JP2925114B2 - 測定装置 - Google Patents

測定装置

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JP2925114B2
JP2925114B2 JP8191803A JP19180396A JP2925114B2 JP 2925114 B2 JP2925114 B2 JP 2925114B2 JP 8191803 A JP8191803 A JP 8191803A JP 19180396 A JP19180396 A JP 19180396A JP 2925114 B2 JP2925114 B2 JP 2925114B2
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純男 保坂
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は微小領域の力を測定する
測定装置に係り、特に絶縁物表面の計測に好適な微小領
域の力を測定し、これに基づいて試料表面構造等を観察
することのできる測定装置に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、微小領域の力検出については、フ
ィジカル、レビュー、レター56,(1986年)第9
30頁から第933頁(Phys.Rev,Lett,5
6,(1986)pp930-933)において論じられて
いる。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は図2に
示すごとく、はり支持具5により一端支点とされたはり
(板材)2の先端に鋭利な探針1を具備する。試料3の
接近に伴なって、原子間力によりはり2が変位し、該変
位を走査型トンネル顕微鏡(STM)のごとくトンネル
電流を一定に流し、はり2と探針14との間隙を一定に
保つことにより測定する。このような非接触間隙測定方
式を用いることで、力を変位に変換し、変位を測定する
ことによって微小領域の力検出が実行されていた。 【0004】この技術は、変位測定のための安定性、即
ち、はり2の測定表面の表面粗さによる測定誤差の点に
ついて配慮がされておらず、検出精度に問題があった。
すなわち、従来の図2の技術では、はリ2が変位するこ
とにより、STM用探針14先端がはり2上で原子オー
ダで横にずれる。いいかえると、STM用探針14先端
は、はり2の背面上を面方向に動く。ところで、はり2
の背面には通常、原子オーダで見れば大きな起伏(数n
m以上)が存在することが避けえない。従って、STM
用探針14は面方向に大きな分解能を有するために、は
り2背面の起伏を検出してしまい、はり2の変位検出に
誤差が混入してしまう。 【0005】さらに、従来技術では力検出のための探針
1の剛性について間題があった。 【0006】 【課題を解決するための手段】上記課題は、試料を保持
する試料台と、上記試料台に向いた探針を有するはり部
材と、上記はり部材を支持する支持部と、上記はり部材
の上記試料台のある側と反対側の面を被測定領域として
光てこ式で上記はり部材の変位を測定する変位測定器を
備えることにより解決できる。 【0007】さらには、はり部材を2点で支持する支持
部を有し、2点の支持部の間に前記探針を配置すること
が望ましい。 【0008】上述したように、従来技術では面方向に大
きな分解能を有するSTMの原理を利用して変位を測定
しているために、はり2のたわみと共に発生する横方向
のずれと、はり2の背面の原子オーダの凸凹が測定値に
影響する。 【0009】一方、本願発明で用いる光てこ式の光学変
位測定手段は、はり部材の微小な変位を非接触で高感度
に測定することを可能とする。しかも、はり部材裏面の
比較的広い範囲の変位を検出し、大面積で微小変位を測
定できる非接触変位測定手段であるために、はり2の変
位測定での表面凹凸による微小変位測定誤差を防止する
ことができ、はりの測定表面の表面粗さによる測定誤差
の問題を回避できる。 【0010】また、光てこ式の光学変位測定手段によれ
ば、カンチレバー及び試料が真空中でも、気体または液
体中でも同様に変位を測定できるという利点がある。こ
れにより測定の応用範囲が広がり、探針と試料間の力を
調節したり、化学的な観察と複合した測定も行なうこと
ができる。 【0011】さらに、図2のはり2の剛性を向上するた
め、少なくともはり2の両端を固定し、中央部に探針1
を設置することも望ましい。両端支持のはり2は、両端
支持のため探針軸方向に自由度を持ち、ねじれ等の運動
を防止することができる。このため、はり2の剛性が向
上する。 【0012】 【実施例】以下、本発明の一実施例を図1により説明す
る。図1は微小領域の3次元形状測定器に本発明を応用
した例を示す。 【0013】図1において、力の検出部ははり2の両端
を支持具5で支持し、その中央部にダイヤモンド製の先
端が非常に尖った探針1を設置し、はり2を介して探針
1と反対側に容量変位計のような非接触変位計4を設け
る構造とした。 【0014】試料3は粗動機構11の上に設けた3次元
微動機構上の試料台6に搭載される。3次元微動機構は
X軸,Y軸,Z軸ピエゾ素子7,8,9を台座10に図
の様に設置してトライポット型の構成としている。さら
に、力による変位を検出して、その力を一定、即ち、変
位を一定にする様にZ軸ピエゾ素子9を制御するととも
に、2次元走査や探針1に試料3を近づける粗動機構1
1を制御する制御装置12を有する。表示装置13は試
料の3次元構造を3次元表示する。 【0015】はり2を厚さ10μm,幅0.5cm,長
さ5cmの銀等で構成すると、約10-12N(ニュート
ン)の力で約1Åの変化が生じる。一方、非接触変位測
定手段4には被測定部分が大面積である容量変位計、光
てこ式の光学変位測定器が使用される。構成は、力によ
るはり2の弾性変位を測定するために、はり2を構成す
る板材に対して探針1と反対側に非接触でかつ板材の大
面積部分を被測定領域とする非接触変位測定手段を配置
する。大面積の変位検出部分を持つ非接触変位測定器は
はり2表面の凹凸や原子の配列の影響を受けることなく
測定することができる。また、粗動機構11には尺取り
虫機構やネジ式あるいは縮小変位機構を使用したものを
使用する。 【0016】上記の粗動機構11により探針1に試料3
を近接し、数Å程度までに接近すると、双方の表面原子
で最近接同士の原子間に力が働き、はり2の変位が起
り、非接触変位測定手段で検出される。この変化を一定
に保つ様に制御装置12でZ軸ピエゾ素子9を駆動し、
探針1と試料3との間隙を一定に保つ。この状態を保ち
つつ、X軸,Y軸ピエゾ素子7,8で2次元走査する
と、試料3の表面形状に基づいてZ軸ピエゾ素子が変化
して試料表面の3次元形状が得られ、表示装置13に微
細構造を表示することができる。実際の原子間力は10
-9〜1O-10Nと言われており、上述のはり構造及び変位
計で十分、表面の原子構造を観察できる。 【0017】尚、本実施例は重力の影響を受けるような
構成としたが、90゜回転し重力の影響を受けない構成
とすることもできる。また、微小機構や粗動機構を試料
側あるいは力測定部に設置しても良い。探針1はダイヤ
モンド以外に硬度の高いものが良く、先端を鋭く尖らせ
ることが重要であり、イオンエッチングや化学エッチン
グあるいは精密加工技術によって製作されることが望ま
しい。さらに、探針を絶緑物以外のものにすれば、走査
型トンネル顕微鏡としても利用できる。 【0018】本システムは計算機と結合してデータ処理
を行なうことにより、より良い像を得ることができる。 【0019】 【発明の効果】本発明によれば、測定面積の大きい非接
触変位測定手段を用いるため、はりの表面の凹凸の影響
を除くことができるので、高精度な微小部分の微小を検
出することができる。また、探針の機械的剛性が増加
し、力の影響を正確に変位に変換する。 【0020】また、3次元形状測定器に応用することに
より、全ての材料が測定可能となる。また、上記の非接
触変位測定手段は通常、大気中で安定に動作するのでS
TMのように真空中での動作の必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施例の構成を示す要部構成図。 【図2】従来の力測定装置の原理的構成を示す要部構成
図。 【符号の説明】 1…探針、2…はり、3…試料、4…測定面積の大きい
非接触変位測定手段、5…はり支持具、6…試料台、7
…X軸ピエゾ素子、8…Y軸ピエゾ素子、9…Z軸ピエ
ゾ素子、10…台座、11…粗動機構、12…制御回
路、13…表示手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 啓二 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−130302(JP,A) 特開 昭61−206148(JP,A) 「Journal of Appli ed Physics」Vol.61,N o.10(15 May1987)PP.4723− 4729 奈良治郎「工場測定講座12『表面アラ サ測定器』」日刊工業新聞社 P.82

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.試料を保持する試料台と、上記試料台上の試料の被
    計側面に向いた導電性の探針を有するはり部材と、上記
    はり部材を支持する支持部と、上記はり部材の上記試料
    台のある側と反対側の面を被測定領域として光てこ式で
    上記はり部材の変位を測定する変位測定器を備え、上記
    試料と探針間に作用する物理量を計測することを特徴と
    する測定装置。 2.上記支持部は上記はり部材を2点で支持することを
    特徴とする請求項1記載の測定装置。 3.試料を保持する試料台と、上記試料台上の試料の被
    計側面に向いた導電性の探針を有するはり部材と、上記
    はり部材を支持する支持部と、上記はり部材の上記試料
    台のある側と反対側の面を被測定領域として光てこ式で
    上記はり部材の変位を測定する変位測定器を備えた測定
    装置であり、且、上記試料と探針間に流れるトンネル電
    流を計測することを特徴とする測定装置。
JP8191803A 1996-07-22 1996-07-22 測定装置 Expired - Fee Related JP2925114B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0223918B1 (en) * 1985-11-26 1990-10-24 International Business Machines Corporation Method and atomic force microscope for imaging surfaces with atomic resolution

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
「Journal of Applied Physics」Vol.61,No.10(15 May1987)PP.4723−4729
奈良治郎「工場測定講座12『表面アラサ測定器』」日刊工業新聞社 P.82

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