JPH0745562A - 半導体ウェーハのダイシング方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】カッティング時におけるシリコンダストのウェ
ーハへの付着やシリコンダストの粉塵の飛散を確実に防
止できるダイシング方法およびその装置を提供するこ
と。 【構成】ウェーハ２を垂直又は斜めに保持する保持手段
４と、ウェーハ２に対して垂直成分の方向へ移動してウ
ェーハ２をカッティングするブレード５と、ウェーハ２
の上方から洗浄液体８を通流する洗浄液体供給手段７と
を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数の素子が形成され
た半導体ウェーハをダイシングブレードにより複数の固
体素子にカッティングする半導体ウェーハのダイシング
方法およびダイシング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来において、複数の素子（チップ）が
形成された半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称す
る）を複数の素子にカッティングするには、回転により
カッティングするダイシングブレード（以下、ブレード
と略称する）を備えたダイシング装置が用いられてい
る。このダイシング装置２１は、図５に示すように、上
部平面にウェーハ２２を水平に保持するテーブル（図示
省略）と、テーブル上のウェーハ２２を所定の四角の寸
法に複数カッティングするブレード２３と、このブレー
ド２３を回転駆動する駆動装置２４と、上記テーブルあ
るいはブレード２３の少なくとも一方を水平方向Ｈに移
動する移動装置（図示省略）と、上記テーブル上に洗浄
液体２６を通流して洗浄するとともに冷却するノズル２
５とから構成されている。

【０００３】そして、ウェーハ２２のカッティング時に
は、移動装置により所定の速度でテーブルあるいはブレ
ード２３の少なくとも一方を水平方向Ｈへ移動させ、ブ
レード２３を回転させることにより、予め設定されたダ
イシングラインに沿ってカッティングが行なわれる。さ
らに、カッティング中には、上記ノズル２５により純水
からなる洗浄液体２６をウェーハ２２上に通流してカッ
ティング時に発生するシリコンダストの洗浄が行なわれ
るとともにカッティング時の冷却が行なわれる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来のダイシング方法においては、テーブルおよびウェー
ハ２２を水平にした状態でカッティングが行なわれてい
たので、ブレード２３によるカッティング時に発生する
シリコンダストを確実に洗い流すことができず、カッテ
ィング中のウェーハ２２の表面にシリコンダストが付着
してしまうという問題があった。すなわち、テーブルの
水平な上部平面にウェーハ２２を載置した状態でカッテ
ィングが行なわれることから、ノズル２５から供給され
た洗浄液体２６がテーブル上で互いにぶつかりあって滞
留したり、回転するブレード２３によって巻き込まれて
しまうために、カッティング時に生ずるシリコンダスト
がウェーハ２２の表面に付着する問題があった。

【０００５】また、ブレード２３の回転により飛散した
シリコンダストを含む汚水が垂れ落ちて、ウェーハ２２
の表面が汚されてしまうおそれがあり、ダイシングカッ
トにおける歩留りを低下させる原因となっていた。特
に、ＣＣＤ等の固体素子が形成されたウェーハ２２をカ
ッティングする際には、ＣＣＤイメージャーの表面形状
がドーム状のＯＣＬ（オンチップレンズ）に形成されて
いるために、洗浄液体がスムーズに流れにくく、シリコ
ンダストにより汚染される問題が大きい。このように固
体素子がＣＣＤの場合には、ＯＣＬの周囲に０．５μｍ
のシリコンダストが４〜５程度だけでも付着すると不良
となり、現状の技術では、上記シリコンダストの付着を
確実に防止することは困難とされている。

【０００６】さらに、従来においては、クリーンルーム
内でカッティングが行なわれるが、カッティングにより
発生するシリコンダストがブレード２３の回転によりク
リーンルームに飛散したり、また、他の箇所に付着した
洗浄液体２６に混入したシリコンダストがクリーンルー
ムに放散されるために、ダイシング装置がダスト発生源
となり、クリーンルーム内を汚染するという問題があっ
た。本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、
本発明は、カッティング時に発生するシリコンダストの
ウェーハへの付着を確実に防止し、また、カッティング
により発生するシリコンダストの飛散を確実に抑制でき
る半導体ウェーハのダイシング方法およびダイシング装
置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、複数の素子が形成された半導体ウェーハ
をダイシングラインに沿ってカッティングする半導体ウ
ェーハのダイシング方法であって、前記半導体ウェーハ
を垂直又は斜めに保持し、前記半導体ウェーハの上方か
ら洗浄液体を通流しながらカッティングを行なうように
したことを特徴とする。

【０００８】また、本発明は、複数の素子が形成された
半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってカッティン
グする半導体ウェーハのダイシング装置であって、前記
半導体ウェーハを垂直又は斜めに保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された半導体ウェーハの表面に対し
て垂直成分の方向へ相対的に移動して該半導体ウェーハ
をカッティングするブレードと、前記保持手段に保持さ
れた半導体ウェーハの上方から洗浄液体を通流する洗浄
液体供給手段とを備えたことを特徴とする。また、本発
明は、前記半導体ウェーハをカッティングする箇所を除
いたブレードの残りの部分を覆うカバーが設けられてい
ることを特徴とする。

【０００９】また、本発明は、複数の素子が形成された
半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってカッティン
グする半導体ウェーハのダイシング方法であって、前記
半導体ウェーハを洗浄液体内に浸漬した状態でカッティ
ングを行なうようにしたことを特徴とする。

【００１０】また、本発明は、複数の素子が形成された
半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってカッティン
グする半導体ウェーハのダイシング装置であって、洗浄
液体が収容された液槽と、前記洗浄液体に浸漬した状態
で前記半導体ウェーハを液槽内で保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された半導体ウェーハの表面に対し
て相対的に移動し前記半導体ウェーハをカッティングす
るブレードと、前記液槽内で前記半導体ウェーハ上に洗
浄液体を通流する洗浄液体供給手段とを備えたことを特
徴とする。更に、本発明は、前記半導体ウェーハをカッ
ティングする箇所を除いたブレードの残りの部分を覆う
カバーが設けられていることを特徴とする。

【００１１】

【作用】ウェーハを垂直又は斜めに保持した状態でカッ
ティングする発明では、半導体ウェーハの上方からウェ
ーハ上に洗浄液体を通流させる。この場合、洗浄液体は
重力によりウェーハ上で上方から下方へ通流されるの
で、洗浄液体がテーブル上で滞留したり、ブレードによ
って巻き込まれることがなくなり、洗浄液体によりシリ
コンダストが確実に除去され、シリコンダストがウェー
ハ表面に付着することが低減される。また、洗浄液体が
上方から下方に通流されるので、カッティング時に発生
する汚水が飛散してブレードの周辺に付着することが減
少し、汚水の垂れ落ちによるウェーハ表面の汚染や、装
置内部の汚染が低減する。その結果、ダイシングカット
における歩留りを向上することができる。さらに、洗浄
液体によりシリコンダストが確実に除去されるので、シ
リコンダストのクリーンルームへの飛散が抑制される。
また、装置が縦型となるので、空間スペースが少なくて
済み、スペースの有効利用ができる。

【００１２】また、ウェーハを洗浄液体内に浸漬した状
態でカッティングする発明では、カッティング時に生ず
るシリコンダストは洗浄液体中に浸漬しており、洗浄液
体とともに液槽から排出される。したがって、シリコン
ダストが飛散することがなく排出され、シリコンダスト
がウェーハ表面に付着することがなくなり、特に、ＣＣ
Ｄ等の固体素子が形成されたウェーハをカッティングす
る場合に有効である。この結果、シリコンダストによる
ウェーハ表面の汚染を確実に防止でき、ダイシングカッ
トにおける歩留りを向上することができ、また、クリー
ンルーム内の汚染も大幅に低減できる。

【００１３】

【実施例】以下に、本発明に係るウェーハのダイシング
方法をその装置とともに図面に基づいて説明する。図１
は第１実施例のダイシング装置の斜視図を示している。
１はダイシング装置、２はウェーハ、３はテーブルで、
テーブル３は、ウェーハ２を保持するウェーハ保持面４
が垂直となるように配設されており、ウェーハ保持面４
には、これに固着されたウェーハ２をカッティングする
ブレード５が垂直な上下方向Ｖへ移動可能に設けられて
いる。このブレード５は図示しない駆動装置により回転
される。また、ダイシングラインに沿ったウェーハ２に
対するブレード５の相対的な移動は、図示しない上下移
動装置により、テーブル３あるいはブレード５の一方を
垂直な上下方向Ｖへ移動させることで、あるいはその双
方を逆向きに垂直な上下方向Ｖへ移動させることで行な
われる。前記ブレード５は、ウェーハ２をカッティング
する箇所を除いた残りの部分がカバー６により覆われて
いる。さらに、上記テーブル３のウェーハ保持面４の上
部には、純水（洗浄液体）を供給するノズル（洗浄液体
供給手段）７が配設されており、ウェーハ保持面４に保
持されたウェーハ２を含むテーブル３の上端側から下端
側へ純水８が通流される構成である。

【００１４】次に、上記構成のダイシング装置１により
ウェーハ２をカッティングする場合について説明する。
まず、テーブル３のウェーハ保持面４にウェーハ２を固
定し、ブレード５を適切な位置にセットする。次に、ノ
ズル７から純水８を通流するとともに、ブレード５を駆
動装置により回転する。そして、ウェーハ２に対するブ
レード５の垂直な上下方向Ｖへの相対的な移動により、
カッティングを行なう。この場合、ノズル７から通流さ
れる純水８は、重力によりテーブル３およびウェーハ２
上を垂直方向へ流れるので、純水８がぶつかり合って
も、テーブル３上で滞留したり、ブレード５によって巻
き込まれることがなくなる。

【００１５】したがって、カッティング時に生ずるシリ
コンダストは純水８によりウェーハ２の表面から確実に
除去され、シリコンダストがウェーハ２の表面に付着す
ることがなくなる。また、純水８が上方から下方に通流
されるので、カッティング時に発生する汚水が飛散して
ブレード５の周辺に付着することが減少し、飛散した汚
水の垂れ落ちによるウェーハ２の表面の汚染や、装置内
部の汚染が低減する。その結果、ダイシングカットにお
ける歩留りを向上することができる。さらに、シリコン
ダストが純水８により確実に除去されるので、クリーン
ルーム内でのカッティングの場合でも、シリコンダスト
がクリーンルームに飛散することが抑制できる。

【００１６】次に、本発明に係るダイシング装置の第２
実施例について説明する。図２は第２実施例のダイシン
グ装置の斜視図を示している。第２本実施例のダイシン
グ装置１０１は、図２に示すように、テーブル３のウェ
ーハ保持面４が垂直ではなく、水平面に対して鋭角の角
度θで傾斜するようにテーブル３を配設した構成であ
り、ウェーハ保持面４に対してブレード５は上下方向
Ｖ’に相対的に移動し、他の構成は上記第１実施例と同
様である。したがって、本実施例でも、ノズル７からの
純水８が重力によりテーブル３およびウェーハ２上を上
方から下方へ向けて流れるので、通流される純水８がぶ
つかり合ってもテーブル３上で滞留したり、ブレード５
によって巻き込まれることがなくなり、上記実施例と同
等な効果を得ることができる。

【００１７】次に、本発明に係るダイシング装置の第３
実施例について説明する。図３は第３実施例のダイシン
グ装置の斜視図を示している。第３実施例のダイシング
装置１０２は、純水８を溜める液槽１０を備え、液槽１
０の底板１０Ａが、ウェーハ２を水平に保持するテーブ
ルのウェーハ保持面に相当し、底板１０Ａ上にはブレー
ド５が配設されている。上記ブレード５は、ウェーハ２
をカッティングする箇所を除いた残りの部分がカバー６
により覆われ、ブレード５には回転駆動装置１１が連結
されている。また、ダイシングラインに沿ったウェーハ
２に対するブレード５の相対的な移動は、ウェーハ２あ
るいはブレード５の一方を水平方向Ｈに移動させること
で、あるいはその双方を逆向きに水平方向Ｈへ移動させ
ることで行なわれる。上記液槽１０はウェーハ２を浸漬
できる深さおよび大きさに形成され、液槽１０には、上
部が周縁部よりも一段低く形成され、液槽１０内の純水
８を排出する排出部１２が設けられている。さらに、図
４に示すように、上記ブレード５のカバー６内で上記排
出部１２と反対側にはノズル７が配設され、カッティン
グ時のブレード５およびウェーハ２に向けて純水８が通
流される構成となっている。

【００１８】次に、上記構成のダイシング装置１０２に
よりウェーハ２をカッティングする場合につて説明す
る。まず、液槽１０の底板１０Ａにウェーハ２を固定
し、液槽１０内を純水で満し、ウェーハ２を純水８に浸
漬する。次に、ブレード５をウェーハ２上の適切な位置
にセットし、ノズル７から純水８を通流するとともに、
ブレード５を駆動装置１１により回転する。さらに、ウ
ェーハ２に対してブレード５をダイシングラインに沿っ
て水平方向Ｈへ相対的に移動しながら、カッティングが
行なわれる。この場合、カッティング時に生ずるシリコ
ンダストは純水８中に浸漬されており、また、ブレード
５はカバー６で覆われているので、シリコンダストはノ
ズル７で通流される純水８により液槽１０の排出部１２
から純水８とともに排出される。

【００１９】したがって、ブレード５によるシリコンダ
ストの飛散がなくなり、切削水の飛散により他の箇所に
付着してダスト発生源となることがなくなるとともに、
汚水がウェーハ２上に垂れ落ちることもなくなる。ま
た、シリコンダストが液槽１０の排出部１２から排出さ
れるので、シリコンダストがウェーハ２の表面に付着す
ることがなくなり、特に、ＣＣＤ等の固体素子が形成さ
れたウェーハ２をカッティングする場合に有効である。
この結果、カッティング時のシリコンダストによりウェ
ーハ２の表面が汚染されることが防止でき、ダイシング
カットにおける歩留りを向上することができる。さら
に、ウェーハ２が純水に浸漬された状態でカッティング
が行なわれるので、装置内部の汚染が低減されるととも
に、クリーンルーム内でのカッティング時に、シリコン
ダストがクリーンルームに飛散することが抑制され、ク
リーンルーム内の汚染を大幅に低減できる。

【００２０】尚、上記第１乃至第３実施例では、カバー
６を、ウェーハ２をカッティングする箇所を除いた残り
のブレード５部分を覆うように構成した場合について説
明したが、カバー６の構成は任意であり、例えば、ダイ
シング装置全体を覆うようなカバー６の構成としてもよ
い。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る方法及
び装置によれば、カッティング時に発生するシリコンダ
ストのウェーハへの付着を確実に防止し、また、カッテ
ィングにより発生するシリコンダストの飛散を確実に抑
制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ダイシング装置の第１実施例を示す斜視図であ
る。

【図２】ダイシング装置の第２実施例を示す斜視図であ
る。

【図３】ダイシング装置の第３実施例を示す斜視図であ
る。

【図４】ダイシング装置の第３実施例に係り、液槽の縦
断面図である。

【図５】従来のダイシング装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１，１０１，１０２ ダイシング装置 ２ 半導体ウェーハ ４ 保持手段 ５ ブレード ６ カバー ７ 洗浄液体供給手段 ８ 洗浄液体 １０ 液槽

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の素子が形成された半導体ウェーハ
   をダイシングラインに沿ってカッティングする半導体ウ
   ェーハのダイシング方法であって、 前記半導体ウェーハを垂直又は斜めに保持し、 前記半導体ウェーハの上方から洗浄液体を通流しながら
   カッティングを行なうようにした、 ことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。
2. 【請求項２】 複数の素子が形成された半導体ウェーハ
   をダイシングラインに沿ってカッティングする半導体ウ
   ェーハのダイシング装置であって、 前記半導体ウェーハを垂直又は斜めに保持する保持手段
   と、 前記保持手段に保持された半導体ウェーハの表面に対し
   て垂直成分の方向へ相対的に移動して該半導体ウェーハ
   をカッティングするブレードと、 前記保持手段に保持された半導体ウェーハの上方から洗
   浄液体を通流する洗浄液体供給手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング
   装置。
3. 【請求項３】 前記半導体ウェーハをカッティングする
   箇所を除いたブレードの残りの部分を覆うカバーが設け
   られている請求項３記載の半導体ウェーハのダイシング
   装置。
4. 【請求項４】 複数の素子が形成された半導体ウェーハ
   をダイシングラインに沿ってカッティングする半導体ウ
   ェーハのダイシング方法であって、 前記半導体ウェーハを洗浄液体内に浸漬した状態でカッ
   ティングを行なうようにした、 ことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。
5. 【請求項５】 複数の素子が形成された半導体ウェーハ
   をダイシングラインに沿ってカッティングする半導体ウ
   ェーハのダイシング装置であって、 洗浄液体が収容された液槽と、 前記洗浄液体に浸漬した状態で前記半導体ウェーハを液
   槽内で保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された半導体ウェーハの表面に対し
   て相対的に移動し前記半導体ウェーハをカッティングす
   るブレードと、 前記液槽内で前記半導体ウェーハ上に洗浄液体を通流す
   る洗浄液体供給手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング
   装置。
6. 【請求項６】 前記半導体ウェーハをカッティングする
   箇所を除いたブレードの残りの部分を覆うカバーが設け
   られている請求項５記載の半導体ウェーハのダイシング
   装置。