JPH0743328B2 - Ｘ線による被測定物の組成分析方法 - Google Patents
Ｘ線による被測定物の組成分析方法Info
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- JPH0743328B2 JPH0743328B2 JP60008727A JP872785A JPH0743328B2 JP H0743328 B2 JPH0743328 B2 JP H0743328B2 JP 60008727 A JP60008727 A JP 60008727A JP 872785 A JP872785 A JP 872785A JP H0743328 B2 JPH0743328 B2 JP H0743328B2
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
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Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明はＸ線を利用した非破壊測定手段により非測定物
の組成を分析する方法に関する。
の組成を分析する方法に関する。
『従来の技術』 不透明な物体の組成濃度、組成分布等を放射線照射によ
り非破壊的に測定するとき、その線源としてアイソトー
プ（Ga、Zr、Co）などのγ線、あるいはＸ線を用い、放
射線照射系から出射した放射線を被測定物に照射し、そ
の透過線の強度を検出系で測定解析するようにしてい
る。
り非破壊的に測定するとき、その線源としてアイソトー
プ（Ga、Zr、Co）などのγ線、あるいはＸ線を用い、放
射線照射系から出射した放射線を被測定物に照射し、そ
の透過線の強度を検出系で測定解析するようにしてい
る。
ところで、アイソトープによる非破壊的測定法の場合、
アイソトープの入手が困難であること、その強度が弱い
かまたは強すぎること、さらに半減期が短いこと等々の
理由により工業化がむずかしいとされており、そのた
め、Ｘ線を用いる方法が普及している。
アイソトープの入手が困難であること、その強度が弱い
かまたは強すぎること、さらに半減期が短いこと等々の
理由により工業化がむずかしいとされており、そのた
め、Ｘ線を用いる方法が普及している。
Ｘ線には白色Ｘ線、短色Ｘ線があり、例えば被測定物が
２つの元素からなる場合、通常、Ｘ線照射系と被測定物
とを相対移動させるスキャンニングにより白色Ｘ線また
は単色Ｘ線を被測定物に照射し、２以上の特定波長また
はエネルギに関する透過線強度をその検出系により求め
た後、その測定データをもとにした多層分割法、アーベ
ル変換法等の計算法により被測定物の組成分布を求めて
いる。
２つの元素からなる場合、通常、Ｘ線照射系と被測定物
とを相対移動させるスキャンニングにより白色Ｘ線また
は単色Ｘ線を被測定物に照射し、２以上の特定波長また
はエネルギに関する透過線強度をその検出系により求め
た後、その測定データをもとにした多層分割法、アーベ
ル変換法等の計算法により被測定物の組成分布を求めて
いる。
この際、Ｘ線源の電圧は60kv以上、その強度はＸ線源の
電流換算値で10mA以上がよいとされており、この電流値
が低いとＸ線量が小さくなり、測定に時間がかかる。
電流換算値で10mA以上がよいとされており、この電流値
が低いとＸ線量が小さくなり、測定に時間がかかる。
一般に、透過線の強度は、数10秒程度の時間で測定する
のがよく、時間が長いほど測定制度が高まるとされてい
る。
のがよく、時間が長いほど測定制度が高まるとされてい
る。
また、振動数νの波のエネルギＥは Ｅ＝ｈν［Ｊ］（h:プランクの定数） …… で表され、電子の加速電圧をＶ（KV）とすると、そのエ
ネルギＥは、 Ｅ＝eV×103［Ｊ］ …… で表せる。
ネルギＥは、 Ｅ＝eV×103［Ｊ］ …… で表せる。
ν＝C/λ（Ｃ＝光速）であるから、 λ＝（hC/eV）×103と表わされ、 この式にｈ＝6.6262×10-34（J.S） Ｃ＝2.998×108（m/S） ｅ＝1.6022×10-19（Ｃ） を代入すると、 λ＝12.4/Vオングストローム …… となる。
また第２図に示すように、格子定数ｄの結晶体に波長λ
の光を入射すると、 sin（θ）＝λ/2dの関係を満たすときにブラッグ条件又
はラウエ条件が成立する。ここで、θは結晶体の結晶面
と入射波とのなす角及び結晶体の結晶面と反射波とのな
す角を表す。この条件を満たさないＸ線は結晶体中を透
過する。
の光を入射すると、 sin（θ）＝λ/2dの関係を満たすときにブラッグ条件又
はラウエ条件が成立する。ここで、θは結晶体の結晶面
と入射波とのなす角及び結晶体の結晶面と反射波とのな
す角を表す。この条件を満たさないＸ線は結晶体中を透
過する。
従って、例えば、シリコン性結晶体の結晶面（111）に
特定Ｘ線λを入射すると、上記面の格子定数は、3.135
×10-10mであるから、を用いるとsin（θ）＝1.978/V
…… で表され、 この時、Ｖが120KVのときθ＝0.94度 60KVのときθ＝1.89度 157KVのときθ＝0.722度 136KVのときθ＝0.833度 …… の関係がそれぞれ成立する。
特定Ｘ線λを入射すると、上記面の格子定数は、3.135
×10-10mであるから、を用いるとsin（θ）＝1.978/V
…… で表され、 この時、Ｖが120KVのときθ＝0.94度 60KVのときθ＝1.89度 157KVのときθ＝0.722度 136KVのときθ＝0.833度 …… の関係がそれぞれ成立する。
従って、入力波を結晶体に当ててブラッグ条件又はラウ
エ条件によって回折させると、その回折光（単色Ｘ線）
は最初の入射光に対し、液晶体１個当たり２θの回転が
与えられる。
エ条件によって回折させると、その回折光（単色Ｘ線）
は最初の入射光に対し、液晶体１個当たり２θの回転が
与えられる。
『発明が解決しようとする問題点』 上述したＸ線を用いる方法においてＸ線による走査を行
なうとき、Ｘ線源を移動させるか、あるいは被測定物を
移動させることとなるが、Ｘ線源を移動させる場合は移
動設備が大がかりとなり、Ｘ線源の不安定要因にもな
る。
なうとき、Ｘ線源を移動させるか、あるいは被測定物を
移動させることとなるが、Ｘ線源を移動させる場合は移
動設備が大がかりとなり、Ｘ線源の不安定要因にもな
る。
これに対処すべく被測定物を移動させる場合、回析手段
により白色Ｘ線から２種以上の単色Ｘ線を取り出し、こ
れを被測定物へ照射することが考えられるが、この場合
も各単色Ｘ線の光軸が一致していないことにより測定時
間が長くかかり、被測定物移動距離と光軸間が整数倍で
一致しないことにより測定誤差が生じやすい。
により白色Ｘ線から２種以上の単色Ｘ線を取り出し、こ
れを被測定物へ照射することが考えられるが、この場合
も各単色Ｘ線の光軸が一致していないことにより測定時
間が長くかかり、被測定物移動距離と光軸間が整数倍で
一致しないことにより測定誤差が生じやすい。
本発明は上記の問題点に鑑み、単色Ｘ線を用いる被測定
物の組成分析方法において、高精度かつ短時間で所望の
分析が行なえる方法を提供しようとするものである。
物の組成分析方法において、高精度かつ短時間で所望の
分析が行なえる方法を提供しようとするものである。
『問題点を解決するための手段』 本発明は、上記目的を達成するため、Ｘ線発生装置から
出射した白色Ｘ線を単結晶による回折を生じさせて特定
の単色Ｘ線を取り出すとともに、この特定単色Ｘ線の出
射軸上に他の単結晶を配置し、この他の単結晶によっ
て、Ｘ線発生装置から出射した白色Ｘ線中の前記特定単
色Ｘ線と異なる単色Ｘ線を、前記特定単色Ｘ線と同方向
に回折させ、更に前記特定単色Ｘ線は前記他の単結晶を
通過させて、出射軸を同じくして両単色Ｘ線を他の単結
晶から出力させ、このようにして軸が一致した単色Ｘ線
群を被測定物に照射させ、その透過線をＸ線検出装置で
測定解析することにより被測定物中の組成を分析するこ
とを特徴とするＸ線による被測定物の組成分析方法であ
る。
出射した白色Ｘ線を単結晶による回折を生じさせて特定
の単色Ｘ線を取り出すとともに、この特定単色Ｘ線の出
射軸上に他の単結晶を配置し、この他の単結晶によっ
て、Ｘ線発生装置から出射した白色Ｘ線中の前記特定単
色Ｘ線と異なる単色Ｘ線を、前記特定単色Ｘ線と同方向
に回折させ、更に前記特定単色Ｘ線は前記他の単結晶を
通過させて、出射軸を同じくして両単色Ｘ線を他の単結
晶から出力させ、このようにして軸が一致した単色Ｘ線
群を被測定物に照射させ、その透過線をＸ線検出装置で
測定解析することにより被測定物中の組成を分析するこ
とを特徴とするＸ線による被測定物の組成分析方法であ
る。
『作用』 本発明方法の場合、Ｘ線発生装置、Ｘ線検出装置等を介
して所望被測定物の組成を分析するが、この際の白色Ｘ
線照射時、その白色Ｘ線を複数の単結晶に当てて複数の
単色Ｘ線を取り出すだけでなく、これら単色Ｘ線の光軸
を互いに一致させた後、当該単色Ｘ線をこれと直交する
方向へ移動する被測定物に照射し、その透過線を検出す
る。
して所望被測定物の組成を分析するが、この際の白色Ｘ
線照射時、その白色Ｘ線を複数の単結晶に当てて複数の
単色Ｘ線を取り出すだけでなく、これら単色Ｘ線の光軸
を互いに一致させた後、当該単色Ｘ線をこれと直交する
方向へ移動する被測定物に照射し、その透過線を検出す
る。
こうして被測定物の組成を非破壊的に分析するとき、単
色Ｘ線を照射するから非測定物への照射Ｘ線量が少な
く、被測定物の劣化が抑制されるとともに、単色Ｘ線の
みを検出するから測定ノイズの少ない高精度の分析が行
なえる。
色Ｘ線を照射するから非測定物への照射Ｘ線量が少な
く、被測定物の劣化が抑制されるとともに、単色Ｘ線の
みを検出するから測定ノイズの少ない高精度の分析が行
なえる。
しかも各単色Ｘ線の光軸を互いに一致させるから測定デ
ータの解析が容易となり、測定時間も短縮され、かつ、
高エネルギの単色Ｘ線を用いて非破壊測定を行なうので
実用性も高い。
ータの解析が容易となり、測定時間も短縮され、かつ、
高エネルギの単色Ｘ線を用いて非破壊測定を行なうので
実用性も高い。
『実 施 例』 以下本発明方法の実施例につき、第１図を参照して説明
する。
する。
第１図において、１は白色Ｘ線を出射する線源２とその
白色Ｘ線を絞りこむコリメータ３、４とを備えたＸ線発
生装置であり、このＸ線発生装置１はコリメータ３を含
むＸ線出射系Ａとコリメータ４を含むＸ線出射系Ｂとの
２系統に分れている。
白色Ｘ線を絞りこむコリメータ３、４とを備えたＸ線発
生装置であり、このＸ線発生装置１はコリメータ３を含
むＸ線出射系Ａとコリメータ４を含むＸ線出射系Ｂとの
２系統に分れている。
上記Ｘ線出射系Ａには、ブラッグ条件を満たす単色Ｘ線
が取り出せる単結晶５、６が配置され、上記Ｘ線出射系
Ｂには、ラウエ条件を満たす単色Ｘ線が取り出せる単結
晶７が配置されているとともに、両単色Ｘ線は単結晶７
以降においてこれらの光軸が互いに一致するようになっ
ている。
が取り出せる単結晶５、６が配置され、上記Ｘ線出射系
Ｂには、ラウエ条件を満たす単色Ｘ線が取り出せる単結
晶７が配置されているとともに、両単色Ｘ線は単結晶７
以降においてこれらの光軸が互いに一致するようになっ
ている。
８はＸ線検出装置であり、この検出装置８は例えば半導
体（Ge系）からなるＸ線検出器であり、図示しないマル
チチャンネル型波高分析器、電子計算機などと接続され
ている。
体（Ge系）からなるＸ線検出器であり、図示しないマル
チチャンネル型波高分析器、電子計算機などと接続され
ている。
９は不透明な被測定物であり、かかる被測定物９の１例
として、酸化ケイ素と酸化ゲルマニウムとからなる光フ
ァイバ用の多孔質母材をあげることができ、通常、当該
被測定物９はステップ駆動式のモータを備えた走査機構
（図示せず）によりＸ線照射方向と直交する方向へ走査
されるようになっている。
として、酸化ケイ素と酸化ゲルマニウムとからなる光フ
ァイバ用の多孔質母材をあげることができ、通常、当該
被測定物９はステップ駆動式のモータを備えた走査機構
（図示せず）によりＸ線照射方向と直交する方向へ走査
されるようになっている。
本発明方法では単結晶７と放射線検出装置８との間に被
測定物９を置いて所定の測定分析を実施するが、この
際、Ｘ線発生装置１の線源２から所定の放射角で出射さ
れた白色Ｘ線をコリメータ3,4で絞り、Ｘ線出射系Ａ側
のものは単結晶５、６による２回の回折によりブラッグ
条件を満たす単色Ｘ線L1として取り出し、Ｘ線出射系Ｂ
側のものは単結晶７にて回折することによりラウエ条件
を満たす単色Ｘ線L2として取り出す。
測定物９を置いて所定の測定分析を実施するが、この
際、Ｘ線発生装置１の線源２から所定の放射角で出射さ
れた白色Ｘ線をコリメータ3,4で絞り、Ｘ線出射系Ａ側
のものは単結晶５、６による２回の回折によりブラッグ
条件を満たす単色Ｘ線L1として取り出し、Ｘ線出射系Ｂ
側のものは単結晶７にて回折することによりラウエ条件
を満たす単色Ｘ線L2として取り出す。
ここで、単結晶５、６のブラッグ条件をシリコンの（11
1）面を用いて反射させ、また単結晶７のラウエ条件を
同じくシリコンの（111）面を用いて回折させる場合、
コリメータ３、４のなす角を1.0度に設定し、それぞれ
の単結晶５、６、７の設定位置を所定に設定することに
より、前記の関係から、単結晶７の出射側から157Kev
及び120Kevとする両エネルギの単色Ｘ線L1・L2を、軸を
一致させて出射させることができる。
1）面を用いて反射させ、また単結晶７のラウエ条件を
同じくシリコンの（111）面を用いて回折させる場合、
コリメータ３、４のなす角を1.0度に設定し、それぞれ
の単結晶５、６、７の設定位置を所定に設定することに
より、前記の関係から、単結晶７の出射側から157Kev
及び120Kevとする両エネルギの単色Ｘ線L1・L2を、軸を
一致させて出射させることができる。
即ち、コリメータ３を通過した単色Ｘ線L1（157Kev）の
みが単結晶５及び６でそれぞれ0.722×２度ずつ（合計
0.722×４＝2.88度）回折・回転して、単結晶７に導か
れ単結晶７を透過する。他方、コリメータ４を通過した
白色Ｘ線の内、単色Ｘ線L2（120Kev）のみが単結晶７で
1.88度回転して回折し、単結晶７の出射面から出射す
る。両単色Ｘ線L1・L2はそれぞれ線源２を出射するとき
に角度が１度異なっているから、両単色Ｘ線L1・L2は単
結晶７の出射面から軸を一致して出力される。
みが単結晶５及び６でそれぞれ0.722×２度ずつ（合計
0.722×４＝2.88度）回折・回転して、単結晶７に導か
れ単結晶７を透過する。他方、コリメータ４を通過した
白色Ｘ線の内、単色Ｘ線L2（120Kev）のみが単結晶７で
1.88度回転して回折し、単結晶７の出射面から出射す
る。両単色Ｘ線L1・L2はそれぞれ線源２を出射するとき
に角度が１度異なっているから、両単色Ｘ線L1・L2は単
結晶７の出射面から軸を一致して出力される。
また、単色Ｘ線L1を３個の単結晶で回折させる場合は、
上記線源２から出射する単色Ｘ線L1・L2のなす角を1.2
度にすることにより、単色Ｘ線L1（136Kev）と単色Ｘ線
L2（60Kev）とを単結晶７の出射面から軸を一致させて
出力させることができる。さらに単色Ｘ線L1を１個の単
結晶で回折させる場合は、上記線源２から出射する単色
Ｘ線L1・L2のなす角を2.0度にすることにより、単色Ｘ
線L1（60Kev）と単色Ｘ線L2（127Kev）とを単結晶７の
出射面から軸を一致させて出力させることができる。
上記線源２から出射する単色Ｘ線L1・L2のなす角を1.2
度にすることにより、単色Ｘ線L1（136Kev）と単色Ｘ線
L2（60Kev）とを単結晶７の出射面から軸を一致させて
出力させることができる。さらに単色Ｘ線L1を１個の単
結晶で回折させる場合は、上記線源２から出射する単色
Ｘ線L1・L2のなす角を2.0度にすることにより、単色Ｘ
線L1（60Kev）と単色Ｘ線L2（127Kev）とを単結晶７の
出射面から軸を一致させて出力させることができる。
そしてこれら単色Ｘ線L1、L2を被測定物９へ照射する
が、この際、その被測定物９を図示の矢印方向へステッ
プ移動させるとともに、当該被測定物９を透過した後の
各単色Ｘ線すなわち各透過線エネルギをＸ線検出装置８
のＸ線検出器にて測定し、その測定データをマルチチャ
ンネル型波高分析器にて分析し、電子計算機にて解読す
る。
が、この際、その被測定物９を図示の矢印方向へステッ
プ移動させるとともに、当該被測定物９を透過した後の
各単色Ｘ線すなわち各透過線エネルギをＸ線検出装置８
のＸ線検出器にて測定し、その測定データをマルチチャ
ンネル型波高分析器にて分析し、電子計算機にて解読す
る。
ここで、被測定物９がVAD法により得られた前記多孔質
母材であるとき、該多孔質母材が透明ガラス化される
前、その屈折率分布を本発明方法により測定し、該母材
の透明ガラス化後、再度その屈折率分布を測定し、さら
に整直化後にも測定するなど、これらの手段を講じるこ
とにより各工程での屈折率分布の影響が検査できる。
母材であるとき、該多孔質母材が透明ガラス化される
前、その屈折率分布を本発明方法により測定し、該母材
の透明ガラス化後、再度その屈折率分布を測定し、さら
に整直化後にも測定するなど、これらの手段を講じるこ
とにより各工程での屈折率分布の影響が検査できる。
なお、被測定物９を直径80mm、長さ500mmの前記多孔質
母材とした場合、各仕様はつぎのようになる。
母材とした場合、各仕様はつぎのようになる。
Ｘ線検出装置：白色Ｘ線源（350kv,25mA）、ターゲット
はＷ製、放射角＝40度。
はＷ製、放射角＝40度。
コリメータ：鉛製にて白色Ｘ線を二分岐。
Ｘ線検出装置：直径１インチのGe半導体検出器を使用、
アーベル変換法によりSi、Geの元素分布を測定。
アーベル変換法によりSi、Geの元素分布を測定。
被測定物の移動：ステッピングモータにより0.8mmごと
の周期的移動、一断面の測定後、10cm移動して他の一一
断面を測定。
の周期的移動、一断面の測定後、10cm移動して他の一一
断面を測定。
『発明の効果』 以上説明した通り、本発明方法によるときは、被測定物
への照射Ｘ線量が少ないことによる被測定物劣化の抑
制、単色Ｘ線のみを検出することによる高精度の分析、
各単色Ｘ線の光軸を互いに一致させたことによる測定デ
ータの解析易度と測定時間の短縮化、かつ、高エネルギ
の単色Ｘ線を用いることによる非破壊測定の実用性な
ど、各種の効果が得られる。
への照射Ｘ線量が少ないことによる被測定物劣化の抑
制、単色Ｘ線のみを検出することによる高精度の分析、
各単色Ｘ線の光軸を互いに一致させたことによる測定デ
ータの解析易度と測定時間の短縮化、かつ、高エネルギ
の単色Ｘ線を用いることによる非破壊測定の実用性な
ど、各種の効果が得られる。
第１図は本発明方法の１実施例を略示した説明図、第２
図はプラッグ条件及びラウエ条件を満足したするときの
入射波と反射波との関係を示す説明図である。 １……Ｘ線発生装置 ２……線源 ３、４……コリメータ ５、６、７……単結晶 ８……Ｘ線検出装置 ９……被測定物 Ａ、Ｂ……Ｘ線照射系 L1、L2……単色Ｘ線
図はプラッグ条件及びラウエ条件を満足したするときの
入射波と反射波との関係を示す説明図である。 １……Ｘ線発生装置 ２……線源 ３、４……コリメータ ５、６、７……単結晶 ８……Ｘ線検出装置 ９……被測定物 Ａ、Ｂ……Ｘ線照射系 L1、L2……単色Ｘ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−22925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−249040（ＪＰ，Ａ) 1979年東京大学出版会発行「Ｘ線回折技 術」第83頁図６・14および同第84頁図６・ 15
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線発生装置から出射した白色Ｘ線を単結
晶による回折を生じさせて特定の単色Ｘ線を取り出すと
ともに、この特定単色Ｘ線の出射軸上に他の単結晶を配
置し、この他の単結晶によって、Ｘ線発生装置から出射
した白色Ｘ線中の前記特定単色Ｘ線と異なる単色Ｘ線
を、前記特定単色Ｘ線と同方向に回折させ、更に前記特
定単色Ｘ線は前記他の単結晶を通過させて、出射軸を同
じくして両単色Ｘ線を他の単結晶から出力させ、このよ
うにして軸が一致した単色Ｘ線群を被測定物に照射さ
せ、その透過線をＸ線検出装置で測定解析することによ
り被測定物中の組成を分析することを特徴とするＸ線に
よる被測定物の組成分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60008727A JPH0743328B2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | Ｘ線による被測定物の組成分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60008727A JPH0743328B2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | Ｘ線による被測定物の組成分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167847A JPS61167847A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0743328B2 true JPH0743328B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=11700978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60008727A Expired - Lifetime JPH0743328B2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | Ｘ線による被測定物の組成分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743328B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002228603A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シート状体の分析方法およびそれを用いたシート状体の製造方法、ならびにシート状体の製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5622925A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Analytic measurement method for base material for optical fiber |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP60008727A patent/JPH0743328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９７９年東京大学出版会発行「Ｘ線回折技術」第８３頁図６・１４および同第８４頁図６・１５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61167847A (ja) | 1986-07-29 |
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