JPH0750276A - 異なる導電型の領域の間の接合に低抵抗コンタクトを製造する方法 - Google Patents
異なる導電型の領域の間の接合に低抵抗コンタクトを製造する方法Info
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- JPH0750276A JPH0750276A JP6092097A JP9209794A JPH0750276A JP H0750276 A JPH0750276 A JP H0750276A JP 6092097 A JP6092097 A JP 6092097A JP 9209794 A JP9209794 A JP 9209794A JP H0750276 A JPH0750276 A JP H0750276A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 トランジスタ構成体のＰＮ接合における接触
抵抗を減少させる。 【構成】 異なる導電型（Ｐ及びＮ）の第一及び第二多
結晶シリコン層を有する薄膜トランジスタ構成体は、結
果的に発生するＰＮ接合において高い接触抵抗を有して
いる。この接触抵抗は、特定の領域、即ちＰＮ接合コン
タクトにおいて、ＴｉＳｉ2 （チタンジシリサイド）又
はコバルト又はモリブデンなどのその他の耐火性金属シ
リサイドを形成することによって減少される。チタンジ
シリサイドはＰＮコンタクト接合における第二多結晶シ
リコン層の部分を消費すると共に、第一多結晶シリコン
層の下側の部分を消費し、その結果高抵抗のＰＮ接合は
もはや存在しなくなる。
抵抗を減少させる。 【構成】 異なる導電型（Ｐ及びＮ）の第一及び第二多
結晶シリコン層を有する薄膜トランジスタ構成体は、結
果的に発生するＰＮ接合において高い接触抵抗を有して
いる。この接触抵抗は、特定の領域、即ちＰＮ接合コン
タクトにおいて、ＴｉＳｉ2 （チタンジシリサイド）又
はコバルト又はモリブデンなどのその他の耐火性金属シ
リサイドを形成することによって減少される。チタンジ
シリサイドはＰＮコンタクト接合における第二多結晶シ
リコン層の部分を消費すると共に、第一多結晶シリコン
層の下側の部分を消費し、その結果高抵抗のＰＮ接合は
もはや存在しなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大略、半導体集積回路
技術に関するものであって、更に詳細には、例えば薄膜
技術におけるように異なる導電型を有する少なくとも二
つの領域の間の接触又は相互接続が発生するＰＮ接合又
はダイオードにおいて低い接触抵抗を有するトランジス
タ構成体及びその製造方法に関するものである。
技術に関するものであって、更に詳細には、例えば薄膜
技術におけるように異なる導電型を有する少なくとも二
つの領域の間の接触又は相互接続が発生するＰＮ接合又
はダイオードにおいて低い接触抵抗を有するトランジス
タ構成体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又は
多結晶シリコン技術などのＰＮダイオード相互接続技術
は、ＳＲＡＭ及びビデオディスプレイ技術において使用
されている。なぜならば、それは、高い密度の利点を与
えるからである。薄膜トランジスタ技術においては、Ｐ
チャンネル多結晶シリコントランジスタは、通常、単結
晶基板内に形成したＮＭＯＳドライバ及びパスゲートと
共にＰＭＯＳ負荷として使用される。Ｐチャンネルトラ
ンジスタをＳＲＡＭセルに対する負荷として使用するこ
とは、通常、Ｎチャンネルトランジスタの場合よりも良
好な電気的特性が得られ、且つＰチャンネルトランジス
タのほうが抵抗負荷よりも通常高速である。更に、Ｐチ
ャンネルトランジスタはノイズに対してのより大きな免
疫性を与える。
多結晶シリコン技術などのＰＮダイオード相互接続技術
は、ＳＲＡＭ及びビデオディスプレイ技術において使用
されている。なぜならば、それは、高い密度の利点を与
えるからである。薄膜トランジスタ技術においては、Ｐ
チャンネル多結晶シリコントランジスタは、通常、単結
晶基板内に形成したＮＭＯＳドライバ及びパスゲートと
共にＰＭＯＳ負荷として使用される。Ｐチャンネルトラ
ンジスタをＳＲＡＭセルに対する負荷として使用するこ
とは、通常、Ｎチャンネルトランジスタの場合よりも良
好な電気的特性が得られ、且つＰチャンネルトランジス
タのほうが抵抗負荷よりも通常高速である。更に、Ｐチ
ャンネルトランジスタはノイズに対してのより大きな免
疫性を与える。
【０００３】多結晶シリコンＰチャンネルトランジスタ
を負荷トランジスタとして使用することに関連する利点
にも拘らず、異なる導電型を有する多結晶シリコンライ
ンの間に相互接続が発生する場合に、高抵抗接触が形成
され、欠点が発生する。異なる導電型の三つの多結晶シ
リコン層からなるＴＦＴ技術は、異なる導電型がコンタ
クトを形成する多結晶シリコン相互接続ラインを発生す
る。例えば、Ｐ＋多結晶シリコン層と隣接するＮ＋多結
晶シリコン層との間の相互接続は、その結果得られるＰ
Ｎ接合において高抵抗のコンタクト即ち接触部を形成す
ることとなる。第二層及び第三層がそれぞれＮ＋物質及
びＰ＋物質からなる三層多結晶シリコントランジスタに
おいては、第二多結晶シリコン層と第三多結晶シリコン
層との間のＰＮ接合において高抵抗コンタクトが形成さ
れる。
を負荷トランジスタとして使用することに関連する利点
にも拘らず、異なる導電型を有する多結晶シリコンライ
ンの間に相互接続が発生する場合に、高抵抗接触が形成
され、欠点が発生する。異なる導電型の三つの多結晶シ
リコン層からなるＴＦＴ技術は、異なる導電型がコンタ
クトを形成する多結晶シリコン相互接続ラインを発生す
る。例えば、Ｐ＋多結晶シリコン層と隣接するＮ＋多結
晶シリコン層との間の相互接続は、その結果得られるＰ
Ｎ接合において高抵抗のコンタクト即ち接触部を形成す
ることとなる。第二層及び第三層がそれぞれＮ＋物質及
びＰ＋物質からなる三層多結晶シリコントランジスタに
おいては、第二多結晶シリコン層と第三多結晶シリコン
層との間のＰＮ接合において高抵抗コンタクトが形成さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、トランジス
タ構成体のＰＮ接合における接触抵抗を減少させること
を目的とする。
タ構成体のＰＮ接合における接触抵抗を減少させること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】異なる導電型（Ｐ及び
Ｎ）の第一及び第二多結晶シリコン層を有する薄膜トラ
ンジスタ構成体が、結果的に得られるＰＮ接合において
高抵抗コンタクトを有している。このコンタクト抵抗即
ち接触抵抗は、特定の領域、即ちＰＮ接合コンタクトに
おいて、ＴｉＳｉ2 （チタンジシリサイド）又は例えば
コバルト又はモリブデンなどのその他の耐火性金属シリ
サイドを形成することによって減少される。チタンジシ
リサイドは、ＰＮコンタクト接合における第二多結晶シ
リコン層の部分を消費し、同時に、第一多結晶シリコン
層の下側の小さな部分も消費し、従ってその結果高抵抗
ＰＮ接合はもはや存在することがない。
Ｎ）の第一及び第二多結晶シリコン層を有する薄膜トラ
ンジスタ構成体が、結果的に得られるＰＮ接合において
高抵抗コンタクトを有している。このコンタクト抵抗即
ち接触抵抗は、特定の領域、即ちＰＮ接合コンタクトに
おいて、ＴｉＳｉ2 （チタンジシリサイド）又は例えば
コバルト又はモリブデンなどのその他の耐火性金属シリ
サイドを形成することによって減少される。チタンジシ
リサイドは、ＰＮコンタクト接合における第二多結晶シ
リコン層の部分を消費し、同時に、第一多結晶シリコン
層の下側の小さな部分も消費し、従ってその結果高抵抗
ＰＮ接合はもはや存在することがない。
【０００６】
【実施例】以下に説明する処理ステップ及び構成は、集
積回路を製造する完全な処理の流れを構成するものでは
ない。本発明は、現在当該技術分野において公知の集積
回路製造技術に関連して実施することが可能なものであ
り、従って本発明の重要な特徴を理解する上で必要な処
理ステップについて特に説明する。又、製造過程におけ
る集積回路の一部を示した概略断面図は、必ずしも縮尺
通りに描いたものではなく、本発明の重要な特徴をより
よく示すために適宜拡縮して示してある。
積回路を製造する完全な処理の流れを構成するものでは
ない。本発明は、現在当該技術分野において公知の集積
回路製造技術に関連して実施することが可能なものであ
り、従って本発明の重要な特徴を理解する上で必要な処
理ステップについて特に説明する。又、製造過程におけ
る集積回路の一部を示した概略断面図は、必ずしも縮尺
通りに描いたものではなく、本発明の重要な特徴をより
よく示すために適宜拡縮して示してある。
【０００７】図１を参照すると、集積回路装置をシリコ
ン基板１０に形成する状態が示されている。基板１０の
選択した領域を酸化させてフィールド酸化膜絶縁領域１
２を形成する。ゲート酸化物層１６と、第一ゲート電極
１８と、側壁酸化物スペーサ２０と、ソース／ドレイン
領域２２，２４とを有する第一Ｎチャンネル電界効果装
置１４は、当該技術において公知の方法によって製造さ
れる。第二Ｎチャンネル電界効果装置２６は、当該技術
において公知の方法によって形成され、ゲート酸化物層
２８と第二ゲート電極３０とを有している。第一Ｎチャ
ンネル電界効果装置１４の場合における如く、第二Ｎチ
ャンネル電界効果装置２６は通常、第一多結晶シリコン
層から形成される。装置１４のソース／ドレイン領域２
２及びゲート電極３０は、Ｎチャンネル装置の相互接続
された導電性構成体を形成している。
ン基板１０に形成する状態が示されている。基板１０の
選択した領域を酸化させてフィールド酸化膜絶縁領域１
２を形成する。ゲート酸化物層１６と、第一ゲート電極
１８と、側壁酸化物スペーサ２０と、ソース／ドレイン
領域２２，２４とを有する第一Ｎチャンネル電界効果装
置１４は、当該技術において公知の方法によって製造さ
れる。第二Ｎチャンネル電界効果装置２６は、当該技術
において公知の方法によって形成され、ゲート酸化物層
２８と第二ゲート電極３０とを有している。第一Ｎチャ
ンネル電界効果装置１４の場合における如く、第二Ｎチ
ャンネル電界効果装置２６は通常、第一多結晶シリコン
層から形成される。装置１４のソース／ドレイン領域２
２及びゲート電極３０は、Ｎチャンネル装置の相互接続
された導電性構成体を形成している。
【０００８】図２を参照すると、第一酸化物絶縁層３４
が公知の方法によって集積回路の上に形成されている。
絶縁層３４をパターン形成し且つエッチングして、装置
１４の下側に存在する導電性構成体ソース／ドレイン領
域２２の一部を露出させる。このパターン形成ステップ
及びエッチングステップの期間中に、第二Ｎチャンネル
装置２６の第二ゲート電極３０の一部も露出させること
が可能である。第一Ｎチャンネル電界効果装置のソース
／ドレイン領域２２は、通常、例えば砒素又は燐などの
Ｎ＋型のドーパントでイオン注入する。ゲート電極３０
は、通常、インシチュ即ちその場所においてドープさせ
るか、又は燐付着期間中にＰＯＣｌ3 を使用して燐ドー
プさせる。
が公知の方法によって集積回路の上に形成されている。
絶縁層３４をパターン形成し且つエッチングして、装置
１４の下側に存在する導電性構成体ソース／ドレイン領
域２２の一部を露出させる。このパターン形成ステップ
及びエッチングステップの期間中に、第二Ｎチャンネル
装置２６の第二ゲート電極３０の一部も露出させること
が可能である。第一Ｎチャンネル電界効果装置のソース
／ドレイン領域２２は、通常、例えば砒素又は燐などの
Ｎ＋型のドーパントでイオン注入する。ゲート電極３０
は、通常、インシチュ即ちその場所においてドープさせ
るか、又は燐付着期間中にＰＯＣｌ3 を使用して燐ドー
プさせる。
【０００９】３００乃至２０００Åの範囲内に多結晶シ
リコン層３０上に酸化物３４を気相成長（ＣＶＤ）させ
る前に、第二ゲート電極及び多結晶シリコン層３０をパ
ターン形成し且つエッチングする。次いで、多結晶シリ
コン層３６を本装置上に付着形成し且つエッチングして
相互接続領域を画定し、次いで約１×１０18／ｃｍ3で
薄膜トランジスタのゲートを燐でイオン注入し、それに
より多結晶シリコン層３６をＮ＋導電型の物質とさせ
る。尚、イオン注入の代わりに、燐又はその他のＮ＋型
の物質を付着形成することも可能である。多結晶シリコ
ン層３７は、ここには示していないトランジスタのゲー
トを形成する。燐以外に、使用することの可能な別のＮ
＋ドーパント物質は砒素である。次いで、薄膜トランジ
スタゲート酸化膜の付着形成によって酸化物絶縁層３８
が形成され、その次にゲート酸化物の稠密化を行なう。
酸化物絶縁層３８の稠密化は、希釈させたＯ2 、Ｎ2 又
はＨ2 Ｏ内において実施することが可能である。
リコン層３０上に酸化物３４を気相成長（ＣＶＤ）させ
る前に、第二ゲート電極及び多結晶シリコン層３０をパ
ターン形成し且つエッチングする。次いで、多結晶シリ
コン層３６を本装置上に付着形成し且つエッチングして
相互接続領域を画定し、次いで約１×１０18／ｃｍ3で
薄膜トランジスタのゲートを燐でイオン注入し、それに
より多結晶シリコン層３６をＮ＋導電型の物質とさせ
る。尚、イオン注入の代わりに、燐又はその他のＮ＋型
の物質を付着形成することも可能である。多結晶シリコ
ン層３７は、ここには示していないトランジスタのゲー
トを形成する。燐以外に、使用することの可能な別のＮ
＋ドーパント物質は砒素である。次いで、薄膜トランジ
スタゲート酸化膜の付着形成によって酸化物絶縁層３８
が形成され、その次にゲート酸化物の稠密化を行なう。
酸化物絶縁層３８の稠密化は、希釈させたＯ2 、Ｎ2 又
はＨ2 Ｏ内において実施することが可能である。
【００１０】図２に示したＴＦＴ技術の場合、酸化物層
３８を多結晶シリコン層３６の上に付着形成する場合
に、多結晶シリコン層３６と４０との間に共用のコンタ
クトが形成され、次いでパターン形成されると共にエッ
チングされる。Ｐ＋導電型を有するアモルファスシリコ
ンを付着形成し、次いで固体相エピタキシャル成長（Ｓ
ＰＧ）アニールを行なって多結晶シリコン層４０を形成
する。可及的に単結晶トランジスタに近接した大きなグ
レインを有するアモルファスシリコンの付着を行なうこ
とが望ましい。従って、６００℃以下の低温でのポリシ
リコン付着技術が使用され、グレイン寸法を向上させる
ためにレーザ再結晶化及びアニールを使用することも可
能である。更に、装置の一体性乃至は信頼性を向上させ
るために水素によるパッシベーションを行なうことが可
能である。所望により、薄膜トランジスタのチャンネル
イオン注入を実施することが可能である。
３８を多結晶シリコン層３６の上に付着形成する場合
に、多結晶シリコン層３６と４０との間に共用のコンタ
クトが形成され、次いでパターン形成されると共にエッ
チングされる。Ｐ＋導電型を有するアモルファスシリコ
ンを付着形成し、次いで固体相エピタキシャル成長（Ｓ
ＰＧ）アニールを行なって多結晶シリコン層４０を形成
する。可及的に単結晶トランジスタに近接した大きなグ
レインを有するアモルファスシリコンの付着を行なうこ
とが望ましい。従って、６００℃以下の低温でのポリシ
リコン付着技術が使用され、グレイン寸法を向上させる
ためにレーザ再結晶化及びアニールを使用することも可
能である。更に、装置の一体性乃至は信頼性を向上させ
るために水素によるパッシベーションを行なうことが可
能である。所望により、薄膜トランジスタのチャンネル
イオン注入を実施することが可能である。
【００１１】次に、当該技術において公知の方法によっ
て、多結晶シリコン層４０をパターン形成すると共にエ
ッチングする。多結晶シリコン層３６及び４０は異なる
導電型を有しているので、多結晶シリコン層３６と４０
との間に結果的に得られるＰＮ接合４２は高抵抗接触接
合である。図２の従来技術の構成では、ＰＮ接合４２に
おいて不所望の高抵抗コンタクト即ち接触を有してい
る。本発明では、特定の領域、即ちＰＮ接合コンタクト
において、ＴｉＳｉ2 （チタンジシリサイド）又はコバ
ルト又はモリブデンなどのその他の耐火性金属シリサイ
ドを形成することによって接触抵抗を減少させることを
提案するものである。
て、多結晶シリコン層４０をパターン形成すると共にエ
ッチングする。多結晶シリコン層３６及び４０は異なる
導電型を有しているので、多結晶シリコン層３６と４０
との間に結果的に得られるＰＮ接合４２は高抵抗接触接
合である。図２の従来技術の構成では、ＰＮ接合４２に
おいて不所望の高抵抗コンタクト即ち接触を有してい
る。本発明では、特定の領域、即ちＰＮ接合コンタクト
において、ＴｉＳｉ2 （チタンジシリサイド）又はコバ
ルト又はモリブデンなどのその他の耐火性金属シリサイ
ドを形成することによって接触抵抗を減少させることを
提案するものである。
【００１２】次に、図３を参照すると、多結晶シリコン
層４０の上に窒化シリコン絶縁層４４を付着形成させ
る。窒化シリコン層４４は、典型的に、約５０乃至５０
０Åの程度の厚さを有している。窒化シリコン以外に、
多結晶シリコン層４０の上に二酸化シリコンを付着形成
させることも可能である。次いで、図４に示した如く、
例えばボロン又はＢＦ2 などのＰ＋ドーパント物質のド
ーズで多結晶シリコン層４０をイオン注入４８すること
が可能であるように、ホトレジスト４６をオフセットさ
せた位置に配置させる。次いで、図５に示した如く、所
定の位置にホトレジスト５０を配置させることによっ
て、ボロン又はＢＦ2 のより高度のドーズ５２、例えば
Ｐ＋＋でイオン注入させることが可能なソース領域及び
ドレイン領域を画定する。注意すべきことであるが、図
４に示したオフセットさせたイオン注入４８はオプショ
ンとしての処理ステップである。オフセットさせたイオ
ン注入４８が行なわれない場合には、ホトレジスト５０
の代わりにホトレジスト４６を使用してこのソース／ド
レイン領域を形成するためのイオン注入を行なう。更
に、オフセットさせたイオン注入及びソース／ドレイン
領域を形成するためのイオン注入は、両方とも、窒化シ
リコン又は二酸化シリコンを付着形成する前に実施する
ことも可能である。
層４０の上に窒化シリコン絶縁層４４を付着形成させ
る。窒化シリコン層４４は、典型的に、約５０乃至５０
０Åの程度の厚さを有している。窒化シリコン以外に、
多結晶シリコン層４０の上に二酸化シリコンを付着形成
させることも可能である。次いで、図４に示した如く、
例えばボロン又はＢＦ2 などのＰ＋ドーパント物質のド
ーズで多結晶シリコン層４０をイオン注入４８すること
が可能であるように、ホトレジスト４６をオフセットさ
せた位置に配置させる。次いで、図５に示した如く、所
定の位置にホトレジスト５０を配置させることによっ
て、ボロン又はＢＦ2 のより高度のドーズ５２、例えば
Ｐ＋＋でイオン注入させることが可能なソース領域及び
ドレイン領域を画定する。注意すべきことであるが、図
４に示したオフセットさせたイオン注入４８はオプショ
ンとしての処理ステップである。オフセットさせたイオ
ン注入４８が行なわれない場合には、ホトレジスト５０
の代わりにホトレジスト４６を使用してこのソース／ド
レイン領域を形成するためのイオン注入を行なう。更
に、オフセットさせたイオン注入及びソース／ドレイン
領域を形成するためのイオン注入は、両方とも、窒化シ
リコン又は二酸化シリコンを付着形成する前に実施する
ことも可能である。
【００１３】図６に示した如く、ホトレジスト５４を設
けてサリサイドマスク開口５５を形成し、従って多結晶
シリコン層３６と４０との間のＰＮ接合４２において形
成されたコンタクト即ち接触部をパターン形成し且つ次
いで窒化シリコン又は二酸化シリコン、エッチング及び
レジスト剥離に露呈させることが可能である。次いで、
図７に示した如く、多結晶シリコン層４０の上にチタン
を付着形成し、次いで迅速熱アニールを行なってＰＮ接
合コンタクト４２内にチタンジシリサイドを形成する。
チタン以外に、例えばコバルト又はモリブデンなどのそ
の他の耐火性金属を使用して金属シリサイドを形成する
ことも可能である。チタンのアニーリングは、６００乃
至８００℃のアニールが行なわれる炉内において実施す
ることも可能である。チタンジシリサイドが形成される
場合に、付着形成したチタン層の上に窒化チタン層が形
成される。この窒化チタンの厚さを最小としながらチタ
ンジシリサイドの厚さを最大とさせることが望ましい。
このアニール処理期間中における温度及び雰囲気ガスを
変化させることによって、窒化チタン及びチタンジシリ
サイドの組合わせの厚さを制御することが可能である。
けてサリサイドマスク開口５５を形成し、従って多結晶
シリコン層３６と４０との間のＰＮ接合４２において形
成されたコンタクト即ち接触部をパターン形成し且つ次
いで窒化シリコン又は二酸化シリコン、エッチング及び
レジスト剥離に露呈させることが可能である。次いで、
図７に示した如く、多結晶シリコン層４０の上にチタン
を付着形成し、次いで迅速熱アニールを行なってＰＮ接
合コンタクト４２内にチタンジシリサイドを形成する。
チタン以外に、例えばコバルト又はモリブデンなどのそ
の他の耐火性金属を使用して金属シリサイドを形成する
ことも可能である。チタンのアニーリングは、６００乃
至８００℃のアニールが行なわれる炉内において実施す
ることも可能である。チタンジシリサイドが形成される
場合に、付着形成したチタン層の上に窒化チタン層が形
成される。この窒化チタンの厚さを最小としながらチタ
ンジシリサイドの厚さを最大とさせることが望ましい。
このアニール処理期間中における温度及び雰囲気ガスを
変化させることによって、窒化チタン及びチタンジシリ
サイドの組合わせの厚さを制御することが可能である。
【００１４】最後に、硫酸と過酸化水素との混合物内に
おいて窒化チタン層を剥離させて、ＰＮ接合コンタクト
４２においてチタンジシリサイド層５６を残存させる。
次いで、当該技術分野において公知の標準的な処理ステ
ップを更に適用することが可能である。チタンジシリサ
イド層５６はＰＮコンタクト接合４２における多結晶シ
リコン層４０の部分を消費し、且つ、同時に、下側に存
在する多結晶シリコン層３６の一部も消費し、従ってＰ
Ｎ接合４２はもはや存在しなくなる。この様に、異なる
導電型を有する多結晶シリコン層３６と４０との間のコ
ンタクト即ち接触部は短絡状態とされ、従ってそれらの
間の接触抵抗は著しく低下される。
おいて窒化チタン層を剥離させて、ＰＮ接合コンタクト
４２においてチタンジシリサイド層５６を残存させる。
次いで、当該技術分野において公知の標準的な処理ステ
ップを更に適用することが可能である。チタンジシリサ
イド層５６はＰＮコンタクト接合４２における多結晶シ
リコン層４０の部分を消費し、且つ、同時に、下側に存
在する多結晶シリコン層３６の一部も消費し、従ってＰ
Ｎ接合４２はもはや存在しなくなる。この様に、異なる
導電型を有する多結晶シリコン層３６と４０との間のコ
ンタクト即ち接触部は短絡状態とされ、従ってそれらの
間の接触抵抗は著しく低下される。
【００１５】通常、ＰＮ接合は高抵抗コンタクトを有し
ており、そのコンタクトは、異なる導電型の物質が接続
されるＰチャンネル装置とＮチャンネル装置との接続に
よって発生される。異なる導電型の層の間に共用コンタ
クトとして金属又は金属シリサイドの相互接続層を配置
させることによって、この高抵抗ＰＮ接合が形成される
ことを防止することが可能である。
ており、そのコンタクトは、異なる導電型の物質が接続
されるＰチャンネル装置とＮチャンネル装置との接続に
よって発生される。異なる導電型の層の間に共用コンタ
クトとして金属又は金属シリサイドの相互接続層を配置
させることによって、この高抵抗ＰＮ接合が形成される
ことを防止することが可能である。
【００１６】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図１】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
【図２】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
【図３】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
【図４】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
【図５】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
【図６】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
【図７】 本発明の一実施例に基づいて抵抗を減少させ
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
たＰＮ接合を製造する方法の一段階における状態を示し
た概略断面図。
１０ シリコン基板 １２ フィールド酸化物絶縁領域 １４ Ｎチャンネル電界効果装置 １６ ゲート酸化物層 １８ 第一ゲート電極 ２０ 側壁酸化物スペーサ ２２，２４ ソース／ドレイン領域 ２６ Ｎチャンネル電界効果装置 ２８ ゲート酸化物層 ３０ 第二ゲート電極 ３６，３７ 多結晶シリコン層 ３８ 酸化物絶縁層 ４０ 多結晶シリコン層 ４２ ＰＮ接合 ４４ 窒化シリコン層 ４６，５０，５４ ホトレジスト ５６ チタンジシリサイド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786
Claims (34)
- 【請求項１】 集積回路の一部を製造する方法におい
て、 第一導電型を有する第一多結晶シリコン層を形成し、 第二導電型を有し且つ前記第一多結晶シリコン層とのコ
ンタクト領域を有する第二多結晶シリコン層を形成し、 前記コンタクト領域内の第二多結晶シリコン層及び前記
コンタクト領域内の前記第一多結晶シリコン層の一部を
シリサイドへ変換する、上記各ステップを有することを
特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項１において、第一絶縁層を前記第
一多結晶シリコン層の一部の上に形成し且つパターン形
成すると共にエッチングして前記第一多結晶シリコン層
の一部を露出させ、且つ前記第二多結晶シリコン層が前
記第一多結晶シリコン層の露出された部分を介して前記
第一多結晶シリコン層と接触することを特徴とする方
法。 - 【請求項３】 請求項１において、前記第二多結晶シリ
コン層をシリサイドへ変換するステップが、 前記第二多結晶シリコン層の上に耐火性金属層を形成
し、 前記コンタクト領域内に金属シリサイドを形成するよう
に前記耐火性金属層をアニールする、上記各ステップを
有することを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項３において、前記変換ステップの
前に、前記変換ステップを前記コンタクト領域へ制限す
るために前記コンタクト領域内の前記第二多結晶シリコ
ン層上に第二絶縁層を形成することを特徴とする方法。 - 【請求項５】 集積回路の一部を製造する方法におい
て、 第一導電型を有する第一多結晶シリコン層を形成し、 前記第一多結晶シリコン層の上に第一絶縁層を形成し、 前記第一絶縁層をパターン形成すると共にエッチングし
てコンタクト領域における前記第一多結晶シリコン層の
一部を露出させ、 前記コンタクト領域において前記第一多結晶シリコン層
と電気的に接触する第二導電型の第二多結晶シリコン層
を形成し、 前記第二多結晶シリコン層をパターン形成すると共にエ
ッチングし、 前記第二多結晶シリコン層上に第二絶縁層を形成し、 前記第二絶縁層を介して開口をエッチング形成し前記コ
ンタクト領域上にサリサイドマスク開口を形成し、 前記第二多結晶シリコン層上に第一金属含有層を形成
し、 前記コンタクト領域内の前記第二多結晶シリコン層及び
前記コンタクト領域内の前記第一多結晶シリコン層の一
部を消費する金属シリサイドを形成するために前記第一
金属含有層をアニールする、上記各ステップを有するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項５において、前記第一導電型がＰ
＋であり且つ前記第二導電型がＮ＋であることを特徴と
する方法。 - 【請求項７】 請求項５において、前記第一導電型がＮ
＋であり且つ前記第二導電型がＰ＋であることを特徴と
する方法。 - 【請求項８】 請求項５において、前記第一多結晶シリ
コン層を形成するステップの前に、 前記第一多結晶シリコン層が下側の絶縁層の上に形成さ
れるように基板上に前記下側の絶縁層を形成し、 前記下側の絶縁層をパターン形成すると共にエッチング
して第一電界効果装置のソース／ドレイン領域の一部を
露出させる、上記各ステップを有することを特徴とする
方法。 - 【請求項９】 請求項８において、前記下側の絶縁層が
パターン形成され且つエッチングされて第二電界効果装
置の第二ゲート電極の一部を露出させることを特徴とす
る方法。 - 【請求項１０】 請求項９において、前記下側の絶縁層
が約３００乃至２０００Åの間の厚さを有していること
を特徴とする方法。 - 【請求項１１】 請求項５において、前記第二多結晶シ
リコン層の上に第二絶縁層を形成するステップの後に、
前記第二多結晶シリコン層のイオン注入及び第一電界効
果装置の薄膜トランジスタソース／ドレイン領域のイオ
ン注入を実施することを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 請求項５において、前記第二多結晶シ
リコン層上に第二絶縁層を形成するステップの前に、前
記第二多結晶シリコン層のイオン注入及び第一電界効果
装置の薄膜トランジスタソース／ドレイン領域のイオン
注入を実施することを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 請求項５において、前記第一多結晶シ
リコン層を約１×１０18／ｃｍ3 の濃度でＮ＋燐でイオ
ン注入することを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 請求項５において、前記第一多結晶シ
リコン層をＮ＋砒素でイオン注入することを特徴とする
方法。 - 【請求項１５】 請求項５において、前記第一絶縁層を
Ｏ2 ，Ｎ2 又はＨ2Ｏ内における希釈によって稠密化さ
せることを特徴とする方法。 - 【請求項１６】 請求項５において、前記第二多結晶シ
リコン層を形成するステップが、 約６００℃以下の温度でアモルファスシリコンを付着形
成し、 前記アモルファスシリコンをアニールして前記第二多結
晶シリコン層を形成する、上記各ステップを有すること
を特徴とする方法。 - 【請求項１７】 請求項５において、前記第二多結晶シ
リコン層が付着形成され、再結晶化され且つアニールさ
れたアモルファスシリコンの大グレイン寸法特性を有す
ることを特徴とする方法。 - 【請求項１８】 請求項５において、前記第二絶縁層が
窒化シリコンであることを特徴とする方法。 - 【請求項１９】 請求項５において、前記第二絶縁層が
二酸化シリコンであることを特徴とする方法。 - 【請求項２０】 請求項５において、前記第一金属含有
層が耐火性金属であることを特徴とする方法。 - 【請求項２１】 請求項２０において、前記第一金属含
有層がチタンであることを特徴とする方法。 - 【請求項２２】 請求項２１において、アニールステッ
プ期間中に、前記第一金属含有層を窒素雰囲気中で加熱
して前記コンタクト領域内においてチタンジシリサイド
を形成すると共に他の箇所においては窒化チタンを形成
し、且つ前記窒化チタンを後に剥離することを特徴とす
る方法。 - 【請求項２３】 請求項２０において、前記第一金属含
有層がコバルトであることを特徴とする方法。 - 【請求項２４】 請求項２０において、前記第一金属含
有層がモリブデンであることを特徴とする方法。 - 【請求項２５】 請求項５において、前記アニールステ
ップが前記第一金属含有層の上に第二金属含有層を形成
することを特徴とする方法。 - 【請求項２６】 請求項２５において、前記第二金属含
有層を除去することを特徴とする方法。 - 【請求項２７】 集積回路構成体において、 第一導電型の第一多結晶シリコン層、 前記第一多結晶シリコン層の一部を露出する開口を具備
する絶縁層、 前記第一多結晶シリコン層とのコンタクト領域を具備す
る第二導電型の第二多結晶シリコン層、 前記コンタクト領域を充填する金属シリサイド、を有す
ることを特徴とする構成体。 - 【請求項２８】 請求項２７において、基板上に下側絶
縁層が形成されており、前記第一多結晶シリコン層は前
記下側絶縁層の上に形成されており、且つ前記下側絶縁
層は前記第一多結晶シリコン層がそれを介して前記基板
の導電性領域と接触する開口を有していることを特徴と
する構成体。 - 【請求項２９】 請求項２８において、前記基板の導電
性領域が電界効果装置のソース／ドレイン領域であるこ
とを特徴とする構成体。 - 【請求項３０】 請求項２７において、前記第二多結晶
シリコン層が付着形成され、再結晶化され且つアニール
されたアモルファスシリコンの大グレイン寸法特性を有
していることを特徴とする構成体。 - 【請求項３１】 請求項２７において、前記金属シリサ
イドが耐火性金属シリサイドであることを特徴とする構
成体。 - 【請求項３２】 請求項３１において、前記耐火性金属
シリサイドがチタンシリサイドであることを特徴とする
構成体。 - 【請求項３３】 請求項３１において、前記耐火性金属
シリサイドがコバルトシリサイドであることを特徴とす
る構成体。 - 【請求項３４】 請求項３１において、前記耐火性金属
シリサイドがモリブデンシリサイドであることを特徴と
する構成体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55077 | 1993-04-29 | ||
| US08/055,077 US5432129A (en) | 1993-04-29 | 1993-04-29 | Method of forming low resistance contacts at the junction between regions having different conductivity types |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750276A true JPH0750276A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3688734B2 JP3688734B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=21995434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09209794A Expired - Lifetime JP3688734B2 (ja) | 1993-04-29 | 1994-04-28 | 集積回路の一部を製造する方法及びその構成体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5432129A (ja) |
| EP (1) | EP0622844B1 (ja) |
| JP (1) | JP3688734B2 (ja) |
| DE (1) | DE69419806T2 (ja) |
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| KR100815956B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 게이트 콘택 제조 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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