JPH0770523B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0770523B2 JPH0770523B2 JP62123264A JP12326487A JPH0770523B2 JP H0770523 B2 JPH0770523 B2 JP H0770523B2 JP 62123264 A JP62123264 A JP 62123264A JP 12326487 A JP12326487 A JP 12326487A JP H0770523 B2 JPH0770523 B2 JP H0770523B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- insulating film
- semiconductor device
- manufacturing
- reactive ion
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に反応性イオ
ンエッチングによりコンタクトホールを形成する方法に
関する。
ンエッチングによりコンタクトホールを形成する方法に
関する。
従来、この種の半導体装置の製造方法は、次の様におこ
なわれていた。
なわれていた。
第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）は、従来の半導体装置の
製造方法の一例を説明する為に工程順に示した半導体チ
ップの断面図である。
製造方法の一例を説明する為に工程順に示した半導体チ
ップの断面図である。
まず、第３図（ａ）に示す様に、半導体基板21の上に例
えば酸化膜等の絶縁膜22を形成し、次にフォトレジスト
23により、所望のパターンを形成する。
えば酸化膜等の絶縁膜22を形成し、次にフォトレジスト
23により、所望のパターンを形成する。
次に、第３図（ｂ）に示す様、フォトレジスト23のパタ
ーンをマスクにして、不要部分の絶縁膜22を例えば〔CF
4＋H2〕プラズマ24によってとり除く。この時コンタク
ト窓の側壁にはサイドウォールと呼ばれる反応生成物25
が付着する。
ーンをマスクにして、不要部分の絶縁膜22を例えば〔CF
4＋H2〕プラズマ24によってとり除く。この時コンタク
ト窓の側壁にはサイドウォールと呼ばれる反応生成物25
が付着する。
引き続き、第３図（ｃ）に示す様に、フォトレジスト23
を例えば有機溶剤によってとり除く。この際、反応生成
物25は有機溶剤では除去できない為、依然としてコンタ
クト窓の側壁に付着したままである。
を例えば有機溶剤によってとり除く。この際、反応生成
物25は有機溶剤では除去できない為、依然としてコンタ
クト窓の側壁に付着したままである。
最後に第３図（ｄ）に示す様に、例えばアルミニウム等
の配線金属27を表面に真空蒸着法により、被着する。
の配線金属27を表面に真空蒸着法により、被着する。
前述した従来の半導体装置の製造方法では、反応生成物
25がコンタクト窓の側壁に残っているので、例えば熱処
理をおこなうと、反応生成物25からガスが発生し、上層
の配線金属27を圧迫し、はなはだしい場合、上層の配線
金属27が断線するという欠点があった。
25がコンタクト窓の側壁に残っているので、例えば熱処
理をおこなうと、反応生成物25からガスが発生し、上層
の配線金属27を圧迫し、はなはだしい場合、上層の配線
金属27が断線するという欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、上層の配線金属
が断線する事故が生じないようにする半導体装置の製造
方法を提供することにある。
が断線する事故が生じないようにする半導体装置の製造
方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法の構成は、半導体基板上
に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に所定のパタ
ーンでフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレ
ジストをマスクとして第１の反応性イオンエッチングに
より、前記絶縁膜を除去してコンタクト窓を開孔する工
程と、酸素をエッチングガスとする第２の反応性イオン
エッチングにより、前記フォトレジストの一部と前記コ
ンタクト窓に付着している反応生成物とをとり去る工程
と、前記フォトレジストの残された部分を有機溶剤によ
りとり除く工程とを備えていることを特徴とする。
に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に所定のパタ
ーンでフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレ
ジストをマスクとして第１の反応性イオンエッチングに
より、前記絶縁膜を除去してコンタクト窓を開孔する工
程と、酸素をエッチングガスとする第２の反応性イオン
エッチングにより、前記フォトレジストの一部と前記コ
ンタクト窓に付着している反応生成物とをとり去る工程
と、前記フォトレジストの残された部分を有機溶剤によ
りとり除く工程とを備えていることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明の第１の実施例
の半導体装置の製造方法を工程順に示した半導体チップ
の断面図である。
の半導体装置の製造方法を工程順に示した半導体チップ
の断面図である。
まず第１図（ａ）に示す様に、半導体基板１上に例えば
酸化膜等の絶縁膜２を形成し、続いてフォトレジスト３
を所望のパターンに形成する。
酸化膜等の絶縁膜２を形成し、続いてフォトレジスト３
を所望のパターンに形成する。
次に第１図（ｂ）に示す様に、フォトレジスト３のパタ
ーンをマスクにして、不要部分の絶縁膜２を例えば〔CF
4＋H2〕プラズマ４による反応性イオンエッチングによ
りとり除く。この時、コンタクト窓の側壁には、サイド
ウォールと呼ばれる反応生成物５が付着する。
ーンをマスクにして、不要部分の絶縁膜２を例えば〔CF
4＋H2〕プラズマ４による反応性イオンエッチングによ
りとり除く。この時、コンタクト窓の側壁には、サイド
ウォールと呼ばれる反応生成物５が付着する。
この後第１図（ｃ）に示す様に、O2プラズマ６による反
応性イオンエッチングにより、前記フォトレジスト３の
一部と、反応生成物５を取り除く。続いて第１図（ｄ）
の様に、フォトレジスト３を有機溶剤によりとり除く。
応性イオンエッチングにより、前記フォトレジスト３の
一部と、反応生成物５を取り除く。続いて第１図（ｄ）
の様に、フォトレジスト３を有機溶剤によりとり除く。
最後に第１図（ｅ）に示す様に、例えばアルミニウム等
の配線金属７を真空蒸着法により被着する。第２図
（ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明の第２の実施例の半導
体装置の製造方法を工程順に示した半導体チップの断面
図である。
の配線金属７を真空蒸着法により被着する。第２図
（ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明の第２の実施例の半導
体装置の製造方法を工程順に示した半導体チップの断面
図である。
まず、第２図（ａ）に示す様に、半導体基板11及び半導
体基板上11上に部分的に形成した配線金属18上に例えば
酸化膜等の絶縁膜12を形成し、続いてフォトレジスト13
を所望のパターンに形成する。
体基板上11上に部分的に形成した配線金属18上に例えば
酸化膜等の絶縁膜12を形成し、続いてフォトレジスト13
を所望のパターンに形成する。
次に、第２図（ｂ）に示す様に、フォトレジスト13のパ
ターンをマスクにして、不要部分の絶縁膜12を例えば
〔CF4＋H2〕プラズマ14による反応性イオンエッチング
によりとり除く。この時、コンタクト窓の側壁には、サ
イドウォールと呼ばれる反応生成物15が付着する。
ターンをマスクにして、不要部分の絶縁膜12を例えば
〔CF4＋H2〕プラズマ14による反応性イオンエッチング
によりとり除く。この時、コンタクト窓の側壁には、サ
イドウォールと呼ばれる反応生成物15が付着する。
この後第２図（ｃ）に示す様に、O2プラズマ16による反
応性イオンエッチングにより、前記フォトレジスト13の
一部と、反応生成物15を取り除く。続いて第２図（ｄ）
の様に、フォトレジスト13を有機溶剤によりとり除く。
応性イオンエッチングにより、前記フォトレジスト13の
一部と、反応生成物15を取り除く。続いて第２図（ｄ）
の様に、フォトレジスト13を有機溶剤によりとり除く。
最後に第２図（ｅ）に示す様に、例えばアルミニウム等
の配線金属17を真空蒸着法により被着する。
の配線金属17を真空蒸着法により被着する。
以上説明したように、本発明は、コンタクト窓を開孔す
る際にコンタクト窓の側壁に付着する反応生成物を、酸
素をエッチングガスとする反応性イオンエッチングによ
りとり去ることにより、コンタクト部分での上属金属の
断線を防ぐことができる効果がある。
る際にコンタクト窓の側壁に付着する反応生成物を、酸
素をエッチングガスとする反応性イオンエッチングによ
りとり去ることにより、コンタクト部分での上属金属の
断線を防ぐことができる効果がある。
さらに本発明は、絶縁膜の主表面が、酸素をエッチング
ガスとする第２の反応性イオンエッチングにさらされる
ことがないため、この絶縁膜がエッチングされて薄くな
る心配がなく、層間絶縁膜としてのウィーク・ポイント
が増大することがないという効果があり、また第２の反
応性イオンエッチングの工程は、反応生成物除去のため
行われるから、フォトレジストの除去条件にとらわれる
ことなく、この目的に沿ってこの工程の反応時間を最適
条件に設定できるという効果もある。
ガスとする第２の反応性イオンエッチングにさらされる
ことがないため、この絶縁膜がエッチングされて薄くな
る心配がなく、層間絶縁膜としてのウィーク・ポイント
が増大することがないという効果があり、また第２の反
応性イオンエッチングの工程は、反応生成物除去のため
行われるから、フォトレジストの除去条件にとらわれる
ことなく、この目的に沿ってこの工程の反応時間を最適
条件に設定できるという効果もある。
第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は本発明の第１の実施例
の半導体装置の製造方法を工程順に示した半導体基板の
断面図、第２図（ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明の第２
の実施例の製造方法を工程順に示した半導体基板の断面
図、第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）は従来の半導体装置
の製造方法を工程順に示す半導体基板の断面図である。 1,11,21……半導体基板、2,12,22……絶縁膜、3,13,23
……ホトレジスト、4,14,24……〔CF4＋H2〕プラズマ、
5,15,25……反応生成物、6,16……O2プラズマ、7,17,2
7,18……配線金属。
の半導体装置の製造方法を工程順に示した半導体基板の
断面図、第２図（ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明の第２
の実施例の製造方法を工程順に示した半導体基板の断面
図、第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）は従来の半導体装置
の製造方法を工程順に示す半導体基板の断面図である。 1,11,21……半導体基板、2,12,22……絶縁膜、3,13,23
……ホトレジスト、4,14,24……〔CF4＋H2〕プラズマ、
5,15,25……反応生成物、6,16……O2プラズマ、7,17,2
7,18……配線金属。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｄ 21/90 Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板にコンタクトホールを形成する
半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に所定のパターン
でフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジス
トをマスクとして第１の反応性イオンエッチングによ
り、前記絶縁膜を部分的に除去してコンタクト窓を開孔
する工程と、酸素をエッチングガスとする第２の反応性
イオンエッチングにより、前記フォトレジストの一部と
前記コンタクト窓に付着している反応生成物とをとり去
る工程と、前記フォトレジストの残された部分を有機溶
剤によりとり除く工程とを備えていることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123264A JPH0770523B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123264A JPH0770523B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287019A JPS63287019A (ja) | 1988-11-24 |
| JPH0770523B2 true JPH0770523B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14856262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123264A Expired - Lifetime JPH0770523B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770523B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2832990B2 (ja) * | 1989-04-13 | 1998-12-09 | ソニー株式会社 | 多層配線形成方法およびこれに用いる真空蒸着装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58204558A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-29 | Nec Corp | 配線方法 |
| JPS6022340A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| IT1200785B (it) * | 1985-10-14 | 1989-01-27 | Sgs Microelettronica Spa | Migliorato procedimento di attaco in plasma (rie) per realizzare contatti metallo-semiconduttore di tipo ohmico |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62123264A patent/JPH0770523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63287019A (ja) | 1988-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |