JPH0754249B2 - サンプルの表面を検査する方法及び装置 - Google Patents

サンプルの表面を検査する方法及び装置

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JPH0754249B2
JPH0754249B2 JP61243330A JP24333086A JPH0754249B2 JP H0754249 B2 JPH0754249 B2 JP H0754249B2 JP 61243330 A JP61243330 A JP 61243330A JP 24333086 A JP24333086 A JP 24333086A JP H0754249 B2 JPH0754249 B2 JP H0754249B2
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Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、原子的な分解能で物体の表面を検査する方法
及び装置に関し、具体的にいえば、原子間力を利用して
サンプルの表面を検査する原子間力顕微鏡技術に関す
る。
通常の光学顕微鏡は対物レンズの開口によって定まる分
解能上の限界を有し、使用する光の波長の略1/2よりも
良い分解能は達成困難である。特開昭59−1213010号公
報は、波長よりも小さな入射瞳直径を有し、波長よりも
短い距離だけ物体から離した開口を使用することによっ
て、分解能の限界を回避するようにした光学的近視野走
査顕微鏡を開示している。この顕微鏡は波長の1/10程
度、即ち50nm近傍の分解能を達成している。
電子顕微鏡は代表的には垂直方向に20nm、横方向に1nm
の分解能を有するが、高い分解能を達成するためには高
エネルギの電子ビームが必要であり、高エネルギを用い
た場合はほとんどの表面をひどく損傷させる。
米国特許第４、343、993号の走査トンネル顕微鏡は、は
るかに小さなエネルギで動作する。その動作及び構造は
本発明と関連するので、ここで走査トンネル顕微鏡につ
いて簡単に説明する。走査トンネル顕微鏡では、鋭く尖
った金属チップが、検査すべき表面を横切ってラスタ走
査し、ラスタ走査の際に、チップは、このチップの頂点
の原子の電子雲と、チップに最も近接した検査表面領域
の電子の電子雲とが穏やかに接触するような小さな間隔
で検査表面に近づけられる。従って、金属チップと検査
表面との間に電位差が存在する時は、ギャップ間にトン
ネル電流が流れる。このトンネル電流は、チップと表面
間の距離に依存して指数的に変化し、この現象は、チッ
プが検査表面を横切って走査する時に生じる予定値から
の偏差に基づいて修正信号を発生するのに用いられる。
この修正信号は、修正信号を最小にするようにトンネル
・ギャップの間隔を制御するとともに、検査されている
表面上のチップの物理的位置から誘導される位置信号に
対してプロットするのに用いられる。この技術は、原子
スケールの分解能を与える、即ち、表面上の個々の原子
が可視的になる。
走査トンネル顕微鏡は、トンネル・ギャップを横切る電
位差を必要とする。従って、トンネリング・チップと検
査表面はともに誘電性の材料であるか、または誘電性の
材料で覆ったものでなければならない（トンネル長より
も薄い絶縁層の被覆は許される）。従って、走査トンネ
ル顕微鏡は絶縁体の表面を検査できないという制限があ
る。仮に絶縁体の表面を金属層で覆っても、このような
層がどのように薄くても、絶縁体表面の細部の特徴の大
部分を損なう結果となる。
C.本願発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、高エネルギまたは準備金属被覆を必要
とせず、また電気的導体の検査に制限されない、原子的
分解能で任意の材料の表面を検査するための方法及び装
置を提供することである。
D.問題点を解決するための手段 本発明に従えば、上記目的を達成することができる原子
間力顕微鏡が与えられる。本発明の方法及び顕微鏡の原
理は、尖点の頂点の原子と、検査すべきサンプルの表面
の原子とが互いに接近してそれらの電子の雲が接触する
とき、即ち、それぞれの原子の波動関数に低レベルの重
なりがあるときは、原子間力が生じるという考察に基づ
く。しかしながら、これらの力は非常に小さく、これま
では、実験室の外で、妥当な走査速度で測定することは
非常に困難であった。
本発明によれば、原子間力によって非常に小さなばね状
の片持ちばりをたわませ、この片持ちばりのたわみを検
出することによって原子間力を測定することが可能にな
った。
100nmよりも良好な分解能でサンプルの表面を検査し、
サンプルの表面トポロジー像を発生するための本発明の
方法は、次の段階によって特徴付けられる。即ち、 （ａ）原子間力によってわみを生じることができる片持
ちばり上の尖点と、検査すべきサンプルの表面とをＺ方
向に相対的に移動させ、上記尖点の頂点の原子と、上記
表面の、上記尖点付近の領域の原子との間の原子間力が
上記片持ちばりをたわませるのに十分となるように上記
尖点と上記表面とを接触させる段階、 （ｂ）上記片持ちばりのたわみを検出して、上記サンプ
ルの表面の上記領域の特性をあらわす信号を発生する段
階、 （ｃ）上記サンプルと上記尖点とを横方向に相対的に移
動させ、上記サンプル表面を上記尖点で走査する段階、
及び （ｄ）上記尖点で上記サンプル表面を走査する間に上記
片持ちばりのたわみを検出し、上記サンプル表面の走査
された領域の特性をあらわす信号を発生する段階。
片持ちばりとサンプルは、尖点とサンプル表面間の原子
間力が10-20Nよりも大きくなるように近づけられる。実
施例では、片持ちばりのたわみは、片持ちばりからトン
ネリング距離にあるトンネリング・チップによって検出
される。片持ちばりとトンネリング・チップ間のトンネ
ル・ギャップに流れるトンネル電流は、トンネル電流の
変化を検出して修正信号を発生するのに使用される。こ
の修正信号は、修正信号が最小になるように、換言すれ
ば、尖点−サンプル間の距離が一定となり、従ってトン
ネル電流が一定になるように制御するとともに、サンプ
ル表面における尖点の位置を表わす走査位置信号の関数
としてプロットするのに用いられる。
上記の方法を実施する本発明の原子間力顕微鏡は、次の
構成を有する。即ち、 （ａ）尖点を有するバネ上の片持ちばり、 （ｂ）検査されるべきサンプルの表面が上記片持ちばり
の上記尖点と対向するように上記サンプルを保持するた
めのサンプル保持手段、 （ｃ）上記尖点と上記サンプルの表面とをＺ方向に相対
的に移動させ、上記尖点の頂点の原子と、上記表面の、
上記尖点付近の領域の原子との間の原子間力が上記片持
ちばりをたわませるのに十分となるように上記尖点と上
記表面とを接近させる第１の手段、 （ｄ）上記サンプルと上記尖点とを横方向に相対的に移
動させ、上記サンプル表面を上記尖点で走査するための
第２の手段、及び （ｅ）上記尖点で上記サンプル表面を走査する間に上記
片持ちばりのたわみを検出し、上記サンプル表面の走査
された領域の特性をあらわす信号を発生する手段。
E.実施例 第１図を参照するに、原子間顕微鏡の主な構成は、例え
ばアルミニウム・ブロックよりなる剛性ベース１よりな
る。ベース１のアーム２はxyz駆動装置３に取付けら
れ、これによってサンプル４は定置尖点５に関してｘ、
ｙ及びｚ方向にナノメータの間隔でステップ状に変位で
きるようになっている。尖点５は片持ちばり７に取付け
られており、片持ちばり７は、ベース１から突出するア
ーム６によって支持されている。好ましい実施例では、
片持ちばり７は板ばねの形をなし、尖点５はばね７の上
端に固定されている。
ばね７の背後には検出用のトンネリング・チップ８が対
面しており、チップ８はチップ８をばね７に対して相対
的に前進及び後退させるｚ駆動装置９によって支持され
ている。ｚ駆動装置９はベースから突出するアーム10に
固定されている。
片持ちばり７は、トンネリング・チップ８との組合せで
トンネル装置を構成し、片持ちばり７は、トンネル装置
の２つの電極のうちの第１の電極をなすか、またはこれ
を支持する構成とすることができる。
本発明の装置は非常に大きな倍率で表面を検査すること
を意図しているから、建物の振動のようなすべての周囲
の振動を除去する装置を与える必要がある。この振動除
去は、ベース１のアーム２及び10から駆動装置３及び９
を分離するビトン（Viton）ゴムのクッソン11、12によ
ってある程度達成できる。ビトン（Viton）はE.I.デユ
ポン・ド・ネモアーズ社（E.I.DuPont de Nemours＆C
o.）製の減衰材料の商標である。
動作説明をすると、検査すべきサンプル４はその表面が
尖点５と向き合うようにxyz駆動装置３上に取付けられ
る。サンプル４が尖点５に向かって移動し、尖点５の頂
点の原子の電子雲がサンプル４の表面の原子の電子雲に
接触する距離まで近づくと、原子間力が発生する。この
原子間力は反発性で、10-13Nの程度であり、尖点５が固
定されてばね７をたわませるように働く。
勿論、個々の原子間に生じる力は小さいので、尖点５と
ばね７の質量はできるだけ小さくなければならない。ま
た、大きなたわみを得るためには、ばね７はしなやか
で、しかも建物の振動にほどよく不感でなければならな
い。建物の振動の最も強い振動数成分は100Hz付近であ
る。従って、ばね／尖点の組立体は100Hzよりもはるか
に高い固有振動数foを有すべきであり、そのためには、
非常に小さな質量を有することが必要である。
１つの実験的な実施例として、手製で可能な最小のばね
に小さなダイヤモンドのスタイラスを付けた場合、この
ばね／尖点組立体の質量は約10-8Kgであり、固有振動数
は2KHzであることがわかった。25umの厚さ及び0.8mmの
長さの薄い金箔よりなるばねの場合、40pmのたわみは10
-10N程度の力に対応する。
ばね７のたわみは、トンネル顕微鏡によって測定され
る。ばね７は圧電素子13を介してアーム６上に支持され
る。トンネリング・チップ８は、ｚ駆動装置９により金
のばね７に向けてトンネリング距離以内に、即ち、約0.
3nm以内の距離に近づけられ、ばね７とチップ８の間に
適当な電位差があるとき、ばね７とチップ８の間のギャ
ップを横切ってトンネル電流が流れるようにする。この
トンネル電流はトンネル電極間の距離の指数関数であ
る。従ってトンネル電流は、実際の検査位置におけるサ
ンプル表面の高さの、所定のレベル即ちホーム・レベル
からのずれの尺度を与える。
本発明の原子間力顕微鏡はその通常の動作においては、
表面、例えば半導体ウエハまたは回路板の表面を写像す
るのに使用される。従って、尖点５はサンプル４を横切
ってマトリクス状に走査される。
（通常平坦でない）表面の走査の結果生じるトンネル電
流の変化は、修正信号を発生するのに用いられる。即
ち、サンプル４の表面は通常平坦でないので、尖点５で
サンプル４の表面を走査している間に、サンプル４の表
面と尖端５間の間隔が変化すると、サンプル−尖点間の
原子間力が変化する。サンプル−尖点間の間隔が減少し
た時は、原子間力は大きな斥力を生じてばね７をトンネ
リング・チップ８に向けてたわませ、逆にサンプル−尖
端間の間隔が大きくなった時は、原子間力が弱まり、ば
ね７のたわみを減少させる。サンプル−尖点間の間隔の
変化に応じてばね７がたわむと、ばね７とトンネリング
・チップ８の間隔が変動し、ばね７とチップ８の間のギ
ャップに流れるトンネル電流が変化する。従って、トン
ネル電流の値は、サンプル４の表面と尖点５との間の間
隔を表わす。
トンネル電流は、電子間力を一定値に保持するように、
換言すれば、サンプル４の表面と尖点５との間隔を一定
にし、トンネル電流の値を一定に保持するように、xyz
駆動装置３のｚ駆動部にフィードバックされる修正信号
を発生するのに用いられる。サンプル表面−尖点間の間
隔を一定にし、原子間力を一定値に保持することは、サ
ンプルと尖点を、原子間力が働く範囲内に維持したまま
サンプル表面をなぞり、一定の検出条件を与えるために
必要である。
トンネル電流は、サンプル４の表面と尖点５の間隔を反
映するが、本発明の実施例では、トンネル電流を直接プ
ロットするのではなく、このように発生される修正信号
をプロットする。というのは、トンネル電流は上述のよ
うに指数関数的に急激に変化し、信号の処理及び制御が
面倒になるのに対し、駆動装置にフィードバックされる
修正信号は、使用されるフィードバック・システムの特
性に応じて設定されるｚ駆動信号であり、プロットする
のが比較的容易であるからである。修正信号は、サンプ
ル表面と尖点５の間隔の変化を反映する値であるから、
この修正信号の値によって、サンプル表面と尖端５との
間の間隔を表わすことができる。修正信号はプロッタに
接続され、プロッタはサンプルの表面を横切って走査す
ることから誘導される位置パルス源に接続される。
上述のように、片持ちばり（ばね）７は圧電素子13を介
してアーム６上に支持されている。これによって、ばね
７はｚ方向に振動することができる。例えば、ばね７は
以下に説明する１つの特定の動作モードにおいて、その
固有振動数で振動することができる。
第２図は本発明の原子間力顕微鏡の好ましい実施例の概
略図である。尖点５及びサンプル４間の距離はねじ14に
よって大まかに調節される。ねじ14は部材16に固定され
たビトン（Viton）パッド15に接触する。部材16はビト
ン・クッション17を介してベース１により支持されてい
る。部材16はxyz駆動装置３を支持し、駆動装置３上に
サンプル４が保持されている。片持ちばり７はベース１
のアーム６によって支持され、尖点５を取付けている。
尖点５の頂点がサンプル４に面している。トンネリング
・チップ８は、ビトン・クッション19をしめつけること
ができるねじ18によって片持ちばり７に関して粗く位置
付けられる。トンネリング・チップ８の精密な位置付け
は、ビトン・クッション19を介してベース１に取付けら
れた部材20上に支持されているｚ駆動装置９によって達
成される。原子間力顕微鏡を設置するベンチ21に影響を
与える可能性のある周囲の振動の影響をできるだけ除去
するために、IBMテクニカル・デイスクロージャ・ブリ
テン（IBM Technical Disclosure Bulletin）第27巻、
第５号、第3137頁に示されているような、下から上に向
かって寸法が減少するゴム・パッド24によって分離した
金属板23の積層体よりなる振動フィルタ22を使用する。
本発明の原子間力顕微鏡を動作させる際には、４つの異
なるモード可能である。第３図は、その４つの動作モー
ドを使用可能な原子間力顕微鏡の概略回路構成を示すブ
ロック図である。トンネリング・チップ８に近接する片
持ちばり７の片面に設けられた電極25はリード26を介し
て検出器27に接続されている。検出器27は、トンネリン
グ・チップ８と電極25との間に流れるトンネル電流の変
化を検出する。検出器27は、コントローラ28を含むフィ
ードバック・ループを一部をなす。コントローラ28は、
xyz駆動装置３のｚ駆動部に接続され、ｚ方向の変調を
行なう働きをする。コントローラ28は、検出器27からの
信号を処理し、ノイズを除去するとともに、選択された
動作モードに従って適当な符号と振幅の修正信号を発生
する。スイッチ30は、変調器31の信号を、コントローラ
28またはコントローラ33に切り換える働きをする。スイ
ッチ30が位置35にあるとき変調器の出力はコントローラ
28、33のどちらにも加えられない。コントローラ33は、
xyz駆動装置３のxy駆動部を制御するとともに、圧電素
子13をｚ方向に変調する働きをする。プロッタ37はコン
トローラ28に接続され、選択された動作モードに応じ
て、xy走査位置におけるコントローラ28の出力値（修正
信号）をプロットする。
第１の動作モードは、サンプルをｚ方向に振動させた時
に片持ちばり７に生じる振動の変化に基づいてサンプル
−尖点間の間隔を調べるモードである。この場合、サン
プル４−尖点５間の距離及び片持ちばり７−トンネリン
グ・チップ８間の距離がそれぞれ所定の状態に調節され
る。スイッチ30は第３図の位置に設定され、xyz駆動装
置のｚ駆動部はコントローラ28を介して変調器31からの
周期的な駆動電圧によって変調され、これにより、片持
ちばり７の固有振動数でｚ方向に0.1〜1nmの振幅で前進
及び後退される。コントローラ33のxy駆動部はサンプル
４をｘ方向及びｙ方向に走査するようにxyz駆動装置３
を制御する。尖点５の頂点の原子とサンプル４の表面の
原子間に存在する原子間力によって片持ちばり７が振動
する。この振動は勿論片持ちばり７とトンネリング・チ
ップ８との間の距離を変化させ、トンネル電流を変調す
る。
サンプル４の表面が完全に平坦であり、サンプル−尖点
間の距離が変わらなければ、片持ちばり７の振動は走査
位置に関係なく一様であり、トンネル電流もこれに対応
して一様に変調される。しかしサンプル表面の高さが変
わると、平坦時とは異なる原子間力が生じるので、片持
ちばり７の振動に変化が現われ、対応してトンネル電流
の変調にも変化が現われる。検出器27はトンネル電流を
検出し、検出信号をコントローラ28に与える。コントロ
ーラ28は、この検出信号に基づいてトンネル電流の変化
を表わす信号を修正信号としてxyz駆動装置３のｚ駆動
部に印加し、サンプル４−尖点５間の距離を所定の状態
に戻すようにサンプル４を後退させる。この修正信号は
サンプル−尖点間の距離の変化を反映しており、xy走査
位置に応じてプロットするためにプロッタ37に与えられ
る。
第２の動作モードは、片持ちばり７をｚ方向に振動させ
た時に片持ちばり７の振動に生じる振幅の変化に基づい
てサンプル−尖点間の間隔を調べるモードである。この
モードでは、スイッチ30は、変調器31をコントローラ33
のｚ駆動部に接続するように切り換えられる。コントロ
ーラ33のxz駆動部はサンプル４をｘ方向及びｙ方向に走
査するようにxyz駆動装置３を制御するとともに、圧電
素子13をｚ方向に駆動し、これにより、片持ちばり７
は、その固有振動数でｚ方向に0.01〜0.1nmの範囲の振
幅で振動される。
サンプル４の表面が完全に平坦であれば、片持ちばり７
の振動は走査位置に関係なく一様であり、トンネル電流
もこれに対応して一様に変調されるが、サンプル表面の
高さが変わると、平坦時とは異なる原子間力が生じるた
め、片持ちばり７の振動の振幅が変化し、対応してトン
ネル電流の変調の振幅が変化する。コントローラ28は、
トンネル電流の振幅の変化を表わす信号を修正信号とし
てxyz駆動装置３のｚ駆動部に印加し、サンプル４−尖
点５間の距離を所定の状態に戻すようにサンプル４の位
置を制御する。修正信号はサンプル−尖点間の距離の変
化を反映しており、xy走査位置に応じてプロットするた
めにプロッタ37に与えられる。
第３のモードは、与持ちばり７をｚ方向に振動させた時
に片持ちばり７の振動に生じる位相の変化に基づいてサ
ンプル−尖点間の間隔を調べるモードである。これは振
動の振幅の代わりに振動の位相を用いる点を除けば、第
２の動作モードと同じである。即ち、スイッチ30は、変
調器31をコントローラ33のｚ駆動部に接続し、コントロ
ーラ33のxz駆動部はサンプル４をｘ方向及びｙ方向に走
査するようにxyz駆動装置３を制御するとともに、圧電
素子13をｚ方向に駆動し、これにより、片持ちばり７
は、その固有振動数でｚ方向に0.01〜0.1nmの範囲の振
幅で振動される。
サンプル表面の高さが変わると、平坦時とは異なる電子
間力が生じるため、片持ちばり７の振動の位相が変化
し、対応してトンネル電流の変調の位相が変化する。コ
ントローラ28は、トンネル電流の位相の変化を表わす信
号を修正信号としてxyz駆動装置３のｚ駆動部に印加
し、サンプル４−尖点５間の距離を所定の状態に戻すよ
うにサンプル４の位置を制御する。修正信号はサンプル
−尖点間の距離の変化を反映しており、xy走査位置に応
じてプロットするためにプロッタ37に与えられる。
第４のモードは、モード１〜３で述べたようなサンプル
または片持ちばりの振動を用いずに、片持ちばり７のた
わみに基づいてサンプル−尖点間の距離を調べるモード
である。このモードでは、スイッチ30は位置35に設定さ
れ、変調器31はコントローラ28、33の両方と切り離され
る。サンプル４は静止した片持ちばり７にゆっくりと近
づけられ、片持ちばり７にたわみを生じさせる。片持ち
ばり７のたわみは、片持ちばり７とトンネリング・チッ
プ８との間のギャップに流れるトンネル電流を変化させ
る。検出器27及びコントローラ28のフィードバック回路
は、トンネル電流の変化に基づいて制御信号を発生し、
サンプル−尖点間の間隔を元に戻すようにxyz駆動装置
３のｚ駆動部を直接制御する。例えば、サンプル−尖点
間の間隔が減少すると、原子間力の反発力が増して片持
ちばり７のたわみを大きくし、トンネル・ギャップを小
さくしてトンネル電流を増加させる。この場合、フィー
ドバック回路は、トンネル電流の増加に基づいてサンプ
ル４を後退させるように制御し、電子間力を減少させ
る。フィードバックされる制御信号はサンプルと尖点間
の間隔を反映しており、従ってxy走査と対応してこの動
作を繰り返すことにより、サンプルの表面特性を調べる
ことができる。
上述のように、サンプル４はxyz駆動装置３上に駆動さ
れ、そのｚ駆動部はサンプル４と尖点間の距離を微調節
するのに使用される。xyz駆動装置３のxy駆動部はサン
プル４を尖点５に関してxy平面で移動させるのに使用さ
れる。移動は尖点５がサンプル４の表面をラスタ走査す
るように制御される。従ってラスタ走査信号はxy平面に
おいて、サンプル４上の尖点５の位置を表わす。ラスタ
走査信号に対して上述のフィードバック信号即ち修正信
号をプロットすることによってサンプル４の表面トポロ
ジーの像を得ることができる。
本発明によれば、測定を空気中で行なった場合でも、0.
1nmの垂直分解能及び3nmの横方向分解能を達成すること
ができた。空気中では、すべての表面が水の薄膜で覆わ
れる傾向があり、そのために尖点５が水の薄膜を横切る
のに或る最小の力が必要になる。
本発明の原子間力顕微鏡を超高真空に環境中に置くこと
によって、機器の安定性及び分解能は少なくとも２桁改
善されよう。
F.発明の効果 原子間力による片持ちばりのたわみを検出する本発明に
よれば、高エネルギまたは準備金属被覆を必要とせず
に、絶縁体を含む任意の材料の表面特性を検査すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の原子間力顕微鏡の基本構成を示す概略
図である。 第２図は第１図の原子間力の顕微鏡の好ましい実施例の
概略図である。 第３図はフィードバック構成を含む本発明の原子間力顕
微鏡の概略回路構成図である。１……剛体ベース、２、
６、10……アーム、３……xyz駆動装置、４……サンプ
ル、５……尖点、７……片持ちばり、８……トンネリン
グ・チップ、９……ｚ駆動装置、11、12、17、19……ク
ッション、13……圧電素子、14、18……ねじ、22……振
動フィルタ、27……検出器、28、33……コントローラ、
37……プロッタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）原子間力によってたわみを生じるこ
    とができる片持ちばり上の尖点と、検査すべきサンプル
    の表面とをＺ方向に相対的に移動させ、上記尖点の頂点
    の原子と、上記表面の、上記尖点付近の領域の原子との
    間の原子間力が上記片持ちばりをたわませるのに十分と
    なるように上記尖点と上記表面とを接近させる段階と、 （ｂ）上記片持ちばりのたわみを検出して、上記サンプ
    ルの表面の上記領域の特性をあらわす信号を発生する段
    階と、 （ｃ）上記サンプルと上記尖点とを横方向に相対的に移
    動させ、上記サンプル表面を上記尖点で走査する段階
    と、 （ｄ）上記尖点で上記サンプル表面を走査する間に上記
    片持ちばりのたわみを検出し、上記サンプル表面の走査
    された領域の特性をあらわす信号を発生する段階とを含
    む サンプル表面を検査する方法。
  2. 【請求項２】（ａ）尖点を有するバネ状の片持ちばり
    と、 （ｂ）検査されるべきサンプルの表面が上記片持ちばり
    の上記尖点と対向するように上記サンプルを保持するた
    めのサンプル保持手段と、 （ｃ）上記尖点と上記サンプルの表面とをＺ方向に相対
    的に移動させ、上記尖点の頂点の原子と、上記表面の、
    上記尖点付近の領域の原子との間の原子間力が上記片持
    ちばりをたわませるのに十分となるように上記尖点と上
    記表面とを接近させる第１の手段と、 （ｄ）上記サンプルと上記尖点とを横方向に相対的に移
    動させ、上記サンプル表面を上記尖点で走査するための
    第２の手段と、 （ｅ）上記尖点で上記サンプル表面を走査する間に上記
    片持ちばりのたわみを検出し、上記サンプル表面の走査
    された領域の特性をあらわす信号を発生する手段とを有
    する サンプル表面を検査する装置。
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