JP2599360B2 - X線による被測定物の非破壊測定方法 - Google Patents
X線による被測定物の非破壊測定方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明はX線を利用した非破壊測定手段により被測定
物の組成又は厚さを分析、測定する方法に関する。
物の組成又は厚さを分析、測定する方法に関する。
『従来の技術』 不透明な物体の組成濃度、組成分布、厚さ等を放射線
照射により非破壊的に測定するとき、その線源としてア
イソトープ(Ga、Ir、Co)などのγ線、あるいはX線を
用い、放射線照射系から出射した放射線を被測定物に照
射し、その透過線の強度を検出系で測定解析している
が、アイソトープによる非破壊的測定法の場合、アイソ
トープの入手が困難であること、その強度が弱いかまた
は強すぎること、さらに半減期が短いこと等の理由によ
り工業化がむずかしいとされており、そのため白色X線
を用いる方法が普及している。
照射により非破壊的に測定するとき、その線源としてア
イソトープ(Ga、Ir、Co)などのγ線、あるいはX線を
用い、放射線照射系から出射した放射線を被測定物に照
射し、その透過線の強度を検出系で測定解析している
が、アイソトープによる非破壊的測定法の場合、アイソ
トープの入手が困難であること、その強度が弱いかまた
は強すぎること、さらに半減期が短いこと等の理由によ
り工業化がむずかしいとされており、そのため白色X線
を用いる方法が普及している。
この際のX線源としては、W(タングステン)をター
ゲットとするものがよく用いられる。
ゲットとするものがよく用いられる。
一般に、二つの構成元素からなる軸対称の被測定物に
ついてこれの組成分析を行なうとき、前記X線源から取
り出した二つの単色X線を被測定物に照射してその透過
X線を測定し、かかる測定データをもとにした多層分割
法、アーベル変換法等の計算法により、被測定物の一断
面における組成分布を求めている。
ついてこれの組成分析を行なうとき、前記X線源から取
り出した二つの単色X線を被測定物に照射してその透過
X線を測定し、かかる測定データをもとにした多層分割
法、アーベル変換法等の計算法により、被測定物の一断
面における組成分布を求めている。
なお、上記X線は被測定物を透過することにより減衰
するのであり、すなわち、一定波長のX線が厚さt、質
量吸収係数μ(cm-1)の物質を透過したとき、そのX線
強度はI0からIに変る。
するのであり、すなわち、一定波長のX線が厚さt、質
量吸収係数μ(cm-1)の物質を透過したとき、そのX線
強度はI0からIに変る。
このときの透過X線量Iは、次式のように表わすこと
ができる。
ができる。
I=I0e−μt …(eq1) また、X線量(強度)Iは、波長λと時間Tの関数で
あるため、I(λ,T)と表わすことができる。
あるため、I(λ,T)と表わすことができる。
『発明が解決しようとする問題点』 ところで、上述した(eq1)におけるI0は、前記測定
時安定していることが重要であり、これが変動するとI
も変動し、正しい測定ができない。 したがって、X線
源としては上記変動原因のない高精度のものが要求され
るが、現状のX線源では、精度のよいものを用いたとし
ても1%程度、X線強度の変動が生じ、このため、特に
被測定物が複数の組成で構成されている場合、複数エネ
ルギのX線源を用いて測定する必要性から、このX線強
度の変動が相乗的に悪い精度になり、高精度の組成分布
の実現が阻まれている。
時安定していることが重要であり、これが変動するとI
も変動し、正しい測定ができない。 したがって、X線
源としては上記変動原因のない高精度のものが要求され
るが、現状のX線源では、精度のよいものを用いたとし
ても1%程度、X線強度の変動が生じ、このため、特に
被測定物が複数の組成で構成されている場合、複数エネ
ルギのX線源を用いて測定する必要性から、このX線強
度の変動が相乗的に悪い精度になり、高精度の組成分布
の実現が阻まれている。
本発明は上記の問題点に鑑み、X線源の変動にかかわ
らず、所定の被測定物に関する高精度の組成分析が行な
える方法を提供しようとするものである。
らず、所定の被測定物に関する高精度の組成分析が行な
える方法を提供しようとするものである。
『問題点を解決するための手段』 本発明にかかる被測定物の非破壊的測定方法は、上記
目的を達成するため、X線源から出射した白色X線の一
部を被測定物に照射して透過させ、その透過した白色X
線を互いに回折波長が異なり且つ一直線状に配置された
複数の結晶に照射透過させることにより、それぞれの結
晶で特定単色X線を回折させ、その各単色X線をそれぞ
れX線検出器により測定する実測系と、上記X線源から
出射した白色X線の他の一部を上記結晶と同一特性でか
つ同様に配置された複数の結晶に照射透過させて、上記
と同様の特定X線を回折させ、その各単色X線をX線検
出器により測定するための参照測定系とを備え、被測定
物の非破壊測定時に上記X線源から白色X線を出射した
後、上記測定系と参照測定系との各X線検出器で検出・
測定される各エネルギの単色X線同士を同時(同時刻)
に演算し、その測定結果に基づき、被測定物の組成分布
又は厚さを求めることを特徴とする。
目的を達成するため、X線源から出射した白色X線の一
部を被測定物に照射して透過させ、その透過した白色X
線を互いに回折波長が異なり且つ一直線状に配置された
複数の結晶に照射透過させることにより、それぞれの結
晶で特定単色X線を回折させ、その各単色X線をそれぞ
れX線検出器により測定する実測系と、上記X線源から
出射した白色X線の他の一部を上記結晶と同一特性でか
つ同様に配置された複数の結晶に照射透過させて、上記
と同様の特定X線を回折させ、その各単色X線をX線検
出器により測定するための参照測定系とを備え、被測定
物の非破壊測定時に上記X線源から白色X線を出射した
後、上記測定系と参照測定系との各X線検出器で検出・
測定される各エネルギの単色X線同士を同時(同時刻)
に演算し、その測定結果に基づき、被測定物の組成分布
又は厚さを求めることを特徴とする。
上記における一実施態様として、実測系のX線検出器
で検出した単色X線強度と、参照測定系のX線検出器で
それぞれ検出した同一エネルギの単色X線強度との比を
用いて被測定物を測定する。
で検出した単色X線強度と、参照測定系のX線検出器で
それぞれ検出した同一エネルギの単色X線強度との比を
用いて被測定物を測定する。
『実施例』 以下本発明の実施例につき、図面を参照して説明す
る。
る。
第1図の実施例は二組成からなる不透明な被測定物A
の組成分布を実測系I、参照測定系IIにより測定する例
であり、その実測系IはX線源1、結晶2c、2d、X線検
出器3c、3dからなり、その参照測定系IIはX線源1、結
晶2e、2f、X線検出器3e、3fからなる。
の組成分布を実測系I、参照測定系IIにより測定する例
であり、その実測系IはX線源1、結晶2c、2d、X線検
出器3c、3dからなり、その参照測定系IIはX線源1、結
晶2e、2f、X線検出器3e、3fからなる。
第1図の実測系Iでは、X線源1から出射した白色X
線X1の一部を被測定物Aに照射し、その被測定物Aを透
過した透過X線のうち、低エネルギのもの(波長が長
い)は結晶2cにより、かつ、高エネルギのもの(波長が
短い)は結晶2dにより回折してそれぞれ単色X線X4、X5
とし、その後、これら単色X線X4、X5の強度をX線検出
器3c、3dにより測定する。
線X1の一部を被測定物Aに照射し、その被測定物Aを透
過した透過X線のうち、低エネルギのもの(波長が長
い)は結晶2cにより、かつ、高エネルギのもの(波長が
短い)は結晶2dにより回折してそれぞれ単色X線X4、X5
とし、その後、これら単色X線X4、X5の強度をX線検出
器3c、3dにより測定する。
これと同時、第1図の参照測定系IIでは、X線源1か
ら出射した白色X線X1の他の一部を、結晶2e、2fにより
それぞれ回折して上記単色X線X4、X5に対応する低エネ
ルギの単色X線X6、高エネルギの単色X線X7とし、これ
ら単色X線X6、X7をX線検出器3e、3fにより測定する。
ら出射した白色X線X1の他の一部を、結晶2e、2fにより
それぞれ回折して上記単色X線X4、X5に対応する低エネ
ルギの単色X線X6、高エネルギの単色X線X7とし、これ
ら単色X線X6、X7をX線検出器3e、3fにより測定する。
すなわち上記実施例では、I0(λ1,T)およびI0(λ
2,T)の二波長につき、そ透過X線量を測定するのであ
り、この際、X線検出器3cを介してI(λ1,T)を測定
するとともにX線検出器3dを介してI(λ2,T)を測定
する。
2,T)の二波長につき、そ透過X線量を測定するのであ
り、この際、X線検出器3cを介してI(λ1,T)を測定
するとともにX線検出器3dを介してI(λ2,T)を測定
する。
したがって第1図の実施例では、I(λ1,T)/I
0(λ1,T)、I(λ2,T)/I0(λ2,T)を用い、前
記二組成からなる被測定物Aの組成分布を測定すること
になる。
0(λ1,T)、I(λ2,T)/I0(λ2,T)を用い、前
記二組成からなる被測定物Aの組成分布を測定すること
になる。
なお、第1図の実施例において、一般的にはI
0(λ1,T)とI0(λ2,T)との変動が同一傾向にあ
り、一定の関係が認められることがあるが、このような
場合、結晶2eのみで白色X線を回折し、X線検出器3eに
よりI0(λ1,T)を測定するだけでもよい。
0(λ1,T)とI0(λ2,T)との変動が同一傾向にあ
り、一定の関係が認められることがあるが、このような
場合、結晶2eのみで白色X線を回折し、X線検出器3eに
よりI0(λ1,T)を測定するだけでもよい。
また、第1図の実施例において、X線源1と被測定物
Aとの間に結晶を配置するようにしてもよい。
Aとの間に結晶を配置するようにしてもよい。
つぎに本発明の具体例について説明する。
具体例1 第1図の実施例において、SiO2−GeO2系光ファイバ用
多孔質母材の組成分布を測定するとき、X線源1から出
射した白色X線X1をスリット板に通して絞り、その一部
を実測系Iで用い、他の一部を参照測定系IIで用いた。
多孔質母材の組成分布を測定するとき、X線源1から出
射した白色X線X1をスリット板に通して絞り、その一部
を実測系Iで用い、他の一部を参照測定系IIで用いた。
実測系Iにおいて被測定物Aを透過した透過X線のう
ち、波長λ1の長い低エネルギのものは結晶2cにより回
折して50kVの単色X線X4とし、波長λ2の短い高エネル
ギのものは結晶2dにより回折して90kVの単色X線X5と
し、これら単色X線X4、X5の強度I(λ1,T)、I(λ
2,T)をX線検出器3c、3dにより測定した。
ち、波長λ1の長い低エネルギのものは結晶2cにより回
折して50kVの単色X線X4とし、波長λ2の短い高エネル
ギのものは結晶2dにより回折して90kVの単色X線X5と
し、これら単色X線X4、X5の強度I(λ1,T)、I(λ
2,T)をX線検出器3c、3dにより測定した。
これと同時、参照測定系IIでは、X線源1から出射し
た白色X線X1の他の一部を、結晶2e、2fによりそれぞれ
回折し、低エネルギ単色X線X6の強度I0(λ1,T)、高
エネルギ単色X線X7の強度I0(λ2,T)をX線検出器3
e、3fにより測定した。
た白色X線X1の他の一部を、結晶2e、2fによりそれぞれ
回折し、低エネルギ単色X線X6の強度I0(λ1,T)、高
エネルギ単色X線X7の強度I0(λ2,T)をX線検出器3
e、3fにより測定した。
この際、各結晶2c、2d、2e、2fとしてはSi単結晶を用
い、各X線検出器3c、3d、3e、3fとしてはシンチレーシ
ョンカウンタを用いた。
い、各X線検出器3c、3d、3e、3fとしてはシンチレーシ
ョンカウンタを用いた。
かくして求めた測定データを、所定の演算処理機能を
有するコンピュータにて解析したところ、上記光ファイ
バ用多孔質母材の一断面における組成分布が高精度で判
明した。
有するコンピュータにて解析したところ、上記光ファイ
バ用多孔質母材の一断面における組成分布が高精度で判
明した。
具体例2 第1図の実施例において、一成分(純度99.9以上)か
らなるA1板の厚さを測定するとき、前記と同様、X線源
1から出射した白色X線X1をスリット板に通して絞り、
その一部を実測系Iで用い、他の一部を参照測定系IIで
用いた。
らなるA1板の厚さを測定するとき、前記と同様、X線源
1から出射した白色X線X1をスリット板に通して絞り、
その一部を実測系Iで用い、他の一部を参照測定系IIで
用いた。
この際のエネルギ成分は50kVとし、各結晶2a、2bとし
てはSi単結晶を用い、各X線検出器3a、3bとしてはシン
チレーションカウンタを用いた。
てはSi単結晶を用い、各X線検出器3a、3bとしてはシン
チレーションカウンタを用いた。
上記X線検出器3a、3bにより求めた測定データを、所
定の演算処理機能を有するコンピュータにて解析したと
ころ、A1板の厚さが2mmと正確に判明した。
定の演算処理機能を有するコンピュータにて解析したと
ころ、A1板の厚さが2mmと正確に判明した。
『発明の効果』 以上説明した通り、本発明方法によるときは、実測
系、参照測定系により複数の同一の単色X線強度を同時
に測定し、その測定結果に基づき、被測定物の組成分布
又は厚さを演算して求めるから、X線源の変動にかかわ
らず、所定の被測定物に関する高精度の測定が行なえ、
特にその精度が従来例と比べ、一桁以上改善されるの
で、工業的な有用性がきわめて高い。
系、参照測定系により複数の同一の単色X線強度を同時
に測定し、その測定結果に基づき、被測定物の組成分布
又は厚さを演算して求めるから、X線源の変動にかかわ
らず、所定の被測定物に関する高精度の測定が行なえ、
特にその精度が従来例と比べ、一桁以上改善されるの
で、工業的な有用性がきわめて高い。
第1図は本発明の実施例を略示した説明図である。 I……実測系 II……参照測定系 1……X線源 2c〜2f……結晶 3c〜3f……X線検出器 A……被測定物 X1……白色X線 X2〜X7……単色X線
Claims (2)
- 【請求項1】X線源から出射した白色X線の一部を被測
定物に照射して透過させ、その透過した白色X線を互い
に回折波長が異なり且つ一直線状に配置された複数の結
晶に照射透過させることにより、それぞれの結晶で特定
単色X線を回折させ、その各単色X線をそれぞれX線検
出器により測定する実測系と、上記X線源から出射した
白色X線の他の一部を上記結晶と同一特性でかつ同様に
配置された複数の結晶に照射透過させて、上記と同様の
特定X線を回折させ、その各単色X線をX線検出器によ
り測定するための参照測定系とを備え、被測定物の非破
壊測定時に上記X線源から白色X線を出射した後、上記
測定系と参照測定系との各X線検出器で検出・測定され
る各エネルギの単色X線同士を同時(同時刻)に演算
し、その測定結果に基づき、被測定物の組成分布又は厚
さを求めることを特徴とするX線による被測定物の非破
壊測定方法。 - 【請求項2】実測系のX線検出器で検出した単色X線強
度と、参照測定系のX線検出器でそれぞれ検出した同一
エネルギの単色X線強度との比を用いて被測定物を測定
する特許請求の範囲第1項記載のX線による被測定物の
非破壊測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60238966A JP2599360B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | X線による被測定物の非破壊測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60238966A JP2599360B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | X線による被測定物の非破壊測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6298242A JPS6298242A (ja) | 1987-05-07 |
JP2599360B2 true JP2599360B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17037940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60238966A Expired - Fee Related JP2599360B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | X線による被測定物の非破壊測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2599360B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5122385A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Musetsushokudenatsukahensochi |
US4168431A (en) * | 1978-01-06 | 1979-09-18 | The Kartridg Pak Co. | Multiple-level X-ray analysis for determining fat percentage |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60238966A patent/JP2599360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6298242A (ja) | 1987-05-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |