MY102833A (en) 1987-06-12 1988-06-08 Method and apparatus for humidifying rice grains
US07/204,639 US5002788A (en) 1987-06-12 1988-06-09 Method for humidifying rice grains
MX011822A MX172179B (es) 1987-06-12 1988-06-09 Metodo y aparato para humidificar granos de arroz
PH37052A PH25487A (en) 1987-06-12 1988-06-10 Method of, apparatus for humidfying rice grains
DE3854365T DE3854365T2 (de) 1987-06-12 1988-06-10 Verfahren zur Benetzung von Reiskörnern.
EP88109298A EP0294838B1 (en) 1987-06-12 1988-06-10 Method of humidifying rice grains
KR1019880007047A KR920001529B1 (ko) 1987-06-12 1988-06-11 쌀알 가습방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62147223A JPH0783834B2 (ja) 1987-06-12 1987-06-12 米粒の加湿方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63310644A JPS63310644A (ja) 1988-12-19
JPH0783834B2 true JPH0783834B2 (ja) 1995-09-13

Family

ID=15425355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62147223A Expired - Fee Related JPH0783834B2 (ja) 1987-06-12 1987-06-12 米粒の加湿方法及びその装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5002788A (ja)
EP (1) EP0294838B1 (ja)
JP (1) JPH0783834B2 (ja)
KR (1) KR920001529B1 (ja)
AU (1) AU591047B2 (ja)
DE (1) DE3854365T2 (ja)
MX (1) MX172179B (ja)
MY (1) MY102833A (ja)
PH (1) PH25487A (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651119B2 (ja) * 1986-03-04 1994-07-06 株式会社佐竹製作所 米粒加圧加湿装置
US5476677A (en) * 1990-12-28 1995-12-19 Tadashi Inoue Cereals treated under high pressure and method of preparing the same
JP3506441B2 (ja) * 1991-08-29 2004-03-15 株式会社サタケ 精麦製粉装置
US5133982A (en) * 1991-09-25 1992-07-28 Panhandle Fluid Process, Inc. Method and apparatus for conditioning a grain flow
CA2106771C (en) * 1992-02-19 2004-11-02 Yukio Ishida Highly water absorbed rice, method for producing same and application of same
JP3435988B2 (ja) * 1996-02-09 2003-08-11 株式会社サタケ 精麦製粉方法
JP4172002B2 (ja) 1999-08-24 2008-10-29 株式会社サタケ 循環式穀物乾燥機
US6602531B2 (en) 2001-07-12 2003-08-05 Kazuo Naka Method for pre-processing of dried food
JP4409879B2 (ja) * 2003-08-04 2010-02-03 株式会社ファンケル γ−アミノ酪酸を富化させる方法及びその方法により得られる穀物
JP2008043881A (ja) * 2006-08-17 2008-02-28 Kubota Kucho Kk 農産品の保湿方法および装置
DE102010061318B3 (de) * 2010-12-17 2012-04-05 Vibronet Gräf Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Benetzen von Körnerfrüchten mit einer Flüssigkeit sowie Verfahren zum Benetzen von Körnerfrüchten mit einer Flüssigkeit
CN109419312B (zh) * 2017-09-05 2021-10-12 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电烹饪器及用于电烹饪器的再加热方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2592407A (en) * 1948-09-09 1952-04-08 Daniel S Fernandes Method of processing rice for preserving the vitamin contents thereof
DE2503383C2 (de) * 1974-02-08 1982-12-23 Gebrüder Bühler AG, 9240 Uzwil Verfahren zum Netzen ganzer Körnerfrüchte, insbesondere für Getreidekörner, und Netzvorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
US4055673A (en) * 1974-02-08 1977-10-25 Gebrueder Buehler Ag Method of moistening whole grains
JPS55124549A (en) * 1979-03-19 1980-09-25 Satake Eng Co Ltd Riceecleaning device
JPS6017498B2 (ja) * 1979-08-10 1985-05-02 株式会社 サタケ 精白米加湿方法
US4338344A (en) * 1980-01-18 1982-07-06 General Foods Corporation Process for producing a quick-cooking rice
ES8608293A1 (es) * 1984-06-29 1986-06-16 Gen Foods Corp Un procedimiento para preparar arroz blanco de consumo
JPS61283357A (ja) * 1985-02-08 1986-12-13 株式会社 サタケ 米粒加湿方法および米粒加湿装置
JPS61209056A (ja) * 1985-03-11 1986-09-17 株式会社 サタケ 米粒高速安全加湿方法および装置
JPH0651119B2 (ja) * 1986-03-04 1994-07-06 株式会社佐竹製作所 米粒加圧加湿装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0294838B1 (en) 1995-08-30
US5002788A (en) 1991-03-26
MX172179B (es) 1993-12-06
KR890000154A (ko) 1989-03-13
MY102833A (en) 1992-11-30
DE3854365T2 (de) 1996-02-08
PH25487A (en) 1991-07-24
EP0294838A2 (en) 1988-12-14
KR920001529B1 (ko) 1992-02-18
EP0294838A3 (en) 1989-10-04
AU591047B2 (en) 1989-11-23
AU1746688A (en) 1989-01-19
DE3854365D1 (de) 1995-10-05
JPS63310644A (ja) 1988-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5773066A (en) Method and apparatus for carrying out pre-treatment of wheat grains for flour milling
US4741913A (en) Wheat flouring process
EP0346872B2 (en) Process of and system for flouring wheat
JPH0783834B2 (ja) 米粒の加湿方法及びその装置
KR100263717B1 (ko) 곡물의 연속가습방법 및 장치와 그 가습장치의 이용
GB2218917A (en) Particulate cement wetting process and apparatus
US4304176A (en) Apparatus for the wet crushing of material
JP2788050B2 (ja) 製粉方法及びその装置
SE466485B (sv) Foerfarande foer finmalning av foer filleraendamaal anvaenda material i vaesentligen torrt tillstaand under anvaendning av en kvarn med agiterat i malmedium samt anordning foer genomfoerande av foerfarandet
US3894156A (en) Method for mashing
US5145117A (en) Process of and system for flouring wheat
JP2006512194A5 (ja)
JP2006512194A (ja) 穀物を精製するための方法及び設備
JPH0783835B2 (ja) 白米加湿方法及び装置
JPH01242154A (ja) 白米加湿装置
JP3700813B2 (ja) 精米方法及び精米設備
US799407A (en) Art of brewing.
US1592342A (en) Grinding and tempering dry materials
JPH07102325B2 (ja) 米粒加湿装置
JPH07102327B2 (ja) 玄米加湿装置
JPH0746972B2 (ja) 精米直後の米の冷却方法
JPS61167457A (ja) 酒造米精米機における除糖装置
JPS61157359A (ja) 加湿精米機の自動制御装置
JPS6274458A (ja) 製粉前処理装置
JPH0135695B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees