JP4342739B2 - 走査型プローブ顕微鏡 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、先端に探針を有するカンチレバーを備え、探針と試料との間に働く力でカンチレバーが撓むようになっている走査型プローブ顕微鏡の技術分野に属し、特に、探針から試料への電界放出量の測定をも行う走査型プローブ顕微鏡の技術分野に属するものである。
【0002】
【従来の技術】
走査型プローブ顕微鏡である原子間力顕微鏡においては、カンチレバー先端の探針を試料にそれらの間の距離が数nm程度になるまで近づけて探針と試料間に引力もしくは斥力が働くようにし、カンチレバーのZ方向への撓みが一定となるように探針のZ方向位置をフィードバックしながらXY方向に走査する。そして、このときのZ方向の位置のフィードバックを画像化することによって試料表面の凹凸を測定する。また、カンチレバーと試料間の力は、探針を試料にコンタクトさせたコンタクトモードを用いる場合はカンチレバーと試料間に斥力が働くようにして、このときのカンチレバーの撓みから測定され、ACモードを用いる場合はカンチレバーを共振点付近で振動させて、カンチレバーの振幅や共振周波数の変化から測定する。
【0003】
更に、試料の磁気力の測定を行う場合は、リフトモードが使用される。このリフトモードは、図4(a)ないし(c)に示すように、試料の表面形状を得るために前述の方法で磁性材料でコーティングしたカンチレバーと試料間の距離を一定として試料表面の凹凸を測定し、その後一定の高さ分を加えた距離だけカンチレバーを試料に対してリフトして、そのときのカンチレバーの共振から位相の変化を画像化することにより磁気力を測定する手法である。その場合、図4(a)に示すリフト方式は、1点、1点で探針を試料に対してリフトする方式でPoint by Point方式と呼ばれるものであり、また、図4(b)に示すリフト方式は、1ライン毎に1回目の凹凸分に一定の距離だけ探針を試料に対してリフトする方式でLine by Line方式と呼ばれるものであり、更に、図4(c)に示すリフト方式は、1画面毎に一定の距離だけ探針を試料に対してリフトする方式でFrame by Frame方式と呼ばれるものである。
【0004】
ところで、リフトモードのこれらの方式を応用して、探針から試料への電界放出量を測定する方法が考えられる。この電界放出量の測定方法では、導電性のカンチレバーを使用して探針を試料の表面にコンタクトした状態で斥力を一定に制御する斥力一定モード(コンタクトモード)を用いて、試料にバイアス電圧を加えて走査を行い、このときのカンチレバーの撓みに基づいて試料の凹凸像を得、また、前述のように試料にバイアス電圧を加えた状態で探針を試料からリフトさせたリフトモードを用いて探針を流れる電流量を測定することにより、電界放出による電流量を測定することが可能となる。この電流量は、試料表面の電界放出のしやすさを表し、ダイヤモンド薄膜等の研究に利用される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電界放出に必要なバイアス電圧には数Vから数百Vの電圧が必要となるが、前述のような電界放出量の測定をも行う場合には、試料の凹凸像を得るにあたりコンタクトモードで走査を行うため、コンタクト時にこれだけの電圧を試料に加えると、試料−探針間に大きな電流が流れ、試料もしくは探針が損傷してしまう。そこで、バイアス電圧をこの損傷が起こらない程度まで下げると、今度は電界放出が起こらなくなり、電界放出量の測定ができなくなってしまう。なお、コンタクトモードではカンチレバーを流れる電流を測定して電流像をえることもある。
【0006】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、コンタクトモードで試料の凹凸像の測定およびカンチレバーの電流の測定を行い、またリフトモードで電界放出のような高バイアス電圧を必要とする測定を、探針、カンチレバーや試料に損傷を与えることなく行うことのできる走査型プローブ顕微鏡を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するために、請求項1の発明は、先端に探針を有する可撓性のカンチレバーと、前記探針が試料に対してリフトするように前記試料を前記探針に対して相対移動する試料移動手段とを備え、バイアス電圧を加えられる試料と前記探針との間に働く力でカンチレバーが撓むようになっている走査型プローブ顕微鏡において、前記探針が前記試料にコンタクトした状態で前記試料の凹凸測定を行うコンタクトモードと、前記探針が前記試料から一定の距離だけリフトされた状態で前記試料と前記探針との間の電界放出量の測定を行うリフトモードとが設定されており、前記探針が前記試料上の各点で前記凹凸測定を行うことで試料の凹凸像を得ると共に、試料上の前記各点で前記電界放出量測定を行うことで試料の電界放出像を得るように構成されており、前記電界放出量測定時における前記探針と前記試料間の距離が、凹凸のある前記試料上のどの位置でも一定に保たれるように制御されており、更に、前記コンタクトモード時に前記バイアス電圧を低電圧に設定するとともに、前記リフトモード時に前記バイアス電圧を高電圧に設定するようバイアス電圧切替手段を備えていることを特徴としている。
【0008】
また、請求項2の発明は、前記バイアス電圧切替手段が、前記探針の前記試料に対するリフトに同期して前記バイアス電圧を切り替えることを特徴としている。
更に、請求項3の発明は、前記探針が前記試料に対して前記試料移動手段より大きくリフトするように前記試料を前記探針に対して大きく相対移動する第2の試料移動手段とを備えていることを特徴としている。
更に、請求項4の発明は、前記コンタクトモード時には、前記試料の凹凸像の測定および前記カンチレバーを流れる電流像の測定の少なくとも1つを行うことを特徴としている。
更に、請求項5の発明は、試料上の各点で凹凸測定が行われる毎に、前記探針がリフトされて前記電界放出量測定が行われることを特徴としている。
更に、請求項6の発明は、試料上の1ラインについて凹凸測定が行われる毎に、前記探針がリフトされて前記電界放出量測定が行われることを特徴としている。
【0009】
【作用】
このように構成された本発明の走査型プローブ顕微鏡においては、試料の測定時には、走査型プローブ顕微鏡が、探針を試料にコンタクトさせたコンタクトモードに設定される。このときには、バイアス電圧切替手段から低バイアス電圧が試料に加えられる。したがって、探針と試料とがコンタクトした状態で試料に高バイアス電圧が加えられなく、試料−探針間に大きな電流が流れないので、試料や探針等の損傷が防止される。
このようにして、試料や探針等が損傷することなく、試料の測定像が得られるようになる。
【0010】
一方、電界放出量の測定時には、走査型プローブ顕微鏡は、探針を試料からリフトさせたリフトモードに設定される。このときには、バイアス電圧切替手段からのバイアス電圧が切り替えられ、高バイアス電圧が試料に加えられる。そして、電界放出量測定時における探針と試料間の距離が、凹凸のある試料上のどの位置でも一定に保たれるように制御される。したがって、試料−探針間で電界放出が確実に起こるようになって、電界放出量が測定可能となり、電界放出像が確実に得られる。
【0011】
特に、請求項2の発明においては、バイアス電圧切替手段によりバイアス電圧が探針のリフトと同期して切り替えられる。したがって、試料に加えられるバイアス電圧が各モードに応じてより確実に切り替えられるようになる。
また、請求項3の発明においては、試料が載置されるステージが第2の試料移動手段によって、探針が試料に対して前述の試料移動手段より大きくリフトするように移動させることが可能となる。これにより、リフトモードでの電界放出の測定を行う際に、探針のリフト量を、小さいリフト量の試料移動手段の駆動範囲を超えて更に大きく設定することができるようになる。
更に、請求項4の発明においては、試料や探針等が損傷することなく、試料の凹凸像および試料表面の導電性を表すカンチレバーを流れる電流像が測定されるようになる。
更に、請求項5の発明においては、試料上の各点で凹凸測定が行われる毎に、探針がリフトされて前記電界放出量測定が行われる。
更に、請求項6の発明においては、試料上の1ラインについて凹凸測定が行われる毎に、前記探針がリフトされて前記電界放出量測定が行われる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明に係る走査型プローブ顕微鏡の実施の形態の一例を示す図である。
【0013】
図1に示すように、この例の走査型プローブ顕微鏡は試料1が載置されるスキャナ2(本発明の試料移動手段に相当)を備えている。このスキャナ2は、X方向スキャナ2a、Y方向スキャナ2b、およびZ方向スキャナ2cから構成され、各スキャナ2a,2b,2cはいずれも圧電素子から形成されている。XおよびY方向スキャナ2a,2bは、それぞれ、XおよびY走査波形回路3,4からXおよびY走査波形信号が入力されるようになっているとともに、これらのXおよびY走査波形信号に基づいてそれぞれXおよびY方向に試料1をスキャンするようになっている。また、Z方向スキャナ2cは、Z制御回路5からz方向制御信号が入力されるようになっているとともに、このz方向制御信号に基づいてXおよびY方向に試料1をスキャンするようになっている。
【0014】
一方、試料1の表面を走査する探針6が可撓性でかつ導電性のカンチレバー7の先端に設けられている。このカンチレバー7にはレーザ光が照射されるとともに、その反射光がフォトダイオード(PD)8で検出されるようになっている。この反射光はカンチレバー7の撓み量に関係している。このフォトダイオード(PD)8で検出された反射光は電気信号に変換されてZ制御回路5に供給され、Z制御回路5はこの電気信号に基づいて試料表面の凹凸像を形成する。更に、カンチレバー7に流れる電流をプリアンプ9を介して検出され、検出した電流に基づいて電流像が得られるようになっている。この電流像は、後述するコンタクトモードでは試料1表面の導電性を示す像であり、また、後述するリフトモードでは試料1ー探針6間の電界放出量を示す像である。
【0015】
更に、試料1には、バイアス電圧切替回路10からバイアス電圧が加えられる。その場合、図2に示すようにこのバイアス電圧切替回路10は、探針6が試料1の表面に接触したコンタクトモードが設定されているときには比較的低電圧のバイアス電圧(例えば、0〜0.1V)を試料1に加え、また、探針6が試料1からリフトしたリフトモードが設定されているときには比較的高電圧のバイアス電圧(例えば、100V)を試料1に加えるように、試料1に加えるバイアス電圧を切り替えるようになっている。図2に示すように、リフト量は一定となっている。
【0016】
XおよびY走査波形回路3,4、Z制御回路5、およびバイアス電圧切替回路10には、クロック発生回路11からクロック信号がそれぞれ供給されるようになっており、これらのXおよびY走査波形回路3,4、Z制御回路5、およびバイアス電圧切替回路10はそのクロック信号に基づいて作動制御される。特に、Z制御回路5には、クロック発生回路11からのクロック信号がリフト信号として供給され、Z制御回路5はこのリフト信号に基づいて探針6のリフト量、つまり探針6と試料1との間の距離を設定し、Z方向スキャナ2cにリフト制御信号を出力する。Z方向スキャナ2cはこのリフト制御信号に基づいて試料1を降下する、つまり探針6を試料1に対してリフト制御信号に基づいてリフトする。これと同時に、バイアス電圧切替回路10はZ制御回路5へのクロック信号の供給と同時にクロック発生回路11から供給されるクロック信号に基づいて、Z制御回路5へのクロック信号がリフト信号であるときはリフト時の高バイアス電圧を試料1に加え、また、Z制御回路5へのクロック信号がコンタクト信号であるときはコンタクト時の低バイアス電圧を試料1に加えるように、試料1に加えるバイアス電圧を探針6のリフトに同期して切替制御する。
【0017】
このように構成されたこの例の走査型プローブ顕微鏡においては、試料1の凹凸像およびカンチレバー7を流れる電流の電流像の測定時には、走査型プローブ顕微鏡は、探針6を試料1にコンタクトさせたコンタクトモードに設定される。このときには、前述のようにバイアス電圧切替回路10から低バイアス電圧が試料1に加えられる。したがって、探針6と試料1とがコンタクトした状態で試料1に高バイアス電圧が加えられなく、試料1−探針6間に大きな電流が流れないので、試料1や探針6等の損傷が防止される。
このようにして、試料1や探針6等が損傷することなく、試料1の凹凸像および試料表面の導電性を表すカンチレバー7を流れる電流像を得ることができるようになる。
【0018】
一方、電界放出量の測定時には、走査型プローブ顕微鏡は、探針6を試料1からリフトさせたリフトモードに設定される。このときには、前述のようにバイアス電圧切替回路10からのバイアス電圧が探針6のリフトと同期して切り替えられ、高バイアス電圧が試料1に加えられる。したがって、試料1−探針6間で電界放出が確実に起こるようになって、電界放出量が測定可能となり、電界放出像が確実に得られる。
この例の走査型プローブ顕微鏡は、前述の図4(a)ないし(c)に示すどの方式にも適用することができる。
【0019】
図3は、本発明の走査型プローブ顕微鏡の変形例を部分的に示す図である。
前述の例では、探針6のリフトつまり試料1と探針6とのZ方向の距離を、Z方向スキャナ2cのみによって設定しているが、この例の走査型プローブ顕微鏡では、図3に示すように探針6のリフトを、Z方向スキャナ2cに加えて、試料を支持するステージ(不図示)を第2の試料移動手段(不図示)によってZ方向に移動させることでも設定可能にしている。
【0020】
このようにステージをZ方向に移動させることにより、リフトモードでの電界放出の測定を行う際に、探針6のリフト量をZ方向スキャナ2cの駆動範囲を超えて、更に大きく設定することができるようになる。その場合、リフト量はステージのZ方向移動量とZ方向スキャナ2cによるリフト分を加えてもよいし、特にステージのZ方向移動量がZ方向スキャナ2cの駆動範囲に比べて大きいときは、Z方向スキャナ2cによるリフト分は無視できるのでリフト量に加えなくてもよい。
この変形例の走査型プローブ顕微鏡の他の構成および他の作用効果は、前述の例と同じである。
また、この変形例の走査型プローブ顕微鏡も前述の図4(a)ないし(c)に示すどの方式にも適用することができる。
【0021】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る走査プローブ顕微鏡によれば、コンタクトモードでの試料の測定時には、低バイアス電圧を試料に加えるようにしているので、試料や探針等の損傷を防止できる。したがって、試料や探針等を損傷させることなく、試料の測定像を得ることができる。
一方、リフトモードでの電界放出量の測定時には、高バイアス電圧を試料に加えると共に、電界放出量測定時における探針と試料間の距離を、凹凸のある試料上のどの位置でも一定に保つように制御しているので、試料−探針間で電界放出を確実に起こさせることができるようになる、したがって、電界放出像を確実に得ることができる。
【0022】
特に、請求項2の発明によれば、バイアス電圧を探針のリフトと同期して切り替えるようにしているので、試料に加えるバイアス電圧を各モードに応じてより確実に切り替えることができる。
また、請求項3の発明によれば、試料が載置されるステージを大きく移動できるようにしているので、リフトモードでの電界放出の測定を行う際に、探針のリフト量を、小さいリフト量の試料移動手段の駆動範囲を超えて更に大きく設定することができるようになる。
更に、請求項4の発明によれば、試料や探針等を損傷させることなく、試料の凹凸像および試料表面の導電性を表すカンチレバーを流れる電流像を測定することができるようになる。
更に、請求項5の発明によれば、試料上の各点で凹凸測定を行う毎に、探針をリフトして電界放出量測定を行うことができる。
更に、請求項6の発明においては、試料上の1ラインについて凹凸測定を行う毎に、探針をリフトして電界放出量測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る走査型プローブ顕微鏡の実施の形態の一例を示す図である。
【図2】 コンタクトモード時およびリフトモード時でのバイアス電圧を示す図である。
【図3】 本発明の変形例を部分的に示す図である。
【図4】 従来のリフト方式を示し、(a)はPoint by Point方式を示す図、(b)はLine by Line方式を示す図、(c)はFrame by Frame方式を示す図である。
【符号の説明】
1…試料、2…スキャナ、2c…Z方向スキャナ、5…Z制御回路、6…探針、7…カンチレバー、8…フォトダイオード(PD)、10…バイアス電圧切替回路、11…クロック発生回路
Claims (6)
- 先端に探針を有する可撓性のカンチレバーと、前記探針が試料に対してリフトするように前記試料を前記探針に対して相対移動する試料移動手段とを備え、バイアス電圧を加えられる試料と前記探針との間に働く力でカンチレバーが撓むようになっている走査型プローブ顕微鏡において、
前記探針が前記試料にコンタクトした状態で前記試料の凹凸測定を行うコンタクトモードと、前記探針が前記試料から一定の距離だけリフトされた状態で前記試料と前記探針との間の電界放出量の測定を行うリフトモードとが設定されており、
前記探針が前記試料上の各点で前記凹凸測定を行うことで試料の凹凸像を得ると共に、試料上の前記各点で前記電界放出量測定を行うことで試料の電界放出像を得るように構成されており、
前記電界放出量測定時における前記探針と前記試料間の距離が、凹凸のある前記試料上のどの位置でも一定に保たれるように制御されており、
更に、前記コンタクトモード時に前記バイアス電圧を低電圧に設定するとともに、前記リフトモード時に前記バイアス電圧を高電圧に設定するようバイアス電圧切替手段を備えていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。 - 前記バイアス電圧切替手段は、前記探針の前記試料に対するリフトに同期して前記バイアス電圧を切り替えることを特徴とする請求項1記載の走査型プローブ顕微鏡。
- 前記探針が前記試料に対して前記試料移動手段より大きくリフトするように前記試料を前記探針に対して大きく相対移動する第2の試料移動手段とを備えていることを特徴とする請求項1または2記載の走査型プローブ顕微鏡。
- 前記コンタクトモード時には、前記カンチレバーを流れる電流の測定を行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1記載の走査型プローブ顕微鏡。
- 試料上の各点で凹凸測定が行われる毎に、前記探針がリフトされて前記電界放出量測定が行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1記載の走査型プローブ顕微鏡。
- 試料上の1ラインについて凹凸測定が行われる毎に、前記探針がリフトされて前記電界放出量測定が行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1記載の走査型プローブ顕微鏡。
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