JPS61167846A - X線による被測定物の組成分析方法 - Google Patents
X線による被測定物の組成分析方法Info
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- JPS61167846A JPS61167846A JP60008726A JP872685A JPS61167846A JP S61167846 A JPS61167846 A JP S61167846A JP 60008726 A JP60008726 A JP 60008726A JP 872685 A JP872685 A JP 872685A JP S61167846 A JPS61167846 A JP S61167846A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
f産業上の利用分野1
本発明はX線を利用した非破壊測定手段により被測定物
の組成を分析する方法に関する。
の組成を分析する方法に関する。
r従来の技術」
不透明な物体の組成濃度1組成分布等を放射線照射によ
り非破壊的に測定するとき、その線源としてアイソトー
プ(Ga、 Zr、 Go)などのγ線、あるいはX線
を用い、放射線照射系から出射した放射線を被測定物に
照射し、その透過線の強度を検出系で測定解析するよう
にしている。
り非破壊的に測定するとき、その線源としてアイソトー
プ(Ga、 Zr、 Go)などのγ線、あるいはX線
を用い、放射線照射系から出射した放射線を被測定物に
照射し、その透過線の強度を検出系で測定解析するよう
にしている。
ところで、アイソトープによる非破壊的測定法の場合、
アイソトープの人手が困難であること、その強度が弱い
かまたは強すぎること、さらに半減期が短いこと等々の
理由により工業化がむずかしいとされており、そのため
、X線を用いる方法が普及している。
アイソトープの人手が困難であること、その強度が弱い
かまたは強すぎること、さらに半減期が短いこと等々の
理由により工業化がむずかしいとされており、そのため
、X線を用いる方法が普及している。
X線には白色X線、単色X線があり、例えば被測定物が
2つの元素からなる場合、通常、X1m照射系と被測定
物とを相対移動させるスキャンニングにより白色X線ま
たは単色X線を被測定物に照射し、2以上の特定波長ま
たはエネルギに関する透過線強度をその検出系により求
めた後、その測定データをもとにした多層分割法、アー
ベル変換 ′法等の計算法により被測定物の組成分布を
求めている。
2つの元素からなる場合、通常、X1m照射系と被測定
物とを相対移動させるスキャンニングにより白色X線ま
たは単色X線を被測定物に照射し、2以上の特定波長ま
たはエネルギに関する透過線強度をその検出系により求
めた後、その測定データをもとにした多層分割法、アー
ベル変換 ′法等の計算法により被測定物の組成分布を
求めている。
この際、X線源の電圧は80にマ以上、その強度はX線
源の電流換算値で1(is^以上がよいとされており、
この電流値が低いとX線量が小さくなり、測定に時間が
かかる。
源の電流換算値で1(is^以上がよいとされており、
この電流値が低いとX線量が小さくなり、測定に時間が
かかる。
X線の波長入(オンゲス)C7−ム)は、X線源にかけ
る管電圧にマをVとしたとき、入= 12.4/Vであ
る。
る管電圧にマをVとしたとき、入= 12.4/Vであ
る。
透過線の強度は、数10秒程度の時間で測定するのがよ
く、時間が長いほど測定精度が高まるとされている。
く、時間が長いほど測定精度が高まるとされている。
I発明が解決しようとする問題点1
上述した放射線を用いる分析方法の場合、X線(γ線も
同じ)を被測定物に照射すると、その被測定物の材料劣
化が生じる。
同じ)を被測定物に照射すると、その被測定物の材料劣
化が生じる。
したがって被測定物に単色X線のみを照射すればよいが
、単色X線は下表のように、エネルギ70keV以下の
ものが多く、被測定物を透過するための十分なエネルギ
を有していない。
、単色X線は下表のように、エネルギ70keV以下の
ものが多く、被測定物を透過するための十分なエネルギ
を有していない。
例えば2種以上の組成からなる被測定物を測定 ゛
する場合、所望の測定分析に時間がかかりすぎ、工業的
にみた実用性がなくなる。
する場合、所望の測定分析に時間がかかりすぎ、工業的
にみた実用性がなくなる。
本発明は上記の問題点に鑑み、高エネルギの単色X線を
用いる被測定物の組成分析手段により、被測定物の劣化
を阻止しながら高精度かつ短時間で所望の分析が行なえ
る方法を提供しようとするものである。
用いる被測定物の組成分析手段により、被測定物の劣化
を阻止しながら高精度かつ短時間で所望の分析が行なえ
る方法を提供しようとするものである。
r問題点を解決するための手段」
本発明に係る被測定物の組成分析方法は、X線発生器か
ら出射した白色X線を、複数(2以上の任意!lりの単
結晶に当てて複数(2種以上の任意数)の単色X線を取
り出すとともに、これら単色X線をそれぞれ被測定物に
照射し、その透過線をX線検出装置で測定解析すること
により被測定物中の組成を分析することを特徴としてい
る。
ら出射した白色X線を、複数(2以上の任意!lりの単
結晶に当てて複数(2種以上の任意数)の単色X線を取
り出すとともに、これら単色X線をそれぞれ被測定物に
照射し、その透過線をX線検出装置で測定解析すること
により被測定物中の組成を分析することを特徴としてい
る。
7作用」
本発明方法の場合、X線発生器、X線検出装置等を介し
て所望被測定物の組成を分析するが、この際の白色X線
照射時、その白色X線を複数の単結晶に当てて複数の単
色X線を取り出し、これら単色X線を被測定物に照射し
、その透過線を検出する。
て所望被測定物の組成を分析するが、この際の白色X線
照射時、その白色X線を複数の単結晶に当てて複数の単
色X線を取り出し、これら単色X線を被測定物に照射し
、その透過線を検出する。
こうして被測定物の組成を非破壊的に分析するとき、単
色X線を照射するから被測定物への照射X線量が少なく
、被測定物の劣化が抑制される。
色X線を照射するから被測定物への照射X線量が少なく
、被測定物の劣化が抑制される。
しかも、単結晶に当てて取り出した各単色X線には検出
精度の低下原因となるパルス広がりや測定時間消費を多
くする低エネルギ傾向がなく、シたがって高精度の分析
が短時間で行なえる。
精度の低下原因となるパルス広がりや測定時間消費を多
くする低エネルギ傾向がなく、シたがって高精度の分析
が短時間で行なえる。
ζ実 施 例j
以下本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明す
る。
る。
第1図、第2図において、1はX線発生器、2はX線検
出装置である。
出装置である。
X線発生器lは白色X線を出射するための線源を有し、
X線検出装置2は例えば半導体(Ge系)からなるX線
検出器に、マルチチャンネル型波高分析器、電子計算機
などを接続している。
X線検出装置2は例えば半導体(Ge系)からなるX線
検出器に、マルチチャンネル型波高分析器、電子計算機
などを接続している。
第1図、第2図において、X線発生器l側には直列状態
でコリメータ3,4が配置され、X線検出装置2側には
並列状態でコリメータ5,8が配置されている。
でコリメータ3,4が配置され、X線検出装置2側には
並列状態でコリメータ5,8が配置されている。
上記第1図、第2図のうち、第1図に示したものはコリ
メータ4の先方に隣接して単結晶7が配置されていると
ともに、該単結晶7の先方には前側の単結晶8と後側の
単結晶9が配置され、さらにコリメータ10が前側単結
晶8との並列間隔をおいて配置されている。
メータ4の先方に隣接して単結晶7が配置されていると
ともに、該単結晶7の先方には前側の単結晶8と後側の
単結晶9が配置され、さらにコリメータ10が前側単結
晶8との並列間隔をおいて配置されている。
一方、第2図のものでは単結晶7と単結晶8とが前記所
定の位置に配置されている。
定の位置に配置されている。
単結晶7は、ラウェ条件を満たす回折により所定の単色
X線が取り出せるようになっており、単結晶8.3はブ
ラッグ条件を満たす回折により所定の単色X線が取り出
せるようになっている。
X線が取り出せるようになっており、単結晶8.3はブ
ラッグ条件を満たす回折により所定の単色X線が取り出
せるようになっている。
11は前述したxwA照射系の介在スペース12に配置
される不透明な被測定物であり、かかる被測定物11の
1例として、酸化ケイ素と酸化ゲルマニウムとからなる
光フアイバ用の多孔質母材をあげることができ、通常、
当該被測定物11はステップ駆動式のモータを備えた走
査機構(図示せず)によりX線照射方向と交差する方向
へ走査されるようになっている。
される不透明な被測定物であり、かかる被測定物11の
1例として、酸化ケイ素と酸化ゲルマニウムとからなる
光フアイバ用の多孔質母材をあげることができ、通常、
当該被測定物11はステップ駆動式のモータを備えた走
査機構(図示せず)によりX線照射方向と交差する方向
へ走査されるようになっている。
本発明方法では介在スペース12内に被測定物11を置
いて所定の測定分析を実施するとき、X線発生器1から
出射された白色X線をコリメータ3゜4で絞り、これを
単結晶7に当ててその一部を前記ラウェ条件で回折させ
る。
いて所定の測定分析を実施するとき、X線発生器1から
出射された白色X線をコリメータ3゜4で絞り、これを
単結晶7に当ててその一部を前記ラウェ条件で回折させ
る。
この際の回折は低エネルギのものに生じ、高エネルギ成
分はすべて単結晶7を透過する。
分はすべて単結晶7を透過する。
その後、高エネルギ成分は単結晶8,8 (第1図)に
より、または単結晶8 (第2図)により前記ブラッグ
条件で回折される。
より、または単結晶8 (第2図)により前記ブラッグ
条件で回折される。
ブラッグ条件を満たす回折はつぎのブラッグ式%式%
式中、入は前述したん= 12.4/V、θは単結晶に
は結晶間隔(Siの場合、 3.135 A )である
。
は結晶間隔(Siの場合、 3.135 A )である
。
上記式ではn=1を考えれば十分であり、θを調整する
ことにより任意エネルギ成分のものを一方向へ取り出す
ことができる。
ことにより任意エネルギ成分のものを一方向へ取り出す
ことができる。
かくして得られた中色X線El、 !2を被測定物!!
へ照射するが、この際、被測定物11を図示の矢印方向
へステップ移動させるとともに、当該被測定物11を透
過した後の各単色X線、すなわち各透過線のエネルギを
それぞれコリメータ5.8に通してX線検出装置のX線
検出器により測定し、その測定データをマルチチャンネ
ル型波高分析器にて分析するとともに、多層分割法で演
算する電子計算機にて解読する。
へ照射するが、この際、被測定物11を図示の矢印方向
へステップ移動させるとともに、当該被測定物11を透
過した後の各単色X線、すなわち各透過線のエネルギを
それぞれコリメータ5.8に通してX線検出装置のX線
検出器により測定し、その測定データをマルチチャンネ
ル型波高分析器にて分析するとともに、多層分割法で演
算する電子計算機にて解読する。
なお、被測定物11を直径100■腸、長さ6oo−■
の前記多孔質母材とし、第1図の実施例によりその母材
の組成を分析するとき、各仕様はつぎのようになる。
の前記多孔質母材とし、第1図の実施例によりその母材
の組成を分析するとき、各仕様はつぎのようになる。
X線発生器としては管電圧320kV 、 25mAの
白色X線源が用いられ、そのターゲットとして一部のも
のが用いられる。
白色X線源が用いられ、そのターゲットとして一部のも
のが用いられる。
各コリメータは鉛製であり、そのスリット幅が0、B1
層に設定される。
層に設定される。
X線検出器としてはGe系の半導体検出器が用いられる
。
。
単結晶としては厚さ1層層のシリコンが使用される。
各単結晶に当てて単色X@El、E2を取り出すとき、
El側ヲ100kV 、 E2側を200kV トt、
、E2は前記の通り2度回折させる。
El側ヲ100kV 、 E2側を200kV トt、
、E2は前記の通り2度回折させる。
こうして得られた単色X線E1、E2は互いに平行する
ようになり、被測定物はこれら単色X線El。
ようになり、被測定物はこれら単色X線El。
E2と直行する方向へ移動させる。
この際の被測定物はステッピングモータを介した駆動装
置によりlステップ量0.2層lとして周期的に移動さ
せる。
置によりlステップ量0.2層lとして周期的に移動さ
せる。
第2図の実施例でも上記とほぼ同様にして多孔質母材の
組成測定を行ない得るが、単色X線El。
組成測定を行ない得るが、単色X線El。
E2が平行となる第1図の方がその測定データに基づく
演算処理(電子計算機処理)が容易である。
演算処理(電子計算機処理)が容易である。
1発明の効果j
以上説明した通り1本発明方法によるときは、被測定物
への照射X線量が少ないことにより被測定物の劣化が抑
制でき、しかもパルス広がりの影響がない単色X線を検
出するので高精度の分析が行なえ、かつ、その透過線エ
ネルギが大きいから測定時間の短縮化もはかれる。
への照射X線量が少ないことにより被測定物の劣化が抑
制でき、しかもパルス広がりの影響がない単色X線を検
出するので高精度の分析が行なえ、かつ、その透過線エ
ネルギが大きいから測定時間の短縮化もはかれる。
第1図、第2図は本発明方法の各実施例を略示した説明
図である。
図である。
Claims (3)
- (1)X線発生器から出射した白色X線を、複数の単結
晶に当てて複数の単色X線を取り出すとともにこれら単
色X線をそれぞれ被測定物に照射し、その透過線をX線
検出装置で測定解析することにより被測定物中の組成を
分析することを特徴とするX線による被測定物の組成分
析方法。 - (2)各単色X線を互いに平行させて被測定物に照射す
る特許請求の範囲第1項記載のX線による被測定物の組
成分析方法。 - (3)単色X線と交差する方向に被測定物を移動させる
特許請求の範囲第1項または第2項に記載のX線による
被測定物の組成分析方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60008726A JPS61167846A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | X線による被測定物の組成分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60008726A JPS61167846A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | X線による被測定物の組成分析方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61167846A true JPS61167846A (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=11700954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60008726A Pending JPS61167846A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | X線による被測定物の組成分析方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61167846A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156700A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Nikon Corp | 短波長光学系コリメート装置 |
DE102004001790A1 (de) * | 2004-01-12 | 2005-08-04 | Commodas Daten- Und Systemtechnik Nach Mass Gmbh | Vorrichtung zur Trennung von Schüttgütern |
WO2014041675A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社日立製作所 | X線撮像装置及びx線撮像方法 |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP60008726A patent/JPS61167846A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156700A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Nikon Corp | 短波長光学系コリメート装置 |
DE102004001790A1 (de) * | 2004-01-12 | 2005-08-04 | Commodas Daten- Und Systemtechnik Nach Mass Gmbh | Vorrichtung zur Trennung von Schüttgütern |
WO2014041675A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社日立製作所 | X線撮像装置及びx線撮像方法 |
JPWO2014041675A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-08-12 | 株式会社日立製作所 | X線撮像装置及びx線撮像方法 |
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