JPS62210419A - 液晶表示素子の製法 - Google Patents
液晶表示素子の製法Info
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- JPS62210419A JPS62210419A JP5421186A JP5421186A JPS62210419A JP S62210419 A JPS62210419 A JP S62210419A JP 5421186 A JP5421186 A JP 5421186A JP 5421186 A JP5421186 A JP 5421186A JP S62210419 A JPS62210419 A JP S62210419A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は液晶表示素子に係り、特に、大容量表示が可能
なネマティック−コレステリック相転移型液晶表示素子
において、液晶表示素子を低電圧で駆動するために、液
晶中の不純物をシリカゲルにより吸着除去する液晶表示
素子の製法及び駆動電圧低減化を計った液晶表示素子に
関する。
なネマティック−コレステリック相転移型液晶表示素子
において、液晶表示素子を低電圧で駆動するために、液
晶中の不純物をシリカゲルにより吸着除去する液晶表示
素子の製法及び駆動電圧低減化を計った液晶表示素子に
関する。
ネマティック−コレステリック相転移型液晶の双安定性
を利用した液晶表示素子は、原理的に無制限に大容量化
ができる表示素子であるが、双安定性を保持するための
駆動電圧が±４０Ｖと高いために、１００■程度の高耐
圧の駆動用ＩＣを用いなければならない。
を利用した液晶表示素子は、原理的に無制限に大容量化
ができる表示素子であるが、双安定性を保持するための
駆動電圧が±４０Ｖと高いために、１００■程度の高耐
圧の駆動用ＩＣを用いなければならない。
このため、大容量表示を行う際には、駆動回路数が大幅
に増え、高価な高耐圧ＩＣを多数用いなければならずコ
ストアップの最大要因であった。
に増え、高価な高耐圧ＩＣを多数用いなければならずコ
ストアップの最大要因であった。
ネマティックーコレステリック相転移型液晶表示素子は
本発明者等が特訓５９−３５１１４゜５９−１０７４０
．５９−１８０６３３に出願した如く、相転移に伴う双
安定性を利用して表示を行うため、大容量表示が可能で
ある。すなわち、第３図に示すように駆動電圧Ｖｄで液
晶のメモリー性を利用して光学的に異なる二つの安定な
状態Ｈ′とＦをとることができるため、リフレッシュな
しで表示できるので、走査ライン数に制限がない。第３
図は液晶パネル１の印加電圧を横軸に液晶パネルの透過
率を縦軸にとった時の駆動電圧に対する透過率のヒステ
リシス特性を示す。
本発明者等が特訓５９−３５１１４゜５９−１０７４０
．５９−１８０６３３に出願した如く、相転移に伴う双
安定性を利用して表示を行うため、大容量表示が可能で
ある。すなわち、第３図に示すように駆動電圧Ｖｄで液
晶のメモリー性を利用して光学的に異なる二つの安定な
状態Ｈ′とＦをとることができるため、リフレッシュな
しで表示できるので、走査ライン数に制限がない。第３
図は液晶パネル１の印加電圧を横軸に液晶パネルの透過
率を縦軸にとった時の駆動電圧に対する透過率のヒステ
リシス特性を示す。
このように、ネマティック−コレステリック相転移型液
晶は、大容量表示が可能であり種々の応用が期待されて
いる。しかし、駆動電圧Ｖｄが高いため搬用のＫＣが使
えず安価な駆動回路を用いることは非常に困難であると
云う問題点があった。
晶は、大容量表示が可能であり種々の応用が期待されて
いる。しかし、駆動電圧Ｖｄが高いため搬用のＫＣが使
えず安価な駆動回路を用いることは非常に困難であると
云う問題点があった。
搬用ＩＣの耐圧は８０Ｖ程度のものがある。
しかしながら、マージンを見込んだ場合ネマティック−
コレステリック相転移型液晶の駆動電圧Ｖｄ〜±４０Ｖ
程度に丁度適した、高耐圧ＩＣがないと云う問題があっ
た。
コレステリック相転移型液晶の駆動電圧Ｖｄ〜±４０Ｖ
程度に丁度適した、高耐圧ＩＣがないと云う問題があっ
た。
本発明は、
前記液晶中の不純物をシリカゲルにより吸着除去する工
程を有することを特徴とする液晶表示素子の製法、及び （２）上記ネマティック−コレステリック相転移型液晶
が、エタン系液晶化合物、ビシクロヘキサン系液晶化合
物から選ばれた少なくとも１種類の液晶化合物と、エス
テル系液晶化合物と、カイラルネマティック液晶化合物
とを組み合わせて含んでなることを特徴とする第１項記
載の液晶表示素子の製法により達せられる。
程を有することを特徴とする液晶表示素子の製法、及び （２）上記ネマティック−コレステリック相転移型液晶
が、エタン系液晶化合物、ビシクロヘキサン系液晶化合
物から選ばれた少なくとも１種類の液晶化合物と、エス
テル系液晶化合物と、カイラルネマティック液晶化合物
とを組み合わせて含んでなることを特徴とする第１項記
載の液晶表示素子の製法により達せられる。
シリカゲルにより液晶中の不純物を吸着除去させること
により双安定性を悪化（Δが小さくなる）させることな
く駆動電圧の低下を計る。
により双安定性を悪化（Δが小さくなる）させることな
く駆動電圧の低下を計る。
特願昭５９−１８０６３３に開示される如くエタン系、
エステル系、ビシクロヘキサン系液晶を中心とするネマ
ティック液晶にコレステリック液晶を１０〜１４ｗｔ％
混ぜ、ネマティック−コレステリック相転移型液晶を調
整した。
エステル系、ビシクロヘキサン系液晶を中心とするネマ
ティック液晶にコレステリック液晶を１０〜１４ｗｔ％
混ぜ、ネマティック−コレステリック相転移型液晶を調
整した。
この液晶をｆｆｉ二二を塗布した透明電極付ガラス基板
を用いて作製したパネルに１枚は−７１７カゲルによ
：１″′ の１′°シてか”Ｍｌ−互、もう１枚はそ
のまま封入し、ネマティック−コレステリック相転移型
液晶パネルとした。
を用いて作製したパネルに１枚は−７１７カゲルによ
：１″′ の１′°シてか”Ｍｌ−互、もう１枚はそ
のまま封入し、ネマティック−コレステリック相転移型
液晶パネルとした。
基板としては１３０Ｘ１６０Ｘ１．１ｍｎ＋ｔの日東光
器社製（ネサガラス）を用いた。
器社製（ネサガラス）を用いた。
透明電極としてはＩｎ、Ｏｆ会ターニングして形成した
。
。
有機ポリマー塗布層は液晶配向膜であり、ポリイミド樹
脂を用いた。
脂を用いた。
液晶パネルの液晶厚さは、透明電極付ガラス基板間に介
在させるスペーサとして９μｍのものを用い、セル厚を
９μｍとした。
在させるスペーサとして９μｍのものを用い、セル厚を
９μｍとした。
この２枚のネマティック−コレステリック相転移型液晶
パネルにおいて、ヒステリシス特性を測定し、第１図及
び第２図に示す駆動電圧マージン（Δ）と駆動電圧（Ｖ
ｄ）を求めた。
パネルにおいて、ヒステリシス特性を測定し、第１図及
び第２図に示す駆動電圧マージン（Δ）と駆動電圧（Ｖ
ｄ）を求めた。
その結果を第１図及び第２図に示す、第１図はシリカゲ
ルにより液晶中の不純物を吸着除去した液晶パネルのヒ
ステリシス特性である０図は縦軸に透過率、横軸に印加
電圧でプロットしたものである。第２図は、液晶中の不
純物を除去していない液晶パネルのヒステリシス特性で
ある。
ルにより液晶中の不純物を吸着除去した液晶パネルのヒ
ステリシス特性である０図は縦軸に透過率、横軸に印加
電圧でプロットしたものである。第２図は、液晶中の不
純物を除去していない液晶パネルのヒステリシス特性で
ある。
第１図と第２“図を比較すると駆動電圧マージンΔの値
はほとんど変わらないが、駆動電圧Ｖｄは不純物を吸着
除去した液晶パネルの方が４．５ｖ低いことがわかる。
はほとんど変わらないが、駆動電圧Ｖｄは不純物を吸着
除去した液晶パネルの方が４．５ｖ低いことがわかる。
すなわち、シリカゲルにより液晶Φの不純物を吸着除去
することにより駆動電圧（Ｖｄ）を低下させることがで
きた。
することにより駆動電圧（Ｖｄ）を低下させることがで
きた。
上記不純物は水分と考えられ、液晶中の水分を取り除く
ことにより液晶の導電率が下がり流れる電流が小さくな
るので電圧が低下するものと思われる。
ことにより液晶の導電率が下がり流れる電流が小さくな
るので電圧が低下するものと思われる。
本発明によれば、ネマティック−コレステリンク相転移
型液晶を用いた表示素子の双安定効果を悪化させずに、
駆動電圧の低下を計ることができる。よって、より安価
な駆動用ＩＣを用いることができる。また、装置への負
荷が減少するので寿命がのびる。このように、本発明は
、この液晶を用いた表示素子の応用範囲を広げる効果が
ある。
型液晶を用いた表示素子の双安定効果を悪化させずに、
駆動電圧の低下を計ることができる。よって、より安価
な駆動用ＩＣを用いることができる。また、装置への負
荷が減少するので寿命がのびる。このように、本発明は
、この液晶を用いた表示素子の応用範囲を広げる効果が
ある。
第１図は、本発明のシリカゲルにより液晶中の不純物を
吸着除去した液晶パネルの特性を表す図、第２図は、従
来の液晶中の不純物を除去していない液晶パネルの特性
を表す図、 第３図は、ネマティソクーコレステリフク相転移型液晶
の駆動原理を表す図である。 ＶＯ乙ＩＡθＥ （Ｖ） ５４１ 口 ＶＯ乙７′Ａ６〜Ｅ （ｙ） ＄ｚ闇
吸着除去した液晶パネルの特性を表す図、第２図は、従
来の液晶中の不純物を除去していない液晶パネルの特性
を表す図、 第３図は、ネマティソクーコレステリフク相転移型液晶
の駆動原理を表す図である。 ＶＯ乙ＩＡθＥ （Ｖ） ５４１ 口 ＶＯ乙７′Ａ６〜Ｅ （ｙ） ＄ｚ闇
Claims (2)
- （１）ネマティック−コレステリック相転移型液晶の双
安定性を利用した液晶表示素子の製法において、前記液
晶中の不純物をシリカゲルにより吸着除去する工程を有
することを特徴とする液晶表示素子の製法。 - （２）上記ネマティック−コレステリック相転移型液晶
が、エタン系液晶化合物、ビシクロヘキサン系液晶化合
物から選ばれた少なくとも１種類の液晶化合物と、エス
テル系液晶化合物と、カイラルネマティック液晶化合物
とを組み合わせて含んでなることを特徴とする第１項記
載の液晶表示素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5421186A JPS62210419A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 液晶表示素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5421186A JPS62210419A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 液晶表示素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62210419A true JPS62210419A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12964213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5421186A Pending JPS62210419A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 液晶表示素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62210419A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487685A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Seimi Chem Kk | Production of liquid crystal composition of high resistivity |
| EP0603731A1 (en) * | 1992-12-16 | 1994-06-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Purification of liquid crystals and liquid crystal composition |
| WO2009044600A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Nitto Denko Corporation | コーティング液および偏光膜 |
| JP2011059660A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Chung Yuan Christian Univ | 劣化液晶の性質を回復する方法 |
| JP5522319B1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-06-18 | Ｄｉｃ株式会社 | 組成物の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP5421186A patent/JPS62210419A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487685A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Seimi Chem Kk | Production of liquid crystal composition of high resistivity |
| EP0603731A1 (en) * | 1992-12-16 | 1994-06-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Purification of liquid crystals and liquid crystal composition |
| WO2009044600A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Nitto Denko Corporation | コーティング液および偏光膜 |
| JP2011059660A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Chung Yuan Christian Univ | 劣化液晶の性質を回復する方法 |
| US8390777B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-03-05 | Chung Yuan Christian University | Method for recovering properties of degraded liquid crystal |
| JP5522319B1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-06-18 | Ｄｉｃ株式会社 | 組成物の製造方法 |
| WO2014162587A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Dic株式会社 | 組成物の製造方法 |
| US9441159B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-09-13 | Dic Corporation | Method for producing composition |
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