JP3390313B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板などの被処理基板に対して処理
を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程に
は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板のよう
な被処理基板に処理液を供給することにより、被処理基
板の表面やその表面に形成された薄膜に対する処理を施
す工程が含まれる。このような工程を実施するための装
置は、たとえば、実開平５−２０３２１号公報に開示さ
れており、その構成は、本願の図１０に示されている。
【０００３】この装置は、基板Ｗを保持した状態で回転
可能なスピンチャック３０と、支軸３を介してスピンチ
ャック３０を高速回転するためのモータ５と、処理され
る基板Ｗを包囲して処理室を形成する容器１０と、基板
Ｗに対して斜め上方または斜め下方から処理液を供給す
るための処理液ノズル８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄとを備え
ている。容器１０の底部には、基板Ｗの処理のために使
用された後の処理液を排出するための排出口１１が形成
されている。
【０００４】容器１０の下方には排出口１１に対向する
リング状の樋溝１７を有するほぼ円盤状の樋部材１５
が、支軸３を包囲する保護筒４に回転自在に取り付けら
れている。樋溝１７の底部の所定の一箇所には、排液流
下口１８が形成されている。また樋部材１５の外周には
リングギア２８が固定されており、このリングギア２８
には、モータ２６の駆動軸に取り付けられた駆動ギア２
７が噛合している。
【０００５】樋部材１５のさらに下方には、処理液を廃
棄するための廃棄ドレン口２１ａと、処理液を回収する
ための回収ドレン口２１ｂとが設けられている。このよ
うな構成により、モータ２６を駆動することによって、
樋部材１５の排液流下口１８を廃棄ドレン口２１ａまた
は回収ドレン口２１ｂのいずれかの上方に選択的に位置
させることができる。これにより、たとえば、エッチン
グ液や現像液のような薬液を基板に供給する際には、排
液流下口１８を回収ドレン口２１ｂの上方に位置させる
ことによって、薬液を再利用のために回収することがで
きる。これに対して、たとえば、基板Ｗに付いた薬液を
洗い落とすために基板Ｗに純水を噴射するような場合に
は、排液流下口１８を廃棄ドレン口２１ａの上方に位置
させることによって、洗浄処理に用いられた後の水を廃
棄することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の構成で
は、容器１０から排液口１１を経て円盤状の樋部材１５
の流下口１８に至る経路は、エッチング処理などのため
の薬液と、洗浄処理に使用された後の水とで共通であ
る。すなわち、回収対象の処理液と廃棄対象の処理液と
が共通の経路を通る。そのため、これらの２液の混合を
避けることができず、分離が不完全になる。その結果、
上記共通の経路に付着した薬液の液滴が洗浄処理に使用
された後の純水とともに廃棄されるから、薬液が無駄に
なり、薬液消費量が多いという問題があった。また、薬
液の回収時には、上記共通の経路に付着した水滴が混入
するから、薬液の濃度が低くなり、薬液による基板処理
能力が徐々に低下していくという問題もあった。
【０００７】一方、円盤状の樋部材１５は、ギア駆動機
構によって回転され、この樋部材１５の回転によって薬
液と純水との分離が達成されているから、ギア駆動機構
の摺動部からの発塵が基板処理に悪影響を及ぼすおそれ
があった。そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題
を解決し、処理液の分離を良好に行うことができ、しか
も、発塵をも低減できる基板処理装置を提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保
持した状態で回転する基板保持台と、この基板保持台に
保持された基板の表面に第１の処理液および第２の処理
液を選択的に供給するための処理液供給手段と、上記基
板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の回転軸
に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有し、上記
基板保持台とともに回転される基板から飛散する上記第
１の処理液および第２の処理液を誘導するための誘導部
材と、上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持
台とともに回転状態にある基板から飛散する上記第１の
処理液が当たるべき第１誘導エリアと、上記誘導部材の
内壁面において上記第１誘導エリアよりも上方に形成さ
れ、上記基板保持台とともに回転状態にある基板から飛
散する上記第２の処理液が当たるべき第２誘導エリア
と、上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界
部に形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出し
た横向き凸部と、この横向き凸部から下方に垂れ下がる
舌部と、上記第１誘導エリアの上記横向き凸部の近傍の
部位に設けられ、上方に窪み、下方に開放した下向き凹
部と、上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的
に上下動させるための上下駆動手段と、上記基板保持台
よりも下方に配設され、上記誘導部材の上記第１誘導エ
リアによって誘導された上記第１の処理液を受け入れる
とともに、この受け入れられた第１の処理液を排出する
ための排出口を有する第１の槽と、上記基板保持台より
も下方に配設され、上記誘導部材の上記第２誘導エリア
によって誘導された上記第２の処理液を受け入れるとと
もに、この受け入れられた第２の処理液を排出するため
の排出口を有する第２の槽と、上記第１の処理液が上記
基板保持台に保持された基板に供給される際には、上記
上下駆動手段を制御し、当該基板から飛散する第１の処
理液が上記第１誘導エリアに当たるように、上記誘導部
材の上記基板保持台に対する相対的な高さを制御する第
１制御手段と、上記第２の処理液が上記基板保持台に保
持された基板に供給される際には、上記上下駆動手段を
制御し、当該基板から飛散する第２の処理液が上記第２
誘導エリアに当たるように、上記誘導部材の上記基板保
持台に対する相対的な高さを制御する第２制御手段とを
含むことを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】この構成によれば、誘導部材の基板保持台
に対する相対的な上下動により、基板の表面から飛散し
た第１の処理液は第１誘導エリアから第１の槽に導か
れ、基板の表面から飛散した第２の処理液は第２誘導エ
リアから第２の槽に導かれる。これにより、第１の処理
液と第２の処理液との分離が達成される。したがって、
第１の処理液と第２の処理液とが共通の経路を通ること
がないから、第１の処理液と第２の処理液とを良好に分
離することができる。しかも、ギア駆動機構などを用い
ていないので、発塵が少なく、したがって、基板の処理
を良好に行うことができる。
【００１０】また、第１誘導エリアと第２誘導エリアと
の境界部には、基板保持台に向かって内方に突出した横
向き凸部が形成されているから、第１誘導エリアと第２
誘導エリアとの間における処理液の分離も良好である。
また、横向き凸部の近傍に設けられた下向き凹部は、第
１誘導エリアに当たった処理液が第２誘導エリアに入り
込むことを防止する。さらに、この下向き凹部の働きに
より、第２誘導エリアに当たった処理液が第１誘導エリ
アに入り込むことを防止することもできる。これによ
り、処理液の分離を一層確実に行うことができる。請求
項２記載の発明は、上記上下駆動手段を制御し、上記誘
導部材の処理液付着部位が上記基板保持台に保持された
基板よりも下方に位置するように、上記誘導部材の上記
基板保持台に対する相対的な高さを制御する第３制御手
段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処
理装置である。
【００１１】この構成によれば、誘導部材の処理液付着
部位（処理液が付着している可能性のある部位）を基板
保持台に保持された基板よりも下方に位置させることが
できる。そのため、たとえば、基板保持台に基板をセッ
トしたり、基板保持台から基板を取り出したりする際
に、誘導部材に付着した処理液が基板に落下することを
防ぐことができる。
【００１２】
【００１３】請求項３記載の発明は、上記第２誘導エリ
アに設けられ、上記基板保持台から離反する方向に向か
って窪み、上記基板保持台の方向に開放した横向き凹部
をさらに備えていることを特徴とする請求項１または２
に記載の基板処理装置である。この構成では、第２の誘
導エリアに設けられた横向き凹部は、第２の誘導エリア
に当たった処理液が上方に飛び出すことを防止する。こ
れにより、周囲の汚染を防止でき、かつ、処理液を確実
に第２の槽に導くことができる。
【００１４】請求項４記載の発明は、上記横向き凹部の
上部において上方に延びて形成された上向き凸部をさら
に備えていることを特徴とする請求項３記載の基板処理
装置である。この構成では、上記横向き凹部の上方に延
びる上向き凸部により、処理液が周囲に飛散することを
確実に防止できる。
【００１５】請求項５記載の発明は、上記第１の槽およ
び第２の槽は、一方が他方を外方から取り囲むように配
設されており、内側に配置された槽は、受け入れた処理
液を廃液するための廃液槽であり、外方に配置された槽
は、受け入れた処理液を再利用のために回収するための
回収槽であることを特徴とする請求項１ないし４のいず
れかに記載の基板処理装置である。
【００１６】この構成では、内側に廃液槽が配置され、
外側に回収槽が配置されているから、回収すべき処理液
が廃液槽に入り込むことはあっても、廃液すべき処理液
が回収槽に入り込むことを確実に防止できる。なぜな
ら、基板保持台から離反する方向に飛び出す処理液は、
それが廃液されるべきものであれば、外側の回収槽に達
する前に、廃液槽に対応している誘導エリアによって廃
液槽に導かれるからである。
【００１７】請求項６記載の発明は、上記基板保持台ま
たは上記基板保持台に保持されたダミー基板に向けて洗
浄液を供給するための洗浄液供給手段と、上記洗浄液供
給手段から洗浄液を供給させるとともに、上記基板保持
台を回転させ、これにより、上記基板保持台またはダミ
ー基板から飛散して上記誘導部材に当たる洗浄液によ
り、この誘導部材の洗浄を行うための洗浄制御手段とを
さらに備えていることを特徴とする請求項１ないし５の
いずれかに記載の基板処理装置である。
【００１８】この構成により、洗浄のための構成を特別
に設けることなく、誘導部材の洗浄を自動的に行うこと
ができる。これにより、処理液が誘導部材に付着して結
晶化し、これがパーティクルとなることを防止できる。
請求項７記載の発明は、基板を保持した状態で回転する
基板保持台と、この基板保持台に保持された基板の表面
に第１の処理液および第２の処理液を選択的に供給する
ための処理液供給手段と、上記基板を取り囲むように設
けられ、上記基板保持台の回転軸に対してほぼ回転対称
に形成された内壁面を有し、上記基板保持台とともに回
転される基板から飛散する上記第１の処理液および第２
の処理液を誘導するための誘導部材と、上記誘導部材の
内壁面に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
ある基板から飛散する上記第１の処理液が当たるべき第
１誘導エリアと、上記誘導部材の内壁面において上記第
１誘導エリアよりも上方に形成され、上記基板保持台と
ともに回転状態にある基板から飛散する上記第２の処理
液が当たるべき第２誘導エリアと、上記第１誘導エリア
と上記第２誘導エリアとの境界部に形成され、上記基板
保持台に向かって内方に突出した横向き凸部と、上記誘
導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下動させ
るための上下駆動手段と、上記基板保持台よりも下方に
配設され、上記誘導部材の上記第１誘導エリアによって
誘導された上記第１の処理液を受け入れるとともに、こ
の受け入れられた第１の処理液を排出するための排出口
を有する第１の槽と、上記基板保持台よりも下方に配設
され、上記誘導部材の上記第２誘導エリアによって誘導
された上記第２の処理液を受け入れるとともに、この受
け入れられた第２の処理液を排出するための排出口を有
する第２の槽と、上記第１の処理液が上記基板保持台に
保持された基板に供給される際には、上記上下駆動手段
を制御し、当該基板から飛散する第１の処理液が上記第
１誘導エリアに当たるように、上記誘導部材の上記基板
保持台に対する相対的な高さを制御する第１制御手段
と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基
板に供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当
該基板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリア
に当たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対す
る相対的な高さを制御する第２制御手段と、上記誘導部
材の上下動を案内するために鉛直方向に沿って配置され
たガイド軸と、このガイド軸を取り囲むように配設さ
れ、上記誘導部材の上下移動に伴って伸縮する蛇腹とを
備えていることを特徴とする基板処理装置である。
【００１９】この構成により、ガイド軸の摺動部におけ
る発塵の基板処理への影響は、蛇腹によって防止でき
る。これにより、発塵を抑制できるから、良好な基板処
理が達成される。さらには、処理液雰囲気とガイド軸と
が蛇腹で隔絶されるから、ガイド軸の腐食を防止でき
る。請求項８記載の発明は、上記ガイド軸は、上記蛇腹
の内部空間と上記蛇腹の外部空間とを連通させるための
連通経路が内部に形成されたものであることを特徴する
請求項７記載の基板処理装置である。
【００２０】この構成によれば、蛇腹の内部空間は外部
空間と連通しているから、蛇腹が伸縮しても内部空気の
減圧や圧縮が生じない。そのため、蛇腹をスムーズに伸
縮させることができるので、誘導部材の上下動をスムー
ズに行わせることができる。請求項９記載の発明は、基
板を保持した状態で回転する基板保持台と、この基板保
持台に保持された基板の表面に第１の処理液および第２
の処理液を選択的に供給するための処理液供給手段と、
上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有
し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
の誘導部材と、上記誘導部材の内壁面に形成され、上記
基板保持台とともに回転状態にある基板から飛散する上
記第１の処理液が当たるべき第１誘導エリアと、上記誘
導部材の内壁面において上記第１誘導エリアよりも上方
に形成され、上記基板保持台とともに回転状態にある基
板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第２誘導
エリアと、上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアと
の境界部に形成され、上記基板保持台に向かって内方に
突出した横向き凸部と、上記誘導部材を、上記基板保持
台に対して相対的に上下動させるための上下駆動手段
と、上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部
材の上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の
処理液を受け入れるとともに、この受け入れられた第１
の処理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、
上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、上記
第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に供給
される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基板か
ら飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当たる
ように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相対的
な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が
上記基板保持台に保持された基板に供給される際には、
上記上下駆動手段を制御し、当該基板から飛散する第２
の処理液が上記第２誘導エリアに当たるように、上記誘
導部材の上記基板保持台に対する相対的な高さを制御す
る第２制御手段と、上記第１の槽および上記第２の槽を
上方に向けて付勢する付勢手段と、上記誘導部材に対し
て固定的に設けられた誘導部材側当接部と、上記第１の
槽および上記第２の槽に対して固定的に設けられた槽側
当接部と、を備え、上記上下駆動手段は、上記誘導部材
を上下動させるものであり、上記誘導部材側当接部およ
び上記槽側当接部は、上記誘導部材を所定位置まで下降
させる過程で、両当接部が当接し、その後は、上記誘導
部材の下降に伴って、上記第１および第２の槽も、上記
付勢手段の付勢力に抗して下降するように配設されてい
ることを特徴とする基板処理装置である。
【００２１】この構成によれば、誘導部材を下降させて
いくと、誘導部材側当接部が槽側当接部に当接し、その
後は、誘導部材とともに第１および第２の槽が下降す
る。また、誘導部材を上昇させれば、付勢手段の働きに
より、第１および第２の槽も同時に上昇する。これによ
り、誘導部材を上下動させるための１つの上下駆動機構
によって、誘導部材ならびに第１および第２の槽をそれ
ぞれ異なる態様で昇降させることができる。
【００２２】また、誘導部材のみならず第１および第２
の槽をも昇降させるようにしたことにより、槽と誘導部
材との間隔を短くできるので、槽の高さが低くなり、ま
た、単純な形状の誘導部材によって、処理液を第１の槽
または第２の槽に確実に導くことができる。請求項１０
記載の発明は、基板を保持した状態で回転する基板保持
台と、この基板保持台に保持された基板の表面に第１の
処理液および第２の処理液を選択的に供給するための処
理液供給手段と、上記基板を取り囲むように設けられ、
上記基板保持台の回転軸に対してほぼ回転対称に形成さ
れた内壁面を有し、上記基板保持台とともに回転される
基板から飛散する上記第１の処理液および第２の処理液
を誘導するための誘導部材と、上記誘導部材の内壁面に
形成され、上記基板保持台とともに回転状態にある基板
から飛散する上記第１の処理液が当たるべき第１誘導エ
リアと、上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エ
リアよりも上方に形成され、上記基板保持台とともに回
転状態にある基板から飛散する上記第２の処理液が当た
るべき第２誘導エリアと、上記第１誘導エリアと上記第
２誘導エリアとの境界部に形成され、上記基板保持台に
向かって内方に突出した横向き凸部と、上記誘導部材
を、上記基板保持台に対して相対的に上下動させるため
の上下駆動手段と、上記基板保持台よりも下方に配設さ
れ、上記誘導部材の上記第１誘導エリアによって誘導さ
れた上記第１の処理液を受け入れるとともに、この受け
入れられた第１の処理液を排出するための排出口を有す
る第１の槽と、上記基板保持台よりも下方に配設され、
上記誘導部材の上記第２誘導エリアによって誘導された
上記第２の処理液を受け入れるとともに、この受け入れ
られた第２の処理液を排出するための排出口を有する第
２の槽と、上記第１の処理液が上記基板保持台に保持さ
れた基板に供給される際には、上記上下駆動手段を制御
し、当該基板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導
エリアに当たるように、上記誘導部材の上記基板保持台
に対する相対的な高さを制 御する第１制御手段と、上記
第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に供給
される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基板か
ら飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当たる
ように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相対的
な高さを制御する第２制御手段とを含み、上記誘導部材
の内壁面は、不連続点の無い滑らかな曲面から成ってい
ることを特徴とする基板処理装置である。
【００２３】この構成によれば、誘導部材の内壁面に処
理液が滞留することがなく、したがって、滞留した処理
液が基板表面に飛散したりするおそれがない。これによ
り、基板処理を良好に行える。請求項１１記載の発明
は、基板を保持した状態で回転する基板保持台と、この
基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液およ
び第２の処理液を選択的に供給するための処理液供給手
段と、上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保
持台の回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面
を有し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛
散する上記第１の処理液および第２の処理液を誘導する
ための誘導部材と、上記誘導部材の内壁面に形成され、
上記基板保持台とともに回転状態にある基板から飛散す
る上記第１の処理液が当たるべき第１誘導エリアと、上
記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアよりも
上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態にあ
る基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第２
誘導エリアと、上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリ
アとの境界部に形成され、上記基板保持台に向かって内
方に突出した横向き凸部と、上記誘導部材を、上記基板
保持台に対して相対的に上下動させるための上下駆動手
段と、上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導
部材の上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１
の処理液を受け入れるとともに、この受け入れられた第
１の処理液を排出するための排出口を有する第１の槽
と、上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部
材の上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の
処理液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２
の処理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、
上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理
液が上記基板保持台に保持された基板に供給される際に
は、上記上下駆動手段を制御し、当該基板から飛散する
第２の処理液が上記第２誘導エリアに当たるように、上
記誘導部材の上記基板保持台に対する相対的な高さを制
御する第２制御手段とを含み、上記処理液供給手段は、
上記基板保持台に保持された基板の下面の回転中心位置
に向けて処理液を供給するものであることを特徴とする
基板処理装置である。
【００２４】この構成によれば、処理液を基板の下面の
回転中心に向けて供給することができるから、この供給
された処理液は基板の下面を伝い、ほとんど落下するこ
となく、第１または第２誘導エリアに導かれる。したが
って、処理液の回収または廃棄の効率がよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面
図である。この基板処理装置は、処理対象の基板である
ウエハＷに対して薬液や純水を用いた洗浄処理を施すた
めのものであり、ウエハＷを保持して回転するための基
板保持台であるスピンチャック５１と、スピンチャック
５１に保持されたウエハＷの表面にフッ酸などの薬液や
純水などの処理液を吐出するためのノズル１Ａ，１Ｂ
と、スピンチャック５１に保持された状態のウエハＷの
下面の中央に向けて処理液を吐出するための中心軸ノズ
ル１Ｃ（下面ノズル）と、主としてスピンチャック５１
の洗浄のためにスピンチャック５１に向けて斜め下方か
ら純水を供給するための洗浄用ノズル１Ｄとを有してい
る。
【００２６】スピンチャック５１は、処理室５３内に収
容されている。処理室５３は、処理カップ５４と、この
処理カップ５４に対して上下動する誘導部材としてのス
プラッシュガード５５とによって形成されている。処理
カップ５４の底面の中央部を挿通するように回転軸５７
が配置されており、この回転軸５７の上端に設けられた
取り付けフランジ５８には、取付け円板６０がボルト５
９によって固定されている。
【００２７】取付け円板６０の上面には、ウエハＷの縁
部を保持するための３本のチャックピン６３が、取付け
円板６０の周縁に沿って等間隔で立設されている。ただ
し、図１においては、図面が煩雑になることを避けるた
めに、１本のチャックピン６３のみが示されている。チ
ャックピン６３は、ウエハＷを下方向から保持するため
の水平なウエハ載置面と、ウエハＷの周端面を規制する
ためのウエハ規制用立ち上がり面とを有している。チャ
ックピン６３の基端部には、揺動アーム部６４が形成さ
れている。この揺動アーム部６４の先端は、リンク６５
の一端に回動自在に連結されている。リンク６５の他端
は、スピンチャック５１の中央付近に設けられた操作円
板６６に回動自在に連結されている。この操作円板６６
は、図外のチャック駆動機構によって、回転軸５７まわ
りに所定角度範囲だけ回動されるようになっている。こ
の操作円板６６を回動させると、リンク６５を介して揺
動アーム部６４を揺動させることができ、結果として、
チャックピン６３が鉛直軸まわりに回動する。したがっ
て、チャックピン６３のウエハ規制用立ち上がり面を、
チャックピン６３の回動軸線６８に近接した第１面と、
この第１面よりも回動軸線６８から離間した位置にあ
り、かつ、第１面に対して所定の角度をなす第２面とで
構成しておけば、チャックピン６３の回動によって、ウ
エハＷをチャックしたり、開放したりすることができ
る。
【００２８】回転軸５７の中心には、処理液供給管６１
が挿通しており、この処理液供給管６１の上端に、上述
の中心軸ノズル１Ｃが設けられている。回転軸５７の下
端付近には、駆動源としてのモータ６２などを備えた回
転駆動機構７０が結合されている。この回転駆動機構７
０によってスピンチャック５１を回転させた状態で、ノ
ズル１Ａないし１Ｄから薬液や純水を供給することによ
って、ウエハＷに対する処理を行ったり、スピンチャッ
ク５１の洗浄を行ったりすることができる。これらのノ
ズル１Ａないし１Ｄには、処理液供給部８０から、薬液
や純水が供給されるようになっている。この処理液供給
部８０は、薬液を貯留しておくための薬液タンク、純水
を貯留しておくための純水タンク、および薬液を純水を
選択的に各ノズルに供給するための複数の弁が備えられ
ている。この処理液供給部８０と、上述のノズル１Ａな
いし１Ｄにより、処理液供給手段および洗浄液供給手段
が構成されている。
【００２９】処理カップ５４は、ほぼ有底円筒形状の容
器であり、底面には、円筒状の仕切板部７３が上方に向
けて突出して形成されている。これにより、仕切板部７
３と処理カップ５４の外壁５４ａとの間には、平面視に
おいてドーナツ形状の第１の槽７１が形成されており、
仕切板部材７３の内側にはほぼ円筒状の第２の槽７２が
形成されている。第１の槽７１は、エッチング液のよう
な薬液を回収するための回収槽であって、その底面に
は、回収配管７５に結合された回収用排液口７１ａが形
成されている。回収配管７５は、回収した薬液を浄化す
るためのフィルタ（図示せず）を介して、処理液供給部
８０に備えられた所定の薬液タンクに結合されている。
また、第２の槽７２は、ウエハＷの洗浄処理後の純水の
ように廃棄すべき処理液を受けるための廃液槽であっ
て、その底面には、廃液配管７６に結合された廃液用排
液口７２ａが形成されている。
【００３０】一方、スプラッシュガード５５は、回転軸
５７の中心を通る軸線に対してほぼ回転対称な形状を有
している。そして、処理カップ５４を包囲する円筒状の
支持部材７８に取り付けられている。この円筒状の支持
部材７８は、後述する上下駆動機構８１によって上下移
動されるようになっており、これにより、スプラッシュ
ガード５５は、スピンチャック５１に対して上下動でき
るようになっている。
【００３１】スプラッシュガード５５は、回転軸５７に
対して回転対称な形状を有する内壁面５５ａを有してい
る。この内壁面５５ａにおいて、その下端から上方に所
定距離だけ離間した位置には、スピンチャック５１に向
かって内方に突出した横向き凸部９０が形成されてい
る。この横向き凸部９０は、スプラッシュガード５５の
内壁面５５ａの領域を、下方側の第１誘導エリア９１
と、上方側の第２誘導エリア９２とに二分している。換
言すれば、横向き凸部９０は、第１誘導エリア９１と第
２誘導エリア９２との境界部に形成されている。第１誘
導エリア９１は、回収すべき薬液を第１の槽７１に誘導
するための領域である。また、第２誘導エリア９２は、
廃棄すべき処理液を第２の槽７２に誘導するための領域
である。
【００３２】横向き凸部９０の先端部（スピンチャック
５１に最も近接した部位）には、下方に垂れ下がった舌
部９０ａが形成されている。これにより、第１誘導エリ
ア９１には、結果として、上方に窪み、かつ、下方に開
放した下向き凹部９３が形成されている。この下向き凹
部９３の天面９３ａは、上方に向かうほど径が小さくな
るように形成された傾斜面とされている。この天面９３
ａの下方側には、垂直な円筒面９３ｂが連なっている。
【００３３】一方、第２誘導エリア９２の上方側の部位
には、上方に向かうほど径が小さくなるように形成され
た傾斜面からなる天面９５ａが形成されており、この天
面９５ａの下方側には、鉛直な円筒面９５ｂが連なって
いる。したがって、天面９５ａ、円筒面９５ｂ、および
横向き凸部９０の上面とによって、スピンチャック５１
から離反する方向に向かって窪み、かつ、スピンチャッ
ク５１の方向に開放した横向き凹部９５が形成されてい
る。
【００３４】横向き凹部９５の天面９５ａの上端側から
連なるように、さらに上方に延びて、鉛直な円筒内壁面
を有する上向き凸部９６が形成されている。この基板処
理装置においては、スピンチャック５１の上下方向位置
は一定に保持される一方で、スプラッシュガード５５お
よび処理カップ５４が、必要に応じて昇降されるように
なっている。具体的には、スプラッシュガード５５は、
スピンチャック５１によって保持されて回転状態にある
ウエハＷから周囲に飛び出す処理液が第１誘導エリア９
１に当たる第１高さ（Ｈ１）と、同じくスピンチャック
５１に保持されて回転状態にあるウエハＷから周囲に飛
び出す処理液が第２誘導エリア９２に当たる第２の高さ
（Ｈ２）と、スプラッシュガード５５の上端５５ｂがス
ピンチャック５１におけるウエハ保持高さ（ＨＷ）より
も下に位置する第３の高さ（Ｈ３）との、３つの高さに
選択的に制御される。また、処理カップ５４は、スピン
チャック５１におけるウエハ保持高さ（ＨＷ）とほぼ同
じ高さに上端５４ａが位置する処理高さ（ＨＰ）と、ス
プラッシュガード５５が上記第３の高さ（Ｈ３）に位置
するときに、このスプラッシュガード５５との干渉を避
けることができる退避高さ（ＨＲ）とに選択的に制御さ
れる。
【００３５】処理カップ５４の側壁５４ｂは、スプラッ
シュガード５５の側壁と支持部材７８との間に入り込ん
でいる。この処理カップ５４の上端５４ａの上方には、
スプラッシュガード５５の上向き凸部９６付近から外方
向に張り出して形成された取り付けフランジ５５ｃが位
置しており、この取り付けフランジ５５ｃに螺合するボ
ルト７９によって、支持部材７８の取り付けが達成され
ている。
【００３６】図２は、スプラッシュガード５５および処
理カップ５４を昇降するための構成を説明するための断
面図である。スプラッシュガード５５を支持する円筒状
の支持部材７８の下端は、水平に配置された板状のスプ
ラッシュガードベース１００に固定されている。このス
プラッシュガードベース１００の下面には、鉛直方向に
沿って平行に配置された一対の蛇腹（ベローズ）１０
１，１０２の上側フランジ１０１ａ，１０２ａが固定さ
れている。これらの一対の蛇腹１０１，１０２の下側フ
ランジ１０１ｂ，１０２ｂは、基板処理装置のベース１
２０に水平に取り付けられたスピンベース１２３に固定
されている。そして、蛇腹１０１，１０２の内部には、
スプラッシュガードシャフト（ガイド軸）１０３，１０
４がそれぞれ挿通しており、これらは、スピンベース１
２３に固定されたボールブッシュ１０５，１０６をスラ
イド自在に挿通している。スプラッシュガードシャフト
１０３，１０４の上端は、蛇腹１０１，１０２の上側フ
ランジ１０１ａ，１０２ａに固定されており、それらの
下端は、ボルト１０７，１０８によって、上側可動プレ
ート１２５に固定されている。
【００３７】上側可動プレート１２５において、一対の
シャフト１０３，１０４の間の部位には、ボールナット
１３６が固定されている。このボールナット１３６に
は、鉛直方向に沿うねじ軸１３７が螺合している。この
ねじ軸１３７の上端および下端付近は、それぞれ軸受け
１３８，１３９によって支持されており、さらにその下
端には、モータ１４０からの駆動力がベルト１４１を介
して伝達されるプーリー１４２が固定されている。した
がって、モータ１４０を回転させることにより、上側可
動プレート１２５を上下動させることができ、スプラッ
シュガード５５を上下動させることができる。こうし
て、支持部材７８、スプラッシュガードシャフト１０
３、ねじ軸１３７、ボールナット１３６、およびモータ
１４０などにより、上下駆動機構８１が構成されてい
る。
【００３８】スプラッシュガード５５の高さを上記の第
１、第２および第３の高さ（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）に選択
的に制御するために、上側可動プレート１２５の可動範
囲には、上下方向に間隔を開けて、上下可動プレート１
２５の位置を検出するためのフォトマイクロセンサセン
サ１５１，１５２，１５３が配置されている。一方、処
理カップ５４はカップベース１６０に固定されている。
このカップベース１６０の下面には、鉛直方向に沿って
配置された一対の蛇腹（ベローズ）１６１，１６２の上
側フランジ１６１ａ，１６２ａが固定されている。これ
らの蛇腹１６１，１６２の下側フランジ１６１ｂ，１６
２ｂは、スピンベース１２３の上面に固定されている。
スピンベース１２３の下面において蛇腹１６１，１６２
に対応する位置には、それぞれボールブッシュ１６３，
１６４が固定されており、このボールブッシュ１６３，
１６４、スピンベース１２３および蛇腹１６１，１６２
を挿通するように、一対の処理カップシャフト（ガイド
軸）１６５，１６６が鉛直方向に沿って配置されてい
る。この一対の処理カップシャフト１６５，１６６の各
上端は、フランジ１６１，１６２の上側フランジ１６１
ａ，１６２ａにそれぞれ固定されており、また、これら
の処理カップシャフト１６５，１６６の各下端は、下側
可動プレート１６７に固定されている。
【００３９】蛇腹１６１，１６２の内部空間において
は、上側フランジ１６１ａ，１６２ａと下側フランジ１
６１ｂ，１６２ｂとの間には、圧縮コイルばね１５８，
１５９が処理カップシャフト１６５，１６６に巻装され
て装着されている。スピンベース１２３の下面には、一
対のボス１２６，１２７が突設されており、この一対の
ボス１２６，１２７の下方には、それぞれ、シャフト１
２８，１２９が固定されている。これらのシャフト１２
８，１２９は、下側可動プレート１６７をスライド自在
に挿通しており、この下側可動プレート１６７よりも上
方側の部位には、ナット１３０，１３１が螺合してい
る。一方、シャフト１２８，１２９において上側可動プ
レート１２５よりも下方側の部位には、圧縮コイルばね
１３２，１３３が巻装されており、また、各シャフト１
２８，１２９の下端には、圧縮コイルばね１３２，１３
３の脱落を防ぐためのナット１３４，１３５などが取り
付けられている。
【００４０】このように、下側可動プレート１６７は、
圧縮コイルばね１５８，１５９，１３２，１３３によっ
て、上方に向けて弾発的に付勢されており、かつ、その
上方への変位は、ナット１３０，１３１によって規制さ
れている。上側可動プレート１２５には、一対の当接ピ
ン（誘導部材側当接部）１６８，１６９が下方に向けて
突設されている。これらの当接ピン１６８，１６９の頭
部（下方側端部）は、モータ１４０を駆動することによ
って上側可動プレート１２５を下方に向けて変位させる
と、その変位の過程で下側可動プレート１６７の当接部
（槽側当接部）１６７Ａ，１６７Ｂに当接する。したが
って、その後、さらにモータ１４０を駆動して上側可動
プレート１２５を下降させることにより、圧縮コイルば
ね１５８，１５９，１３２，１３３のばね力に抗して下
側可動プレート１６７を下方に変位させることができ
る。つまり、当接ピン１６８が下側可動プレート１６７
に当接した後には、スプラッシュガード５５および処理
カップ５４を共に下降させていくことができる。
【００４１】処理カップ５４の高さを上記の処理高さ
（ＨＰ）および退避高さ（ＨＲ）に選択的に制御するた
めに、下側可動プレート１６７の可動範囲には、上下方
向に間隔を開けて、この下側可動プレート１６７の位置
を検出するためのフォトマイクロセンサ１５５，１５６
が配置されている。図３は、処理カップ５４およびスプ
ラッシュガード５５のスムーズな上下動を達成するため
の構成を示す断面図である。この図３には、蛇腹１０１
に関連する構成が示されているが、蛇腹１０２，１６
１，１６２に関しても同様な構成が採用されている。
【００４２】蛇腹１０１の内部に挿通されているスプラ
ッシュガードシャフト１０３は、内部に空気流通路１９
０が形成された中空構造のものとなっている。そして、
スプラッシュガードシャフト１０３において、蛇腹１０
１の上側フランジ１０１ａの近傍の部位には、空気流通
路１９０と蛇腹１０１の内部空間１９５とを連通させる
ための連通路１９１が形成されている。また、蛇腹１０
１の外部に延び出ているスプラッシュガードシャフト１
０３の下端付近には、空気流通路１９０と外部空間とを
連通させるための連通路１９２が形成されている。
【００４３】これにより、蛇腹１０１が伸長するときに
は、蛇腹１０１の外部の空気が、連通路１９２、空気流
通路１９０および連通路１９１を通って、蛇腹１０１の
内部空間１９５に導かれる。また、蛇腹１０１が収縮す
るときには、蛇腹１０１の内部空間１９５内の空気が、
連通路１９１、空気流通路１９０および連通路１９２を
通って外部空間に導かれる。このように、蛇腹１０１と
外部空間とを連通させる連通経路を設けていることによ
り、蛇腹１０１が伸縮する際に、蛇腹１０１の内部空気
の減圧や圧縮が生じない。
【００４４】このように、蛇腹１０１，１０２，１６
１，１６２の伸縮がスムーズになされるから、スプラッ
シュガード５５および処理カップ５４のスムーズな上下
動が達成される。図４、図５および図６は、処理工程の
各段階におけるスプラッシュガード５５および処理カッ
プ５４などの位置関係を示す図解図である。図４は、薬
液洗浄時の位置関係を示し、図５は、純水リンス時の位
置関係を示し、図６は、ウエハ搬入／搬出時の位置関係
を示す。
【００４５】まず、処理の概要について説明する。はじ
めに、１枚のウエハＷが図示しない搬送ロボットによっ
て搬入され、このウエハＷがスピンチャック５１に水平
に保持される。その後、スピンチャック５１が回転さ
れ、これによりウエハＷがその中心を通る鉛直軸まわり
に高速回転される。この高速回転されているウエハＷの
上面および／または下面に向けて、処理液吐出ノズル１
Ａや中心軸ノズル１Ｃから薬液が吐出され、エッチング
液などを用いた薬液洗浄処理が行われる。その後、ウエ
ハＷの上下面の洗浄のために、たとえば、ノズル１Ｂお
よび１Ｃから純水が吐出され、薬液が洗い流される（純
水リンス処理）。そして、純水の吐出を停止し、ウエハ
Ｗの上下面の水分を振り切った後に、スピンチャック５
１の回転が停止され、ウエハＷが搬送ロボットによって
装置外に搬出される。
【００４６】薬液洗浄処理時には、図４に示すように、
処理カップ５４は処理高さＨＰにあり、スプラッシュガ
ード５５は、第１の高さＨ１にある。このとき、下側可
動プレート１６７はナット１３０，１３１に当接してい
て、上方への変位が規制された状態にある。また、当接
ピン１６８，１６９は、下側可動プレート１６７から離
間している。そして、上側可動プレート１２５は、フォ
トマイクロセンサ１５１によって検出されており、下側
可動プレート１６７は、フォトマイクロセンサ１５５に
よって検出されている。
【００４７】この状態では、上述のように、第１誘導エ
リア９１がウエハＷの高さに導かれている。ノズル１
Ａ，１ＣからウエハＷに供給された薬液は、ウエハＷの
上面および／または下面を伝い、遠心力によって、その
周囲に飛び出す。この薬液は、第１誘導エリア９１に当
たり、第１の槽７１に導かれる。このとき横向き凸部９
０は、薬液が第２誘導エリア９２に流出することを防止
する。とくに、この実施形態においては、舌部９０ａが
横向き凸部９０の先端に形成されていて、第１誘導エリ
ア９１の上部に下向き凹部９３が形成されているから、
第１誘導エリア９１に当たった薬液が第２誘導エリア９
２に流出するおそれはない。
【００４８】一方、純水リンス処理時には、図５に示す
ように、処理カップ５４は、薬液洗浄処理時と同様に処
理高さＨＰにあり、スプラッシュガード５５は、第１の
高さＨ１よりも低い第２の高さＨ２に導かれている。こ
の状態では、スピンチャック５１に保持されたウエハＷ
の上面および／または下面を伝って周囲に飛散する処理
液（この場合には純水）は、第２誘導エリア９２に当た
り、この第２誘導エリア９２によって第２の槽７２に導
かれる。また、上側可動プレート１２５は、フォトマイ
クロセンサ１５２によって検出されており、下側可動プ
レート１６７はフォトマイクロセンサ１５５によって検
出されている。
【００４９】図５の状態では、上側可動プレート１２５
と下側可動プレート１６７とが近接しており、当接ピン
１６８，１６９は、下側可動プレート１６７の上面に当
接している。また、第１の槽７１と第２の槽７２とを仕
切る仕切部材７３の先端は、第１誘導エリア９１に形成
された下向き凹部９３に入り込んでいる。そのため、第
２誘導エリア９２に当たった処理液（洗浄処理に用いら
れた後の純水）が、第１の槽７１に導かれることはな
い。このとき、第２誘導エリア９１に形成された横向き
凹部９０は、第２誘導エリア９２に当たった処理液が装
置外部に飛び出すことを防止する。また、横向き凸部９
０の先端に下向きに形成された舌部９０ａは、第２誘導
エリア９２からの処理液を、その下方の第２の槽７２に
スムーズに導く。さらに、第２誘導エリア９２の上方に
形成された上向き凸部９６は、ウエハＷから飛散する処
理液のしぶきが装置外部に飛び出すことを防止する。こ
の点については、スプラッシュガード５５が第１の高さ
Ｈ１にある場合も同様である。
【００５０】ウエハＷをこの基板処理装置に搬入する
際、およびウエハＷをこの基板処理装置から搬出する際
には、図６に示すように、スプラッシュガード５５は、
第２の高さＨ２よりもさらに低い第３の高さＨ３に導か
れる。スプラッシュガード５５が第２の高さＨ２にある
ときに、当接ピン１６８，１６９が下側可動プレート１
６７に当接しているので、スプラッシュガード５５が第
２の高さＨ２から第３の高さＨ３に導かれるときには、
同時に下側可動プレート１６７も下降し、処理カップ５
４が退避高さＨＲに導かれる。
【００５１】スプラッシュガード５５を第３の高さＨ３
から上昇させるときには、圧縮コイルばね１５８，１５
９，１３２，１３３の働きによって、処理カップ５４も
同時に上昇する。こうして、１つの上下駆動機構８１に
より、スプラッシュガード５５と処理カップ５４との２
つの部材を、それぞれ、異なる態様で動作させることが
できる。しかも、処理カップ５４が上下動することによ
って、スプラッシュガード５５を下降させたときに、こ
のスプラッシュガード５５と処理カップ５４との干渉を
避けることができる。そのため、処理カップ５４の高さ
を低くすることができ、装置を小型化できるという利点
がある。これにより、スプラッシュガード５５の形状を
単純にできるという効果も得られる。
【００５２】なお、図６の状態では、上側可動プレート
１２５は、フォトマイクロセンサ１５３によって検出さ
れており、下側可動プレート１６７は、フォトマイクロ
センサ１５６によって検出されている。スプラッシュガ
ード５５が第３の高さＨ３に位置しているとき、このス
プラッシュガード５５の上端は、スピンチャック５１に
よるウエハ保持高さＨＷよりも低い位置にある。この状
態で、図示しない搬送ロボットとスピンチャック５１と
の間でウエハＷの受け渡しが行われる。その際、スプラ
ッシュガード５５の処理液付着部位（すなわち、内壁
面）は、ウエハＷよりも下方にあるので、ウエハＷの受
け渡しをする際に、スプラッシュガード５５からの処理
液がウエハＷに落下するおそれはない。
【００５３】図７は、上記の基板処理装置の要部の電気
的構成を示すブロック図であり、スピンチャック５１を
回転駆動するための回転駆動機構７０と、処理液供給部
８０と、スプラッシュガード５５および処理カップ５４
を昇降するための上下駆動機構８１とを制御するための
構成が示されている。回転駆動機構７０の動作、処理液
供給部８０の動作および上下駆動機構８１の動作は、Ｃ
ＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含む制御部２００により、
当該ＲＯＭまたはＲＡＭに格納されたプログラムに従っ
て制御される。
【００５４】制御部２００には、フォトマイクロセンサ
１５１，１５２，１５３，１５５，１５６からの出力信
号が与えられており、これらのセンサの出力に基づい
て、制御部２００は、上下駆動機構８１のモータ１４０
（図２参照）を、正転／逆転駆動する。これにより、制
御部２００は、スプラッシュガード５５を、第１の高さ
Ｈ１、第２の高さＨ２、第３の高さＨ３に制御する。こ
れにより、結果として、制御部２００は、処理カップ５
４の高さを、処理高さＨＰまたは退避高さＨＲに制御す
ることになる。
【００５５】すなわち、制御部２００は、第１の処理液
としての薬液がウエハＷに供給される際に、スプラッシ
ュガード５５を第１の高さＨ１に制御する第１制御手段
としての機能と、第２の処理液としての純水がウエハＷ
に供給される際に、スプラッシュガード５５の高さを第
２の高さＨ２に制御する第２制御手段としての機能と、
ウエハＷの搬入／搬出の際にスプラッシュガード５５の
高さを第３の高さＨ３に制御する第３制御手段としての
機能を有している。
【００５６】さらに、制御部２００は、スプラッシュガ
ード５５の自動洗浄を実行するために各部の動作を制御
する洗浄制御手段としての機能をも有している。すなわ
ち、たとえば、第１誘導エリア９１に付着した薬液を洗
い落とす場合に、制御部２００は、上下駆動機構８１の
モータ１４０を制御し、スプラッシュガード５５を第１
の高さＨ１に導く。また、制御部２００は、回転駆動機
構７０のモータ６２を制御し、スピンチャック５１を回
転駆動させる。この状態で、制御部２００は、さらに、
処理液供給部８０を制御して、ノズル１Ｂから、純水を
洗浄液として吐出させる。この純水は、取付け円板６０
を伝って、回転軸５７から離反する方向に導かれ、取付
け円板６０から第１誘導エリア９１に導かれることにな
る。これにより、薬液を誘導するための第１誘導エリア
９１に付着した薬液を洗い流すことができる。洗浄用の
純水は、ノズル１Ｄから供給されてもよく、この場合に
は、取付け円板６０の下面の洗浄とスプラッシュガード
５５の洗浄とを同時に行うことができる。
【００５７】なお、第１誘導エリア９１の洗浄を良好に
行うためには、スプラッシュガード５５を第１の高さＨ
１よりも若干低い高さに制御し、取付け円板６０からの
水が第１誘導エリア９１の内壁面に隈なく行き渡るよう
にすることが好ましい。また、洗浄処理の際に、ウエハ
Ｗと同等の形状を有するダミー基板をスピンチャック５
１に保持させておき、このダミー基板を回転させるとと
もに、このダミー基板の上面中央に向けてノズル１Ｂか
ら純水を供給するようにしてもよい。この場合には、ス
プラッシュガード５５を第１の高さＨ１に制御すること
によって、第１誘導エリア９１の洗浄を良好に行える。
また、この場合には、中心軸ノズル１Ｃから純水をウエ
ハＷの下面中央に向けて供給するようにし、ウエハＷの
下面を伝って周辺に飛散する水により第１誘導エリア９
１の洗浄を行うことができる。
【００５８】同様にして、スプラッシュガード５５の高
さを第２の高さＨ２（または高さＨ２よりも若干高い高
さ）に制御することによって、第２誘導エリア９２の洗
浄も行える。ただし、この実施形態においては、第２誘
導エリア９２は、純水の誘導のためのエリアであるの
で、第２誘導エリア９２の洗浄は、第１誘導エリア９１
の洗浄ほど重要ではない。
【００５９】以上のようにこの実施形態の基板処理装置
によれば、スプラッシュガード５５の内壁面に第１誘導
エリア９１および第２誘導エリア９２が設けられ、さら
に、これらの境界部には横向き凸部９０が形成されてい
る。そして、このような構成のスプラッシュガード５５
が上下されることにより、ウエハＷから周囲に飛散する
薬液は第１誘導エリア９１に当たるようにされて第１の
水槽７１に導かれ、また、ウエハＷから周囲に飛散する
純水は第２誘導エリア９２に当たるようにされて第２の
槽７２に導かれる。
【００６０】こうして、スプラッシュガード５５を上下
することによって、薬液と純水とを分離することができ
る。この場合に、薬液と純水とは共通の経路を通ること
がないから、「従来の技術」の項で指摘した薬液と純水
との混合に起因する種々の問題が克服される。さらに
は、ウエハＷの下面への処理液の供給は、中心軸ノズル
１Ｃから行われるので、ウエハＷの下面中央に向けて、
ウエハＷの下面に近接した位置から処理液が供給される
ことになる。そのため、ウエハＷの下面に供給された処
理液は、ほとんど落下することなく、ウエハＷの下面を
伝って、第１誘導エリア９１または第２誘導エリア９２
に導かれることになる。これにより、薬液の回収、およ
び処理に使用された後の純水の廃棄を、良好に行うこと
ができる。
【００６１】しかも、処理液の分離のために、従来技術
のようなギア駆動機構を用いていないから、発塵の問題
も生じない。また、スプラッシュガード５５および処理
カップ５４の上下動を許容するための摺動部にはボール
ブッシュ１０５，１０６，１６３，１６４が採用されて
いるので、すべり軸受けを用いる場合に比較して発塵が
少ない。しかも、この部分の摺動によって発塵が生じた
としても、この発塵の拡散は蛇腹１０１，１０２，１６
１，１６２によって防止される。これにより、発塵をほ
とんど生じさせることなくスプラッシュガード５５およ
び処理カップ５４の上下動を達成できる。しかも、すべ
り軸受けを用いれば、摺動不良が発生しやすいため、上
下動の際に振動が発生する可能性があり、スプラッシュ
ガードに付着した液滴が飛散してウエハＷの表面に付着
するおそれがあるが、ボールブッシュを用いた本実施形
態の構成においては、このような問題が生じることもな
い。また、蛇腹１０１，１０２，１６１，１６２を用い
ていることにより、薬液雰囲気とシャフト１０３，１０
４，１６５，１６６とが隔離されるから、シャフト１０
３，１０４，１６５，１６６の腐食を防止できるという
効果もある。
【００６２】さらに、この実施形態においては、廃棄す
べき処理液を受けるための第２の槽７２は、回収すべき
処理液を受けるための第１の槽７１よりも、ウエハＷの
回転軸に対して内側に位置している。これにより、廃棄
すべき処理液が回収すべき処理液に混入することを防止
することができる。さらに詳細に説明すれば、薬液処理
時には、第１誘導エリア９１から第１の槽７１に薬液が
導かれるが、ウエハＷから周囲に飛散する薬液がすべて
第１誘導エリア９１に到達できるとは限らないし、ま
た、第１誘導エリア９１から一部の薬液が仕切部材７３
よりも内側の第２の槽７２にまで飛び散るおそれもあ
る。これに対して、純水リンス処理時には、処理液は必
ず仕切り部材７３よりも内側に導かれるのであり、洗浄
処理後の純水が第１の槽７１に導かれるおそれはない。
【００６３】もしも、薬液の回収を第２の槽７２によっ
て行い、洗浄処理に用いられた後の純水の廃棄を第１の
槽７１により行おうとすると、この純水のうち若干量は
第２の槽７１に入り込むおそれがある。そうすると、回
収すべき薬液に純水が混入することになり、薬液の濃度
が若干低下するおそれがある。これに対して、この実施
形態のように、外側に配置された第１の槽７１によって
薬液の回収を行えば、上記の問題は生じない。廃棄すべ
き純水を受けるための第２の槽７２に若干量の薬液が飛
び散ったとしても、大きな問題はない。
【００６４】また、本実施形態において用いられている
スプラッシュガード５５は、図１から明らかなように、
内壁面５５ａのいたるところが不連続点のない滑らかな
曲面で構成されている。つまり、内壁面５５ａには角部
が存在しない。そのため、内壁面５５ａに処理液が滞留
するおそれがなく、当然に、滞留した処理液のウエハ表
面への飛散による悪影響が生じるおそれがない。なお、
内壁面５５ａが完全に滑らかな表面でなくとも同様の効
果を達成することができ、処理液の滞留が生じないかぎ
りにおいて、十分に大きな角度で連接する平面の組み合
わせによって内壁面５５ａが構成されていてもよい。
【００６５】さらに、本実施形態では、スプラッシュガ
ード５５と、処理カップ５４とが別部品となっているか
ら、スプラッシュガードを容易に取り外して、その洗浄
や交換を行うことができるという利点もある。この実施
形態の説明は以上のとおりであるが、本発明はこの実施
形態に限定されるものではない。たとえば、上記の実施
の形態においては、２種類の処理液が分離される例を取
ったが、スプラッシュガード５５に３つ以上の誘導エリ
アを設け、３種類以上の処理液を分離できるようにして
もよい。ただし、この場合には、誘導エリアの個数に対
応する個数の槽を処理カップ５４に設ける必要がある。
【００６６】３種類の処理液を分離するための構成例
は、図８に示されている。すなわち、この例では、スプ
ラッシュガード５５Ａには、２つの横向き凸部２１１お
よび２１２が上下方向に間隔を開けて形成されており、
各横向き凸部２１１および２１２の先端には、下方に向
けて舌部２１１ａおよび２１２ａがそれぞれ形成されて
いる。これにより、第１の処理液は横向き凸部２１１の
下方の第１誘導エリア２２１から、その下方の第１の槽
２３１に導かれる。また、第２の処理液は横向き凸部２
１１と横向き凸部２１２との間の第２誘導エリア２２２
から、舌部２１１ａに案内され、その下方の第２の槽２
３２に導かれる。同様に、第３の処理液は、横向き凸部
２１２の上方の第３誘導エリア２２３から、舌部２１２
ａに案内され、その下方の第３の槽２３３に導かれる。
ウエハＷからの第１の処理液、第２の処理液および第３
の処理液をそれぞれ第１、第２および第３の誘導エリア
２２１，２２２，２２３に選択的に当てるためにスプラ
ッシュガード５５Ａが上下動される点は、上記の実施形
態の場合と同様である。
【００６７】また、上記の実施形態では、第１誘導エリ
ア９１に対応する第１の槽７１が、第２の誘導エリア９
２に対応する第２の槽よりも外側に配置されている例に
ついて説明したが、図９に示すように、第１誘導エリア
２５１に対応する第１の槽２４１を、第２誘導エリア２
５２に対応する第２の槽２４２の内側に配置することも
可能である。より、具体的に説明すれば、図９に示され
たスプラッシュガード５５Ｂには、第１誘導エリア２５
１と第２誘導エリア２５２との境界部に、内方に向かっ
て突出した横向き凸部２５３が形成されている。この横
向き凸部２５３の基部には、第１の誘導エリア２５２に
当たった処理液を下方に案内するための処理液通路２５
５が形成されている。また、横向き凸部２５３の先端付
近には、下方に突出した案内部材２５４が形成されてお
り、この案内部材２５４の表面が第１誘導エリア２５１
を構成している。
【００６８】ウエハＷから飛散して第１誘導エリア２５
１に当たった処理液は、案内部材２５４に沿って下方に
落下し、内側に配置された第１の槽２４１に導かれる。
また、ウエハＷから飛散して第２誘導エリア２５２に当
たった処理液は、処理液通路２５５を通って下方に落下
し、外側に配置された第２の槽２４２に受け入れられ
る。
【００６９】さらに、上記の実施形態においては、スプ
ラッシュガード５５を上下動させることによってウエハ
からの処理液を所定の誘導エリアに当てるようにしてい
るが、スピンチャック５１を上下動することによって、
スプラッシュガード５５の所定の誘導エリアに処理液が
当たるようにしてもよい。ただし、スピンチャック５１
の上下動を行わない上記の実施形態の構成の方が、スピ
ンチャック５１に関連する駆動機構のシールが容易であ
る。
【００７０】また、上記の実施形態では、ウエハに対す
る処理を施す装置を例に取ったが、この発明は、液晶表
示装置用ガラス基板のような他の基板に対する処理を施
すための装置にも同様に適用することができる。その
他、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の変更を施
すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す断面図である。
【図２】スプラッシュガードおよび処理カップを昇降す
るための構成を説明するための断面図である。
【図３】スプラッシュガードおよび処理カップの昇降を
スムーズに行わせるための構成を示す断面図である。
【図４】薬液洗浄処理時の各部の位置関係を示す図解図
である。
【図５】純水リンス処理時の各部の位置関係を示す図解
図である。
【図６】ウエハ搬入／搬出時における各部の位置関係を
示す図解図である。
【図７】上記基板処理装置の電気的構成を示すブロック
図である。
【図８】この発明の他の実施形態の構成を説明するため
の断面図である。
【図９】この発明のさらに他の実施形態の構成を説明す
るための断面図である。
【図１０】従来の基板処理装置の構成を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ ノズル ５１ スピンチャック ５４ 処理カップ ５５ スプラッシュガード ５７ 回転軸 ６２ モータ ７０ 回転駆動機構 ７１ 第１の槽 ７２ 第２の槽 ７３ 仕切部材 ８０ 処理液供給部 ８１ 上下駆動機構 ９０ 横向き凸部 ９１ 第１誘導エリア ９２ 第２誘導エリア ９３ 下向き凹部 ９５ 横向き凹部 ９６ 上向き凸部 １０１，１０２ 蛇腹 １０３，１０４ スプラッシュガードシャフト １０５，１０６ ボールブッシュ １２５ 上側可動プレート １３２，１３３，１５８，１５９ 圧縮コイルばね １４０ モータ １５１，１５２，１５３，１５５，１５６ フォトマ
イクロセンサ １６１，１６２ 蛇腹 １６３，１６４ ボールブッシュ １６５，１６６ 処理カップシャフト １６７ 下側可動プレート １６８，１６９ 当接ピン １９０ 空気流通路 １９１ 連通路 １９２ 連通路 ２００ 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 昭 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (56)参考文献 特開 平７−24396（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−88168（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−227871（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−82045（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−111960（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−20321（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/027

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板を保持した状態で回転する基板保持台
    と、 この基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液
    および第２の処理液を選択的に供給するための処理液供
    給手段と、 上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
    回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有
    し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
    る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
    の誘導部材と、 上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持台とと
    もに回転状態にある基板から飛散する上記第１の処理液
    が当たるべき第１誘導エリアと、 上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアより
    も上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
    ある基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第
    ２誘導エリアと、 上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界部に
    形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出した横
    向き凸部と、この横向き凸部から下方に垂れ下がる舌部と、 上記第１誘導エリアの上記横向き凸部の近傍の部位に設
    けられ、上方に窪み、下方に開放した下向き凹部と、 上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下
    動させるための上下駆動手段と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第１の処
    理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
    理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、 上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第２制御手段とを含むことを特徴
    とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】上記上下駆動手段を制御し、上記誘導部材
    の処理液付着部位が上記基板保持台に保持された基板よ
    りも下方に位置するように、上記誘導部材の上記基板保
    持台に対する相対的な高さを制御する第３制御手段をさ
    らに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装
    置。
  3. 【請求項３】上記第２誘導エリアに設けられ、上記基板
    保持台から離反する方向に向かって窪み、上記基板保持
    台の方向に開放した横向き凹部をさらに備えていること
    を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】上記横向き凹部の上部において上方に延び
    て形成された上向き凸部をさらに備えていることを特徴
    とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】上記第１の槽および第２の槽は、一方が他
    方を外方から取り囲むように配設されており、内側に配
    置された槽は、受け入れた処理液を廃液するための廃液
    槽であり、外方に配置された槽は、受け入れた処理液を
    再利用のために回収するための回収槽であることを特徴
    とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装
    置。
  6. 【請求項６】上記基板保持台または上記基板保持台に保
    持されたダミー基板に向けて洗浄液を供給するための洗
    浄液供給手段と、 上記洗浄液供給手段から洗浄液を供給させるとともに、
    上記基板保持台を回転させ、これにより、上記基板保持
    台またはダミー基板から飛散して上記誘導部材に当たる
    洗浄液により、この誘導部材の洗浄を行うための洗浄制
    御手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項１
    ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】基板を保持した状態で回転する基板保持台
    と、 この基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液
    および第２の処理液を選択的に供給するための処理液供
    給手段と、 上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
    回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有
    し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
    る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
    の誘導部材と、 上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持台とと
    もに回転状態にある基板から飛散する上記第１の処理液
    が当たるべき第１誘導エリアと、 上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアより
    も上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
    ある基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第
    ２誘導エリアと、 上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界部に
    形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出した横
    向き凸部と、 上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下
    動させるための上下駆動手段と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第１の処
    理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
    理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、 上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上 記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第２制御手段と、 上記誘導部材の上下動を案内するために鉛直方向に沿っ
    て配置されたガイド軸と、 このガイド軸を取り囲むように配設され、上記誘導部材
    の上下移動に伴って伸縮する蛇腹とを備えていることを
    特徴とする基板処理装置。
  8. 【請求項８】上記ガイド軸は、上記蛇腹の内部空間と上
    記蛇腹の外部空間とを連通させるための連通経路が内部
    に形成されたものであることを特徴する請求項７記載の
    基板処理装置。
  9. 【請求項９】基板を保持した状態で回転する基板保持台
    と、 この基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液
    および第２の処理液を選択的に供給するための処理液供
    給手段と、 上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
    回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有
    し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
    る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
    の誘導部材と、 上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持台とと
    もに回転状態にある基板から飛散する上記第１の処理液
    が当たるべき第１誘導エリアと、 上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアより
    も上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
    ある基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第
    ２誘導エリアと、 上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界部に
    形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出した横
    向き凸部と、 上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下
    動させるための上下駆動手段と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた 第１の処
    理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
    理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、 上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第２制御手段と、 上記第１の槽および上記第２の槽を上方に向けて付勢す
    る付勢手段と、 上記誘導部材に対して固定的に設けられた誘導部材側当
    接部と、 上記第１の槽および上記第２の槽に対して固定的に設け
    られた槽側当接部と、を備え、 上記上下駆動手段は、上記誘導部材を上下動させるもの
    であり、 上記誘導部材側当接部および上記槽側当接部は、上記誘
    導部材を所定位置まで下降させる過程で、両当接部が当
    接し、その後は、上記誘導部材の下降に伴って、上記第
    １および第２の槽も、上記付勢手段の付勢力に抗して下
    降するように配設されていることを特徴とする基板処理
    装置。
  10. 【請求項１０】基板を保持した状態で回転する基板保持
    台と、 この基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液
    および第２の処理液を選択的に供給するための処理液供
    給手段と、 上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
    回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有
    し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
    る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
    の誘導部材と、 上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持台とと
    もに回転状態にある基 板から飛散する上記第１の処理液
    が当たるべき第１誘導エリアと、 上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアより
    も上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
    ある基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第
    ２誘導エリアと、 上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界部に
    形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出した横
    向き凸部と、 上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下
    動させるための上下駆動手段と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第１の処
    理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
    理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、 上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第２制御手段とを含み、 上記誘導部材の内壁面は、不連続点の無い滑らかな曲面
    から成っていることを特徴とする基板処理装置。
  11. 【請求項１１】基板を保持した状態で回転する基板保持
    台と、 この基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液
    および第２の処理液を選択的に供給するための処理液供
    給手段と、 上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
    回転軸に対してほぼ回 転対称に形成された内壁面を有
    し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
    る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
    の誘導部材と、 上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持台とと
    もに回転状態にある基板から飛散する上記第１の処理液
    が当たるべき第１誘導エリアと、 上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアより
    も上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
    ある基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第
    ２誘導エリアと、 上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界部に
    形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出した横
    向き凸部と、 上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下
    動させるための上下駆動手段と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第１の処
    理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
    上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
    液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
    理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、 上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
    供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
    板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当
    たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
    対的な高さを制御する第２制御手段とを含み、 上記処理液供給手段は、上記基板保持台に保持された基
    板の下面の回転中心位置に向けて処理液を供給するもの
    であることを特徴とする基板処理装置。
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