JP3670958B2 - 1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンは特定のポリシロキサンの製造の際に使用されるばかりか、有機合成における保護基試薬としの使用も増加している。おそらく最も調査が進みかつ最も多く使用されているこの物質クラスのジシロキサンは1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン及び1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンである。
【0003】
これらの化合物は原則として1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの塩素化により製造される。しかしながら、文献に記載されたこの塩素化法はたいてい工業生産規模に移行させるためには適しておらず、さらになお多くの欠点を有する。
【0004】
この塩素化は元素状塩素を用いて触媒の存在でJP−A−02145591に従って原則として可能であるが、この置換はしばしばケイ素−結合水素に選択的に進行せず、オルガニル基にも行われてしまう。目的の分子の精製は著しく困難で、費用がかかる。
【0005】
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンを塩化銅(II)を用いて、ヨウ化銅(I)の存在で塩素化することはEP−A−557762もしくは対応するUS−A−5,258,535に記載されている。この方法のい本質的な欠点はH−Cl−交換あたり少なくとも1(モル)等量の塩化銅(II)が必要であり、特に工業的規模で莫大な量の銅塩を取り扱わなければならないことにある。さらに、この反応のために溶剤が必要である。
【0006】
さらに、DE−A−3518605からは塩化アリル、JP−A−58004792からはクロロカーボン、H. X. Zang, et al., Synth. Commun. 17 (1987) 1299-1307からは酸塩化物、並びにR. Chawla, et al., Synth. Commun. 29 (1999) 3499-3501からは次亜塩素酸塩を、たいていは1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの塩素化のための特定の触媒の存在で使用することが公知である。この塩素化剤の毒物学的特性に基づき工業的使用は疑問である。さらに、この塩素化反応の際に、所望の生成物から蒸留により分離しなければならない副生成物が生じる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの簡単でかつ特に経済的な製造方法を提供することであった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の対象は、一般式
XR2Si−O−SiR2X (1)
[Rは同じ又は異なっていてもよく、場合によりフッ素又は塩素で置換された、1から20個の炭素原子を有する炭化水素基を表し、
Xは同じ又は異なっていてもよく、ハロゲン原子を表す]で示される1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンを製造するにあたり、ハロゲン化水素を、一般式
HR2Si−O−SiR2H (2)
で示される1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンと、第8副族の遷移金属、第8副族の遷移金属の化合物及び第8副族の遷移金属の錯体から選択される触媒の存在で反応させる方法である。
【0009】
炭化水素基Rの例は、アルキル基、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル、ヘキシル基(Thexyl-)、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基及びn−オクチル基並びにオクタデシル基;シクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基及びメチルシクロヘキシル基;アラルキル基、例えばベンジル基、フェニルエチル基、フェニルノニル基、2−フェニルプロピル基及びフルオレニル基である。
【0010】
置換炭化水素基Rの例は、3,3,3−トリフルオロプロピル基、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシル基及び2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基並びにクロロメチル基及び3−クロロプロピル基である。
【0011】
有利な基Rは、1〜10個の炭素原子を有するアルキル基及びシクロアルキル基であり、その際、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が特に有利である。
【0012】
Xはフッ素原子、塩素原子又は臭素原子であり、その際、塩素原子が特に有利である。
【0013】
全ての式において、ケイ素原子は4価である。
【0014】
本発明の方法により製造された一般式(1)の1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサン、並びに本発明により使用された一般式(2)の1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンは、室温でかつ1013hPaで液体又は固体の有機ケイ素化合物である。
【0015】
本発明により製造された一般式(1)のジシロキサンの有利な例は、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラエチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラ−n−プロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトライソプロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラ−n−ブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトライソブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラ−s−ブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラ−t−ブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラシクロペンチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3,−テトラシクロヘキシルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジエチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジメチル−1,3−ジ−n−プロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジメチル−1,3−ジイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−n−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジイソブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−s−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジエチル−1,3−ジ−n−プロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジエチル−1,3−ジイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−n−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジイソブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−s−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジエチルジシロキサン及び
1,3−ジクロロ−1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジエチルジシロキサンであり、その際、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラ−n−ブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラ−s−ブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラ−t−ブチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラシクロヘキシルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジメチル−1,3−ジイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−n−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−s−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジクロロ−1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシロキサンが特に有利である。
【0016】
本発明の方法で使用した一般式(2)のジシロキサンは、有利に
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−n−プロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−n−ブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−s−ブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−t−ブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラシクロペンチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラシクロヘキシルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジエチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジメチル−1,3−ジ−n−プロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジメチル−1,3−ジイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−n−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジイソブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−s−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジエチル−1,3−ジ−n−プロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジエチル−1,3−ジイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−n−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジイソブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−s−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジエチルジシロキサンであり、その際、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−n−ブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−s−ブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ−t−ブチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラシクロヘキシルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジメチル−1,3−ジ−イソプロピルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−n−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−s−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン及び
1,3−ジヒドロ−1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシロキサンが特に有利である。
【0017】
本発明により使用された一般式(2)のジシロキサンは、市販の生成物であるかもしくは化学において公知の方法により製造することができる。
【0018】
これは、例えばハロゲンジ(オルガニル)−H−シランの加水分解により得られる。ハロゲンジ(オルガニル)−H−シランは同様に市販の生成物であるかもしくは例えばハロゲンオルガニルを有するケイ素の直接合成(Mueller-Rochow-Prozess)の際に生じるか、金属オルガニル(例えばグリニャール試薬又はリチウムオルガニル)を、ジハロゲン(オルガニル)シランもしくはトリハロゲン−H−シランとの塩脱離反応により得られるか、もしくは不均化反応及び均化反応により得ることができる。
【0019】
本発明の方法において有利に使用されるハロゲン化水素は、フッ化水素、塩化水素及び臭化水素であり、その際、塩化水素が特に有利である。
【0020】
本発明の方法により使用される触媒は、第8副族の遷移金属並びにこの金属のれ化合物又は錯体である。有利な例は、粉末の形の、場合により炭、活性炭又は硫酸バリウムと混合した形のルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム及び白金、並びにジクロロテトラキス(トリフェニルホスフィノ)−ルテニウム(II)、ジクロロトリス(トリフェニルホスフィノ)ルテニウム(II)、ヘキサクロロルテニウム酸(IV)カリウム、カリウム−μ−オキソビス−[ペンタクロロ−ルテネート(IV)]−ヒドレート、ルテニウム(III)−アセチルアセトネート、塩化ルテニウム(III)、塩化ルテニウム(III)−ヒドレート、酸化ルテニウム(IV)、酸化ルテニウム(IV)−ヒドレート、クロロトリス(トリフェニルホスフィノ)−ロジウム(I)、ヘキサクロロロジウム酸(III)カリウム、ヘキサクロロロジウム酸(III)ナトリウム、ロジウム(III)−アセチルアセトネート、塩化ロジウム(III)、塩化ロジウム(III)−ヒドレート、酸化ロジウム(III)、酸化ロジウム(III)−ヒドレート、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸−ヒドレート、イリジウム(III)アセチルアセトネート、塩化イリジウム(III)、塩化イリジウム(III)−ヒドレート、酸化イリジウム(IV)、酸化イリジウム(IV)−ヒドレート、ヘキサクロロイリジウム酸(III)カリウム、ヘキサクロロイリジウム酸(IV)カリウム、ヘキサクロロイリジウム酸(III)ナトリウム−ヒドレート、ヘキサクロロイリジウム酸(IV)ナトリウム−ヘキサヒドレート、ビス(アセト)ビス(トリフェニルホスフィノ)パラジウム(II)、ヘキサクロロパラジウム酸(IV)カリウム、テトラクロロパラジウム酸(II)カリウム、ヘキサクロロパラジウム酸(IV)ナトリウム−テトラヒドレート、テトラクロロパラジウム酸(II)ナトリウム、酢酸パラジウム(II)、パラジウム(II)−アセチルアセトネート、塩化パラジウム(II)、酸化パラジウム(II)、酸化パラジウム(II)−ヒドレート、硫酸パラジウム(II)、テトラキス(トリフェニルホスフィノ)パラジウム(0)、ヘキサクロロ白金(IV)酸−ヒドレート、白金(II)−アセチルアセトネート、塩化白金(II)、塩化白金(IV)、白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、酸化白金(IV)、ヘキサクロロ白金酸(IV)カリウム、ヘキサクロロ白金酸(IV)ナトリウム−ヘキサヒドレート及びテトラキス(トリフェニルホスフィノ)白金(0)並びにこれらの化合物の組合せである。
【0021】
特に有利に本発明の方法において使用された触媒は、炭上のルテニウム(例えば5%Ru)、炭上のロジウム(例えば5%Rh)、イリジウム粉末、活性炭上のパラジウム(例えば5%Pd)及び活性炭上の白金(例えば5%Pt)並びにジクロロトリス(トリフェニルホスフィノ)ルテニウム(II)、ヘキサクロロルテニウム酸(IV)カリウム、塩化ルテニウム(III)、酸化ルテニウム(IV)、塩化ロジウム(III)、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸−ヒドレート、塩化イリジウム(III)、酸化イリジウム(IV)、ヘキサクロロイリジウム酸(III)カリウム、ヘキサクロロイリジウム酸(IV)カリウム、ビス(アセト)ビス(トリフェニルホスフィノ)−パラジウム(II)、ヘキサクロロパラジウム酸(IV)カリウム、テトラクロロパラジウム酸(II)カリウム、ヘキサクロロパラジウム酸(IV)ナトリウム−テトラヒドレート、テトラクロロパラジウム酸(II)ナトリウム、塩化パラジウム(II)、酸化パラジウム(II)、ヘキサクロロ白金(IV)酸−ヒドレート、塩化白金(II)、塩化白金(IV)、白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン及び酸化白金(IV)、ヘキサクロロ白金酸(IV)カリウム、特に活性炭上のパラジウム(例えば5%Pd)、活性炭上の白金(例えば5%Pt)、塩化パラジウム(II)、ヘキサクロロ白金(IV)酸−ヒドレート及び白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンである。
【0022】
適当な空時収率並びに経済的及び環境的観点を配慮しながら、本発明による方法において、第8副族の元素状の金属として計算して、使用した一般式(2)のジシロキサンの総質量に対して0.02〜100000質量−ppm、特に有利に1〜10000質量−ppmの量で遷移金属触媒を添加する。
【0023】
本発明による方法の場合、有利に−78〜250℃、特に有利に0〜150℃の温度で反応を実施する。本発明による反応の際に適用される圧力は任意であることができ、特に使用する一般式(2)のジシロキサンに依存する。ハロゲン化水素と一般式(2)のジヒドロジシロキサンとの反応を有利に500〜20000hPaの圧力で、特に有利に大気圧で、つまり900〜1100hPaの圧力で行うのが有利であり、その際、使用されるジヒドロジシロキサンは有利に室温及び選択された圧力で液体又は固体である。
【0024】
本発明による方法は保護ガス雰囲気中で、空気酸素及び湿分を遮断しながら実施するのが有利である。適当な保護ガスは例えばアルゴン及び窒素である。
【0025】
本発明による製造方法により、固体の1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンが得られるか又は固体の1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンを使用する場合、この反応は有機溶剤中で実施するのが有利である。
【0026】
有機溶剤を使用すべき場合、それぞれ使用した1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンに対して有利に0.01〜50(質量−)等量、特に有利に1〜5(質量−)等量の量で添加される。
【0027】
本発明の方法で使用される適当な溶剤は芳香族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン又はキシレン、脂肪族炭化水素、例えばn−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン又はシクロヘキサン並びにハロゲン化炭化水素である。触媒の活性を低下させる溶剤又は副反応を引き起こす溶剤、例えばアルコールは本発明によるハロゲン化反応のために不適当である。
【0028】
本発明により液体の1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンから出発して液体の1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンを製造する場合、使用する成分に対して不活性な適当な溶剤は必要ではないが、害にもならない。
【0029】
本発明による方法において、ガス状のハロゲン化水素は有利に2:1〜100:1のモル比で、特に有利に2:1〜40:1のモル比で一般式(2)のジシロキサンと反応させる。
【0030】
本発明による反応の完了後に、一般式(1)のジシロキサンは公知のように、例えば濾過により直接単離されるか、又は反応混合物中に溶解した触媒の分離のためにも引き続き蒸留して反応混合物から単離される。
【0031】
本発明による方法は、一般式(1)のジハロゲンジシロキサンの製造を著しく簡単でかつ著しく良好な収率で可能にしているという利点を有する。
【0032】
本発明による方法は、さらにジハロゲンジシロキサンを著しく高い生成物純度で生じるというもう一つの利点を有する。副生成物として生じる水素は容易にかつ定量的に分離可能である。
【0033】
さらに、本発明による方法は反応時間が著しく短くかつ毒性の観点並びに安全技術的観点を触媒の選択の際に考慮できるという利点を有する。
【0034】
さらに、特許請求の範囲に記載された触媒の一部、例えば純粋な形で又は炭素もしくは活性炭と混合した形の金属粉末は、公知の方法、例えば上澄液の濾過、デカント又は遠心分離により簡単に分離され、認識できるほどの活性の損失もなく触媒として他の塩素化反応のために使用されるのが有利である。
【0035】
本発明により製造された一般式(1)のジシロキサンは、今まで1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンが使用されていた全ての目的で使用することができる。この化合物は、特に製剤学的生成物、農薬の製造のため並びに分析の目的での有機合成における誘導化−試薬及び保護基−試薬として使用される。
【0036】
【実施例】
次の例において、全ての部及びパーセンテージの記述は、他に記載のない限り重量に関する。他に記載がない限り、次の例は大気圧で、つまりほぼ1000hPaで、かつ室温、つまりほぼ20℃で又は反応体を室温で合わせる際に付加的加熱もしくは冷却なしで生じる温度で実施される。
【0037】
他に記載のない限り、次に記載した例中での出発物質並びに反応生成物の取り扱いはアルゴンの保護雰囲気中で空気及び湿分を排除しながら行う。
【0038】
例1
撹拌機、すり合わせ温度計、強力冷却器及びガス導管を備えた250mlの3つ口フラスコ中に、活性炭上のパラジウム0.3g(1.4・10- 4mol Pd)(5%Pd)及び1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン(99.1%の純度、ガスクロマトグラフィーにより測定)を装入した。引き続き、この反応混合物を45℃に加熱し、120分の時間にわたり約36.5g(1.0mol)の量の塩化水素ガスを導通した。触媒を分離した後、懸濁液を室温に冷却し、次いで濾過した。無色透明な濾液は1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラ−イソプロピルジシロキサンを99.5%の純度(ガスクロマトグラフィーで測定)で含有していた。濾液量は75.5g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンに対して96%の収率)であった。
【0039】
例2
例1に記載された方法を繰り返すが、活性炭上のパラジウム0.3g(5%Pd)の代わりに活性炭上の白金0.4g(1.0・10- 4mol Pt)(5%Pt)を使用した。塩化水素−導入の完了後に同様に触媒を濾過により分離した。無色透明な濾液は1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンを99.2%の純度(ガスクロマトグラフィーで測定)で含有していた。濾液量は74.9g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンに対して95%の収率)であった。
【0040】
例3
例1に記載された方法を繰り返すが、活性炭上のパラジウム0.3g(5%Pd)の代わりに塩化パラジウム(II)0.02g(1.1・10- 4mol)を使用した。生成物の単離を真空蒸留により行った。94〜95℃/1hPaで1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンに対して89%の収率)が得られた。
【0041】
例4
例1に記載された方法を繰り返すが、活性炭上のパラジウム0.3g(5%Pd)の代わりにヘキサクロロ白金(IV)酸ヒドレート0.1g(2.0・10- 4mol Pt)(40%Pt)を使用した。生成物の単離を同様に真空蒸留により行った。1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン71.2g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンに対して90%の収率)が得られた。
【0042】
例5
例1に記載された方法を繰り返すが、活性炭上のパラジウム0.3g(5%Pd)の代わりに白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(100mPasの粘度を有するポリジメチルジシロキサン中0.1m)1.0ml(1.0・10- 4mol)を使用した。生成物の単離を真空蒸留により行った。1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン72.0g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンに対して91%の収率)が得られた。
【0043】
例6
例1に記載された方法を繰り返すが、活性炭上のパラジウム0.3g(5%Pd)の代わりに塩化イリジウム(III)0.05g(1.7・10- 4mol)を使用した。生成物の単離を真空蒸留により行った。1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン71.5g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサンに対して91%の収率)が得られた。
【0044】
例7
例1に記載した装置中に活性炭上のパラジウム0.3g(1.4・10- 4mol Pd)(5%Pd)及び1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン33.6g(0.25mol)(99.4%の純度、ガスクロマトグラフィーで測定)を30℃で装入した。100分の時間にわたり、塩化水素ガス約36.5g(1.0mol)を反応混合物に導通した。塩化水素の導入が完了した後に触媒を濾過により分離した。無色透明な濾液は1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンを99.5%の純度(ガスクロマトグラフィーで測定)で含有していた。濾液量は49.1g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンに対して97%の収率)であった。
【0045】
例8
例7中に記載された方法を繰り返すが、活性炭上のパラジウム(5%Pd)0.3gの代わりに、塩化パラジウム(II)0.02g(1.1・10- 4mol)を使用した。生成物の単離を真空蒸留により行った。1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン46.3g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンに対して91%の収率)が得られた。
【0046】
例9
例7に記載された方法を繰り返すが、1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン33.6gの代わりに、1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン47.6g(0.25mol)を使用した。塩化水素の導入を完了した後に触媒を同様に濾過により分離した。無色透明な濾液は1,3−ジクロロ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサンを99.6%の純度(ガスクロマトグラフィーで測定)で含有していた。濾液量は63.4g(1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサンに対して98%の収率)であった。
【0047】
例10
例7中に記載された方法を繰り返すが、1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン33.6gの代わりに、1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン54.6g(0.25mol)を使用した。塩化水素の導入を完了した後に触媒を同様に濾過により分離した。無色透明な濾液は1,3−ジクロロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサンを99.1%の純度(ガスクロマトグラフィーで測定)で含有していた。濾液量は69.9g(1,3−ジヒドロ−1,3−ジ−t−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサンに対して97%の収率)であった。
Claims (7)
- 一般式
XR2Si−O−SiR2X (1)
[式中、
Rは同じ又は異なっていてもよく、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよい1〜20個の炭素原子を有する炭化水素基を表し、及び
Xは同じ又は異なっていてもよく、ハロゲン原子を表す
]で示される1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの製造方法において、ハロゲン化水素を、一般式
HR2Si−O−SiR2H (2)
で示される1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンと、第8副族の遷移金属、第8副族の遷移金属の化合物及び第8副族の遷移金属の錯体から選択される触媒の存在で反応させる、1,3−ジハロゲン−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンの製造方法。 - 基Xが塩素原子である、請求項1記載の方法。
- 一般式(2)の使用した1,3−ジヒドロ−1,1,3,3−テトラ(オルガニル)ジシロキサンが室温及び1013hPaで液体又は固体の有機ケイ素化合物である、請求項1又は2記載の方法。
- 使用したハロゲン化水素が塩化水素である、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 遷移金属触媒を、一般式(2)の使用したジシロキサンの総量に対して、第8副族の元素状金属として計算して0.02〜100000質量−ppmの量で添加する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- ハロゲン化水素を2:1〜100:1のモル比で一般式(2)のジシロキサンと反応させる、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 使用した触媒が、活性炭上のパラジウム、活性炭上の白金、塩化パラジウム(II)、ヘキサクロロ白金(IV)酸−ヒドレート又は白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンである、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
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