JPH07225369A - ポリマ分散型液晶を用いた表示素子 - Google Patents
ポリマ分散型液晶を用いた表示素子Info
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- JPH07225369A JPH07225369A JP1906594A JP1906594A JPH07225369A JP H07225369 A JPH07225369 A JP H07225369A JP 1906594 A JP1906594 A JP 1906594A JP 1906594 A JP1906594 A JP 1906594A JP H07225369 A JPH07225369 A JP H07225369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は電圧保持率特性を向上させて
応用範囲を大巾に拡大することができる新規なポリマ分
散型液晶を用いた表示素子を提供するものである。 【構成】 本発明はポリマとポリマに分散している液晶
の小滴からなるポリマ分散型液晶を用いた表示素子にお
いて、上記ポリマ分散型液晶中に酸化防止剤を含ませた
ことを特徴としている。
応用範囲を大巾に拡大することができる新規なポリマ分
散型液晶を用いた表示素子を提供するものである。 【構成】 本発明はポリマとポリマに分散している液晶
の小滴からなるポリマ分散型液晶を用いた表示素子にお
いて、上記ポリマ分散型液晶中に酸化防止剤を含ませた
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子のうち、特
にポリマ分散型液晶を用いた表示素子に関するものであ
る。
にポリマ分散型液晶を用いた表示素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ポリマ分散型液晶を用いた表示
素子は偏光板を使用しないため、通常の液晶ディスプレ
イに比較して表示が明るく、しかも大画面化が可能であ
る等の利点を有している。
素子は偏光板を使用しないため、通常の液晶ディスプレ
イに比較して表示が明るく、しかも大画面化が可能であ
る等の利点を有している。
【０００３】このポリマ分散型液晶を用いた表示素子
は、ポリマ中に液晶小滴を均一に分散させたものであ
り、その製造方法としては、重合、熱、溶媒除去等を
用いた相分離による方法と、ポリビニルアルコールに
代表される水溶性ポリマの水溶液と液晶のエマルジョン
を利用する方法の２つがあるが、特に、後者の方法は前
者の方法と比較して液晶小滴の制御や薄膜形成が容易で
ある等の点で優れている。
は、ポリマ中に液晶小滴を均一に分散させたものであ
り、その製造方法としては、重合、熱、溶媒除去等を
用いた相分離による方法と、ポリビニルアルコールに
代表される水溶性ポリマの水溶液と液晶のエマルジョン
を利用する方法の２つがあるが、特に、後者の方法は前
者の方法と比較して液晶小滴の制御や薄膜形成が容易で
ある等の点で優れている。
【０００４】そして、このエマルジョンを使用する液晶
表示素子の具体的な作製方法としては先ず、水溶性ポリ
マ水溶液中に液晶を液滴として分散させたエマルジョン
を形成し、これをＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明導
電性膜を具備した電極上にドクタ−ブレードなどの塗工
器具により塗布した後、これを乾燥させて薄膜を形成
し、更に、もう一方の電極基板を貼り合わせるものであ
る。
表示素子の具体的な作製方法としては先ず、水溶性ポリ
マ水溶液中に液晶を液滴として分散させたエマルジョン
を形成し、これをＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明導
電性膜を具備した電極上にドクタ−ブレードなどの塗工
器具により塗布した後、これを乾燥させて薄膜を形成
し、更に、もう一方の電極基板を貼り合わせるものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このエマル
ジョンを用いるポリマ分散型液晶を用いた表示素子は、
素子の電圧保持率が特に長期加熱した場合に著しく低下
してしまうという欠点を有しているため、ＴＦＴ（薄膜
トランジスター）に代表される高精度なアクティブマト
リックスを利用したディスプレイは実現されておらず、
その応用が大巾に制限されているのが現状である。
ジョンを用いるポリマ分散型液晶を用いた表示素子は、
素子の電圧保持率が特に長期加熱した場合に著しく低下
してしまうという欠点を有しているため、ＴＦＴ（薄膜
トランジスター）に代表される高精度なアクティブマト
リックスを利用したディスプレイは実現されておらず、
その応用が大巾に制限されているのが現状である。
【０００６】そこで、本発明は上述した問題点を有効に
解決するために案出されたものであり、その目的は電圧
保持率特性を向上させて応用範囲を大巾に拡大すること
ができる新規なポリマ分散型液晶を用いた表示素子を提
供するものである。
解決するために案出されたものであり、その目的は電圧
保持率特性を向上させて応用範囲を大巾に拡大すること
ができる新規なポリマ分散型液晶を用いた表示素子を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】ポリマ分散型液晶を用い
た表示素子の長期加熱による電圧保持率低下は、ポリマ
分散型液晶の導電性不純物の生成あるいはイオン性の不
純物が大きな原因であり、特に、ポリマの高純度化（高
抵抗化）が重要であると報告されている(SID 90 DIGES
T,P220-223)。そこで、本発明者らは、ポリマ分散型液
晶中の導電性不純物の生成を抑制する方法として酸化防
止剤の添加が、また、ポリマ分散型液晶中のイオン不純
物の影響を少なくする方法として活性アルミナがそれぞ
れ有効であることを見出し、本発明に至った。
た表示素子の長期加熱による電圧保持率低下は、ポリマ
分散型液晶の導電性不純物の生成あるいはイオン性の不
純物が大きな原因であり、特に、ポリマの高純度化（高
抵抗化）が重要であると報告されている(SID 90 DIGES
T,P220-223)。そこで、本発明者らは、ポリマ分散型液
晶中の導電性不純物の生成を抑制する方法として酸化防
止剤の添加が、また、ポリマ分散型液晶中のイオン不純
物の影響を少なくする方法として活性アルミナがそれぞ
れ有効であることを見出し、本発明に至った。
【０００８】そこで、本発明はポリマとポリマに分散し
ている液晶の小滴からなるポリマ分散型液晶を用いた表
示素子において、上記ポリマ分散型液晶中に酸化防止剤
あるいは活性アルミナを含ませたものである。
ている液晶の小滴からなるポリマ分散型液晶を用いた表
示素子において、上記ポリマ分散型液晶中に酸化防止剤
あるいは活性アルミナを含ませたものである。
【０００９】この酸化防止剤としては特に限定されない
が、例えば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレ
ゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、
２，４−ジ−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ブチルヒドロキシアニソール、２，２′−メチレン
ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル）、４，４′−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４′−チオビス（３
−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、
１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、トリス−（３，
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
−イソシアヌレートに代表されるフェノール系酸化防止
剤、フェニル−β−ナフチルアミン、α−ナフチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジ
アミン、フェノチアジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−ｐ−
フェニレンジアミンに代表されるアミン系酸化防止剤、
ジラウリルジチオプロピオネート、ジステアリルジチオ
プロピオネート、ラウリルステアリルジチオプロピオネ
ート、ジミリスチルジチオプロピオネート、ジステアリ
ルβ，β′−チオジブチレート、２−メルカプト−ベン
ゾイミダゾール、ジラウリルサルフィド、テトラキス
［メチレン−３−（トリデシルチオ）プロピオネート］
メタンに代表される硫黄系酸化防止剤、トリフェニルフ
ォスファイト、トリオクタデシル−フォスファイト、ト
リラウリルトリチオフォスファイトに代表されるリン系
酸化防止剤、フェニル−サリチレート、モノグリコール
サルチレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリチレ
ート、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−４−オクチル−ベンゾフェノン、
２（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾ
トリアゾール、２（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２
（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−メチ
ルフェニル）ベンゾトリア、レゾンシノールモノベンゾ
エート、２′−エチルヘキシル−２−シアノ−３−フェ
ニルシンナメート、ビス（２，２，６，６，−テトラメ
チル−４−ピペリジン）セバケートに代表される紫外線
吸収及び安定剤、Ｎ−サリシロイル−Ｎ′−アルデヒド
ヒドラジン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ′−アセチルヒドラ
ジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−オキサイド、Ｎ，Ｎ′−
ジ（２−ヒドラキシフェニル）オキサミドに代表される
金属不活性化剤、６−エトキシ−２，２，４−トリメチ
ル−１，２−ジヒドロキニン、Ｎ−フェニル−Ｎ′−イ
ソプロピル−ｐ−フェニレンジアミンに代表されるオゾ
ン劣化防止剤が挙げられ、これらの酸化防止剤はそれぞ
れ単独もしくは複数組み合わせて用いてもよい。そし
て、この酸化防止剤の添加量は液晶に対して０．１〜２
０重量％の範囲が好ましく、それ以下では効果が期待で
きなく、また、それ以上では液晶液滴の形成が困難とな
る。
が、例えば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレ
ゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、
２，４−ジ−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ブチルヒドロキシアニソール、２，２′−メチレン
ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル）、４，４′−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４′−チオビス（３
−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、
１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、トリス−（３，
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
−イソシアヌレートに代表されるフェノール系酸化防止
剤、フェニル−β−ナフチルアミン、α−ナフチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジ
アミン、フェノチアジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−ｐ−
フェニレンジアミンに代表されるアミン系酸化防止剤、
ジラウリルジチオプロピオネート、ジステアリルジチオ
プロピオネート、ラウリルステアリルジチオプロピオネ
ート、ジミリスチルジチオプロピオネート、ジステアリ
ルβ，β′−チオジブチレート、２−メルカプト−ベン
ゾイミダゾール、ジラウリルサルフィド、テトラキス
［メチレン−３−（トリデシルチオ）プロピオネート］
メタンに代表される硫黄系酸化防止剤、トリフェニルフ
ォスファイト、トリオクタデシル−フォスファイト、ト
リラウリルトリチオフォスファイトに代表されるリン系
酸化防止剤、フェニル−サリチレート、モノグリコール
サルチレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリチレ
ート、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−４−オクチル−ベンゾフェノン、
２（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾ
トリアゾール、２（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２
（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−メチ
ルフェニル）ベンゾトリア、レゾンシノールモノベンゾ
エート、２′−エチルヘキシル−２−シアノ−３−フェ
ニルシンナメート、ビス（２，２，６，６，−テトラメ
チル−４−ピペリジン）セバケートに代表される紫外線
吸収及び安定剤、Ｎ−サリシロイル−Ｎ′−アルデヒド
ヒドラジン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ′−アセチルヒドラ
ジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−オキサイド、Ｎ，Ｎ′−
ジ（２−ヒドラキシフェニル）オキサミドに代表される
金属不活性化剤、６−エトキシ−２，２，４−トリメチ
ル−１，２−ジヒドロキニン、Ｎ−フェニル−Ｎ′−イ
ソプロピル−ｐ−フェニレンジアミンに代表されるオゾ
ン劣化防止剤が挙げられ、これらの酸化防止剤はそれぞ
れ単独もしくは複数組み合わせて用いてもよい。そし
て、この酸化防止剤の添加量は液晶に対して０．１〜２
０重量％の範囲が好ましく、それ以下では効果が期待で
きなく、また、それ以上では液晶液滴の形成が困難とな
る。
【００１０】一方、活性アルミナの場合も同様に、特に
限定されるものではないが、ポリマ分散型液晶膜の膜厚
の制限から、粒子径として３μｍ以下であることが必要
であり、望ましくは１μｍ以下が良い。そして、この添
加量としては液晶に対して０．１〜５重量％の範囲が好
ましく、それ以下では効果が期待できず、反対に、それ
以上では塗布時にアルミナ粒子による凝集のため膜厚が
不均一となり、貼り合わせできる膜は得られない。さら
に、この活性アルミナと同様の目的で活性白土、焼成ク
レイ等を添加しても良い。
限定されるものではないが、ポリマ分散型液晶膜の膜厚
の制限から、粒子径として３μｍ以下であることが必要
であり、望ましくは１μｍ以下が良い。そして、この添
加量としては液晶に対して０．１〜５重量％の範囲が好
ましく、それ以下では効果が期待できず、反対に、それ
以上では塗布時にアルミナ粒子による凝集のため膜厚が
不均一となり、貼り合わせできる膜は得られない。さら
に、この活性アルミナと同様の目的で活性白土、焼成ク
レイ等を添加しても良い。
【００１１】また、ポリマも、特に限定するものではな
いが、通常の水溶性ポリマ、具体的にはポリビニルアル
コール、メチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルメルセルロース、ポリオ
キシエチレンなどを挙げることができ、さらに、これら
を適当な精製法によりイオン性の不純物を除去し高純度
化したものを用いることが好ましい。
いが、通常の水溶性ポリマ、具体的にはポリビニルアル
コール、メチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルメルセルロース、ポリオ
キシエチレンなどを挙げることができ、さらに、これら
を適当な精製法によりイオン性の不純物を除去し高純度
化したものを用いることが好ましい。
【００１２】また、本発明において使用する液晶も特に
限定されるものではないが、アゾメチン化合物、アゾイ
シ化合物、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステ
ル、安息香酸エステル、シクロヘキサカルボン酸フェニ
ルエステル、シアノフェニルシクロヘキサン、シアノ置
換フェニルピリジン、アルコキシ置換フェニルピリジ
ン、フェニルジオキサン、アルケニルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル等及びそられの混合物に代表されるネマチ
ック液晶が挙げられ、さらに、これらを適当な精製法に
よりイオン性の不純物を除去し、高純度化したものを用
いることが望ましい。さらに、このネマチック液晶にス
メクティック液晶、コレステリック液晶を含んでいても
よい。また、これらの液晶にコントラスト比を高める目
的で２色性色素を添加しても良い。
限定されるものではないが、アゾメチン化合物、アゾイ
シ化合物、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステ
ル、安息香酸エステル、シクロヘキサカルボン酸フェニ
ルエステル、シアノフェニルシクロヘキサン、シアノ置
換フェニルピリジン、アルコキシ置換フェニルピリジ
ン、フェニルジオキサン、アルケニルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル等及びそられの混合物に代表されるネマチ
ック液晶が挙げられ、さらに、これらを適当な精製法に
よりイオン性の不純物を除去し、高純度化したものを用
いることが望ましい。さらに、このネマチック液晶にス
メクティック液晶、コレステリック液晶を含んでいても
よい。また、これらの液晶にコントラスト比を高める目
的で２色性色素を添加しても良い。
【００１３】
【作用】本発明は上述したように、ポリマ分散型液晶中
に酸化防止剤あるいは不活性アルミナをそれぞれ液晶に
対して０．１〜２０重量％、０．１〜５重量％添加して
なるものであるため、表示素子特性のうち、電圧保持率
特性、駆動電圧特性、ヒステリシス特性に優れた表示素
子が得られる。
に酸化防止剤あるいは不活性アルミナをそれぞれ液晶に
対して０．１〜２０重量％、０．１〜５重量％添加して
なるものであるため、表示素子特性のうち、電圧保持率
特性、駆動電圧特性、ヒステリシス特性に優れた表示素
子が得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を比較例と併せて詳
述する。
述する。
【００１５】（実施例１）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）４ｇと、２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾールの０．０５ｇと
を、４枚羽根式のホモジナイザーで５，０００ＲＰＭの
回転数で１０分間攪拌し、エマルジョンを得た。さら
に、このエマルジョンを透明電極付きガラス基板に３０
μｍのギャップをドクタブレードで塗布し、２０℃、４
０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させた後、さらに、対向
電極基板として透明電極付きガラス基板を貼り合わせて
ポリマ液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。そして、こ
の素子の電圧保持率ＶＨＲ（％）を測定した結果、初期
の電圧保持率は７４％、また、６０℃１０００時間放置
後の電圧保持率は７３％であり、加熱後の電圧保持率の
低下は殆どみられなかった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）４ｇと、２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾールの０．０５ｇと
を、４枚羽根式のホモジナイザーで５，０００ＲＰＭの
回転数で１０分間攪拌し、エマルジョンを得た。さら
に、このエマルジョンを透明電極付きガラス基板に３０
μｍのギャップをドクタブレードで塗布し、２０℃、４
０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させた後、さらに、対向
電極基板として透明電極付きガラス基板を貼り合わせて
ポリマ液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。そして、こ
の素子の電圧保持率ＶＨＲ（％）を測定した結果、初期
の電圧保持率は７４％、また、６０℃１０００時間放置
後の電圧保持率は７３％であり、加熱後の電圧保持率の
低下は殆どみられなかった。
【００１６】尚、ここで電圧保持率ＶＨＲは、図１及び
図２に示すように、パルス幅ｔ秒の±Ｖ0 ボルトの電気
信号をサンプルにＴ秒なる周期で印加し、サンプルに実
際かかっている電圧ＶS とした時に次式のように定義さ
れるものとする。この時、ｔ＝１００μ秒、Ｔ＝１６ｍ
ｍ秒、Ｖ0 ＝１０Ｖの条件で測定した。
図２に示すように、パルス幅ｔ秒の±Ｖ0 ボルトの電気
信号をサンプルにＴ秒なる周期で印加し、サンプルに実
際かかっている電圧ＶS とした時に次式のように定義さ
れるものとする。この時、ｔ＝１００μ秒、Ｔ＝１６ｍ
ｍ秒、Ｖ0 ＝１０Ｖの条件で測定した。
【００１７】
【数１】
【００１８】（実施例２）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン０．
０５ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザーで５，０００
ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマルジョンを得
た。さらに、このエマルジョンを透明電極付きガラス基
板に３０μｍのギャップをドクターブレンドで塗布し、
２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させた後、対
向電極基板として透明電極付きガラス基板を貼り合わ
せ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。
そして、実施例１と同様にこの素子の電圧保持率を測定
したところ、初期の電圧保持率は７５％であり、また、
６０℃１０００時間放置後の電圧保持率は７１％であっ
た。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン０．
０５ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザーで５，０００
ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマルジョンを得
た。さらに、このエマルジョンを透明電極付きガラス基
板に３０μｍのギャップをドクターブレンドで塗布し、
２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させた後、対
向電極基板として透明電極付きガラス基板を貼り合わ
せ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。
そして、実施例１と同様にこの素子の電圧保持率を測定
したところ、初期の電圧保持率は７５％であり、また、
６０℃１０００時間放置後の電圧保持率は７１％であっ
た。
【００１９】（実施例３）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン０．
０５ｇとジラウリルジチオプロピオネート０．０５ｇと
を、４枚羽根式のホモジナイザーで５，０００ＲＰＭの
回転数で１０分間攪拌し、エマルジョンを得た。さら
に、このエマルジョンを透明電極付きガラス基板に３０
μｍのギャップをドクターブレンドで塗布し、２０℃、
４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させた後、さらに、対
向電極基板として透明電極付きガラス基板を貼り合わ
せ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。
そして、実施例１と同様にこの素子の電圧保持率を測定
したところ初期の電圧保持率は７３％であり、また、６
０℃１０００時間放置後の電圧保持率は７２％であっ
た。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン０．
０５ｇとジラウリルジチオプロピオネート０．０５ｇと
を、４枚羽根式のホモジナイザーで５，０００ＲＰＭの
回転数で１０分間攪拌し、エマルジョンを得た。さら
に、このエマルジョンを透明電極付きガラス基板に３０
μｍのギャップをドクターブレンドで塗布し、２０℃、
４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させた後、さらに、対
向電極基板として透明電極付きガラス基板を貼り合わ
せ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。
そして、実施例１と同様にこの素子の電圧保持率を測定
したところ初期の電圧保持率は７３％であり、また、６
０℃１０００時間放置後の電圧保持率は７２％であっ
た。
【００２０】（実施例４）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、平均粒
径０．８μｍの活性アルミナ０．０５ｇとを、４枚羽根
式のホモジナイザーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０
分間攪拌し、エマルジョンを得た。さらに、このエマル
ジョンを透明電極付きガラス基板に３０μｍのギャップ
をドクターブレンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環
境で２４時間乾燥させた後、さらに、対向電極基板とし
て透明電極付きガラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型
液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。そして、この素子
の電圧保持率は９０％であった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、平均粒
径０．８μｍの活性アルミナ０．０５ｇとを、４枚羽根
式のホモジナイザーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０
分間攪拌し、エマルジョンを得た。さらに、このエマル
ジョンを透明電極付きガラス基板に３０μｍのギャップ
をドクターブレンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環
境で２４時間乾燥させた後、さらに、対向電極基板とし
て透明電極付きガラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型
液晶の膜厚７μｍの液晶セルを得た。そして、この素子
の電圧保持率は９０％であった。
【００２１】（比較例１）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、ポリビ
ニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０
重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザ
ーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマ
ルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを透明電極
付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクターブレン
ドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥
させた後、さらに、対向電極基板として透明電極付きガ
ラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍ
の液晶セルを得た。そして、実施例１と同様にこの素子
の電圧保持率を測定した結果、初期の電圧保持率は７５
％であったのに対し、６０℃１０００時間放置後の電圧
保持率は６０％に低下してしまった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、ポリビ
ニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０
重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザ
ーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマ
ルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを透明電極
付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクターブレン
ドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥
させた後、さらに、対向電極基板として透明電極付きガ
ラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍ
の液晶セルを得た。そして、実施例１と同様にこの素子
の電圧保持率を測定した結果、初期の電圧保持率は７５
％であったのに対し、６０℃１０００時間放置後の電圧
保持率は６０％に低下してしまった。
【００２２】（比較例２）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．００１ｇ
とポリビニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０
５）１０重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモ
ジナイザーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌
し、エマルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを
透明電極付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクタ
ーブレンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４
時間乾燥させた。さらに、対向電極基板として透明電極
付きガラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚
７μｍの液晶セルを得た。この素子の初期の電圧保持率
は７４％であったのに対し、６０℃１００時間放置後の
電圧保持率は３５％と大きく低下してしまった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．００１ｇ
とポリビニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０
５）１０重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモ
ジナイザーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌
し、エマルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを
透明電極付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクタ
ーブレンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４
時間乾燥させた。さらに、対向電極基板として透明電極
付きガラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚
７μｍの液晶セルを得た。この素子の初期の電圧保持率
は７４％であったのに対し、６０℃１００時間放置後の
電圧保持率は３５％と大きく低下してしまった。
【００２３】（比較例３）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾールを１．０ｇと
ポリビニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０
５）１０重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモ
ジナイザーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌
し、エマルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを
透明電極付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクタ
ーブレンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４
時間乾燥させた。その結果、乾燥後の液晶の染みだしが
激しく、ポリマに液晶小滴が分散した形状の膜が得られ
なかった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾールを１．０ｇと
ポリビニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０
５）１０重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモ
ジナイザーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌
し、エマルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを
透明電極付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクタ
ーブレンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４
時間乾燥させた。その結果、乾燥後の液晶の染みだしが
激しく、ポリマに液晶小滴が分散した形状の膜が得られ
なかった。
【００２４】（比較例４）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、ポリビ
ニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０
重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザ
ーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマ
ルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを透明電極
付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクターブレン
ドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥
させた後、さらに、対向電極基板として透明電極付きガ
ラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍ
の液晶セルを得た。そして、この素子の初期の電圧保持
率は７５％であり、駆動電界Ｅ９０は３．５Ｖ／μｍ
で、ヒステリシスＨは０．０４であった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、ポリビ
ニルアルコール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０
重量％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザ
ーで５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマ
ルジョンを得た。さらに、このエマルジョンを透明電極
付きガラス基板に３０μｍのギャップをドクターブレン
ドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥
させた後、さらに、対向電極基板として透明電極付きガ
ラス基板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍ
の液晶セルを得た。そして、この素子の初期の電圧保持
率は７５％であり、駆動電界Ｅ９０は３．５Ｖ／μｍ
で、ヒステリシスＨは０．０４であった。
【００２５】（比較例５）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、平均粒
径０．８μｍの活性アルミナ０．００１ｇとポリビニル
アルコール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０重量
％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザーで
５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマルジ
ョンを得た。さらに、このエマルジョンを透明電極付き
ガラス基板に３０μｍのギャップをドクターブレンドで
塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させ
た。さらに、対向電極基板として透明電極付きガラス基
板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍの液晶
セルを得た。そして、この素子の電圧保持率は７５％で
あった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、平均粒
径０．８μｍの活性アルミナ０．００１ｇとポリビニル
アルコール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０重量
％水溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザーで
５，０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマルジ
ョンを得た。さらに、このエマルジョンを透明電極付き
ガラス基板に３０μｍのギャップをドクターブレンドで
塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾燥させ
た。さらに、対向電極基板として透明電極付きガラス基
板を貼り合わせ、ポリマ分散型液晶の膜厚７μｍの液晶
セルを得た。そして、この素子の電圧保持率は７５％で
あった。
【００２６】（比較例６）チッソ社製液晶リクソン２１
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、平均粒
径０．８μｍの活性アルミナ１．０ｇとポリビニルアル
コール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０重量％水
溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザーで５，
０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマルジョン
を得た。さらに、このエマルジョンを透明電極付きガラ
ス基板に３０マイクロメータのギャップをドクターブレ
ンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾
燥させた後、その結果、乾燥後の膜はアルミナの凝集の
ため膜に厚さむらがでてしまい、貼り合わせが可能な膜
は得られなかった。
０２ＸＸ（２−フルオロ−４−（トランス−４′−エチ
ルシクロヘキシル）ベンゾニトリル）を４ｇと、平均粒
径０．８μｍの活性アルミナ１．０ｇとポリビニルアル
コール（クラレ（株）製ポバール２０５）１０重量％水
溶液を１０ｇとを、４枚羽根式のホモジナイザーで５，
０００ＲＰＭの回転数で１０分間攪拌し、エマルジョン
を得た。さらに、このエマルジョンを透明電極付きガラ
ス基板に３０マイクロメータのギャップをドクターブレ
ンドで塗布し、２０℃、４０％ＲＨの環境で２４時間乾
燥させた後、その結果、乾燥後の膜はアルミナの凝集の
ため膜に厚さむらがでてしまい、貼り合わせが可能な膜
は得られなかった。
【００２７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、電圧保持
率特性が向上するため、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジ
スター）に代表される高精度なアクティブマトリックス
を利用したディスプレイ等への応用が可能となるといっ
た優れた効果を有する。
率特性が向上するため、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジ
スター）に代表される高精度なアクティブマトリックス
を利用したディスプレイ等への応用が可能となるといっ
た優れた効果を有する。
【図１】電圧率測定に使用した素子に入力する電圧波形
を示すグラフ図である。
を示すグラフ図である。
【図２】図１に示す波形電圧が印加された時の実際に素
子にかかっている電圧波形を示すグラフ図である。
子にかかっている電圧波形を示すグラフ図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 ポリマとポリマに分散している液晶の小
滴からなるポリマ分散型液晶を用いた表示素子におい
て、上記ポリマ分散型液晶中に酸化防止剤を含ませたこ
とを特徴とするポリマ分散型液晶を用いた表示素子。 - 【請求項２】 ポリマとポリマに分散している液晶の小
滴からなるポリマ分散型液晶を用いた表示素子におい
て、上記ポリマ分散型液晶中に活性アルミナを含ませた
ことを特徴とするポリマ分散型液晶を用いた表示素子。 - 【請求項３】 上記酸化防止剤を液晶に対して０．１〜
２０重量％含ませたことを特徴とする請求項１記載のポ
リマ分散型液晶を用いた表示素子。 - 【請求項４】 上記活性アルミナを液晶に対して０．１
〜５重量％含ませたことを特徴とする請求項２記載のポ
リマ分散型液晶を用いた表示素子。 - 【請求項５】 上記ポリマが水溶性ポリマであることを
特徴とする請求項１〜４いずれか記載のポリマ分散型液
晶を用いた表示素子。 - 【請求項６】 上記活性アルミナの粒子径が３μｍ以下
であることを特徴とする請求項２又は４記載のポリマ分
散型液晶を用いた表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1906594A JPH07225369A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | ポリマ分散型液晶を用いた表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1906594A JPH07225369A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | ポリマ分散型液晶を用いた表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07225369A true JPH07225369A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11989035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1906594A Pending JPH07225369A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | ポリマ分散型液晶を用いた表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07225369A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7920218B2 (en) | 2009-03-05 | 2011-04-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Recording device |
| JP5522319B1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-06-18 | Ｄｉｃ株式会社 | 組成物の製造方法 |
| TWI568836B (zh) * | 2013-04-09 | 2017-02-01 | 迪愛生股份有限公司 | 組成物之製造方法 |
-
1994
- 1994-02-16 JP JP1906594A patent/JPH07225369A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7920218B2 (en) | 2009-03-05 | 2011-04-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Recording device |
| JP5522319B1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-06-18 | Ｄｉｃ株式会社 | 組成物の製造方法 |
| WO2014162587A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Dic株式会社 | 組成物の製造方法 |
| CN104114674A (zh) * | 2013-04-05 | 2014-10-22 | Dic株式会社 | 组合物的制造方法 |
| KR101495129B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2015-02-24 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 조성물의 제조 방법 |
| US9441159B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-09-13 | Dic Corporation | Method for producing composition |
| TWI568836B (zh) * | 2013-04-09 | 2017-02-01 | 迪愛生股份有限公司 | 組成物之製造方法 |
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