JPH07326809A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents

半導体素子及びその製造方法

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JPH07326809A
JPH07326809A JP7126878A JP12687895A JPH07326809A JP H07326809 A JPH07326809 A JP H07326809A JP 7126878 A JP7126878 A JP 7126878A JP 12687895 A JP12687895 A JP 12687895A JP H07326809 A JPH07326809 A JP H07326809A
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layer
hollow space
actuator
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Christofer Hierold
ヒーロルト クリストファー
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 センサ又はアクチュエータの熱絶縁が良好に
行われる、集積化された熱的センサ又はアクチュエータ
を有する半導体素子の提供と、モノリシック集積回路の
製造プロセスと両立し得るその製造方法を提供するこ
と。 【構成】 センサ又はアクチュエータとして機能するた
めに構造化された層を設け、前記構造化された層は中空
空間によってその他の半導体材料から熱的に絶縁され、
前記中空空間は外部から遮蔽層によって閉鎖されるよう
に構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノリシックに集積化
されたセンサ又はアクチュエータを有する、例えばシリ
コンからなる半導体素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】制御ないし評価のための電子回路と共に
シリコンウエハ上での熱的センサのモノリシックな集積
化、並びに標準工程における集積化された構成要素の同
時製造は、機能特性、信頼性、小型化、及びこれらの構
成素子製造の簡素化に関して大きな利点をもたらす。例
えば温度センサのような熱的センサ、熱的質量流量セン
サ、熱放射センサ及び例えば加熱素子等のアクチュエー
タは、基板に対する熱容量と熱伝導度を最小化するため
に構成素子の基板から最も良好な形で絶縁されなければ
ならない。これはセンサ素子の応答速度を最小化しその
感度を最大化するために必要なことである。その他にも
所定の温度差に必要な熱量が低減される。
【０００３】モノリシックに集積化された回路を有する
半導体構成素子中のセンサの熱絶縁に対してこれまでの
アプローチはバルク−マイクロマシンニングメソードを
用いていた。例えばＤ．Ｍｏｓｅｒの公知文献“Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ Ｇａｓ ＦｌｏｗＳｅｎｓｏｒｓ Ｕｓｉｎ
ｇ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ ＣＭＯＳ ａｎｄ Ｂｉｐ
ｏｌａｒ ＩＣ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ Ｓｅｎ
ｓｏｒ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ，２５−２
７，５７７〜５８１（１９９１）”にはガス流センサが
記載されている。この中ではゼーベック効果を用いてア
ルミニウム−ポリシリコン−熱電対がＣＭＯＳ回路と共
に集積されている。この構成素子の製造の際にはシリコ
ン基板が表面側から異方性エッチングによってセンサ層
に対して選択的に除去される。これにより深い孔部又は
溝がシリコン基板に形成される。またＥ．Ｙｏｏｎの公
知文献“Ａｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｍａｓｓ Ｆｌ
ｏｗ Ｓｅｎｓｏｒ ｗｉｔｈ Ｏｎ Ｃｈｉｐ ＣＭ
ＯＳ ＩｎｔｅｒｆａｃｅＣｉｒｃｕｉｔｒｙ，ｉｎ
ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒ．Ｄｅｖ．
３９，１３７６〜１３８６（１９９２）”に記載され
た質量流量センサでは基板が裏側からエッチングされて
いる。熱的センサはチップ表面の例えば酸化膜又は窒化
珪素からなる薄膜上に載置され、これらはもはやこの薄
膜を介してしかサブストレート（基板）に熱的に結合さ
れない。裏側の構造化によって特殊な組み付け技術が必
要となる。
【０００４】表側からのエッチングにおいてはセンサ素
子の多くがブリッジ又は片持式に実現される。これらは
エッチングされる孔部または溝上に緊定されているかな
いしはこれらの孔部ないし溝内へ突出している。センサ
の熱絶縁は周辺媒体（例えば窒素）と、ブリッジ又は片
持ち部の大抵は薄い懸架部を介して行われる。基板中の
深い孔部ないし溝は粒子によって非常に簡単に汚れる。
この粒子は例えば流量センサ内にガス流によってもたら
されたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、セン
サ又はアクチュエータの熱絶縁が良好に行われる、集積
化された熱的センサ又はアクチュエータを有する半導体
素子の提供と、モノリシック集積回路の製造プロセスと
両立（共存）し得る製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば上記課題
は、センサ又はアクチュエータとして機能するために構
造化された層が設けられており、前記構造化された層は
中空空間によってその他の半導体材料から熱的に絶縁さ
れ、前記中空空間は外部から遮蔽層によって閉鎖される
ように構成されて解決される。
【０００７】また上記課題は、第１のステップにおいて
半導体材料から成る基板上に、構成素子の所定の作動形
式に要する構造を半導体材料から形成し、第２のステッ
プにおいてセンサ又はアクチュエータに対する所定の構
造化された層を、該層が層平面において後続の第４のス
テップに対して十分に小さい中空空間によって中断され
るように形成し、第３のステップにおいて前記中空空間
に対する所定の切欠き部を前記構造化された層の下方に
形成し、第４のステップにおいて、形成すべき中空空間
に相応する低いガス圧のもとで面全体に亘って遮蔽層を
析出させ、該遮蔽層は中空空間を閉鎖し、それによって
前記切欠き部の内部に中空空間が残的に形成され、第５
のステップにおいてセンサ又はアクチュエータの電気的
な接続のためのコンタクトを形成するようにして解決さ
れる。
【０００８】本発明の別の有利な実施例は従属請求項に
記載される。
【０００９】本発明による熱的センサにおいてはセンサ
の製造が、表面微細処理手法によって処理可能な構成素
子の表面層内で行われる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
【００１１】図１には、基板１上に中空空間４の形成の
ために設けられた介在層２とセンサ層３が被着されてい
る構成素子が示されている。中空空間４は遮蔽（密閉）
層５により密閉されている。中空空間４上方のセンサ領
域８においてセンサウエブ６がセンサ層３の構成部分と
して存在している。このセンサウエブ６は相互に導電的
に、またセンサ層３の端子面上に被着されているコンタ
クト７に接続されている。センサウエブ６は遮蔽層５内
に埋め込まれ、中空空間４に亘っている。この場合一方
の端部のみが介在層２の上に載置されるか（片持ち式）
又はセンサウエブ６の両端部が介在層２の側縁部に載置
される（ブリッジ式）。センサ層３の構造化はここでは
単に１つの例としてのみ示されている。一般的にセンサ
は中空空間４上の構造化層として構成されている。この
構造化層は例えば温度依存性のオーム抵抗又は熱電対を
有する図１中に示された、導電材料から成るウエブを有
している。さらにそれらの代わりに又は付加的に、この
構造化層は例えば加熱部又はセンサとして作動するダイ
オード又はトランジスタなどのような能動素子を有して
いてもよい。
【００１２】基板１内にはさらなる例えば制御及び評価
回路と一緒に被着される別の能動的構成素子がモノリシ
ックに集積化されていてもよい。図１に示されている実
施例においては２つの相補的ＭＯＳトランジスタが存在
している。相互に相補的なトランジスタに対して設けら
れたドーピング領域（ｎ−ウエル及びｐ−ウエル）で
は、ソース領域及びドレイン領域１０が埋め込まれてい
る。それらの間では酸化膜の上に例えばポリシリコンか
らなるそれぞれ１つのゲート電極９が存在している。こ
のゲート電極９は横方向で接触接続されている。ソース
及びドレインに対するコンタクト１１は図１中に示され
ている。プレーナ化を行う遮蔽層５（これは場合によっ
ては別の相によって覆われてもよい）の上側には、金属
化層１５が存在する。この金属化層１５は、第１の金属
化面として作用し、種々異なるコンタクトとの電気的な
接続を可能にする。補足的に図１ではセンサ領域８下方
の基板１内にドープ領域１２が存在する。このドープ領
域１２には高濃度ドープ接続領域１３が接している。こ
の高濃度ドープ接続領域１３上には１つのコンタクト１
４が被着されている。このドープ領域１２は、導電的セ
ンサ層３に対する逆電極として用いることができる。こ
のようにして組合せ形の温度−圧力−センサが得られ
る。この場合センサ層３と遮蔽層５はセンサ領域８内で
弾性的に（例えば十分に薄く）構成され、この構成のも
とでは外側の圧力が変化した場合にセンサ層３と、セン
サ領域８内のドープ領域１２の間の間隔が変化し、この
変化に基づいてセンサ層３とドープ領域１２の間の電気
容量の変化が検出され評価される。遮蔽層５内のセンサ
ウエブ６の良好な可動性を保証するために、この遮蔽層
５はセンサ領域８内で図示のように比較的薄くなるよう
にエッチング処理されてもよい。また遮蔽層５内に埋め
込まれて構造化されるセンサ層３をアクチュエータに対
して同じように設けてもよい。
【００１３】図２の実施例では基板１の上に介在層２と
その上に構造化されたセンサ層３が存在している。前記
介在層２の中には中空層４が形成され、前記センサ層３
は遮蔽層５を有している。この遮蔽層５はここでは１つ
の１つのプレーナ表面を有している。この表面には金属
化層１５が被着される。この金属化層１５の一部は構造
化された形態でセンサウエブ１７上方にある。この金属
化層１５の構造部はここでは例えば条板状の導体路１６
と電気接続のための端子面１８からなる。導体路１６は
相互に端子面１８と導電的に接続され作動電流が印加さ
れた際には加熱素子として作用するように構成されてい
る。センサ層３がポリシリコンであるならば、ポリシリ
コンの比較的高い層抵抗と金属導体路の電気抵抗に対す
る比較的高い温度係数のためにセンサウエブ１７を加熱
素子とし導体路１６をセンサとして使用することは有利
である。もちろんこの逆の構成も可能である。加熱素子
とセンサの間の間隔は、加熱素子によって設定される基
準温度に対する温度変化をセンサが検出し得る位に小さ
くされる。そのようなセンサと加熱素子の組合せはセン
サの効率を向上させ、基準温度の適切な選択によって特
に所定の温度領域に良好に適合させることができる。基
本的には加熱素子とセンサをセンサ層３と同じ層平面に
櫛状に相互に噛み合うように、但し電気的に相互に絶縁
して配設することも可能である。
【００１４】次に本発明によるセンサ／アクチュエータ
の概略的な製造プロセスを図３〜図６に基づき説明す
る。このセンサないしアクチュエータの層状構造は、規
格化されたＣＭＯＳ／ＢｉＭＯＳ製造プロセス内の表面
微細処理手法によって製造するのに特に適している。こ
の表面微細処理は１つのチップ（例えばシリコンチッ
プ）の表面に微細処理構造部を形成するための手法であ
る。いわゆる介在層、すなわち構造化の目的にのみ用い
られ当該プロセスの経過の中で完全に又は部分的に除去
される層である。図３には基板１の横断面が示されてい
る。この基板１はその中に埋め込まれている、ＭＯＳト
ランジスタ製造のためのドープ領域を有している。この
トランジスタ領域は制御素子とセンサの共に行われる集
積化の図解のためにのみ示されいる。基本的には基板１
中には任意の電子素子をモノリシックに集積化できる。
基板表面には例えば酸化膜からなる介在層２が面全体に
亘って被着されている。トランジスタのためにドーピン
グされた領域上（いわゆるｎウエル，Ｐウエル）では当
該の介在層２がそれぞれ基板まで開口している。この介
在層２中の開口部には例えばポリシリコンからなるゲー
ト−酸化膜とゲート電極９が被着され、ソース及びドレ
インのための高濃度ドーピング領域に対する埋め込みが
行われる。この製造はＣＭＯＳプロセス又はＢｉＭＯＳ
プロセスの規格化されたプロセスの段階で行われる。介
在層２の上側にはセンサないしアクチュエータとして設
けられる領域内にセンサないしアクチュエータとしての
機能に対して構造化される層が形成される。この層はこ
の実施例ではセンサウエブ６と共に構造化された（例え
ばポリシリコンからなる）センサ層３からなり、有利に
はゲート電極９と共に同じプロセス段階の中で製造され
る。センサウエブ６は相互に接続され、例えばミアンダ
状に延在し実質的に相互に並行して配設されるポリシリ
コン路からなる櫛状構造部を形成する。このポリシリコ
ン路又は条片（これらは図３の横断面図中ポリシリコン
ウエブ６で示されておりこの場合わかりやすくするため
に視点方向にある当該センサウエブ６の横方向の接続部
は省かれている）は温度依存性の電気抵抗を有する導体
路を形成する。センサとしてこの構造を使用する場合に
は、ポリシリコンウエブを通って流れる供給電流の温度
依存性の変化が測定される。アクチュエータ（加熱素
子）としてこの構造を使用する場合には、前記ポリシリ
コンからなる導体路を加熱する電流が供給される。それ
によりアクチュエータは抵抗性加熱素子として動作す
る。このポリシリコンウエブの代わりに例えば金属化物
（例えばＡｌＳｉＣｕ又はＷＯ，場合によりＴｉ／Ｔｉ
Ｎからなる拡散隔壁を有す）からなるウエブ、アルミニ
ウム−ポリシリコン−熱電対、ポリシリコン−ポリシリ
コン熱電対、ダイオード又はトランジスタ（加熱素子又
はセンサとして）がポリシリコン内にあってもあるいは
これらの構成要素の結合部が構造化された層内にあって
もよい。
【００１５】これらの構造化された層が形成された後で
は、すなわち本発明による実施例ではポリシリコンから
なるセンサ層３がセンサウエブ６と一緒に構造化された
後では、エッチングマスク（例えばエナメル又は窒化珪
素）と等方性エッチング（例えば高周波蒸着）を用いて
センサ／アクチュエータに対して設けられる領域内に介
在層２基板１の材料（例えばシリコン）に対して選択的
に除去される。この場合エッチングされた領域は次のよ
うに構成される。すなわちセンサウエブ６が端部（例え
ばミアンダ状湾曲部）において介在層２の残留部分上に
載置されるように構成される。そこでは介在層２がエッ
チングによって除去されるので、センサ層３の下方で中
空空間４に対して設けられる切欠き部が生じる（図４参
照）。
【００１６】図５に示されているように上部側は例えば
酸化膜からなる遮蔽層５によって面全体に亘って覆わ
れ、プレーナ処理される。場合によってはここでは種々
異なる層成分からなる１つの層又は特殊なプレーナ層を
付加的に設けてもよい。密閉層は例えばほうりんけい酸
ガラスであってもよい。これはＡＰＣＶＤを用いて析出
され引続きＲＴＰ−焼戻しによって流される。この場合
センサの領域内のセンサ層３部分間の中空空間はガス密
に遮蔽される。遮蔽層の下方でセンサ領域内に中空空間
４は残される。その中では低い圧力のもとでの析出と、
珪素と残留ガスとの可能な反応のために非常に低いガス
圧が生じる。それ故にこの中空空間は極端に低い熱伝導
度を有し、センサ／アクチュエータ層を基板１材料から
非常に良好に熱的に絶縁する。遮蔽層５の析出の際に中
空空間を遮蔽層の材料で充たさないようにするために、
センサウエブ間の中空空間は十分に小さく選定される。
それ以外に場合によって遮蔽層の材料が傾斜して析出さ
れそうな場合には、このセンサウエブ間の中空空間はセ
ンサウエブによって少なくとも部分的に遮蔽される。そ
のためにセンサウエブ間の間隔は２μｍよりも大きくす
べきではない。一般的に、中空空間の幅はセンサないし
アクチュエータに対して設けられ構造化された層内で、
この層の平面内に延在するあらゆる方向のどこにおいて
も２μｍよりも大きくすべきではない。電気的な接続の
ためには遮蔽層５において開口部がエッチングされ金属
で充たされる。それにより上部側において金属化部１５
が第１の金属化平面として、そして場合により誘電層に
よって相互に分離された別の金属化平面が被着される。
遮蔽層５は選択的にプラズマ酸化物がプラズマ窒化物と
して以下に示すＳＯＧでもって析出され得る。使用され
る種々の材料毎の種々異なるプロセスの変化例は以下の
テーブルに例示されている。
【００１７】
【表１】
【００１８】図６には完成された半導体構成素子が示さ
れている。この半導体素子では電気的接続のための標準
プロセスの終了した後では遮蔽層５がセンサ領域８にお
いて再エッチングステップにより薄くなっている（例え
ばドライエッチング）。それにより熱容量とセンサ／ア
クチュエータの応働時間は低減され、中空空間４により
作用する基板１に対する熱絶縁はその効力の中でさらに
向上する。このようにして熱的センサないしアクチュエ
ータは電子構成素子又は電子回路とモノリシックに集積
化され得る。この場合各センサ／アクチュエータは基板
の半導体材料やその他の集積化された構成要素に対して
熱的かつ電気的に絶縁され、さらに周辺環境に対しては
保護膜によるカバーによって汚れから保護される。その
他にも十分満足の行くプレーナ表面が備わる。製造に対
してはＣＭＯＳ又はＢｉＣＭＯＳ標準プロセスにおい
て、付加的なマスクと１つ又は２つの付加的エッチング
ステップのみを追加するだけでよい。
【００１９】この本発明による構成素子の選択的な実施
形態においてはセンサ層に対してポリシリコンの代わり
に金属化物（例えばＡｌＳｉＣｕ又はタングステン、場
合によってはＴｉ／ＴｉＮバリア）を用いることもでき
る。例えば図２による実施例においてセンサウエブ１７
も金属化物によって形成してもよい。センサの表面にビ
ーム吸収層が備えられるならば、熱的ビームセンサが得
られる。
【００２０】図７には質量流量センサとしての本発明に
よる半導体構成素子の実施例が平面図で示されている。
電子回路１９（これはセンサの制御と測定信号の評価に
用いられる）はここでは概略的に四角で囲われた領域で
示されている。センサ−アクチュエータ領域には加熱素
子２０が存在する。この加熱素子２０は第１のセンサに
並第２の設されている。第２のセンサ２２，第３のセン
サ２３，第４のセンサ２４及び第５のセンサ２５は、比
較的大きな間隔をおいて加熱素子２０を環状に取囲むよ
うに配設されている。これらのセンサを基板から熱的に
絶縁する中空空間２６の隠れた輪郭は破線で示されてい
る。これらのセンサの配列において第１のセンサ２１
は、質量流量に依存する加熱素子２０の温度低下を測定
し、それに基づいて質量流量の値を検出する。その他の
センサ２２，２３，２４，２５によっては流量方向が求
められる。モノリシックに集積化されている電子回路１
９は測定及び評価回路を有しており、所要の作動電流を
供給して５つのセンサから到来する測定信号を評価す
る。加熱素子２０を用いて基準温度を設定して質量流量
のもとでその変化を第１のセンサ２１によって測定する
代わりに、加熱素子２０は、例えば電流制御回路によっ
て一定の温度に設定することも可能である。この所定の
一定温度は第１のセンサ２１によって監視され、変化が
生じた際には加熱素子２０に対する電流の強さが次のよ
うに追従制御される。すなわち当該の温度変化が補償さ
れるように追従制御される。電流の強さの所要の変化か
ら質量流量は間接的に検出され得る。流量方向の検出が
省かれる場合には、加熱素子２０と第１のセンサ２１の
組合せのみの簡単な構成の質量流量センサで十分であ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、センサ又はアクチュエ
ータの熱絶縁が良好に行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による構成素子の横断面図である。
【図２】本発明による構成素子の別の実施例の横断面図
である。
【図３】本発明による構成素子の製造の際の中間ステッ
プを示した図である。
【図４】本発明による構成素子の製造の際の中間ステッ
プを示した図である。
【図５】本発明による構成素子の製造の際の中間ステッ
プを示した図である。
【図６】本発明による構成素子の製造の際の中間ステッ
プを示した図である。
【図７】本発明による質量流量センサの概略的な平面図
である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 介在層 ３ ドープ領域 ４ 中空空間 ５ 遮蔽層 ６ センサウエブ ７ コンタクト ８ センサ領域 ９ ゲート電極 １０ ソース／ドレイン電極 １５ 金属化部 １６ 導体路

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 センサ又はアクチュエータとしての半導
    体（感温）素子において、センサ又はアクチュエータと
    して機能するために構造化された層（３，６）が設けら
    れており、前記構造化された層は中空空間（４）によっ
    てその他の半導体材料から熱的に絶縁され、前記中空空
    間は外部から遮蔽層（５）によって閉鎖されていること
    を特徴とする半導体素子。
  2. 【請求項２】 前記構造化された層は、遮蔽層（５）内
    部へ埋め込まれている、請求項１記載の半導体素子。
  3. 【請求項３】 前記構造化された層は、支配的にポリシ
    リコンから形成されている、請求項１記載の半導体素
    子。
  4. 【請求項４】 前記構造化された層は電気的導体路を有
    しており、中空空間（４）の、遮蔽層（５）とは反対の
    側に導電的にドーピングされた領域（１２）が設けられ
    ており、該ドーピング領域（１２）は接点（１４）と導
    電的に接続されており、前記構造化された層と遮蔽層
    （５）は中空空間上方で外部からの圧力の変化が生じた
    際に前記構造化された層とドーピング領域（１２）との
    間の電気容量の変化が検出できるように弾性的に構成さ
    れている、請求項１から３いずれか１項記載の半導体素
    子。
  5. 【請求項５】 前記中空空間（４）は、別個の層の切欠
    き内部にある、請求項１から４いずれか１項記載の半導
    体素子。
  6. 【請求項６】 前記別個の層は誘電層である、請求項5
    記載の半導体素子。
  7. 【請求項７】 前記遮蔽層（５）の、中空空間から隔離
    した側に金属化部（１５）が設けられており、該金属化
    部は導体路に所属しており、該導体路はセンサ又はアク
    チュエータの構造化された層から電気的に絶縁されてお
    り、さらに前記導体路はセンサ又はアクチュエータとし
    て使用され得るように構成されている、請求項１から６
    いずれか１項記載の半導体素子。
  8. 【請求項８】 センサ又はアクチュエータの電気的な制
    御のための別の半導体素子と共にモノリシックに集積化
    されている、請求項１から７いずれか１項記載の半導体
    素子。
  9. 【請求項９】 前記センサ又はアクチュエータは、２つ
    の別個の部分から形成され、該２つの部分の一方はセン
    サとして他方は加熱素子として使用可能であり、前記セ
    ンサ及び加熱素子は、センサにより測定可能な基準温度
    が加熱素子によって設定できるように相互に密に隣接し
    て配設されている、請求項１から８いずれか１項記載の
    半導体素子。
  10. 【請求項１０】 前記センサ又はアクチュエータは、相
    互に別個の複数のセンサ又はアクチュエータのアレイの
    一部である、請求項１から９いずれか１項記載の半導体
    素子。
  11. 【請求項１１】 第１のステップにおいて半導体材料か
    ら成る基板（１）上に、構成素子の所定の作動形式に要
    する構造を半導体材料から形成し、 第２のステップにおいてセンサ又はアクチュエータに対
    する所定の構造化された層（３，６）を、該層が層平面
    において後続の第４のステップに対して十分に小さい中
    空空間によって中断されるように形成し、 第３のステップにおいて前記中空空間（４）に対する所
    定の切欠き部を前記構造化された層の下方に形成し、 第４のステップにおいて、形成すべき中空空間に相応す
    る低いガス圧のもとで面全体に亘って遮蔽（閉鎖）層
    （５）を析出させ、該遮蔽層は中空空間を閉鎖し、それ
    によって前記切欠き部の内部に中空空間（４）が残的に
    形成されるようにし、 第５のステップにおいてセンサ
    又はアクチュエータの電気的な接続のためのコンタクト
    （７）を形成することを特徴とする、請求項１から１０
    いずれか１項に記載の半導体素子を製造するための方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記第１と第２のステップの間に面全
    体に亘って介在層（２）を被着させ、前記第３のステッ
    プにおいて切欠き部を前記介在層（２）内部に形成す
    る、請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２のステップにおいてセンサ又
    はアクチュエータに対する所定の構造化された層（３，
    ６）を表面微細加工ないしマイクロマシーニング手法
    （マイクロメカニックな表面構造化）によって形成す
    る、請求項１１又は１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２のステップにおいて前記構造
    化された層を中空空間と共に形成し、該中空空間は前記
    層平面内で延在する全ての方向において２μｍよりも大
    きな寸法は有さない、請求項11から13いずれか１項記載
    の方法。
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