JPH0717759A - 固体電解質 - Google Patents

固体電解質

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JPH0717759A
JPH0717759A JP5145850A JP14585093A JPH0717759A JP H0717759 A JPH0717759 A JP H0717759A JP 5145850 A JP5145850 A JP 5145850A JP 14585093 A JP14585093 A JP 14585093A JP H0717759 A JPH0717759 A JP H0717759A
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JP
Japan
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solid electrolyte
rare earth
conductivity
potassium
temperature
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JP5145850A
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English (en)
Inventor
Susumu Nakayama
享 中山
Terumitsu Ichimori
照光 一森
Nobuo Ayusawa
信夫 鮎澤
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Shinagawa Refractories Co Ltd
Original Assignee
Shinagawa Refractories Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 特性の優れたカリウム、ルビジウムまたはセ
シウムイオン導電性固体電解質を得る。 【構成】 (R2 O)x (M2 3 y (SiO2 z
(ただし、Rは、K、Rb、Csのいずれか、Mは希土
類元素)、ただし0<x≦0.60、0<y<1、0<
1<z、x+y+z=1の組成のセラミックスからなる
固体電解質。 【効果】 大きなイオン導電性を有し、緻密で、耐水性
が大きな安定な固体電解質が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体電解質に関し、特
にカリウム、ルビジウムまたはセシウムから選ばれるア
ルカリ金属、希土類元素及びケイ素の酸化物からなり、
カリウムイオンによる電気伝導を利用した固体電解質
で、非常に高いイオン導電性を示し、更に高い緻密性を
有し、耐水性などの点に優れた特性を有する固体電解質
に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンによる電気伝導を利用した各種の
固体電解質が知られており、大気中で安定な酸化物系固
体電解質としてアルカリ金属イオン、特にリチウムイオ
ン、ナトリウムイオンによる電気伝導を利用したものが
従来から積極的に開発が行われており、固体電池、ガス
センサなどへの応用が試みられている。一方、カリウ
ム、ルビジウムまたはセシウムのイオン半径はそれぞ
れ、1.33Å、1.52Å、1.70Åであり、リチ
ウムのイオン半径0.68Å、ナトリウムのイオン半径
0.97Åに較べかなり大きいため、高いカリウムイオ
ン導電性を得ることは難しいとされている。なお、各イ
オン半径は、柳田博明著「電子材料セラミックス」(技
法堂)p7(1975)に記載の6配位のイオン半径を
示した。カリウムイオンの伝導を利用した固体電解質と
しては、層状構造のK−β(β″)Al2 3 (工藤徹
一著「固体アイオニクス」P83(1986)講談
社)、C軸方向にトンネルを持つホランダイト構造のK
X Mg0.5X Ti8-0.5X16 (x:1.6〜2)(T.
Takahashi et al.,Electroc
himica Acta,23,375−79(197
8))などがよく知られている。
【0003】一方、ルビジウムまたはセシウムイオンの
伝導を利用した固体電解質としては、RbSbTeO6
およびCsSbTeO6 (X.Turrillas e
tal., Solid State Ionics,
21,195−201(1986))、Rb−ゼオライ
ト(G.Kelemen et al.,J. Mat
er. Sci.,27,6036−40(199
2))などが報告されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
カリウムイオン固体電解質は、300℃付近でその導電
率は10-3〜10-5S・cm-1以下、更にルビジウムま
たはセシウムイオン固体電解質は300℃でその導電率
は10-7〜10-8S・cm-1以下とあまり高い値でな
い。最近では、カリウムイオン固体電解質においては、
300℃で10-2S・cm-1程度の高い導電率を示すも
のとして、β″−アルミナ型構造の層状化合物である
(K2 O)0.85(Fe2 3 5.5 (内之倉克己ら、1
987年窯業協会年会報告p421−22)、3次元高
速通路を持つ K1.9Mg0.95Si1.054 と層状化合
物K0.72In 0.72Hf0.282 (須藤一著「電極およ
び電極関連材料」p149(1988)アイピーシー)
などの化合物も合成されているが、緻密性、耐水性など
の点で問題がある。本発明は、電気伝導性が高く緻密で
耐水性の優れたカリウム、ルビジウムまたはセシウムイ
オンの伝導特性を有する固体電解質を提供することを課
題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、(R2 O)x
(M2 3 y (SiO2 z (ただし、Rは、K、R
b、Csのいずれか、Mは希土類元素)、ただし0<x
≦0.60、0<y<1、0<1<z、x+y+z=1
の組成からなる固体電解質である。また希土類元素とし
て使用可能な元素には、スカンジウム、イットリウム、
ランタン、セリウム、プラセオジウム、ネオジム、サマ
リウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジ
スプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イ
ッテルビウム、ルテチウム等を挙げることができ、それ
ぞれSc23、Y23、La23、Ce23、Pr
23、Nd23、Sm23、Eu23、Gd23、Tb
23、Dy23、Ho23、Er23、Tm23、Yb
23、Lu23等の酸化物を原料として使用することが
できる。
【0006】本発明の固体電解質の製造原料と使用する
カリウム、ルビジウム、セシウム原料には、空気中での
加熱分解により酸化物を生成する、炭酸塩、蓚酸塩、酢
酸塩を使用することができ、ケイ素原料には、沈降性シ
リカ、シリカゲル、結晶性シリカなどを使用することが
できる。本発明の固体電解質は、これらの原料を混合
後、仮焼成し、次いで微粉砕した後成形し、本焼成する
ことにより得られるが、焼成温度は酸化物が生成し、各
原料が結合した酸化物セラミックスが得られる温度以上
であることが必要であるが、カリウム、ルビジウム、セ
シウム等の成分が焼成治具に移行することによって逸散
し、固体電解質表面に凹凸が生じない温度範囲である1
000〜1500℃の範囲で行うことが好ましい。
【0007】
【作用】本発明の固体電解質は、(R2 O)x (M2
3 y (SiO2 z (ただし、Rは、K、Rb、Cs
のいずれか、Mは希土類元素)、ただし0<x≦0.6
0、0<y<1、0<1<z、x+y+z=1の組成か
らなり、高いイオン導電性と高い緻密性を有し、耐水性
にも優れている。
【0008】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、更に詳細に
説明する。 実施例1 炭酸カリウム、表1に記載の希土類元素酸化物、沈降性
シリカを、K2 O、M2 3 (Mは希土類元素)、Si
2 のモル比で0.25:0.25:0.50になるよ
うに配合した後、ボールミルを使用してアルコール中で
混練する。混練後、乾燥、仮成形して1000℃で仮焼
する。その仮焼物を粉砕した後、ボールミルにてアルコ
ール中で微粉末にする。得られた仮焼粉にバインダーと
してポリビニルアルコールを添加造粒した後、1000
kg/cm2 で加圧成形してペレット状としてセラミッ
クス焼成治具(品川白煉瓦(株)製ジルコニア敷砂付ス
ピネル質セッター)上で1400℃にて焼成し、試料番
号1〜8の固体電解質を製造した。
【0009】得られた固体電解質の破断面を、走査型電
子顕微鏡で観察したところ、試料1〜8のいずれの試料
も1〜5μmの結晶粒子からなる緻密な組織を有するこ
とが確認できた。また、粉末X線回折の結果、Mがラン
タン、ネオジム、サマリウム、ガドリウム、ジスプロシ
ウムでの回析パターンは、発明者らによって報告してい
るLiXSiO4 (X=La、Nd、Sm、Gd、D
y)の回折線パターン(中山享ら、J.Ceram.S
oc.Jpn.,100,867−71(1992)及
び特願平4−30637号)と一致することより、六方
晶であると考えられる。また、Mがイットリウム、ホル
ミウム、エルビウムの場合の回折線パターンは、上記に
較べ回折線が多く観察されており、希土類元素のイオン
半径が小さくなることにより結晶構造に歪みが生じてい
るものと推測される。
【0010】得られた固体電解質の両面に白金ペースト
を塗布し、900℃にて焼き付けて電極を形成した後、
赤外加熱炉中において温度を変化させ、インピーダンス
メーターにて周波数100Hz〜1MHzで複素インピ
ーダンス解析を行い、全抵抗成分(粒内抵抗+粒界抵
抗)から導電率を求めた。図1は、成分の異なる各試料
の導電率を説明する図であり、温度(°K)の逆数を横
軸に、縦軸には電気伝導度σと温度Tの積を対数で示し
た。各試料ともに200〜400℃付近に変曲点が存在
している。また、各試料の変曲点の低温側と高温側につ
いて、σT=σ0 exp(−E/kT)、σ0 :定数、
k:ボルツマン定数の関係式によって示される活性化エ
ネルギーEを図1の直線の傾きから求め、300℃にお
ける導電率とともに表1に記載した。
【0011】全温度領域で最も高い導電率は、希土類元
素としてネオジム、サマリウムを使用した場合であり、
300℃での導電率が10-2S・cm以上で従来最も高
いカリウムイオン導電性を示す固体電解質と同等かそれ
以上である。更に、すべての試料について常温の水中に
7日間浸漬した後に測定した導電率には変化は認められ
なかった。
【0012】
【表1】
【0013】実施例2 実施例1に記載の試料番号3において、原料中のサマリ
ウムの混合比を変えて表1の試料番号9〜11の組成の
固体電解質を製造し、実施例1と同様に特性を測定し、
その結果を表1に示すとともに、図2に導電率の温度変
化を温度(°K)の逆数を横軸に、縦軸には電気伝導度
σと温度Tの積を対数で示す。
【0014】実施例3 炭酸ルビジウム、表1に記載の希土類元素酸化物、沈降
性シリカを、Rb2 O、M2 3 (Mは希土類元素)、
SiO2 のモル比で0.25:0.25:0.50とし
た点を除き、実施例1と同様に試料番号12〜15の組
成の固体電解質を製造し、特性を測定し、その結果を表
1に示すとともに、図3に導電率の温度変化を温度(°
K)の逆数を横軸に、縦軸には電気伝導度σと温度Tの
積を対数で示す。また、カリウムを使用した場合と同様
に、これらの固体電解質はその粉末X線回折パターンか
ら六方晶であると考えられる。
【0015】実施例4 炭酸セシウム、表1に記載の希土類元素酸化物、沈降性
シリカを、Cs2 O、M2 3 (Mは希土類元素)、S
iO2 のモル比で0.25:0.25:0.50とした
点を除き、実施例1と同様に試料番号16〜18の組成
の固体電解質を製造し、特性を測定し、その結果を表1
に示すとともに、図4に導電率の温度変化を温度(°
K)の逆数を横軸に、縦軸には電気伝導度σと温度Tの
積を対数で示す。また、カリウムを使用した場合と同様
に、これらの固体電解質はその粉末X線回折パターンか
ら六方晶であると考えられる。
【0016】比較例 希土類元素に代えてアルミニウムに用いた点を除いて実
施例1と同様にKAlSiO4 の組成の固体電解質を作
製し、導電率の測定を行い試料番号19として導電率、
活性化エネルギー、導電率の温度変化の測定結果を図1
および表1に示す。
【0017】
【発明の効果】本発明の固体電解質は、カリウム、ルビ
ジウムまたはセシウムから選ばれるアルカリ金属、希土
類元素及びケイ素の酸化物からなる固体電解質であり、
特にカリウム固体電解質は、従来最も高いカリウムイオ
ン導電率を示す群に匹敵する導電率を示し、更に高い緻
密性を有し、耐水性などの点に優れており、固体電池、
センサー、電位記憶素子などの用途において優れた特性
を発揮することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のカリウムを含有する固体電解質の導電
率の温度変化を説明する図である。
【図2】固体電解質の構成成分の割合を変化させた場合
の導電率の温度変化を説明する図である。
【図3】本発明のルビジウムを含有する固体電解質の導
電率の温度変化を説明する図である。
【図4】本発明のセシウムを含有する固体電解質の導電
率の温度変化を説明する図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (R2 O)x (M2 3 y (Si
    2 z (ただし、Rは、K、Rb、Csのいずれか、
    Mは希土類元素)、ただし0<x≦0.60、0<y<
    1、0<1<z、x+y+z=1の組成からなることを
    特徴とする固体電解質。
JP5145850A 1993-06-17 1993-06-17 固体電解質 Pending JPH0717759A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4685192B1 (ja) * 2010-07-27 2011-05-18 富久代 市村 シリコン化合物による固体型二次電池及びその製造方法
JP4800440B1 (ja) * 2010-12-22 2011-10-26 富久代 市村 シリコン化合物による固体型二次電池及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4685192B1 (ja) * 2010-07-27 2011-05-18 富久代 市村 シリコン化合物による固体型二次電池及びその製造方法
WO2012014556A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 Ichimura Fukuyo シリコン化合物による固体型二次電池及びその製造方法
JP2012028266A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Fukuyo Ichimura シリコン化合物による固体型二次電池及びその製造方法
JP4800440B1 (ja) * 2010-12-22 2011-10-26 富久代 市村 シリコン化合物による固体型二次電池及びその製造方法
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