JPS6298242A - Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法 - Google Patents
Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法Info
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- JPS6298242A JPS6298242A JP60238966A JP23896685A JPS6298242A JP S6298242 A JPS6298242 A JP S6298242A JP 60238966 A JP60238966 A JP 60238966A JP 23896685 A JP23896685 A JP 23896685A JP S6298242 A JPS6298242 A JP S6298242A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野ｊ
本発明はＸ線を利用した非破壊測定手段により被測定物
の組成、厚さなどを分析、測定する方法に関する。
の組成、厚さなどを分析、測定する方法に関する。
ｒ従来の技術］
不透明な物体の組成濃度、組成分布、厚さ等を放射線照
射により非破壊的に測定するとき、そのｙｊ源としてア
イソト−プ（Ｇａ、 ｂ、 Ｇｏ）などのγ線、あるい
はＸ線を用い、放射線照射系から出射した放射線を被測
定物に照射し、その透過線の強度を検出系で測定解析し
ているが、アイソトープによる非破壊的測定法の場合、
アイソトープの人手が困難であること、その強度が弱い
かまたは強すぎること、さらに半減期が短いこと等の理
由により工業化がむずかしいとされており、そのため白
色Ｘ線を用いる方法が普及している。
射により非破壊的に測定するとき、そのｙｊ源としてア
イソト−プ（Ｇａ、 ｂ、 Ｇｏ）などのγ線、あるい
はＸ線を用い、放射線照射系から出射した放射線を被測
定物に照射し、その透過線の強度を検出系で測定解析し
ているが、アイソトープによる非破壊的測定法の場合、
アイソトープの人手が困難であること、その強度が弱い
かまたは強すぎること、さらに半減期が短いこと等の理
由により工業化がむずかしいとされており、そのため白
色Ｘ線を用いる方法が普及している。
この際のＸＢ源としては、Ｗ（タングステン）をターゲ
ットとするものがよく用いられる。
ットとするものがよく用いられる。
一般に、二つの構成元素からなる軸対称の被測定物につ
いてこれの組成分析を行なうとき、前記Ｘ線源から取り
出した二つの単色Ｘ線を被測定物照射してその透過Ｘ線
を測定し、かかる測定データをもとにした多層分割法、
アーベル変換法等の計算法により、被測定物の一断面に
おける組成分布を求めている。
いてこれの組成分析を行なうとき、前記Ｘ線源から取り
出した二つの単色Ｘ線を被測定物照射してその透過Ｘ線
を測定し、かかる測定データをもとにした多層分割法、
アーベル変換法等の計算法により、被測定物の一断面に
おける組成分布を求めている。
なお、上記Ｘ！！は被測定物を透過することにより減衰
するのであり、すなわち、一定波長のＸ線が厚さｔ、質
量吸収係数ｐ（ｃｍ−’）の物質を透過したとき、七の
ｘ！！強度はＩｏからＩに変る。
するのであり、すなわち、一定波長のＸ線が厚さｔ、質
量吸収係数ｐ（ｃｍ−’）の物質を透過したとき、七の
ｘ！！強度はＩｏからＩに変る。
このときの透過Ｘ線ｉｆは、次式のように表わすことが
できる。
できる。
１−Ｉｏｅ −” ・・・・・（ｅｑ＋）また、Ｘ線量
（強度）■は、波長λと時間Ｔの関数であるため、Ｉ（
入、Ｔ）と表わすことができる。
（強度）■は、波長λと時間Ｔの関数であるため、Ｉ（
入、Ｔ）と表わすことができる。
ｒ発明が解決しようとする問題点ｊ
ところで、上述した（ｅｑ＋）におけるＩｏは、前記測
定時安定していることが重要であり、これが変動すると
Ｉも変動し、正しい測定ができない。
定時安定していることが重要であり、これが変動すると
Ｉも変動し、正しい測定ができない。
したがって、Ｘ線源としては上記変動原因のない高精度
のものが要求されるが、現状のＸ線源では、粘度のよい
ものを用いたとしても１ｚ程度の変動が生じ、そのため
高精度組成分析の実現が阻まれている。
のものが要求されるが、現状のＸ線源では、粘度のよい
ものを用いたとしても１ｚ程度の変動が生じ、そのため
高精度組成分析の実現が阻まれている。
本発明は上記の問題点に鑑み、Ｘ線源の変動にかかわら
ず、所定の被測定物に関する高精度の組成分析が行なえ
る方法を提供しようとするものである。
ず、所定の被測定物に関する高精度の組成分析が行なえ
る方法を提供しようとするものである。
ｆ問題点を解決するための手段」
本発明に係る被測定物の非破壊測定方法は」二記の目的
を達成するため、Ｘ線源から出射した白色Ｘ線の一部を
、被測定物への照射前または照射後において結晶により
単色Ｘ線とし、その被測定物を透過した後の透過Ｘ線を
Ｘ線検出器により測定する実測系と、上記Ｘ線源から出
射した白色Ｘ線の池の一部を結晶により回折して単色Ｘ
線とし、当該単色線をＸ線検出器により測定する参照測
定系とを備え、これら実測系、参照測定系により同一の
単色Ｘ線強度を同時に測定し、その測定結果に基づき、
被測定物の組成分布、厚さ等を演算して求めるとことを
特徴とする。
を達成するため、Ｘ線源から出射した白色Ｘ線の一部を
、被測定物への照射前または照射後において結晶により
単色Ｘ線とし、その被測定物を透過した後の透過Ｘ線を
Ｘ線検出器により測定する実測系と、上記Ｘ線源から出
射した白色Ｘ線の池の一部を結晶により回折して単色Ｘ
線とし、当該単色線をＸ線検出器により測定する参照測
定系とを備え、これら実測系、参照測定系により同一の
単色Ｘ線強度を同時に測定し、その測定結果に基づき、
被測定物の組成分布、厚さ等を演算して求めるとことを
特徴とする。
「実 施 例」
以ド木発明の実施例につき、図面を参照して説明する。
第１図の実施例は一組成からなる不透明な被測定物Ａの
厚さを実測系１．参照測定系Ｈにより測定する例であり
、その実測系■はＸ線［１、結晶２ａ、 Ｘ線検出器３
ａからなり、その参照測定系■はｘＢＢ１０結晶２ｂ、
Ｘ線検出器３ｂからなる。
厚さを実測系１．参照測定系Ｈにより測定する例であり
、その実測系■はＸ線［１、結晶２ａ、 Ｘ線検出器３
ａからなり、その参照測定系■はｘＢＢ１０結晶２ｂ、
Ｘ線検出器３ｂからなる。
第１（５４において、実測系ＩではＸ線源ｌから出射し
た白色Ｘ線ｘ１の一部を被測定物Ａに照射し、その被測
定物へを透過した透過Ｘ線を結晶２ａにより回折して単
色Ｘ線ｘ２とした後、当該中色Ｘ線ｘ２の強度をＸ線検
出器３ａにより測定する。
た白色Ｘ線ｘ１の一部を被測定物Ａに照射し、その被測
定物へを透過した透過Ｘ線を結晶２ａにより回折して単
色Ｘ線ｘ２とした後、当該中色Ｘ線ｘ２の強度をＸ線検
出器３ａにより測定する。
これと同時、参照測定系■では、Ｘ線源１から出射した
白色ＸＭＡＸ、の他の一部を結晶２ｂにより回折して単
色Ｘ線ｘ３とし、当該単色Ｘ線ｘ３の強度をＸ線検出器
３ｂにより測定する。
白色ＸＭＡＸ、の他の一部を結晶２ｂにより回折して単
色Ｘ線ｘ３とし、当該単色Ｘ線ｘ３の強度をＸ線検出器
３ｂにより測定する。
上記実施例では、単色Ｘ線Ｘ２の透過Ｘ線量■にて被測
定物Ａの厚さを求めるとき、単色ＸＶｊ Ｘ ＪのＸ線
強度ｔｏをも測定し、これら１．Ｉｓの比に基づいて所
定の演算を行なう。
定物Ａの厚さを求めるとき、単色ＸＶｊ Ｘ ＪのＸ線
強度ｔｏをも測定し、これら１．Ｉｓの比に基づいて所
定の演算を行なう。
すなわち、前記（ｅｑ＋）におけるＩ＝Ｉｑｅ −”か
ら導かれた下記（ｅｑｚ）を演算して、被測定物Ａの厚
さを求める。
ら導かれた下記（ｅｑｚ）を演算して、被測定物Ａの厚
さを求める。
ｌｎｒ／Ｉｃ＝−ルｔ””（ｅ（１２）この際、Ｘ線検
出器３ａ、 Ｘ線検出器３ｂによる各測定時間Ｔは数分
程度とし、Ｘ線検出器３ｄにより測定した？ｉ色ｘＶｊ
ｘ２の測定値（透過Ｘ線ｒ一つを、Ｘ線検出器３ｂによ
り測定した中色Ｘ線ｘ３の測定値（Ｘ線量）で割り、そ
の値をデータとして（ｅｑｚ）を演算する。
出器３ａ、 Ｘ線検出器３ｂによる各測定時間Ｔは数分
程度とし、Ｘ線検出器３ｄにより測定した？ｉ色ｘＶｊ
ｘ２の測定値（透過Ｘ線ｒ一つを、Ｘ線検出器３ｂによ
り測定した中色Ｘ線ｘ３の測定値（Ｘ線量）で割り、そ
の値をデータとして（ｅｑｚ）を演算する。
」；記のようにして被測定物Ａの厚さを求める場合、Ｉ
Ｑが変動しても常にＩ／ＩＱを測定することになるので
、所定の測定゛に項が精度高く求まり、しかも■（入、
Ｔ） 、 Ｉｏ（入、Ｔ）における入、Ｔが同一であ
るため、かかる観点からも測定精度が高まる。
Ｑが変動しても常にＩ／ＩＱを測定することになるので
、所定の測定゛に項が精度高く求まり、しかも■（入、
Ｔ） 、 Ｉｏ（入、Ｔ）における入、Ｔが同一であ
るため、かかる観点からも測定精度が高まる。
第２図の実施例は二組成からなる不透明な被測定物Ａの
Ｍ１成分布を実測系Ｉ、参照測定系Ｈにより測定する例
であり、その実測系工はＸ線源１、結晶２ｃ、２ｄ、
Ｘ線検出器３Ｃ１３ｄからなり、その参照測定系ＩＩは
Ｘ線源ｌ、結晶２ｅ、２４． Ｘ線検出器３ｅ、３ｆか
らなる。
Ｍ１成分布を実測系Ｉ、参照測定系Ｈにより測定する例
であり、その実測系工はＸ線源１、結晶２ｃ、２ｄ、
Ｘ線検出器３Ｃ１３ｄからなり、その参照測定系ＩＩは
Ｘ線源ｌ、結晶２ｅ、２４． Ｘ線検出器３ｅ、３ｆか
らなる。
第２図の実測系Ｉでは、Ｘ線源１から出射した白色Ｘ線
ｘ１の一部を被測定物Ａに照射し、その被測定物Ａを透
過した透過Ｘ線のうち、低エネルギのもの（波長が長い
）は結晶２Ｃにより、かつ、高エネルギのもの（波長が
短い）は結晶２ｄにより回折してそれぞれ単色Ｘ ｉｉ
Ｘａ、ｘ５とし、その後、これら単色Ｘ ＠ Ｘ ａ
、ｘ５の強度をＸ線検出器３Ｃ１３ｄにより測定する。
ｘ１の一部を被測定物Ａに照射し、その被測定物Ａを透
過した透過Ｘ線のうち、低エネルギのもの（波長が長い
）は結晶２Ｃにより、かつ、高エネルギのもの（波長が
短い）は結晶２ｄにより回折してそれぞれ単色Ｘ ｉｉ
Ｘａ、ｘ５とし、その後、これら単色Ｘ ＠ Ｘ ａ
、ｘ５の強度をＸ線検出器３Ｃ１３ｄにより測定する。
これと同時、第２図の参照測定系■では、Ｘ線源１から
出射した白色Ｘ線ｘ１の他の一部を、結晶２ｅ、 ２Ｆ
によりそれぞれ回折して上記単色Ｘ線ｘ４、ｘ５に対応
する低エネルギの単色Ｘ線ｘ６、高エネルギの単色Ｘ線
ｘ７とし、これら単色Ｘ ！ｉ Ｘｂ、ｘｌをＸ線検出
器３ｅ、３ｆにより測定する。
出射した白色Ｘ線ｘ１の他の一部を、結晶２ｅ、 ２Ｆ
によりそれぞれ回折して上記単色Ｘ線ｘ４、ｘ５に対応
する低エネルギの単色Ｘ線ｘ６、高エネルギの単色Ｘ線
ｘ７とし、これら単色Ｘ ！ｉ Ｘｂ、ｘｌをＸ線検出
器３ｅ、３ｆにより測定する。
すなわち上記実施例では、Ｉｏ（入１．Ｔ）および１Ｇ
（入２．Ｔ）の二波長につき、そ透過Ｘ線にを測定する
のであり、この際、Ｘ線検出器３Ｃを介してＩ（入１１
丁）を測定するとともにＸ線検出器３ｄを介してＩ（入
２．Ｔ）を測定する。
（入２．Ｔ）の二波長につき、そ透過Ｘ線にを測定する
のであり、この際、Ｘ線検出器３Ｃを介してＩ（入１１
丁）を測定するとともにＸ線検出器３ｄを介してＩ（入
２．Ｔ）を測定する。
したがって第２図の実施例では、■（入＋、？）／Ｉ。
（入＋、Ｔ）、１（入２．Ｔ）／Ｉｏ（入２．Ｔ）を用
い、前記二組成からなる被測定物Ａの組成分布を測定す
ることになる。
い、前記二組成からなる被測定物Ａの組成分布を測定す
ることになる。
なお、第２図の実施例において、−・般的にはＩＯ（入
＋、Ｔ）とＩｏ（入？、Ｔ）どの変動が同一・傾向にあ
り、一定の関係が認められることがあるが、このような
場合、結晶２ｅのみで白色Ｘ線を回折し、Ｘ線検出器３
ｅによりＩｏ（入１．Ｔ）を測定するだけでもよい。
＋、Ｔ）とＩｏ（入？、Ｔ）どの変動が同一・傾向にあ
り、一定の関係が認められることがあるが、このような
場合、結晶２ｅのみで白色Ｘ線を回折し、Ｘ線検出器３
ｅによりＩｏ（入１．Ｔ）を測定するだけでもよい。
また、第１図、第２図の各実施例において、Ｘ線源１と
被測定物Ａとの間に結晶２ａ、２Ｃ１２ｄを配置しても
よい。
被測定物Ａとの間に結晶２ａ、２Ｃ１２ｄを配置しても
よい。
つぎに本発明の具体例について説明する。
具体例１
第２図の実施例において、５ｉ０２−ＧｅＯ２系光フア
イバ用多孔質母材の組成分布を測定するとき、Ｘ線源ｌ
から出射した白色Ｘ線ｘ１をスリット板に通して絞り、
その一部を実測系工で用い、他の一部を参照測定系■で
用いた。
イバ用多孔質母材の組成分布を測定するとき、Ｘ線源ｌ
から出射した白色Ｘ線ｘ１をスリット板に通して絞り、
その一部を実測系工で用い、他の一部を参照測定系■で
用いた。
実測系Ｉにおいて被測定物Ａを透過した透過Ｘ線のうち
、波長入ｌの長い低エネルギのものは結晶２ｃにより回
折して５０ｋＶの単色Ｘ線ｘ４とし、波長入・の短い高
エネルギのものは結晶２ｄにより回折して９０ｋＶの単
色Ｘ線×５とし、これら単色Ｘ線ｘ４、Ｘｓノ強度１（
入ｔ、Ｔ）、Ｉ（入２．Ｔ）をＸ線検出器３Ｃ１３ｄに
より測定した。
、波長入ｌの長い低エネルギのものは結晶２ｃにより回
折して５０ｋＶの単色Ｘ線ｘ４とし、波長入・の短い高
エネルギのものは結晶２ｄにより回折して９０ｋＶの単
色Ｘ線×５とし、これら単色Ｘ線ｘ４、Ｘｓノ強度１（
入ｔ、Ｔ）、Ｉ（入２．Ｔ）をＸ線検出器３Ｃ１３ｄに
より測定した。
これと同時、参照測定系■では、Ｘ線源ｌから出射した
白色Ｘ ＷＱ Ｘ ｌの他の一部を、結晶２ｅ、２ｆに
よりそれぞれ回折し、低エネルギ単色Ｘ線ｘ６の強度Ｉ
ｏ（入ｔ、？ ） 、高エネルギ単色Ｘ＆ｌ１ｔｘＩ（
７）強度ＩＯ（入２．Ｔ）をＸ線検出器３ｅ、３ｆによ
り測定した。
白色Ｘ ＷＱ Ｘ ｌの他の一部を、結晶２ｅ、２ｆに
よりそれぞれ回折し、低エネルギ単色Ｘ線ｘ６の強度Ｉ
ｏ（入ｔ、？ ） 、高エネルギ単色Ｘ＆ｌ１ｔｘＩ（
７）強度ＩＯ（入２．Ｔ）をＸ線検出器３ｅ、３ｆによ
り測定した。
この際、各結晶２Ｃ１２ｄ、２ｅ、２ｆとしてはＳｉ単
結晶を用い、各Ｘ線検出器３Ｃ１３ｄ、３ｅ、３ｆとし
てはシンチレーションカウンタを用いた。
結晶を用い、各Ｘ線検出器３Ｃ１３ｄ、３ｅ、３ｆとし
てはシンチレーションカウンタを用いた。
かくして求めた測定データを、所定の６１算処理機能を
有するコンピュータにて解析したところ、上記光フアイ
バ用多孔質母材の一断面における組成分布が高精度で判
明した。
有するコンピュータにて解析したところ、上記光フアイ
バ用多孔質母材の一断面における組成分布が高精度で判
明した。
具体例２
第１図の実施例において、−成分（純度９８．９以ト）
からなるＡｌ板の厚さを測定するとき、前記と同様、Ｘ
線源ｌから出射した白色Ｘ線ｘ１をスリット板に通して
絞り、その一部を実測系■で用い、他の一一部を参照測
定系■で用いた。
からなるＡｌ板の厚さを測定するとき、前記と同様、Ｘ
線源ｌから出射した白色Ｘ線ｘ１をスリット板に通して
絞り、その一部を実測系■で用い、他の一一部を参照測
定系■で用いた。
この際のエネルギ成分は５０ｋＶとし、各結晶２ｄ、２
ｂとしては５ｉＩｉｉ結品を用い、各Ｘ線検出憲３ａ、
３ｂとしてはシンチレーションカウンタを用いた。
ｂとしては５ｉＩｉｉ結品を用い、各Ｘ線検出憲３ａ、
３ｂとしてはシンチレーションカウンタを用いた。
上記Ｘ線検出器３ａ、３ｂにより求めた測定データを、
所定の演算処理機能を石するコンピュータにて解析した
ところ、Ａｌ板の厚さが２ｍ＋＋＋と正確に判すＪした
。
所定の演算処理機能を石するコンピュータにて解析した
ところ、Ａｌ板の厚さが２ｍ＋＋＋と正確に判すＪした
。
Ｖ発Ｉｌｌの効果Ｊ
以１ユ説明１１、た通り、本発明方法によるときは。
実測系、参照測定系により同一の単色Ｘ線強度を同時に
測定し、その測定結果に基づき、被測定物のｉｔ成分布
、厚さ等を演算して求めるから、Ｘ線源の変動にかかわ
らず、所定の被測定物に関する高精度の測定が行なえ、
特にその精度が従来例と比べ、−桁以上改善されるので
、工業的な有用性がきわめて高い。
測定し、その測定結果に基づき、被測定物のｉｔ成分布
、厚さ等を演算して求めるから、Ｘ線源の変動にかかわ
らず、所定の被測定物に関する高精度の測定が行なえ、
特にその精度が従来例と比べ、−桁以上改善されるので
、工業的な有用性がきわめて高い。
第１図、第２図は本発明方法の各実施例を略示した説明
図である。 工・・争・・実測系 ■・・・φ・参照測定系 １・・辱・・Ｘ線源 ２ａ〜２ｆ・・・結晶 ３８〜３ｆ・・９Ｘ線検出器 Ａ・・・・し被測定物 ＸＩ・・・・・白色Ｘ線 ｘ２〜Ｘン・・Ｏ単色Ｘ線 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第１図
図である。 工・・争・・実測系 ■・・・φ・参照測定系 １・・辱・・Ｘ線源 ２ａ〜２ｆ・・・結晶 ３８〜３ｆ・・９Ｘ線検出器 Ａ・・・・し被測定物 ＸＩ・・・・・白色Ｘ線 ｘ２〜Ｘン・・Ｏ単色Ｘ線 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第１図
Claims (2)
- （１）Ｘ線源から出射した白色Ｘ線の一部を、被測定物
への照射前または照射後において結晶により単色Ｘ線と
し、その被測定物を透過した後の透過Ｘ線をＸ線検出器
により測定する実測系と、上記Ｘ線源から出射した白色
Ｘ線の他の一部を結晶により回折して単色Ｘ線とし、当
該単色線をＸ線検出器により測定する参照測定系とを備
え、これら実測系、参照測定系により同一の単色Ｘ線強
度を同時に測定し、その測定結果に基づき、被測定物の
組成分布、厚さ等を演算して求めるとことを特徴とする
Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法。 - （２）実測系のＸ線検出器で検出した単色Ｘ線強度と、
参照測定系のＸ線検出器で検出した単色Ｘ線強度との比
を用いて演算する特許請求の範囲第１項記載のＸ線によ
る被測定物の非破壊測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238966A JP2599360B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238966A JP2599360B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298242A true JPS6298242A (ja) | 1987-05-07 |
| JP2599360B2 JP2599360B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17037940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60238966A Expired - Fee Related JP2599360B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599360B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1097373A2 (en) * | 1998-10-29 | 2001-05-09 | PANalytical B.V. | X-ray diffraction apparatus with an x-ray optical reference channel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5122385A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Musetsushokudenatsukahensochi |
| JPS54101396A (en) * | 1978-01-06 | 1979-08-09 | Kartridg Pak Co | Device of measuring quantitative relationship of component in matter and its method |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60238966A patent/JP2599360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5122385A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Musetsushokudenatsukahensochi |
| JPS54101396A (en) * | 1978-01-06 | 1979-08-09 | Kartridg Pak Co | Device of measuring quantitative relationship of component in matter and its method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1097373A2 (en) * | 1998-10-29 | 2001-05-09 | PANalytical B.V. | X-ray diffraction apparatus with an x-ray optical reference channel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2599360B2 (ja) | 1997-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |