JPH0735385B2 - シランから直接珪素に結合した水素原子を有するシランを分離する方法 - Google Patents
シランから直接珪素に結合した水素原子を有するシランを分離する方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/20—Purification, separation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直接珪素に結合した水
素原子を有するシランを炭化水素シラン、炭化水素ハロ
ゲンシラン及びハロゲンシランから分離する方法に関す
る。
素原子を有するシランを炭化水素シラン、炭化水素ハロ
ゲンシラン及びハロゲンシランから分離する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】メチルクロルシランを珪素及び塩化メチ
ルから２５０〜３００℃で銅触媒で直接合成する場合に
は、一般式：ＭｅaＳｉＣｌ4-a（式中、ａは０〜４の値
を有し、Ｍｅは以下明細書中と同様メチル基を表す）の
シランの他に、少量のエチルクロルシラン、種々のハロ
ゲンシラン、特にＭｅbＨＳｉＣｌ3-b（ｂは０〜２の値
を有する）及びエチルジクロルシランＥｔＨＳｉＣｌ2
も生じる。該直接合成は、特に W.Noll, Chemistry and
Technology of Silicones, Academic Press, Inc., Or
lrando, Florida, 1968, chap.2.2 に記載されている。
ルから２５０〜３００℃で銅触媒で直接合成する場合に
は、一般式：ＭｅaＳｉＣｌ4-a（式中、ａは０〜４の値
を有し、Ｍｅは以下明細書中と同様メチル基を表す）の
シランの他に、少量のエチルクロルシラン、種々のハロ
ゲンシラン、特にＭｅbＨＳｉＣｌ3-b（ｂは０〜２の値
を有する）及びエチルジクロルシランＥｔＨＳｉＣｌ2
も生じる。該直接合成は、特に W.Noll, Chemistry and
Technology of Silicones, Academic Press, Inc., Or
lrando, Florida, 1968, chap.2.2 に記載されている。
【０００３】直接合成の最も所望される目的生成物は、
加水分解及び重縮合により多官能基及び構造を有するシ
リコーンポリマーに転化することができるＭｅ2ＳｉＣ
ｌ2である。
加水分解及び重縮合により多官能基及び構造を有するシ
リコーンポリマーに転化することができるＭｅ2ＳｉＣ
ｌ2である。
【０００４】大抵のシリコーンポリマーの重要な品質的
特徴は、ポリマー基礎組構造中の三官能性不純物の割合
をできるだけ低くすることである。使用されるＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ2の生じ得る三官能性不純物の一つはＥｔＨＳｉ
Ｃｌ2である。
特徴は、ポリマー基礎組構造中の三官能性不純物の割合
をできるだけ低くすることである。使用されるＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ2の生じ得る三官能性不純物の一つはＥｔＨＳｉ
Ｃｌ2である。
【０００５】Ｍｅ2ＳｉＣｌ2をそれぞれの用途に必要な
純度を得るためには、非常に高い蒸留費用がかかる、例
えば高い還流比、理論的及び実際に多い棚段数、高いエ
ネルギー需要及び低い空時収率が必要である、それとい
うのもＭｅ2ＳｉＣｌ2（７０〜７１℃）とＥｔＨＳｉＣ
ｌ2（７４〜７６℃）の沸点が互いに僅か約４℃しか違
わないからである。
純度を得るためには、非常に高い蒸留費用がかかる、例
えば高い還流比、理論的及び実際に多い棚段数、高いエ
ネルギー需要及び低い空時収率が必要である、それとい
うのもＭｅ2ＳｉＣｌ2（７０〜７１℃）とＥｔＨＳｉＣ
ｌ2（７４〜７６℃）の沸点が互いに僅か約４℃しか違
わないからである。
【０００６】ヨーロッパ特許出願公開第４２３９４８号
明細書には、塩化水素ガスと、周期表のＶＩＩＩのＢ
族、すなわちＰｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ及びこれらの化合物からの適当な触媒の存在下で反応
させて、相応するアルキルクロルシランにすることによ
る、有機シラン混合物からの直接珪素に結合した水素原
子（Ｈ−シラン）を有するシランの分離が記載されてい
る。該手段により、所望の有機シランと不純物との沸点
の差異は、蒸留を著しく廉価で行うことができるように
高められる。
明細書には、塩化水素ガスと、周期表のＶＩＩＩのＢ
族、すなわちＰｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ及びこれらの化合物からの適当な触媒の存在下で反応
させて、相応するアルキルクロルシランにすることによ
る、有機シラン混合物からの直接珪素に結合した水素原
子（Ｈ−シラン）を有するシランの分離が記載されてい
る。該手段により、所望の有機シランと不純物との沸点
の差異は、蒸留を著しく廉価で行うことができるように
高められる。
【０００７】該公知の方法の欠点は、触媒として使用さ
れるニッケル以外の金属が比較的高価であること、触媒
としてニッケルを使用する場合には比較的高い触媒濃度
が必要であるが、そこで得られる添加率は低いこと、更
に金属が部分的に触媒毒に対して極度に抵抗力がないと
いうことである。
れるニッケル以外の金属が比較的高価であること、触媒
としてニッケルを使用する場合には比較的高い触媒濃度
が必要であるが、そこで得られる添加率は低いこと、更
に金属が部分的に触媒毒に対して極度に抵抗力がないと
いうことである。
【０００８】
【発明の構成】本発明は、直接珪素に結合した水素原子
を有するシランを塩化水素と、触媒として銀又は金の存
在下で反応させて相応するクロルシランにすることによ
り、一般式Ｉ： ＲxＣｌ3-xＳｉ−［ＳｉＲyＣｌ2-y］n−Ａ （Ｉ） ［式中、Ｒは場合によりハロゲン置換された１〜１８個
の炭素原子を有する、エチレン系二重結合を有しない炭
化水素基を表し、Ａは塩素原子又は基Ｒを表し、ｘは
０，１，２又は３の値を有し、ｙは０，１又は２の値を
有し、ｎは０又は１の値を有する］のシラン及びそれら
の混合物から直接珪素に結合した水素原子を有するシラ
ンを分離する方法に関する。
を有するシランを塩化水素と、触媒として銀又は金の存
在下で反応させて相応するクロルシランにすることによ
り、一般式Ｉ： ＲxＣｌ3-xＳｉ−［ＳｉＲyＣｌ2-y］n−Ａ （Ｉ） ［式中、Ｒは場合によりハロゲン置換された１〜１８個
の炭素原子を有する、エチレン系二重結合を有しない炭
化水素基を表し、Ａは塩素原子又は基Ｒを表し、ｘは
０，１，２又は３の値を有し、ｙは０，１又は２の値を
有し、ｎは０又は１の値を有する］のシラン及びそれら
の混合物から直接珪素に結合した水素原子を有するシラ
ンを分離する方法に関する。
【０００９】本発明の方法によれば、Ｈ−シランをほぼ
完全に、すでに水素原子が結合していた位置に塩素原子
が結合している高沸点クロルシランに転化することがで
きる。例えばトリクロルシランからテトラクロルシラ
ン、エチルジクロルシランからエチルトリクロルシラン
及びジメチルクロルシランからジメチルジクロルシラン
が生じる。これらのクロルシランは、該物質が生成混合
物中で好ましくない場合には、容易に蒸留により除去す
ることができる。
完全に、すでに水素原子が結合していた位置に塩素原子
が結合している高沸点クロルシランに転化することがで
きる。例えばトリクロルシランからテトラクロルシラ
ン、エチルジクロルシランからエチルトリクロルシラン
及びジメチルクロルシランからジメチルジクロルシラン
が生じる。これらのクロルシランは、該物質が生成混合
物中で好ましくない場合には、容易に蒸留により除去す
ることができる。
【００１０】該反応は十分な速度で、かつ固体状の触媒
で行われる。従って、該反応は不均質触媒するので、触
媒を蒸留カラム又は貫流反応器内で使用することができ
る。
で行われる。従って、該反応は不均質触媒するので、触
媒を蒸留カラム又は貫流反応器内で使用することができ
る。
【００１１】銀は、従来使用された金属、Ｐｄ，Ｐｔ，
Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ及びＩｒよりもはるかに廉価であり、
かつ該反応は、Ｎｉよりも銀を用いた場合の方が明らか
に早く進行する。
Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ及びＩｒよりもはるかに廉価であり、
かつ該反応は、Ｎｉよりも銀を用いた場合の方が明らか
に早く進行する。
【００１２】金は、従来使用された金属、Ｐｄ，Ｐｔ，
Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ及びＩｒに比して、元素の電気
化学列において標準電位が最も高いので、毒化現象及び
アルキルクロルシラン又は塩化水素との好ましくない反
応に対するより優れた安定性、ひいてはより長い寿命を
有する。
Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ及びＩｒに比して、元素の電気
化学列において標準電位が最も高いので、毒化現象及び
アルキルクロルシラン又は塩化水素との好ましくない反
応に対するより優れた安定性、ひいてはより長い寿命を
有する。
【００１３】本発明による方法では、銀と金の合金も使
用することができる。
用することができる。
【００１４】該触媒は、有利には担体上に存在し、微粒
子状で使用するのが有利である。担体上に銀と同様に金
も存在する担体も使用することができる。
子状で使用するのが有利である。担体上に銀と同様に金
も存在する担体も使用することができる。
【００１５】担体の例は、活性炭、炭及び無機酸化物、
例えば二酸化珪素、酸化アルミニウム（ＩＩＩ）、珪酸
塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム；炭化物、例え
ば炭化珪素であり、その際、炭、活性炭及び二酸化珪素
が有利である。
例えば二酸化珪素、酸化アルミニウム（ＩＩＩ）、珪酸
塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム；炭化物、例え
ば炭化珪素であり、その際、炭、活性炭及び二酸化珪素
が有利である。
【００１６】担体上の微粒子状金属であるこのような触
媒は、担体の存在下で金属化合物の還元により製造する
ことができる。
媒は、担体の存在下で金属化合物の還元により製造する
ことができる。
【００１７】担体上の金属の濃度は、触媒の総重量に対
して０．８〜５重量％が有利であるが、該濃度より高く
ても又は低くても使用することができる。
して０．８〜５重量％が有利であるが、該濃度より高く
ても又は低くても使用することができる。
【００１８】一般式Ｉの炭化水素基Ｒの例は、アルキル
基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、イソ−ペンチル基、ネオ−ペ
ンチル基、ｔ−ペンチル基；ヘキシル基、例えばｎ−ヘ
キシル基；ヘプチル基、例えばｎ−ヘプチル基；オクチ
ル基、例えばｎ−オクチル基及びイソ−オクチル基、例
えば２，２，４−トリメチルペンチル基；ノニル基、例
えばｎ−ノニル基；デシル基、例えばｎ−デシル基；ド
デシル基、例えばｎ−ドデシル基；オクタデシル基、例
えばｎ−オクタデシル基；シクロアルキル基、例えばシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基
及びメチルシクロヘキシル基；アリール基、例えばフェ
ニル基、ナフチル基、アントリル基及びフェナントリル
基；アルカリル基、例えばｏ−，ｍ−，ｐ−トルイル
基、キシリル基及びエチルフェニル基；及びアラルキル
基、例えばベンジル基、α−及びβ−フェニルエチル基
である。
基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、イソ−ペンチル基、ネオ−ペ
ンチル基、ｔ−ペンチル基；ヘキシル基、例えばｎ−ヘ
キシル基；ヘプチル基、例えばｎ−ヘプチル基；オクチ
ル基、例えばｎ−オクチル基及びイソ−オクチル基、例
えば２，２，４−トリメチルペンチル基；ノニル基、例
えばｎ−ノニル基；デシル基、例えばｎ−デシル基；ド
デシル基、例えばｎ−ドデシル基；オクタデシル基、例
えばｎ−オクタデシル基；シクロアルキル基、例えばシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基
及びメチルシクロヘキシル基；アリール基、例えばフェ
ニル基、ナフチル基、アントリル基及びフェナントリル
基；アルカリル基、例えばｏ−，ｍ−，ｐ−トルイル
基、キシリル基及びエチルフェニル基；及びアラルキル
基、例えばベンジル基、α−及びβ−フェニルエチル基
である。
【００１９】ハロゲン置換された基Ｒの例は、ハロゲン
アルキル基、例えば３，３，３−トリフルオル−ｎ−プ
ロピル基、２，２，２，２′，２′，２′−ヘキサフル
オルイソプロピル基、ヘプタフルオルイソプロピル基及
びハロゲンアリール基、例えばｏ−，ｍ−及びｐ−クロ
ルフェニル基である。
アルキル基、例えば３，３，３−トリフルオル−ｎ−プ
ロピル基、２，２，２，２′，２′，２′−ヘキサフル
オルイソプロピル基、ヘプタフルオルイソプロピル基及
びハロゲンアリール基、例えばｏ−，ｍ−及びｐ−クロ
ルフェニル基である。
【００２０】基Ｒとしては、非置換の炭化水素基が有利
であり、特に１〜８個の炭素原子を有するもの、特にメ
チル基、エチル基、トルイル基及びフェニル基が有利で
ある。
であり、特に１〜８個の炭素原子を有するもの、特にメ
チル基、エチル基、トルイル基及びフェニル基が有利で
ある。
【００２１】ｎは、０の値を有するのが有利である。
【００２２】本発明による方法では、任意のＨ−シラン
を分離することができる。Ｈ−シランは、例えば一般式
ＩＩ： Ｒ′ZＳｉＨ4-Z （ＩＩ） ［式中、Ｒ′は場合によりハロゲン置換された１〜１８
個の炭素原子を有する炭化水素基を表し、ｚは０〜３の
値を有する］を有する。
を分離することができる。Ｈ−シランは、例えば一般式
ＩＩ： Ｒ′ZＳｉＨ4-Z （ＩＩ） ［式中、Ｒ′は場合によりハロゲン置換された１〜１８
個の炭素原子を有する炭化水素基を表し、ｚは０〜３の
値を有する］を有する。
【００２３】Ｒ′の例は、前記のＲの例に記載したもの
及びアルケニル基、例えばビニル基及びアリル基であ
る。
及びアルケニル基、例えばビニル基及びアリル基であ
る。
【００２４】分離すべきＨ−シランの有利な例は、シラ
ン、クロルシラン、ジクロルシラン、トリクロルシラ
ン、メチルシラン、メチルクロルシラン、メチルジクロ
ルシラン、ジメチルクロルシラン及びエチルジクロルシ
ランである。
ン、クロルシラン、ジクロルシラン、トリクロルシラ
ン、メチルシラン、メチルクロルシラン、メチルジクロ
ルシラン、ジメチルクロルシラン及びエチルジクロルシ
ランである。
【００２５】本発明による方法は、直接合成により生じ
るＥｔＨＳｉＣｌ2及び場合によりその他の副生成物を
含有する、メチルクロルシラン、特にジメチルジクロル
シランの直接合成からの粗製物及び前精製した生成物を
精製する際に使用するのが特に好適である。直接合成の
副生成物は、例えば W.Noll,Chemistry and Technology
of Silicones, Academic Press,Inc.,Orlando,Florid
a,1968,chap.2.2, 及びA.Hunyar,Chemie der Silikone,
Verlag Technik, Berlin 1952,p.92-94 に記載されて
いる。
るＥｔＨＳｉＣｌ2及び場合によりその他の副生成物を
含有する、メチルクロルシラン、特にジメチルジクロル
シランの直接合成からの粗製物及び前精製した生成物を
精製する際に使用するのが特に好適である。直接合成の
副生成物は、例えば W.Noll,Chemistry and Technology
of Silicones, Academic Press,Inc.,Orlando,Florid
a,1968,chap.2.2, 及びA.Hunyar,Chemie der Silikone,
Verlag Technik, Berlin 1952,p.92-94 に記載されて
いる。
【００２６】Ｈ−シランの濃度は、一般的には１００〜
５０００ｐｐｍであるが、メチルクロルシラン合成から
の精製すべき生成物中のＨ−シランの濃度は、該濃度よ
り高くても又は低くてもよい。
５０００ｐｐｍであるが、メチルクロルシラン合成から
の精製すべき生成物中のＨ−シランの濃度は、該濃度よ
り高くても又は低くてもよい。
【００２７】本発明による方法は、温度５０〜１５０℃
及び周囲の大気圧で行うのが有利である。しかしなが
ら、高い又は低い温度及び圧力も使用することができ
る。
及び周囲の大気圧で行うのが有利である。しかしなが
ら、高い又は低い温度及び圧力も使用することができ
る。
【００２８】本発明により使用される触媒は、液相又は
気相で使用することができる。
気相で使用することができる。
【００２９】化学量論的な理由から、Ｈ−シランを完全
に分離するためには、１水素原子当り少なくとも１塩化
水素分子を使用しなければならない。塩化水素ガスを化
学量論的過剰で使用するのが有利である、それというの
もこのことにより滞留時間を短縮し、転化率を高めるこ
とができるからである。
に分離するためには、１水素原子当り少なくとも１塩化
水素分子を使用しなければならない。塩化水素ガスを化
学量論的過剰で使用するのが有利である、それというの
もこのことにより滞留時間を短縮し、転化率を高めるこ
とができるからである。
【００３０】本発明による方法は、不連続的に、半連続
的に又は完全に連続的に行うことができ、その際、完全
連続法を用いるのが有利である。
的に又は完全に連続的に行うことができ、その際、完全
連続法を用いるのが有利である。
【００３１】連続的方法では、Ｈ−シランの滞留時間
は、有利な実施態様におけるその出発濃度に依存して
０．５〜３０秒であるが、該滞留時間より長い又は短い
滞留時間も選択することができる。
は、有利な実施態様におけるその出発濃度に依存して
０．５〜３０秒であるが、該滞留時間より長い又は短い
滞留時間も選択することができる。
【００３２】
【実施例】次に、本発明を以下の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
【００３３】以下の実施例では、特に断りのない限り、
それぞれ ａ）量の記載は、すべて重量に対するものであり、 ｂ）圧力は、すべて０．１０Ｍｐａ（絶対圧）であり、 ｃ）温度は、すべて２０℃である。
それぞれ ａ）量の記載は、すべて重量に対するものであり、 ｂ）圧力は、すべて０．１０Ｍｐａ（絶対圧）であり、 ｃ）温度は、すべて２０℃である。
【００３４】更に、以下の略語を使用する： Ｍｅ：メチル基 Ｅｔ：エチル基。
【００３５】触媒の製造 硝酸で精製し、乾燥した細分状の活性炭（Conterbon B
A，製造元 Lurgi 社、Frankfurt ）３５ｇを、硝酸銀５
ｇ、及び蒸留水１４０ｍｌ及び酢酸１ｍｌと混合し、７
０℃に加熱した。引続き、撹拌下でホルムアルデヒド溶
液（３７％）３ｍｌを加えた。被覆された炭を液相から
分離し、蒸留水で洗浄し、油ポンプ真空中１２０℃で１
０時間乾燥した。炭上の銀含有率は約１．８重量％であ
った。
A，製造元 Lurgi 社、Frankfurt ）３５ｇを、硝酸銀５
ｇ、及び蒸留水１４０ｍｌ及び酢酸１ｍｌと混合し、７
０℃に加熱した。引続き、撹拌下でホルムアルデヒド溶
液（３７％）３ｍｌを加えた。被覆された炭を液相から
分離し、蒸留水で洗浄し、油ポンプ真空中１２０℃で１
０時間乾燥した。炭上の銀含有率は約１．８重量％であ
った。
【００３６】硝酸で精製し、乾燥したペレット状の活性
炭（Conterbon BA，製造元 Lurgi社、Frankfurt ）３５
ｇに、硝酸銀５ｇ、蒸留水１４０ｍｌ及び酢酸１ｍｌを
混合し、７０℃に加熱した。引続き、撹拌下でホルムア
ルデヒド溶液（３７％）３ｍｌを加えた。被覆された炭
を液相から分離し、蒸留水で洗浄し、油ポンプ真空中１
２０℃で１０時間乾燥した。炭上の銀含有率は約１．８
重量％であった。
炭（Conterbon BA，製造元 Lurgi社、Frankfurt ）３５
ｇに、硝酸銀５ｇ、蒸留水１４０ｍｌ及び酢酸１ｍｌを
混合し、７０℃に加熱した。引続き、撹拌下でホルムア
ルデヒド溶液（３７％）３ｍｌを加えた。被覆された炭
を液相から分離し、蒸留水で洗浄し、油ポンプ真空中１
２０℃で１０時間乾燥した。炭上の銀含有率は約１．８
重量％であった。
【００３７】硝酸で精製し、乾燥したペレット状の活性
炭（Conterbon BA，製造元 Lurgi社、Frankfurt ）３０
ｇを、テトラクロロ金酸２．５ｇ、蒸留水３００ｍｌ及
び濃塩酸８ｍｌを混合し、８０℃に加熱した。引続き、
撹拌下でホルムアルデヒド溶液（３７％）８ｍｌを加え
た。被覆された炭を液相から分離し、蒸留水で洗浄し、
油ポンプ真空中１２０℃で１０時間乾燥した。炭上の金
含有率は約０．２３％であった。
炭（Conterbon BA，製造元 Lurgi社、Frankfurt ）３０
ｇを、テトラクロロ金酸２．５ｇ、蒸留水３００ｍｌ及
び濃塩酸８ｍｌを混合し、８０℃に加熱した。引続き、
撹拌下でホルムアルデヒド溶液（３７％）８ｍｌを加え
た。被覆された炭を液相から分離し、蒸留水で洗浄し、
油ポンプ真空中１２０℃で１０時間乾燥した。炭上の金
含有率は約０．２３％であった。
【００３８】例１及び２（本発明による）、及び例３
（本発明によらない） 滴下ロート、ガス導入管及び蒸留ヘッドが設けられたミ
ラーガラスカラム（Spiegelglaskolonne）を備えた三つ
首フラスコ中にアルゴン雰囲気下でＭｅ2ＳｉＣｌ2と５
２０ｐｐｍのＥｔＨＳｉＣｌ2からの混合物１１０ｇを
装入した。触媒Ａｇをミラ−ガラスカラムに導入した。
（本発明によらない） 滴下ロート、ガス導入管及び蒸留ヘッドが設けられたミ
ラーガラスカラム（Spiegelglaskolonne）を備えた三つ
首フラスコ中にアルゴン雰囲気下でＭｅ2ＳｉＣｌ2と５
２０ｐｐｍのＥｔＨＳｉＣｌ2からの混合物１１０ｇを
装入した。触媒Ａｇをミラ−ガラスカラムに導入した。
【００３９】フラスコ中のシランを撹拌下で７０℃に加
熱し、塩化水素を４ ｌ／ｈの量で混合物に導入した。
蒸発したシラン及び塩化水素ガスをカラムを通過させて
導入し、蒸留ヘッド内で凝縮して取り出した。留出液を
該系から分離した程度に、フラスコにＭｅ2ＳｉＣｌ2／
ＥｔＨＳｉＣｌ2（５２０ｐｐｍ）を計量供給した。
熱し、塩化水素を４ ｌ／ｈの量で混合物に導入した。
蒸発したシラン及び塩化水素ガスをカラムを通過させて
導入し、蒸留ヘッド内で凝縮して取り出した。留出液を
該系から分離した程度に、フラスコにＭｅ2ＳｉＣｌ2／
ＥｔＨＳｉＣｌ2（５２０ｐｐｍ）を計量供給した。
【００４０】経過時間Ｂ分後に反応を中断し、留出液を
ＧＣで分析した。
ＧＣで分析した。
【００４１】留出液の量は、記載の反応時間後Ｃｍｌ
（流量Ｄｍｌ／ｈ）であり、これはＭｅ2ＳｉＣｌ2に対
して、触媒上、ガス状で約Ｅ秒の滞留時間に相当する。
留出液中ＥｔＨＳｉＣｌ2の濃度はＦｐｐｍであった。
（流量Ｄｍｌ／ｈ）であり、これはＭｅ2ＳｉＣｌ2に対
して、触媒上、ガス状で約Ｅ秒の滞留時間に相当する。
留出液中ＥｔＨＳｉＣｌ2の濃度はＦｐｐｍであった。
【００４２】 第１表 例 触媒 Ａ Ｂ Ｃ Ｄ Ｅ Ｆ （ｇ） （分） （ml） （ml/h）（秒） （ppm） １ 金−活性炭 １７ １２５ ２５０ １２０ ２．６ ３５ （０．２３％）＊） ２ 銀−活性炭 ２２ １５５ ３５０ １３５ ３．５ ２５ （１．８％）＊） ３ 活性炭＊） １７ １９３ ６１０ １９０ １．７ １２０ ＊）触媒の製造、参照 例４（本発明による） 実験の構成及び実施は、例１の記載と同様であるが、但
し、使用したシランが以下の組成： テトラメチルジクロルジシラン６０％ メチルジクロルシラン３４％ 残り（種々のメチルクロル−モノ−及び−ジシラン）６
％ を有するように変更した。
し、使用したシランが以下の組成： テトラメチルジクロルジシラン６０％ メチルジクロルシラン３４％ 残り（種々のメチルクロル−モノ−及び−ジシラン）６
％ を有するように変更した。
【００４３】触媒としては、銀−活性炭（１．８％）２
０ｇを使用した。フラスコの温度を１５０℃に加熱し、
流量を５０ｍｌ／ｈに減少させ、滞留時間を１２秒に延
長した。得られた留出液は、以下の組成： テトラメチルジクロルジシラン３０％ メチルジクロルシラン５７％ メチルジクロルシラン（ＨＣｌに対する転化率：９４
％）４％ を有していた。
０ｇを使用した。フラスコの温度を１５０℃に加熱し、
流量を５０ｍｌ／ｈに減少させ、滞留時間を１２秒に延
長した。得られた留出液は、以下の組成： テトラメチルジクロルジシラン３０％ メチルジクロルシラン５７％ メチルジクロルシラン（ＨＣｌに対する転化率：９４
％）４％ を有していた。
【００４４】反応フラスコ中、テトラメチルジクロルジ
シランは富化し、メチルジクロルシランは、なお痕跡で
存在するにすぎなかった。
シランは富化し、メチルジクロルシランは、なお痕跡で
存在するにすぎなかった。
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式Ｉ： ＲxＣｌ3-xＳｉ−［ＳｉＲyＣｌ2-y］n−Ａ （Ｉ） ［式中、Ｒは非置換又はハロゲン置換された１〜１８個
の炭素原子を有する、エチレン系二重結合を有しない炭
化水素基を表し、Ａは塩素原子又は基Ｒを表し、ｘは
０，１，２又は３の値を有し、ｙは０，１又は２の値を
有し、ｎは０又は１の値を有する］のシラン及びそれら
の混合物から、直接珪素に結合した水素原子を有するシ
ランを分離する方法において、直接珪素に結合した水素
原子を有するシランを塩化水素と、触媒として銀又は金
の存在下で反応させて相応するクロルシランにすること
を特徴とする、シランから直接珪素に結合した水素原子
を有するシランを分離する方法。 - 【請求項２】 担体上の微粒子状触媒を使用する、請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 直接珪素に結合した水素原子を有するシ
ランを、メチルクロルシラン合成の際に生成する生成物
混合物から分離する、請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 ＥｔＳｉＨＣｌ2を分離する、請求項１
から３のいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE4241696.5 | 1992-12-10 | ||
| DE4241696A DE4241696A1 (de) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Verfahren zur Entfernung von wasserstoffhaltigen Silanen aus Silanen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279459A JPH06279459A (ja) | 1994-10-04 |
| JPH0735385B2 true JPH0735385B2 (ja) | 1995-04-19 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JPH0735385B2 (ja) |
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| DE102007030948A1 (de) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Umwandlung von Si-H-Verbindungen in Si-Halogen-Verbindungen |
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- 1993-11-30 CN CN93120581A patent/CN1041521C/zh not_active Expired - Fee Related
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- 1993-12-09 DE DE59300123T patent/DE59300123D1/de not_active Expired - Fee Related
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