JP5522319B1 - 組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

特定の構造を有するヒンダードフェノール類の化合物を含有し、液晶材料を構成する化合物を含有する原料組成物を用意し、前記原料組成物を有機溶媒に溶解し、又は前記原料組成物に有機溶媒を加えることなく、精製剤と接触させた後、前記精製剤を除去し、前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含まない場合にはそれを目的の組成物とし、前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含む場合には前記有機溶媒を留去して目的の組成物を得る。

Description

本発明は、組成物の製造方法に関する。

液晶表示素子は、液晶テレビ、携帯電話やパソコンなどをはじめとする民生用途から産業用途まで広く使用されるようになった。これらの製品の寿命は数年から十数年と比較的長く、この間表示素子が正常に動作するために、液晶表示素子に使用する液晶材料には高い安定性が求められる。液晶材料の代表的な安定性の指標として比抵抗値がある。液晶表示素子が正常に動作するためには、それに使用する液晶材料の比抵抗値が十分高くなければならず、また経時劣化も抑えなければならない。

液晶材料の安定性を向上させるために、これまで多くの研究がなされてきた。例えば、液晶材料をシリカゲルやアルミナと接触させることにより、液晶材料中の水分や有機イオン、無機イオン等を除去し、比抵抗値を高める方法は、その代表的なものである（特許文献１及び２）。
しかし、液晶材料を構成する化合物の中には、シリカゲル等との接触により二量化あるいは分解等の反応を起こし、純度の低下やそれに伴う比抵抗値の低下を招く場合がある。特にアルケニル基や重合性基を側鎖に有する化合物などは、その傾向が強い。そのため、液晶材料を構成する化合物を劣化させることなく、高い比抵抗値が得られる簡便で実用的な方法が切望されているものの、具体的な解決手段はこれまでに報告されていない。

特開昭６２−２１０４２０号公報 特開昭５８−１７７４号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、液晶材料を構成する化合物又は組成物を得る簡便で実用的な方法を提供することを課題とする。

本発明者は、上述した状況に鑑み、鋭意検討した結果、液晶材料を構成する化合物を合成した後、特定の酸化防止剤を添加してから精製等の処理を行うことにより、該化合物を劣化させることなく高い比抵抗値が得られる簡便で実用的な方法が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）

（前記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、
ａは０、１又は２を表し、
Ｍ^１は
（ａ） トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）、及び
（ｃ） １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ａが２を表しＭ^１が複数存在する場合、複数存在するＭ^１は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ａが２を表しＺ^１が複数存在する場合、複数存在するＺ^１は同一であっても異なっていても良い。）
及び一般式（ＩＩＩ）

（前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｍ^２は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基に置換されていても良い。）又は単結合を表す。）
で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含有し、
一般式（ＩＩ）

（前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
ｂは１、２、３又は４を表し、
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立に
（ａ） トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）、及び
（ｃ） １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ｂが２、３又は４を表しＡ^１が複数存在する場合、複数存在するＡ^１は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^２は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ｂが２、３又は４を表しＺ^２が複数存在する場合、複数存在するＺ^２は同一であっても異なっていても良く、
Ｙ^１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含有する原料組成物を用意し、
前記原料組成物を有機溶媒に溶解し、又は前記原料組成物に有機溶媒を加えることなく、シリカゲル、アルミナ又はイオン交換樹脂の１種又はそれらの混合物からなる精製剤と接触させた後、前記精製剤を除去し、
前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含まない場合にはそれを目的の組成物とし、前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含む場合には前記有機溶媒を留去して目的の組成物を得ることを特徴とする組成物の製造方法を提供する。

本発明によれば、液晶材料を構成する化合物又は組成物を、簡便で実用的な方法により得ることができる。

本発明は、特定の構造を有するヒンダードフェノール類である少なくとも１種の化合物と、液晶材料を構成する少なくとも１種の化合物とを含有する原料組成物を用意し、この原料組成物から出発する一連の精製工程を経て、前記液晶材料を構成する少なくとも１種の化合物が精製された化合物又は組成物の製造方法を提供する。
前記一連の精製工程は、少なくとも、原料組成物（これにさらに他の物質を加えた組成物または混合物を含む。）を精製剤と接触させる工程と、その後、前記精製剤を除去する工程を有することが好ましい。

前記原料組成物は、均一な組成物であってもよく、不均一な混合物であってもよいが、均一な組成物であることが好ましい。
前記原料組成物は、有機溶媒を含有するものであってもよく、有機溶媒を含有しないものであってもよい。
前記精製剤と接触させる工程は、前記原料組成物を有機溶媒に溶解してその溶液を精製剤と接触させる工程であってもよいし、前記原料組成物に有機溶媒を加えることなく、精製剤と接触させる工程であってもよい。
前記原料組成物が室温で固体である場合には有機溶媒に溶解してその溶液を精製剤と接触させることが好ましい。前記原料組成物が室温で液晶である場合には有機溶媒に溶解してその溶液を精製剤と接触させることも可能であるが、液晶状態の前記原料組成物をそのまま精製剤と接触させることが好ましい。前記原料組成物が室温で液体である場合には有機溶媒に溶解してその溶液を精製剤と接触させることも可能であるが、液体の前記原料組成物をそのまま精製剤と接触させることが好ましい。
前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含まない場合にはそれを目的の組成物とし、前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含む場合には前記有機溶媒を留去して目的の組成物を得ることが好ましい。

前記原料組成物は、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含有することが好ましい。これらの化合物は、前記ヒンダードフェノール類に該当する。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有量の合計が、前記原料組成物の重量に対して０．００１質量％から１０質量％であることが好ましい。
前記原料組成物は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物又は前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のいずれか一方を、１種又は２種以上含有してもよく、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の１種又は２種以上と前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の１種又は２種以上とを含有してもよい。

＜一般式（Ｉ）で表される化合物＞
前記原料組成物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することが好ましい。

前記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されてよい。
前記一般式（Ｉ）中、ａは０、１又は２を表す。
前記一般式（Ｉ）中、Ｍ^１は
（ａ） トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）、及び
（ｃ） １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表す。上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良い。ａが２を表しＭ^１が複数存在する場合、複数存在するＭ^１は同一であっても異なっていても良い。
前記一般式（Ｉ）中、Ｚ^１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。ａが２を表しＺ^１が複数存在する場合、複数存在するＺ^１は同一であっても異なっていても良い。

Ｒ^１は、炭素原子数１から１１の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましい。中でもａが０を表す場合は、Ｒ^１は炭素原子数２から９の直鎖アルキル基がより好ましく、ａが１又は２を表す場合は、Ｒ^１は炭素原子数１から５の直鎖アルキル基がより好ましい。

Ｍ^１はトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基（これらの基に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、又は塩素原子で置換されていても良い。）を表すことが好ましい。中でも、下記式（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）で表される

トランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基が好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基がより好ましい。

前記一般式（Ｉ）において、Ｒ^１が炭素原子数１から１１の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、Ｍ^１がトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、Ｚ^１が単結合を表し、ａが０又は１を表すことが好ましい。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、例えば、ａ＝０のときには下記の式（Ｉ．１．１）から（Ｉ．１．８）で表される化合物が、ａ＝１のときには下記の式（Ｉ．２．１）から（Ｉ．２．２）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。

＜一般式（ＩＩＩ）で表される化合物＞
前記原料組成物は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を含有することが好ましい。

前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｍ^２は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基に置換されていても良い。）又は単結合を表す。

前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｍ^２が炭素原子数１から１５のアルキレン基を表す化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記の式（ＩＩＩ．１）から（ＩＩＩ．５）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。

＜一般式（ＩＩ）で表される化合物＞
前記原料組成物は、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有することが好ましい。

前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表す。
前記一般式（ＩＩ）中、ｂは１、２、３又は４を表す。
前記一般式（ＩＩ）中、Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立に
（ａ） トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）、及び
（ｃ） １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良い。ｂが２、３又は４を表しＡ^１が複数存在する場合、複数存在するＡ^１は同一であっても異なっていても良い。
前記一般式（ＩＩ）中、Ｚ^２は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。ｂが２、３又は４を表しＺ^２が複数存在する場合、複数存在するＺ^２は同一であっても異なっていても良い。
Ｙ^１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２が炭素原子数２〜６のアルケニル基である化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。

＜一般式（ＩＩ）で表される化合物の第１態様＞
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物は、誘電率異方性Δε＞０で、Δεの絶対値が大きいｐ型液晶化合物であってもよい。
第１態様において、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ａ^１及びＡ^２のうち少なくとも１つが下記式（これらの式の左右は、一般式（ＩＩ）の左右と同じである。）

から選択されるいずれかを表す化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。
第１態様の場合、前記一般式（ＩＩ）において、Ｙ^１はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、Ｙ^１がフッ素原子を表すことがより好ましい。また、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基を表すことが好ましく、Ｚ^１が単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表すことが好ましい。
第１態様の化合物において、Ｒ^２が炭素原子数２〜６のアルケニル基である化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の第１態様の具体例としては、例えば、下記の化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。

＜一般式（ＩＩ）で表される化合物の第２態様＞
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物は、誘電率異方性Δε＜０で、Δεの絶対値が大きいｎ型液晶化合物であってもよい。
第２態様において、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ａ^１及びＡ^２のうち少なくとも１つが下記式（これらの式の左右は、一般式（ＩＩ）の左右と同じである。）

から選択されるいずれかを表す化合物を少なくとも１種含有することが好ましく、Ａ^１及びＡ^２のうち少なくとも１つが

を表す化合物を少なくとも１種含有することがより好ましい。
第２態様の場合、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２及びＹ^１がそれぞれ独立的にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、３−ブテニルオキシ基又は４−ペンテニルオキシ基を表し、Ｚ^１が単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表すことが好ましい。
第２態様の化合物において、Ｒ^２が炭素原子数２〜６のアルケニル基である化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の第２態様の具体例としては、例えば、下記の化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。

＜一般式（ＩＩ）で表される化合物の第３態様＞
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物は、誘電率異方性Δεの絶対値が比較的小さいノン・ポーラーの液晶化合物であってもよい。
第３態様において、Ａ^１及びＡ^２がそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことが好ましい。
第３態様の場合、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２及びＹ^１がそれぞれ独立的に炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^２が単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表す化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。
第３態様の化合物において、Ｒ^２が炭素原子数２〜６のアルケニル基である化合物を少なくとも１種含有することが好ましい。
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の第３態様の具体例としては、例えば、下記の化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。

＜一般式（ＩＶ）で表される化合物＞
前記原料組成物は、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物を含有することが好ましい。

前記一般式（ＩＶ）中、Ｐ^１及びＰ^２は、それぞれ独立に、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニロキシ基又は下記式（Ｅｐ−１）から（Ｅｐ−７）のいずれかで表される１価基を表す。

なお、前記式（Ｅｐ−１）から（Ｅｐ−７）で表される基は、右上の結合の端で結合する。例えば（Ｅｐ−１）はグリシジルオキシ基、（Ｅｐ−３）はオキシラニル基を表す。
前記一般式（ＩＶ）中、ｎは０、１又は２を表す。
前記一般式（ＩＶ）中、Ａ^３及びＡ^４は、それぞれ独立に、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子で置換されていても良い。）を表す。ｎが２を表しＡ^４が複数存在する場合、複数存在するＡ^４は同一であっても異なっていても良い。
前記一般式（ＩＶ）中、Ｚ^３は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合を表す。ｎが２を表しＺ^３が複数存在する場合、複数存在するＺ^３は同一であっても異なっていても良い。

前記一般式（ＩＶ）において、Ｐ^１及びＰ^２が、それぞれ独立に、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表すことが好ましい。
Ａ^３及びＡ^４が、それぞれ独立に、１，４−フェニレン基（これらに含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子で置換されていても良い。）を表すことが好ましい。
前記一般式（ＩＶ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記の化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。

＜精製方法＞
精製剤としてシリカゲル、アルミナ又はイオン交換樹脂の１種又はそれらの混合物が挙げられる。シリカゲル又はアルミナの１種又はそれらの混合物であることが好ましい。シリカゲルやアルミナは、疎水性基や親水性基、官能基等で化学修飾したものでもよい。
精製剤の使用量は、原料組成物１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上が好ましく、１質量部以上が好ましく、５質量部以上が好ましく、１０質量部以上が好ましく、３０質量部以上が好ましく、また、１０００質量部以下が好ましく、５００質量部以下が好ましく、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下が好ましく、１００質量部以下が好ましく、５０質量部以下がより好ましく、１０質量部以下でもよい。
原料組成物を精製剤と接触させる方法は特に問わないが、例えば以下の（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかの方法で行うことができる。

（Ａ）原料組成物を有機溶媒に溶解し、精製剤を充填したカラムクロマトグラフィーを通過させ、必要に応じて有機溶媒をさらに通過させ、得られた溶液から有機溶媒を留去する。
この方法では、精製剤の使用量は、原料組成物１００質量部に対して１０質量部から３００質量部が好ましく、３０質量部から２００質量部がより好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物の含有量の合計は、原料組成物の重量に対して０．１質量％から１０質量％が好ましく、１質量％から５質量％がより好ましい。溶液をカラムクロマトグラフィーに通過させた後には、必要に応じて有機溶媒をさらに通過させ、得られた溶液と合わせ（混ぜ）てもよい。

（Ｂ）原料組成物を有機溶媒に溶解し、精製剤を加えて一定時間撹拌し、使用した精製剤をろ過により除去し、その後、有機溶媒を留去する。
この方法では、精製剤の使用量は、原料組成物１００質量部に対して０．１質量部から１００質量部が好ましく、０．５質量部から５０質量部がより好ましく、０．５質量部から１０質量部が特に好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物の含有量の合計は、原料組成物の重量に対して０．００１質量％から１質量％が好ましく、０．０１質量％から０．５質量％がより好ましい。

（Ｃ）液晶状態又は等方性液体状態の原料組成物に精製剤を加えて一定時間撹拌し、使用した精製剤をろ過により除去する。
この方法では、精製剤の使用量は、原料組成物１００質量部に対して０．１質量部から１００質量部が好ましく、０．５質量部から５０質量部がより好ましく、０．５質量部から１０質量部が特に好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物の含有量の合計は、原料組成物の重量に対して０．００１質量％から１質量％が好ましく、０．０１質量％から０．５質量％がより好ましい。この場合、原料組成物が有機溶媒を含まないまま精製剤を加えることができる。そのため、有機溶媒を留去する必要がない。

（Ａ）や（Ｂ）のように、原料組成物を有機溶媒に溶解する場合、その有機溶媒が、炭素原子数６〜９の飽和又は芳香族の炭化水素が好ましく、ベンゼン環以外に炭素−炭素不飽和結合を有しないことが好ましい。例えば、アルカン、シクロアルカン、アルキルシクロアルカン、ベンゼン、アルキルベンゼン、ジアルキルベンゼン等が挙げられる。これらの炭化水素系溶媒の具体例としては、ヘキサン及びその構造異性体（炭素原子数６の非環式飽和炭化水素）、ヘプタン及びその構造異性体（炭素原子数７の非環式飽和炭化水素）、オクタン及びその構造異性体（炭素原子数８の非環式飽和炭化水素）、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、及びクメンから選択される単一溶媒又はそれらの１種若しくは２種以上を含む混合溶媒であることが好ましく、ヘキサン及びその構造異性体、ヘプタン及びその構造異性体、及びトルエンから選択される単一溶媒又は１種若しくは２種以上を含む混合溶媒がより好ましい。ここで単一溶媒とは、実質的に前記炭化水素系溶媒として選択される１種の化合物からなる有機溶媒を指す。混合溶媒は、２種以上の炭化水素系溶媒からなる混合溶媒でもよく、１種以上の炭化水素系溶媒と１種以上の他の溶媒からなる混合溶媒でもよい。ただし、不可避の不純物（例えば炭素原子数が１〜２程度異なる同族体等）が少量混入するものも、前記有機溶媒として使用可能である。石油エーテルは、ヘキサン及びその構造異性体を主成分とする混合溶媒であるが、さらにペンタン又はその構造異性体を含んでもよい。キシレンは、オルト、メタ、パラの各異性体の混合物であってもよく、さらにエチルベンゼンを含むか含まないかは任意である。使用する有機溶媒は、水分や硫黄化合物、重金属等の望ましくない不純物を極力除去したものが好ましいが、要求されるコストと精製レベルに応じて適切なものを選択することが好ましい。炭化水素系溶媒以外の溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチル−ｔ−ブチルエーテル、アセトニトリル又はプロピオニトリル等の極性溶媒を添加することも静電気の発生を防ぐために好ましい。この場合の極性溶媒の含有量の合計としては５０体積％以下が好ましく、３０体積％以下が好ましく、１０体積％以下が好ましく、５体積％以下が好ましく、また０．１体積％以上が好ましく、０．５体積％以上が好ましく、１体積％以上が好ましい。

前記精製工程により得られた目的の化合物又は組成物（以下、「目的物」という。）は、精製剤との接触の前後において、原料組成物と比べると、不要な不純物の一部又は全部が除去されることにより、組成が変化する。目的物は、少なくとも、液晶材料を構成する化合物（前記一般式（ＩＩ）及び前記一般式（ＩＶ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物）を含む必要がある。目的物は、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含む組成物であることが好ましい。目的物は、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含み、さらに、前記一般式（ＩＶ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含む組成物であることが好ましい。

さらに、目的物がヒンダードフェノール類（前記一般式（Ｉ）及び前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物）を含む組成物であることが好ましい。ただし、目的物は、前記一般式（Ｉ）及び前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含まないこともあり得る。また、目的物は、前記一般式（ＩＩ）及び前記一般式（ＩＶ）で表される化合物群より選ばれる化合物を一種のみ含むこともあり得る。本発明は、前記一般式（ＩＩ）又は前記一般式（ＩＶ）で表される化合物群より選ばれる化合物の製造方法としても利用することができる。
本発明において、「組成物の製造方法」というときは、目的物が一種の化合物である場合、すなわち、一般式（ＩＩ）で表される化合物群より選ばれる一種である化合物の製造方法、及び一般式（ＩＶ）で表される化合物群より選ばれる一種である化合物の製造方法を包含するものとする。本発明の組成物の製造方法により得られる組成物は、一種の化合物を目的物とする場合を包含する。

液晶材料を構成する化合物の中でも、アルケニル基や重合性基を側鎖に有する化合物などは、背景技術で述べたように、シリカゲル等との接触により二量化あるいは分解等の反応を起こし、純度の低下やそれに伴う比抵抗値の低下を招く傾向が強い。このことから、目的物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２が炭素原子数２〜６のアルケニル基である化合物を少なくとも１種含有する、化合物又は組成物であることが好ましい。また、目的物が、前記一般式（ＩＶ）で表される化合物を少なくとも１種含有する、化合物又は組成物であることが好ましい。

液晶材料を構成する化合物（前記一般式（ＩＩ）及び前記一般式（ＩＶ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物）は、精製工程の前後を経て、回収率ができるだけ高いことが好ましい。ここで、「回収率」とは、原料組成物に含まれていた当該化合物の質量をｍ_０、目的の組成物に含まれる当該化合物の質量をｍ_１とするときに、１００×（ｍ_１／ｍ_０）で求められる百分率（％）である。
また、ヒンダードフェノール類（前記一般式（Ｉ）及び前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物）の回収率は、必ずしも高くある必要はないが、必ずしも低くある必要もない。目的の組成物を例えば液晶材料として用いるときに、前記ヒンダードフェノール類が目的の組成物に所定の量以上が残っていると、液晶材料の酸化防止剤として引き続き利用でき、好ましい。

一般式（Ｉ）から（ＩＶ）で表される化合物の間の組成比は、精製剤との接触の前後において、変化する場合がある。これは、化合物ごとに精製剤への吸着力が異なるためである。また、一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有率が精製剤との接触前後で低下したり、消失したりする場合があるが、それをそのまま液晶材料として使用してもよく、また必要に応じて一般式（Ｉ）で表される化合物又は一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を追加しても良い。
前記精製工程により得られた組成物が溶媒を含む場合には、溶媒を留去する前に必要に応じて一般式（Ｉ）で表される化合物又は一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を追加することが好ましい。
目的の組成物を液晶材料として用いるときに、目的の組成物として得られたままを使用してもよい。また、得られた目的の組成物を２種以上配合して、必要な液晶材料の組成を調整してもよい。

本発明に使用する化合物は、分子内に過酸等の過酸化物（−ＯＯ−、−ＣＯ−ＯＯ−）構造を持たないこと、すなわち、酸素原子が直接隣接しないことが好ましい。また、液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物を使用しないことが好ましい。また、ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物を使用しないことが望ましい。

本発明の液晶組成物には、ポリマー安定化（ＰＳ）モード、ポリマー維持配向（ＰＳＡ）モード、横電界型ＰＳＶＡ（高分子安定化垂直配向）モードなどの液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。

本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

本発明の重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ、ＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）及びＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示素子）に有用であるが、アクティブマトリクスアドレス装置を有するＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。
カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に重合性化合物含有液晶組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法などを用いることができる。真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。

重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。
照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。

本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に適用できる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。純度はガスクロマトグラフィー（カラム：ＤＢ−１、キャリアーガス：ヘリウム）の面積比により算出した。

（実施例１）
下記式（ＩＩ−１）

で表される化合物１００ｇに下記式（Ｉ−１）

で表される化合物１ｇを加え、組成物（Ｃ−１）を調製した。組成物（Ｃ−１）の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−１）の構成成分以外の不純物が０．０１４％検出された。この組成物（Ｃ−１）をヘキサン４００ｍＬに溶解してカラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−１）の構成成分以外の不純物は０．０１３％であった。また得られた組成物を、比抵抗値が１．０×１０^１３Ω・ｍである下記式（ＩＩ−２）

で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は２．０×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた液晶組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例２）
下記式（ＩＩ−３）

で表される化合物１００ｇに前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加え、組成物（Ｃ−２）を調製した。組成物（Ｃ−２）の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−２）の構成成分以外の不純物が０．０２１％検出された。この組成物（Ｃ−２）に対して実施例１と同様の処理を行い、得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−２）の構成成分以外の不純物は０．０１８％であった。また得られた組成物を、前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は１．４×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例３）
下記式（ＩＩ−４）

で表される化合物１００ｇに前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加え、組成物（Ｃ−３）を調製した。組成物（Ｃ−３）の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−３）の構成成分以外の不純物が０．００９％検出された。この組成物（Ｃ−３）に対して実施例１と同様の処理を行い、得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−３）の構成成分以外の不純物は０．００９％であった。また得られた組成物を、前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は９．２×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例４）
実施例３と同様に前記式（ＩＩ−４）で表される化合物１００ｇに前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加えて調製した組成物（Ｃ−３）１０１ｇにヘキサン４００ｍＬを加えて溶解し、シリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、ろ液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−３）の構成成分以外の不純物は０．００８％であった。また得られた組成物を、前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は９．０×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例５）
下記式（ＬＣ−１）

で表される組成物１００ｇを調製し、そこへ前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加え、組成物（Ｃ−５）を調製した。組成物（Ｃ−５）の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−５）の構成成分以外の不純物が０．０１４％検出された。この組成物（Ｃ−５）をヘキサン４００ｍＬに溶解してカラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−５）の構成成分以外の不純物は０．０１３％であった。また得られた組成物の比抵抗値は２．０×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例６）
下記式（ＬＣ−２）

で表される組成物１００ｇを調製し、そこへ前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加え、組成物（Ｃ−６）を調製した。組成物（Ｃ−６）の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−６）の構成成分以外の不純物が０．０２２％検出された。この組成物（Ｃ−６）をヘキサン４００ｍＬに溶解してシリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、ろ液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−６）の構成成分以外の不純物は０．０１４％であった。また得られた組成物の比抵抗値は１．８×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例７）
実施例５と同様に調製した前記式（ＬＣ−１）で表される組成物１００ｇに前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加えて調整した組成物（Ｃ−５）１０１ｇにシリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−５）の構成成分以外の不純物は０．０１１％であった。また得られた組成物の比抵抗値は１．６×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例８）
実施例１において、前記式（Ｉ−１）で表される化合物の代わりに下記式（Ｉ−２）

で表される化合物を用い、他は同様に操作を行った。得られた組成物の純度を測定したところ、その構成成分以外の不純物は０．０１３％であった。また得られた組成物を前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は２．２×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例９）
実施例５と同様に前記式（ＬＣ−１）で表される組成物１００ｇを調製し、そこへ前記式（Ｉ−２）で表される化合物１ｇを加え、組成物（Ｃ−９）を調製した。組成物（Ｃ−９）の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−９）の構成成分以外の不純物が０．０１４％検出された。この組成物（Ｃ−９）をヘキサン４００ｍＬに溶解し、シリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、ろ液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−９）の構成成分以外の不純物は０．０１３％であった。また得られた組成物の比抵抗値は２．０×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例１０）
実施例６と同様に前記式（ＬＣ−２）で表される組成物１００ｇを調製し、そこへ前記式（Ｉ−１）で表される化合物１ｇを加えて調製した組成物（Ｃ−６）１０１ｇにシリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（Ｃ−６）の構成成分以外の不純物は０．０２１％であった。また得られた組成物の比抵抗値は１．８×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例１１）
実施例１において、前記式（Ｉ−１）で表される化合物の代わりに下記式（ＩＩＩ−１）

で表される化合物を用い、他は同様に操作を行った。得られた組成物の純度を測定したところ、その構成成分以外の不純物は０．０１３％であった。また得られた組成物を前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は２．６×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（実施例１２）
実施例１において、シリカゲル５０ｇの代わりにアルミナ１００ｇを用い、他は同様に操作を行った。得られた組成物の純度を測定したところ、その構成成分以外の不純物は０．０１４％であった。また得られた組成物を前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は１．８×１０^１２Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
以上の結果から、本精製法により組成物を構成する化合物の劣化を起こすことなく、高い比抵抗値を有する組成物が得られることがわかった。

（比較例１）
前記式（ＩＩ−３）で表される化合物（以下「化合物（ＩＩ−３）」という。）の純度を測定したところ、不純物が０．０１４％検出された。この化合物（ＩＩ−３）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解してカラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液から溶媒を減圧下に留去した。得られた化合物（ＩＩ−３）の純度を測定したところ、不純物が０．０１７％検出された。また得られた化合物（ＩＩ−３）を前記式（ＩＩ−２）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の比抵抗値は５．６×１０^１１Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
この結果より、本比較例の精製方法では化合物の純度がシリカゲルとの接触により低下し、また比抵抗値も不十分であることがわかった。シリカゲルとの接触により、前記式（ＩＩ−３）で表される化合物の一部が劣化したものと考えられる。

（比較例２）
実施例５と同様に前記式（ＬＣ−１）で表される組成物（以下「組成物（ＬＣ−１）」という。）１００ｇを調製し、純度を測定したところ、組成物（ＬＣ−１）の構成成分以外の不純物が０．０１４％検出された。この組成物（ＬＣ−１）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解してカラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル５０ｇを充填）に注ぎ、溶液表面が精製剤層と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン３００ｍＬを加え、精製剤に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（ＬＣ−１）の構成成分以外の不純物は０．０１６％であった。また得られた組成物の比抵抗値は４．２×１０^１１Ω・ｍであった。
この結果より、本比較例の精製方法では組成物の純度がシリカゲルとの接触により低下し、また得られた組成物の比抵抗値も不十分であることがわかった。シリカゲルとの接触により、式（ＬＣ−１）で表される組成物を構成する化合物の一部が劣化したものと考えられる。

（比較例３）
実施例６と同様に前記式（ＬＣ−２）で表される組成物（以下「組成物（ＬＣ−２）」という。）１００ｇを調製し、純度を測定したところ、組成物（ＬＣ−２）の構成成分以外の不純物が０．０２２％検出された。この組成物（ＬＣ−２）１００ｇをヘキサン４００ｍＬに溶解してシリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、ろ液から溶媒を減圧下に留去した。得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（ＬＣ−２）の構成成分以外の不純物は０．０２４％であった。また得られた組成物の比抵抗値は５．８×１０^１１Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
この結果より、本比較例の精製方法では組成物の純度がシリカゲルとの接触により低下し、また得られた組成物の比抵抗値も不十分であることがわかった。シリカゲルとの接触により、式（ＬＣ−２）で表される組成物を構成する化合物の一部が劣化したものと考えられる。

（比較例４）
実施例６と同様に前記式（ＬＣ−２）で表される組成物（以下「組成物（ＬＣ−２）」という。）１００ｇを調製し、純度を測定したところ、組成物（ＬＣ−２）の構成成分以外の不純物が０．０２２％検出された。この組成物（ＬＣ−２）１００ｇにシリカゲル１ｇを加えて１時間撹拌した。ろ過によりシリカゲルを除去し、得られた組成物の純度を測定したところ、組成物（ＬＣ−２）の構成成分以外の不純物は０．０２５％であった。また得られた組成物の比抵抗値は４．６×１０^１１Ω・ｍであった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。
この結果より、本比較例の精製方法では組成物の純度がシリカゲルとの接触により低下し、また得られた組成物の比抵抗値も不十分であることがわかった。シリカゲルとの接触により、式（ＬＣ−２）で表される組成物を構成する化合物の一部が劣化したものと考えられる。

本発明は、例えば液晶材料を構成する化合物を得る方法として利用することができる。

Claims (18)

1. 一般式（Ｉ）
   

   

   （前記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、
   ａは０、１又は２を表し、
   Ｍ^１は
   （ａ） トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）、及び
   （ｃ） １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
   からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ａが２を表しＭ^１が複数存在する場合、複数存在するＭ^１は同一であっても異なっていても良く、
   Ｚ^１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ａが２を表しＺ^１が複数存在する場合、複数存在するＺ^１は同一であっても異なっていても良い。）
   及び一般式（ＩＩＩ）
   

   

   （前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｍ^２は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基に置換されていても良い。）又は単結合を表す。）
   で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含有し、
   一般式（ＩＩ）
   

   

   （前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、
   ｂは１、２、３又は４を表し、
   Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立に
   （ａ） トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）、及び
   （ｃ） １，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
   からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、ｂが２、３又は４を表しＡ^１が複数存在する場合、複数存在するＡ^１は同一であっても異なっていても良く、
   Ｚ^２は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ｂが２、３又は４を表しＺ^２が複数存在する場合、複数存在するＺ^２は同一であっても異なっていても良く、
   Ｙ^１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含有する原料組成物を用意し、
   前記原料組成物を有機溶媒に溶解し、又は前記原料組成物に有機溶媒を加えることなく、シリカゲル、アルミナ又はイオン交換樹脂の１種又はそれらの混合物からなる精製剤と接触させた後、前記精製剤を除去し、
   前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含まない場合にはそれを目的の組成物とし、前記精製剤を除去した後の組成物が有機溶媒を含む場合には前記有機溶媒を留去して目的の組成物を得ることを特徴とする組成物の製造方法。
2. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ^１が炭素原子数１から１１の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、Ｍ^１がトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、Ｚ^１が単結合を表し、ａが０又は１を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
3. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｍ^２が炭素原子数１から１５のアルキレン基を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
4. 前記一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有量の合計が、前記原料組成物の重量に対して０．００１質量％から１０質量％である請求項１に記載の組成物の製造方法。
5. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ａ^１及びＡ^２のうち少なくとも１つが
   

   

   から選択されるいずれかを表す化合物を少なくとも１種含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
6. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｙ^１がフッ素原子を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項５に記載の組成物の製造方法。
7. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基を表し、Ｚ^１が単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項５に記載の組成物の製造方法。
8. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ａ^１及びＡ^２のうち少なくとも１つが
   

   

   

   から選択されるいずれかを表す化合物を少なくとも１種含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
9. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２及びＹ^１がそれぞれ独立的にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、３−ブテニルオキシ基又は４−ペンテニルオキシ基を表し、Ｚ^１が単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項８に記載の組成物の製造方法。
10. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ａ^１及びＡ^２のうち少なくとも１つが
    

    

    を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項８に記載の組成物の製造方法。
11. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２及びＹ^１がそれぞれ独立的に炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜６のアルケニルオキシ基を表し、Ａ^１及びＡ^２がそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、Ｚ^２が単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
12. 請求項１に記載の組成物の製造方法により得られる組成物。
13. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、さらに、一般式（ＩＶ）
    

    

    （前記一般式（ＩＶ）中、Ｐ^１及びＰ^２は、それぞれ独立に、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニロキシ基又は下記式（Ｅｐ−１）から（Ｅｐ−７）のいずれかで表される基を表し、
    

    

    ｎは０、１又は２を表し、
    Ａ^３及びＡ^４は、それぞれ独立に、１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子で置換されていても良い。）を表すが、ｎが２を表しＡ^４が複数存在する場合、複数存在するＡ^４は同一であっても異なっていても良く、
    Ｚ^３は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合を表すが、ｎが２を表しＺ^３が複数存在する場合、複数存在するＺ^３は同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群より選ばれる一種又は二種以上の化合物を含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
14. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＶ）において、Ｐ^１及びＰ^２が、それぞれ独立に、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表し、Ａ^３及びＡ^４が、それぞれ独立に、１，４−フェニレン基（これらに含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子で置換されていても良い。）を表す化合物を少なくとも１種含有する請求項１３に記載の組成物の製造方法。
15. 前記原料組成物及び前記目的の組成物が、前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ^２が炭素原子数２〜６のアルケニル基である化合物を少なくとも１種含有する請求項１に記載の組成物の製造方法。
16. 前記精製剤としてシリカゲル又はアルミナの１種又はそれらの混合物を使用する請求項１に記載の組成物の製造方法。
17. 前記精製剤の使用量が、前記原料組成物の１００質量部に対して０．１質量部から１０００質量部である請求項１に記載の組成物の製造方法。
18. 前記有機溶媒が、ヘキサン及びその構造異性体、ヘプタン及びその構造異性体、オクタン及びその構造異性体、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、及びクメンから選択される単一溶媒又はそれらの１種若しくは２種以上を含む混合溶媒である請求項１に記載の組成物の製造方法。