JPH07173151A - ジアリールエテン系化合物及びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生法 - Google Patents
ジアリールエテン系化合物及びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生法Info
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- JPH07173151A JPH07173151A JP5338827A JP33882793A JPH07173151A JP H07173151 A JPH07173151 A JP H07173151A JP 5338827 A JP5338827 A JP 5338827A JP 33882793 A JP33882793 A JP 33882793A JP H07173151 A JPH07173151 A JP H07173151A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式（１）にて示されるジアリールエ
テン系化合物。 【化１】 （但し、式中ｎは２〜５の整数、１，ｍは０〜２の整
数、Ｒ1 ，Ｒ3 はアルキル基、Ｒ2 ，Ｒ4 は水素原子、
アルキル基、ジアルキルアミン基、シアノ基、ニトロ基
又はアルコキシ基、Ａ，Ｂは芳香族基又は複素環基を表
す。）並びに、上記一般式（１）にて示されるジアリー
ルエテン系化合物を記録材料とする光記録媒体を用いて
光記録・再生を行うに際し、再生時の光記録媒体温度
を、記録時のそれより４０℃以上低く設定することを特
徴とするジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体
の光記録・再生法。 【効果】 熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導体
レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特性
を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に有効
に用いることができる。また、再生時に記録の破壊を防
止できる。
テン系化合物。 【化１】 （但し、式中ｎは２〜５の整数、１，ｍは０〜２の整
数、Ｒ1 ，Ｒ3 はアルキル基、Ｒ2 ，Ｒ4 は水素原子、
アルキル基、ジアルキルアミン基、シアノ基、ニトロ基
又はアルコキシ基、Ａ，Ｂは芳香族基又は複素環基を表
す。）並びに、上記一般式（１）にて示されるジアリー
ルエテン系化合物を記録材料とする光記録媒体を用いて
光記録・再生を行うに際し、再生時の光記録媒体温度
を、記録時のそれより４０℃以上低く設定することを特
徴とするジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体
の光記録・再生法。 【効果】 熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導体
レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特性
を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に有効
に用いることができる。また、再生時に記録の破壊を防
止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトクロミック性を
有し光記録材料等に好適なジアリールエテン系化合物及
びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の
光記録・再生法に関する。
有し光記録材料等に好適なジアリールエテン系化合物及
びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の
光記録・再生法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光照射により可逆的に色相変化をする、
いわゆるフォトクロミック化合物は古くから知られてお
り、これらを利用した記録・記憶材料、複写材料、調光
材料、マスキング用材料、光量計、あるいは表示材料等
が種々提案されている。これらフォトクロミック化合物
としては、例えばベンゾスピロピラン類、ナフトオキサ
ジン類、フルギド類、ジアゾ化合物類、あるいはジアリ
ールエテン類等の化合物が開示されている。近年、この
様なフォトクロミック化合物を可逆的な光記録材料とし
て利用すべく、精力的に研究がなされているが、光記録
材料へ応用するためには次の様な基本性能が要求され
る。すなわち、記録の安定性、繰り返し耐久性、
半導体レーザー感受性、高い感度等である。ところ
が、現在知られているフォトクロミック化合物の多く
は、着色状態又は消色状態のどちらか一方が熱的に不安
定であり、室温に於ても、数時間以内により安定な状態
に戻るため、記録の安定性が確保できないという欠点を
有している。これらの中で、光照射による二つの状態が
熱的に比較的安定である化合物として、フルギド類やジ
アリールエテン類が知られているが、記録材料として利
用するには、安定性が未だ不十分である、繰り返し
耐久性が劣っている、半導体レーザー感受性に乏し
い、感度（分子吸光係数）が小さい等といった欠点の
いずれかを有しており、未だ全ての性能を満足するフォ
トクロミック化合物が得られていないのが実情である。
いわゆるフォトクロミック化合物は古くから知られてお
り、これらを利用した記録・記憶材料、複写材料、調光
材料、マスキング用材料、光量計、あるいは表示材料等
が種々提案されている。これらフォトクロミック化合物
としては、例えばベンゾスピロピラン類、ナフトオキサ
ジン類、フルギド類、ジアゾ化合物類、あるいはジアリ
ールエテン類等の化合物が開示されている。近年、この
様なフォトクロミック化合物を可逆的な光記録材料とし
て利用すべく、精力的に研究がなされているが、光記録
材料へ応用するためには次の様な基本性能が要求され
る。すなわち、記録の安定性、繰り返し耐久性、
半導体レーザー感受性、高い感度等である。ところ
が、現在知られているフォトクロミック化合物の多く
は、着色状態又は消色状態のどちらか一方が熱的に不安
定であり、室温に於ても、数時間以内により安定な状態
に戻るため、記録の安定性が確保できないという欠点を
有している。これらの中で、光照射による二つの状態が
熱的に比較的安定である化合物として、フルギド類やジ
アリールエテン類が知られているが、記録材料として利
用するには、安定性が未だ不十分である、繰り返し
耐久性が劣っている、半導体レーザー感受性に乏し
い、感度（分子吸光係数）が小さい等といった欠点の
いずれかを有しており、未だ全ての性能を満足するフォ
トクロミック化合物が得られていないのが実情である。
【０００３】また、フォトクロミック化合物の光記録の
原理は、光反応による２つの構造の一方を記録状態、他
方を消去状態とし、特定の波長での吸光度の差を読み出
すものであり、可逆的な記録の書き込み、消去が可能で
ある。フォトクロミック化合物を用いた光記録媒体は作
製が用意で、量産性に優れた特長を有している。しかし
ながら、フォトクロミック化合物は、通常記録の有無を
２つの構造の光吸収率の差で検出するため、再生時にも
光吸収による構造変化が伴い、何回も再生を行うと記録
が消滅してしまう欠点がある。
原理は、光反応による２つの構造の一方を記録状態、他
方を消去状態とし、特定の波長での吸光度の差を読み出
すものであり、可逆的な記録の書き込み、消去が可能で
ある。フォトクロミック化合物を用いた光記録媒体は作
製が用意で、量産性に優れた特長を有している。しかし
ながら、フォトクロミック化合物は、通常記録の有無を
２つの構造の光吸収率の差で検出するため、再生時にも
光吸収による構造変化が伴い、何回も再生を行うと記録
が消滅してしまう欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に鑑みなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、着色状態の熱安定性、繰り返し耐久性、半
導体レーザー感受性、感度（分子吸光係数）等、フォ
トクロミック材料として優れた性能を有する、新規ジア
リールエテン系化合物を提供するにある。また、本発明
の他の目的は、再生時に記録の破壊を防止できるジアリ
ールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生
法を提供するにある。
事情に鑑みなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、着色状態の熱安定性、繰り返し耐久性、半
導体レーザー感受性、感度（分子吸光係数）等、フォ
トクロミック材料として優れた性能を有する、新規ジア
リールエテン系化合物を提供するにある。また、本発明
の他の目的は、再生時に記録の破壊を防止できるジアリ
ールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生
法を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上述の目的は、下記一般式
（１）にて示されるジアリールエテン系化合物により達
成される。
（１）にて示されるジアリールエテン系化合物により達
成される。
【化３】 （但し、式中ｌ、ｍ、ｎ、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ａ及びＢは前記
に同じ。） また、上述の他の目的は、上記一般式（１）にて示され
るジアリールエテン系化合物を記録材料とする光記録媒
体を用い、紫外光を照射して着色状態に変化させること
により初期化を行った後、可視光を照射して無色状態に
変化させることにより情報の記録を行い、書き込まれた
記録情報を可視光を照射して再生する光記録・再生法に
おいて、再生時の光記録媒体温度を、記録時の光記録媒
体温度より４０℃以上低く設定することを特徴とするジ
アリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・
再生法により達成される。
に同じ。） また、上述の他の目的は、上記一般式（１）にて示され
るジアリールエテン系化合物を記録材料とする光記録媒
体を用い、紫外光を照射して着色状態に変化させること
により初期化を行った後、可視光を照射して無色状態に
変化させることにより情報の記録を行い、書き込まれた
記録情報を可視光を照射して再生する光記録・再生法に
おいて、再生時の光記録媒体温度を、記録時の光記録媒
体温度より４０℃以上低く設定することを特徴とするジ
アリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・
再生法により達成される。
【０００６】次に本発明を詳しく説明する。本発明のジ
アリールエテン系化合物は前記一般式（１）で示される
ものであり、ｎは２〜５の整数で、二重結合と共同して
４〜７員環の環状構造を有する。中でもｎが３又は４の
５又は６員環構造が特に好ましいフォトクロミック特性
を示す。Ｒ1 、Ｒ3 はアルキル基を表すが、メチル、エ
チル、プロピル基といった低級アルキル基が好ましい。
Ｒ2 、Ｒ4 は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ
基、シアノ基、ニトロ基又はアルコキシ基を表す。ｌ及
びｍは０〜２の整数を表すが、化合物の感度（分子吸光
係数）を高める為には、何れも１又は２が好ましい。ま
た、Ａ、Ｂは芳香族基又は複素環基を表し、芳香族基と
しては、無置換フェニル基を始め、トリル基、メシチル
基、アニシル基、ジメチルアニリノ基、ニトロフェニル
基等の１置換あるいは多置換フェニル基や、ナフチル
基、アントラセン基、フェナンスレン基等の多環状芳香
族基が挙げられる。また、複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、ピリル基、インドリル基、フリ
ル基、ベンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、
キノリル基、ピリミジル基、オキサゾリル基、チアゾリ
ル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾル基等が挙げられ
る。
アリールエテン系化合物は前記一般式（１）で示される
ものであり、ｎは２〜５の整数で、二重結合と共同して
４〜７員環の環状構造を有する。中でもｎが３又は４の
５又は６員環構造が特に好ましいフォトクロミック特性
を示す。Ｒ1 、Ｒ3 はアルキル基を表すが、メチル、エ
チル、プロピル基といった低級アルキル基が好ましい。
Ｒ2 、Ｒ4 は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ
基、シアノ基、ニトロ基又はアルコキシ基を表す。ｌ及
びｍは０〜２の整数を表すが、化合物の感度（分子吸光
係数）を高める為には、何れも１又は２が好ましい。ま
た、Ａ、Ｂは芳香族基又は複素環基を表し、芳香族基と
しては、無置換フェニル基を始め、トリル基、メシチル
基、アニシル基、ジメチルアニリノ基、ニトロフェニル
基等の１置換あるいは多置換フェニル基や、ナフチル
基、アントラセン基、フェナンスレン基等の多環状芳香
族基が挙げられる。また、複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、ピリル基、インドリル基、フリ
ル基、ベンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、
キノリル基、ピリミジル基、オキサゾリル基、チアゾリ
ル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾル基等が挙げられ
る。
【０００７】本発明のジアリールエテン系化合物は公知
の方法から適宜選択して製造することができるが、例え
ば次の様な方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（２）
の方法から適宜選択して製造することができるが、例え
ば次の様な方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（２）
【化４】 （但し、式中ｎは前記に同じ。）で示されるパーフルオ
ロシクロアルケン誘導体とアリールリチウム誘導体とを
反応させる方法、あるいは下記一般式（３）
ロシクロアルケン誘導体とアリールリチウム誘導体とを
反応させる方法、あるいは下記一般式（３）
【化５】 （但し、式中ｌ、ｍ、ｎ、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ａ及びＢは前記
に同じ。）で示されるジケトン化合物を低原子価チタン
を用いて、分子内でカルボニル基同士を還元カップリン
グする方法等があるが、前者の方が簡便であり好まし
い。
に同じ。）で示されるジケトン化合物を低原子価チタン
を用いて、分子内でカルボニル基同士を還元カップリン
グする方法等があるが、前者の方が簡便であり好まし
い。
【０００８】次に、好適な前者の製造方法の一例を以下
に示す。まず、下記一般式（４）
に示す。まず、下記一般式（４）
【化６】 （但し、式中Ｘは臭素原子又はヨウ素原子を表し、ｌ、
Ｒ1 、Ｒ2 及びＡは前記に同じ。）で示されるハロゲン
化チオフェン誘導体を、反応温度−４５〜−１２０℃
で、好ましくは−７０〜−１１０℃でアルキルリチウム
又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、３位のハロ
ゲン原子をリチウムに置換したリチオ化チオフェン誘導
体とする。
Ｒ1 、Ｒ2 及びＡは前記に同じ。）で示されるハロゲン
化チオフェン誘導体を、反応温度−４５〜−１２０℃
で、好ましくは−７０〜−１１０℃でアルキルリチウム
又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、３位のハロ
ゲン原子をリチウムに置換したリチオ化チオフェン誘導
体とする。
【０００９】溶媒としては、テトラヒドロフランやジエ
チルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましく用いられる
が、低温での溶媒凝固を防ぐために、ｎ−ヘキサン、ｎ
−ペンタン等の低級アルカン類を混合してもよい。リチ
オ化剤のアルキルリチウム、リチウムジアルキルアミド
としては、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、
メチルリチム、フェニルリチウム、リチウムジイソプロ
ピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等が挙げ
られるが、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に
用いられる。リチオ化剤の量は、ハロゲン化チオフェン
誘導体の総量に対して１．０〜１．２倍モル使用するの
が好ましい。反応時間は通常２０分〜３時間で、好まし
くは３０分〜２時間である。
チルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましく用いられる
が、低温での溶媒凝固を防ぐために、ｎ−ヘキサン、ｎ
−ペンタン等の低級アルカン類を混合してもよい。リチ
オ化剤のアルキルリチウム、リチウムジアルキルアミド
としては、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、
メチルリチム、フェニルリチウム、リチウムジイソプロ
ピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等が挙げ
られるが、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に
用いられる。リチオ化剤の量は、ハロゲン化チオフェン
誘導体の総量に対して１．０〜１．２倍モル使用するの
が好ましい。反応時間は通常２０分〜３時間で、好まし
くは３０分〜２時間である。
【００１０】次に、生成したリチオ化チオフェン誘導体
に前記一般式（２）で示されるパーフルオロシクロアル
ケン誘導体を添加するが、使用するパーフルオロシクロ
アルケン誘導体の量は、ハロゲン化チオフェン誘導体の
１．０〜１．５倍モルが好ましく、希釈せずに、あるい
は溶媒に希釈して添加することができる。反応温度は−
６０〜−１１０℃、反応時間は３０分〜２時間が好まし
い。
に前記一般式（２）で示されるパーフルオロシクロアル
ケン誘導体を添加するが、使用するパーフルオロシクロ
アルケン誘導体の量は、ハロゲン化チオフェン誘導体の
１．０〜１．５倍モルが好ましく、希釈せずに、あるい
は溶媒に希釈して添加することができる。反応温度は−
６０〜−１１０℃、反応時間は３０分〜２時間が好まし
い。
【００１１】以上の操作の後、一般式（５）
【化７】 （但し、式中ｌ、ｎ、Ｒ1 、Ｒ2 及びＡは前記に同
じ。）で示されるモノチエニルエテン誘導体が得られ
る。
じ。）で示されるモノチエニルエテン誘導体が得られ
る。
【００１２】次に、一般式（６）
【化８】 （但し、式中Ｙは臭素原子又はヨウ素原子を表し、ｍ、
Ｒ3 、Ｒ4 及びＢは前記に同じ。）で示されるハロゲン
化チオフェン誘導体を前記と同じ方法でチエニルリチオ
化誘導体とし、これに前述のモノチエニルエテン誘導体
のテトラヒドロフラン溶液を添加する。使用するモノチ
エニルエテン誘導体の量はこのハロゲン化チオフェン誘
導体の１．０〜１．２倍モル用いるのが好ましい。この
時の反応温度は−６０〜−１１０℃、反応時間は３０分
〜２時間が好ましい。
Ｒ3 、Ｒ4 及びＢは前記に同じ。）で示されるハロゲン
化チオフェン誘導体を前記と同じ方法でチエニルリチオ
化誘導体とし、これに前述のモノチエニルエテン誘導体
のテトラヒドロフラン溶液を添加する。使用するモノチ
エニルエテン誘導体の量はこのハロゲン化チオフェン誘
導体の１．０〜１．２倍モル用いるのが好ましい。この
時の反応温度は−６０〜−１１０℃、反応時間は３０分
〜２時間が好ましい。
【００１３】製造方法として、上記の様にハロゲン化チ
オフェン誘導体からモノチエニルエテン誘導体を合成し
た後、これともう一方のハロゲン化チオフェン誘導体を
反応させる方法に於いては、２つのハロゲン化チオフェ
ン誘導体の内、どちらを先にモノチエニルエテン誘導体
へ導いても差し支えない。又、２つのチエニル誘導体が
同一であるジアリールエテン誘導体を製造する場合に
は、ハロゲン化チオフェン誘導体をリチオ化した後、こ
れにパーフルオロシクロアルケン誘導体を添加して反応
させる際、添加するパーフルオロシクロアルケン誘導体
の量をハロゲン化チオフェン誘導体に対して０．４〜
０．５倍モルだけ用いても良く、この操作に従えばモノ
チエニルエテン誘導体を中間体として取り出さずに、ワ
ンステップで製造する事も可能である。以上の方法で得
られた反応物からジアリールエテン系化合物を得るに
は、抽出、カラムクロマトグラフ、再結晶等の方法を用
いて分離、精製すればよい。
オフェン誘導体からモノチエニルエテン誘導体を合成し
た後、これともう一方のハロゲン化チオフェン誘導体を
反応させる方法に於いては、２つのハロゲン化チオフェ
ン誘導体の内、どちらを先にモノチエニルエテン誘導体
へ導いても差し支えない。又、２つのチエニル誘導体が
同一であるジアリールエテン誘導体を製造する場合に
は、ハロゲン化チオフェン誘導体をリチオ化した後、こ
れにパーフルオロシクロアルケン誘導体を添加して反応
させる際、添加するパーフルオロシクロアルケン誘導体
の量をハロゲン化チオフェン誘導体に対して０．４〜
０．５倍モルだけ用いても良く、この操作に従えばモノ
チエニルエテン誘導体を中間体として取り出さずに、ワ
ンステップで製造する事も可能である。以上の方法で得
られた反応物からジアリールエテン系化合物を得るに
は、抽出、カラムクロマトグラフ、再結晶等の方法を用
いて分離、精製すればよい。
【００１４】本発明のジアリールエテン系化合物の一例
として、１，２−ビス（５−（４−メトキシフェニル）
−２，４−ジメチル−３−チエニル）−３，３，４，
４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンのフォトク
ロミック性について説明すると、例えば、有機溶媒等の
適当な媒体中に於て、下記（７）式
として、１，２−ビス（５−（４−メトキシフェニル）
−２，４−ジメチル−３−チエニル）−３，３，４，
４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンのフォトク
ロミック性について説明すると、例えば、有機溶媒等の
適当な媒体中に於て、下記（７）式
【化９】 の様に紫外光を照射すると閉環体に変化して着色し、こ
の閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に戻り、消
色する。
の閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に戻り、消
色する。
【００１５】本発明のジアリールエテン系化合物を含有
する記録媒体は、公知の方法で容易に得ることができ
る。例えば、本発明のジアリールエテン系化合物を公知
の蒸着法により、適当な基板上に蒸着する方法や、本発
明のジアリールエテン系化合物を、ポリエステル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタク
リル酸樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂等の樹脂バインダーと共に、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチル
エチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、四塩化炭素、クロロホ
ルム、セロソルブ、ジグライム等の溶媒に分散又は溶解
させて、適当な基板上に塗布する方法、あるいは本発明
のジアリールエテン系化合物を前記の様な溶媒に溶解
し、ガラスセル等に封入する方法等によって、光記録媒
体を得ることができる。
する記録媒体は、公知の方法で容易に得ることができ
る。例えば、本発明のジアリールエテン系化合物を公知
の蒸着法により、適当な基板上に蒸着する方法や、本発
明のジアリールエテン系化合物を、ポリエステル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタク
リル酸樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂等の樹脂バインダーと共に、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチル
エチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、四塩化炭素、クロロホ
ルム、セロソルブ、ジグライム等の溶媒に分散又は溶解
させて、適当な基板上に塗布する方法、あるいは本発明
のジアリールエテン系化合物を前記の様な溶媒に溶解
し、ガラスセル等に封入する方法等によって、光記録媒
体を得ることができる。
【００１６】この様な光記録媒体において、本発明のジ
アリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に熱
安定性が高く、水分、酸素に対しても安定で長期間構造
が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性にも優
れている。又、着色状態の吸収極大波長は５８０ｎｍを
越え、吸収端も８００ｎｍ以上である事から、６７０ｎ
ｍや７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーに対
する感受性を有しており、更に、その波長領域での感度
が高い（大きな分子吸光係数を有する）等、といった優
れたフォトクロミック特性を有する為、可逆的な光情報
記録媒体等に有効に使用することができる。
アリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に熱
安定性が高く、水分、酸素に対しても安定で長期間構造
が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性にも優
れている。又、着色状態の吸収極大波長は５８０ｎｍを
越え、吸収端も８００ｎｍ以上である事から、６７０ｎ
ｍや７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーに対
する感受性を有しており、更に、その波長領域での感度
が高い（大きな分子吸光係数を有する）等、といった優
れたフォトクロミック特性を有する為、可逆的な光情報
記録媒体等に有効に使用することができる。
【００１７】また、本発明のジアリールエテン系化合物
を記録材料とする光記録媒体を用い、紫外光を照射して
着色状態に変化させることにより初期化を行った後、可
視光を照射して無色状態に変化させることにより情報の
記録を行い、書き込まれた記録情報を可視光を照射して
再生する光記録・再生において、再生時の光記録媒体温
度を記録時のそれより４０℃以上、好ましくは５０℃以
上低くすると、再生時の劣化を防止することができ好適
である。本発明のジアリールエテン系化合物の可視光に
よる消色は、著しく温度の影響を受け、例えば、４０℃
での消色反応は１２０℃でのそれに比較して１０００倍
以上遅い。すなわち、１２０℃で消色する光強度のパル
スを４０℃では１０００回以上繰り返し照射しなければ
消色しない。従って、光記録媒体を前述の温度に制御す
ることで１０００回以上の再生が可能となる。具体的な
光記録媒体の温度は、記録時は１００〜２００℃、再生
時は２０〜７０℃が好ましい。
を記録材料とする光記録媒体を用い、紫外光を照射して
着色状態に変化させることにより初期化を行った後、可
視光を照射して無色状態に変化させることにより情報の
記録を行い、書き込まれた記録情報を可視光を照射して
再生する光記録・再生において、再生時の光記録媒体温
度を記録時のそれより４０℃以上、好ましくは５０℃以
上低くすると、再生時の劣化を防止することができ好適
である。本発明のジアリールエテン系化合物の可視光に
よる消色は、著しく温度の影響を受け、例えば、４０℃
での消色反応は１２０℃でのそれに比較して１０００倍
以上遅い。すなわち、１２０℃で消色する光強度のパル
スを４０℃では１０００回以上繰り返し照射しなければ
消色しない。従って、光記録媒体を前述の温度に制御す
ることで１０００回以上の再生が可能となる。具体的な
光記録媒体の温度は、記録時は１００〜２００℃、再生
時は２０〜７０℃が好ましい。
【００１８】上記光記録媒体の温度を制御する方法とし
ては、別途ヒーター、赤外線、高周波等の加熱源を用い
てもよいが、記録、再生に用いる光の吸収に伴う温度上
昇を利用するのが装置の簡略化の上で好ましい。より具
体的に説明すると、着色状態を未記録部、消色状態を記
録部とし、未記録部に例えば７８０ｎｍや６８０ｎｍの
半導体レーザー光で記録する場合には、４〜１５ｍＷの
強度のスポットを照射すると光記録媒体の温度が上昇
し、容易に消色して記録できる。この記録部を０．１〜
１ｍＷの弱いレーザー光で再生すると光記録媒体の温度
上昇は小さく、消色反応が著しく抑えられ、記録破壊が
防止できる。従って、光記録媒体によって記録及び再生
のレーザー強度を適宜選ぶことにより記録感度や再生可
能回数を最適化できる。
ては、別途ヒーター、赤外線、高周波等の加熱源を用い
てもよいが、記録、再生に用いる光の吸収に伴う温度上
昇を利用するのが装置の簡略化の上で好ましい。より具
体的に説明すると、着色状態を未記録部、消色状態を記
録部とし、未記録部に例えば７８０ｎｍや６８０ｎｍの
半導体レーザー光で記録する場合には、４〜１５ｍＷの
強度のスポットを照射すると光記録媒体の温度が上昇
し、容易に消色して記録できる。この記録部を０．１〜
１ｍＷの弱いレーザー光で再生すると光記録媒体の温度
上昇は小さく、消色反応が著しく抑えられ、記録破壊が
防止できる。従って、光記録媒体によって記録及び再生
のレーザー強度を適宜選ぶことにより記録感度や再生可
能回数を最適化できる。
【００１９】
【発明の効果】以上の様に、本発明のジアリールエテン
系化合物は、熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特
性を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に有
効に用いることができる。また、本発明の光記録媒体の
光記録・再生法によれば、ジアリールエテン系化合物の
消色反応の大きな温度依存性を利用することにより記録
の再生破壊を防止することができる。従って、本発明の
ジアリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に
熱安定性が高く、水分、酸素等に対しても安定で長期間
構造が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性に
も優れているため、可逆的に記録消去のできる安価な光
情報記録媒体を提供することができる。次に、本発明を
実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
系化合物は、熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導
体レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特
性を有しており、可逆的光記録材料等、各種の用途に有
効に用いることができる。また、本発明の光記録媒体の
光記録・再生法によれば、ジアリールエテン系化合物の
消色反応の大きな温度依存性を利用することにより記録
の再生破壊を防止することができる。従って、本発明の
ジアリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に
熱安定性が高く、水分、酸素等に対しても安定で長期間
構造が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性に
も優れているため、可逆的に記録消去のできる安価な光
情報記録媒体を提供することができる。次に、本発明を
実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
【００２０】（実施例１） １，２−ビス（５−（４−メトキシフェニル）−２，４
−ジメチル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５
−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
−ジメチル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５
−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
【００２１】ａ） ５−（４−メトキシフェニル）−
２，４−ジメチルチオフェンの製造 容量５００ｍｌの２つ口フラスコにマグネシウム末１．
２ｇ（５０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素気流下で活性化した
後、ｐ−ヨードアニソール１１．７ｇ（５０ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液１５０ｍｌを室温で滴下し、
２０時間攪袢した。この溶液にヘキサメチルホスホリッ
クトリアミド（ＨＭＰＡ）８０ｍｌを加えた後、塩化亜
鉛のエーテル溶液８ｍｌ（５０ｍｍｏｌ）を滴下し、２
時間攪袢した。次に、５−ヨード−２，４−ジメチルチ
オフェン１２．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）のＨＭＰＡ溶液８
０ｍｌ及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム１．０ｇを加えて、１２時間攪袢した。反応終了後、
１規定の塩酸２０ｍｌを加え反応を停止した後、酢酸エ
チル２００ｍｌで３回抽出し、洗浄、乾燥の後、溶媒を
減圧留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（化１
０）の化合物４．９ｇ（収率４４．９％）を得た。
２，４−ジメチルチオフェンの製造 容量５００ｍｌの２つ口フラスコにマグネシウム末１．
２ｇ（５０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素気流下で活性化した
後、ｐ−ヨードアニソール１１．７ｇ（５０ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液１５０ｍｌを室温で滴下し、
２０時間攪袢した。この溶液にヘキサメチルホスホリッ
クトリアミド（ＨＭＰＡ）８０ｍｌを加えた後、塩化亜
鉛のエーテル溶液８ｍｌ（５０ｍｍｏｌ）を滴下し、２
時間攪袢した。次に、５−ヨード−２，４−ジメチルチ
オフェン１２．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）のＨＭＰＡ溶液８
０ｍｌ及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム１．０ｇを加えて、１２時間攪袢した。反応終了後、
１規定の塩酸２０ｍｌを加え反応を停止した後、酢酸エ
チル２００ｍｌで３回抽出し、洗浄、乾燥の後、溶媒を
減圧留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（化１
０）の化合物４．９ｇ（収率４４．９％）を得た。
【化１０】
【００２２】ｂ） ３−ヨード−５−（４−メトキシフ
ェニル）−２，４−ジメチルチオフェンの製造 容量１００ｍｌの２つ口フラスコに、ヨウ素酸０．７２
ｇ（４．１ｍｍｏｌ）、ヨウ素１．８ｇ（１４．２ｍｍ
ｏｌ）、酢酸１５ｍｌ、硫酸０．２５ｍｌ、水５ｍｌを
入れ、攪袢した後、これに上記で得た５−（４−メトキ
シフェニル）−２，４−ジメチルチオフェン４．０ｇ
（１８．３ｍｍｏｌ）の四塩化炭素溶液７ｍｌを加え、
７０℃で２時間還流し、反応させた。反応終了後、この
反応液に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加え
た後、酢酸エチル１００ｍｌで３回抽出し、有機層を集
め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られた反
応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製して、下記構造式（化１１）の化合物５．２ｇ（収
率８２．６％）を得た。
ェニル）−２，４−ジメチルチオフェンの製造 容量１００ｍｌの２つ口フラスコに、ヨウ素酸０．７２
ｇ（４．１ｍｍｏｌ）、ヨウ素１．８ｇ（１４．２ｍｍ
ｏｌ）、酢酸１５ｍｌ、硫酸０．２５ｍｌ、水５ｍｌを
入れ、攪袢した後、これに上記で得た５−（４−メトキ
シフェニル）−２，４−ジメチルチオフェン４．０ｇ
（１８．３ｍｍｏｌ）の四塩化炭素溶液７ｍｌを加え、
７０℃で２時間還流し、反応させた。反応終了後、この
反応液に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加え
た後、酢酸エチル１００ｍｌで３回抽出し、有機層を集
め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られた反
応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製して、下記構造式（化１１）の化合物５．２ｇ（収
率８２．６％）を得た。
【化１１】
【００２３】ｃ） １，２−ビス（５−（４−メトキシ
フェニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）−３，
３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの
製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、上記で得た３−ヨ
ード−５−（４−メトキシフェニル）−２，４−ジメチ
ルチオフェン４．０ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）とテトラヒ
ドロフラン８０ｍｌを入れ、窒素気流下で−９５℃に冷
却後、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液８０ｍｌ（１
２．７ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪袢した。次に、パー
フルオロシクロペンテン１．２ｇ （５．７ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液５ｍｌを滴下し、１時間反応
させた。反応終了後、メタノール５ｍｌを加えて反応を
停止し、更に水１００ｍｌを加えた後、酢酸エチル２０
０ｍｌで３回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の
後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造
式（化１２）のジアリールエテン系化合物２．４ｇ（収
率７０．６％）を得た。
フェニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）−３，
３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの
製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、上記で得た３−ヨ
ード−５−（４−メトキシフェニル）−２，４−ジメチ
ルチオフェン４．０ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）とテトラヒ
ドロフラン８０ｍｌを入れ、窒素気流下で−９５℃に冷
却後、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液８０ｍｌ（１
２．７ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪袢した。次に、パー
フルオロシクロペンテン１．２ｇ （５．７ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液５ｍｌを滴下し、１時間反応
させた。反応終了後、メタノール５ｍｌを加えて反応を
停止し、更に水１００ｍｌを加えた後、酢酸エチル２０
０ｍｌで３回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の
後、溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造
式（化１２）のジアリールエテン系化合物２．４ｇ（収
率７０．６％）を得た。
【化１２】
【００２４】分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．０４（ｓ ３Ｈ） ２．０６（ｓ ３Ｈ） ２．３３（ｓ ３Ｈ） ２．３４（ｓ ３Ｈ） ３．６３（ｓ ６Ｈ） ６．９１〜７．３０（ｍ ８Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６０８（Ｍ+ ）
【００２５】（実施例２） １，２−ビス（５−（２−（４−メトキシフェニル）−
１−エテニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）−
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造
１−エテニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）−
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造
【００２６】ａ） ３−ヨード−５−（２−（４−メト
キシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチルチ
オフェンの製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、４−メトキシベン
ジルトリフェニルホスホニウムクロリド５．０ｇ（１
２．０ｍｍｏｌ）、３−ヨード−５−ホルミル−２，４
−ジメチルチオフェン２．９ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）、
炭酸カリウム８．３ｇ、ホルムアミド１．７ｇ、１，４
−ジオキサン８０ｍｌを入れ、９５℃で１０時間還流し
反応させた。反応後、不溶物を濾別し、濾液の溶媒を減
圧留去した後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物
を濾別した。濾液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生
成物物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、下記構造式（化１３）の化合物２．０ｇ（収率
５０．３％）を得た。
キシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチルチ
オフェンの製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、４−メトキシベン
ジルトリフェニルホスホニウムクロリド５．０ｇ（１
２．０ｍｍｏｌ）、３−ヨード−５−ホルミル−２，４
−ジメチルチオフェン２．９ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）、
炭酸カリウム８．３ｇ、ホルムアミド１．７ｇ、１，４
−ジオキサン８０ｍｌを入れ、９５℃で１０時間還流し
反応させた。反応後、不溶物を濾別し、濾液の溶媒を減
圧留去した後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物
を濾別した。濾液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生
成物物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、下記構造式（化１３）の化合物２．０ｇ（収率
５０．３％）を得た。
【化１３】
【００２７】ｂ） １，２−ビス（５−（２−（４−メ
トキシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチル
−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフ
ルオロシクロペンテンの製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、上記で得た３−ヨ
ード−５−（２−（４−メトキシフェニル）−１−エテ
ニル）−２，４−ジメチルチオフェン１．７ｇ（４．６
ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ、窒素
気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウム−ヘキ
サン溶液３．０ｍｌ（４．８ｍｍｏｌ）を滴下し１時間
攪拌した。次に、パーフルオロシクロペンテン０．４ｇ
（２．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液５ｍｌを
滴下し、１時間反応させた。反応終了後、メタノール５
ｍｌを加え反応を停止し、更に水５０ｍｌを加えた後、
酢酸エチル １００ｍｌで３回抽出した。この有機層を
集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。 得られ
た反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、下記構造式（化１４）のジアリールエテン
系化合物０．９４ｇ（収率７１．３％）を得た。
トキシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチル
−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフ
ルオロシクロペンテンの製造 容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、上記で得た３−ヨ
ード−５−（２−（４−メトキシフェニル）−１−エテ
ニル）−２，４−ジメチルチオフェン１．７ｇ（４．６
ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ、窒素
気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウム−ヘキ
サン溶液３．０ｍｌ（４．８ｍｍｏｌ）を滴下し１時間
攪拌した。次に、パーフルオロシクロペンテン０．４ｇ
（２．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液５ｍｌを
滴下し、１時間反応させた。反応終了後、メタノール５
ｍｌを加え反応を停止し、更に水５０ｍｌを加えた後、
酢酸エチル １００ｍｌで３回抽出した。この有機層を
集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。 得られ
た反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、下記構造式（化１４）のジアリールエテン
系化合物０．９４ｇ（収率７１．３％）を得た。
【化１４】
【００２８】分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．０８（ｓ ３Ｈ） ２．０９（ｓ ３Ｈ） ２．３０（ｓ ６Ｈ） ３．８１（ｓ ６Ｈ） ６．６６〜７．３７（ｍ １２
Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６６０（Ｍ+ ）
Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６６０（Ｍ+ ）
【００２９】（実施例３） １，２−ビス（５−（２−（４−シアノフェニル）−１
−エテニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）−
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造
−エテニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）−
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造
【００３０】実施例２のａ）項に於て、４−メトキシベ
ンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを用いる代わ
りに、４−シアノベンジルトリフェニルホスホニウムブ
ロミドを用い、同様の方法で下記構造式（化１５）のジ
アリールエテン系化合物を得た（収率６８．５％）。
ンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを用いる代わ
りに、４−シアノベンジルトリフェニルホスホニウムブ
ロミドを用い、同様の方法で下記構造式（化１５）のジ
アリールエテン系化合物を得た（収率６８．５％）。
【化１５】
【００３１】分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．１３（ｓ ６Ｈ） ２．３４（ｓ ６Ｈ） ６．６７〜７．６１（ｍ １２Ｈ） ２）ＩＲ（ＫＢｒ） ν（ｃｍ-1） ２２２３ ３）ＭＳ ｍ／ｅ ６５０（Ｍ+ ）
【００３２】（実施例４） 吸収スペクトルの測定 実施例２で得られた化合物をベンゼンに２ｘ１０-2ｇ／
ｌになるように溶解して得た溶液を１ｃｍ×１ｃｍ×４
ｃｍの石英ガラスセルに入れた。これにガラスフィルタ
ーを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯を用いて攪袢しなが
ら紫外光を６０分間照射し、溶液を着色させた後、この
光定常状態に於ける溶液の吸収スペクトルを測定した。
次に、上記水銀灯のガラスフィルターを紫外光カットフ
ィルターに換装して、５００ｎｍ以上の光を６０分間照
射し溶液を着色させた後、再度、吸収スペクトルを測定
した。実施例２の化合物について、着色体及び消色体の
吸収スペクトルを図１に示す。着色状態の吸収スペクト
ルの吸収極大は６６３ｎｍであり、吸収端は８００ｎｍ
に達し、吸収極大位置での化合物の分子吸光係数は、ε
＝１４，７００という高い値を示した。又、この着消色
反応は可逆的に行う事ができた。次に、実施例１及び３
の化合物について同様な測定をした、紫外光照射時に於
ける、光定常状態での着色体の吸収極大波長（λmax ）
と、この極大波長に於ける化合物の分子吸光係数（ε・
λmax ）を表１に示す。
ｌになるように溶解して得た溶液を１ｃｍ×１ｃｍ×４
ｃｍの石英ガラスセルに入れた。これにガラスフィルタ
ーを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯を用いて攪袢しなが
ら紫外光を６０分間照射し、溶液を着色させた後、この
光定常状態に於ける溶液の吸収スペクトルを測定した。
次に、上記水銀灯のガラスフィルターを紫外光カットフ
ィルターに換装して、５００ｎｍ以上の光を６０分間照
射し溶液を着色させた後、再度、吸収スペクトルを測定
した。実施例２の化合物について、着色体及び消色体の
吸収スペクトルを図１に示す。着色状態の吸収スペクト
ルの吸収極大は６６３ｎｍであり、吸収端は８００ｎｍ
に達し、吸収極大位置での化合物の分子吸光係数は、ε
＝１４，７００という高い値を示した。又、この着消色
反応は可逆的に行う事ができた。次に、実施例１及び３
の化合物について同様な測定をした、紫外光照射時に於
ける、光定常状態での着色体の吸収極大波長（λmax ）
と、この極大波長に於ける化合物の分子吸光係数（ε・
λmax ）を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】実施例３の化合物では吸収極大波長は６７
２ｎｍに達する。この様に、チオフェン環への共役二重
結合鎖の導入により、着色体の吸収極大波長は長波長化
し、発振波長６７０ｎｍ、あるいは７８０ｎｍの半導体
レーザー感受性が付与された。更に、このチオフェン環
への共役二重結合鎖の導入により、化合物の分子吸光係
数を増大させることができた。
２ｎｍに達する。この様に、チオフェン環への共役二重
結合鎖の導入により、着色体の吸収極大波長は長波長化
し、発振波長６７０ｎｍ、あるいは７８０ｎｍの半導体
レーザー感受性が付与された。更に、このチオフェン環
への共役二重結合鎖の導入により、化合物の分子吸光係
数を増大させることができた。
【００３５】（実施例５） １，２−ビス（２，４−ジメチル−５−（２−（２−キ
ノリル）−１−エテニル）−３−チエニル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ノリル）−１−エテニル）−３−チエニル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
【００３６】ａ） ２，４−ジメチル−３−ヨード−５
−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）−チオフェ
ンの製造 容量１０００ｍｌの２つ口フラスコに、２−キノリルト
リフェニルホスホニウムクロリド６２．４ｇ（１６０ｍ
ｍｏｌ）、２，４−ジメチル−５−ホルミル−３−ヨー
ドチオフェン２１．２ｇ（８０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウ
ム６６ｇ、ホルムアミド１４．４ｇ、１，４−ジオキサ
ン３００ｍｌを入れ、９５℃で２４時間還流し反応させ
た。反応後、不溶物を濾別し、濾液の溶媒を減圧留去し
た後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物を濾別し
た。濾液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生成物物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下
記構造式（化１６）の化合物２４．６ｇ（収率７８．５
％）を得た。
−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）−チオフェ
ンの製造 容量１０００ｍｌの２つ口フラスコに、２−キノリルト
リフェニルホスホニウムクロリド６２．４ｇ（１６０ｍ
ｍｏｌ）、２，４−ジメチル−５−ホルミル−３−ヨー
ドチオフェン２１．２ｇ（８０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウ
ム６６ｇ、ホルムアミド１４．４ｇ、１，４−ジオキサ
ン３００ｍｌを入れ、９５℃で２４時間還流し反応させ
た。反応後、不溶物を濾別し、濾液の溶媒を減圧留去し
た後、残査にジエチルエーテルを加え、不溶物を濾別し
た。濾液の溶媒を減圧留去し、得られた反応生成物物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下
記構造式（化１６）の化合物２４．６ｇ（収率７８．５
％）を得た。
【００３７】
【化１６】 分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．２６（ｓ ３Ｈ） ２．３４（ｓ
３Ｈ） ６．８０〜８．２０（ｍ １０Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３９０（Ｍ+ ）
３Ｈ） ６．８０〜８．２０（ｍ １０Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３９０（Ｍ+ ）
【００３８】ｂ）１−（２，４−ジメチル−５−（２−
（２−キノリル）−１−エテニル）−３−チエニル）−
２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 容量１０００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）
で製造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２
−（２−キノリル）−１−エテニル）チオフェン１１．
７ｇ（３０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン３００ｍｌ
を入れ、窒素気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリ
チウム−ヘキサン溶液２２．５ｍｌ（３６ｍｍｏｌ）を
滴下し１時間攪拌した。次に、パーフルオロシクロペン
テン１５．３ｇ（７２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン
溶液１２０ｍｌを滴下し、１時間反応させた。反応終了
後、メタノール５０ｍｌを加えて反応を停止し、更に水
３００ｍｌを加えた後、酢酸エチル４００ｍｌで３回抽
出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧
留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、下記構造式（化１７）の
化合物６．７ｇ（収率４９．０％）を得た。
（２−キノリル）−１−エテニル）−３−チエニル）−
２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 容量１０００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）
で製造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２
−（２−キノリル）−１−エテニル）チオフェン１１．
７ｇ（３０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン３００ｍｌ
を入れ、窒素気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリ
チウム−ヘキサン溶液２２．５ｍｌ（３６ｍｍｏｌ）を
滴下し１時間攪拌した。次に、パーフルオロシクロペン
テン１５．３ｇ（７２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン
溶液１２０ｍｌを滴下し、１時間反応させた。反応終了
後、メタノール５０ｍｌを加えて反応を停止し、更に水
３００ｍｌを加えた後、酢酸エチル４００ｍｌで３回抽
出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧
留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、下記構造式（化１７）の
化合物６．７ｇ（収率４９．０％）を得た。
【００３９】
【化１７】 分析値： １）ＭＳ ｍ／ｅ ４５６（Ｍ+ ）
【００４０】ｃ） １，２−ビス（２，４−ジメチル−
５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）−３−チ
エニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシ
クロペンテンの製造 容量３００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）で
製造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−
（２−キノリル）−１−エテニル）チオフェン３．９ｇ
（１０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１００ｍｌを入
れ、窒素気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウ
ム−ヘキサン溶液６．３ｍｌ（１２ｍｍｏｌ）を滴下し
１時間攪拌した。次に、実施例１−ｂ）で製造された１
−（２，４−ジメチル−５−（２−（２−キノリル）−
１−エテニル）−３−チエニル）−２，３，３，４，
４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテン５．９ｇ
（１３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１５ｍｌを
滴下し、１時間反応させた。反応終了後、メタノール５
０ｍｌを加え反応を停止し、更に水３００ｍｌを加えた
後、酢酸エチル４００ｍｌで３回抽出した。この有機層
を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られ
た反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、下記構造式（化１８）の化合物３．２ｇ
（収率４６．０％）を得た。
５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）−３−チ
エニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシ
クロペンテンの製造 容量３００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）で
製造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−
（２−キノリル）−１−エテニル）チオフェン３．９ｇ
（１０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１００ｍｌを入
れ、窒素気流下で−９５℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウ
ム−ヘキサン溶液６．３ｍｌ（１２ｍｍｏｌ）を滴下し
１時間攪拌した。次に、実施例１−ｂ）で製造された１
−（２，４−ジメチル−５−（２−（２−キノリル）−
１−エテニル）−３−チエニル）−２，３，３，４，
４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテン５．９ｇ
（１３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１５ｍｌを
滴下し、１時間反応させた。反応終了後、メタノール５
０ｍｌを加え反応を停止し、更に水３００ｍｌを加えた
後、酢酸エチル４００ｍｌで３回抽出した。この有機層
を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。得られ
た反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、下記構造式（化１８）の化合物３．２ｇ
（収率４６．０％）を得た。
【００４１】
【化１８】 分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．１９（ｓ ３Ｈ） ２．３１（ｓ
３Ｈ） ６．６５〜８．４２（ｍ ８Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７００（Ｍ+ ）
３Ｈ） ６．６５〜８．４２（ｍ ８Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７００（Ｍ+ ）
【００４２】（実施例６） １，２−ビス（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ピ
リジル）−１−エテニル）−３−チエニル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
リジル）−１−エテニル）−３−チエニル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
【００４３】ａ） ２，４−ジメチル−３−ヨード−５
−（２−（４−ピリジル）−１−エテニル）チオフェン
の製造 実施例１のａ）項に於て、２−キノリルトリフェニルホ
スホニウムクロリドを用いる代わりに、４−ピリジルト
リフェニルホスホニウムクロリドを用い、同様の方法で
下記構造式（化１９）の化合物を得た。収量３０．１ｇ
（収率 ８４．０％）。
−（２−（４−ピリジル）−１−エテニル）チオフェン
の製造 実施例１のａ）項に於て、２−キノリルトリフェニルホ
スホニウムクロリドを用いる代わりに、４−ピリジルト
リフェニルホスホニウムクロリドを用い、同様の方法で
下記構造式（化１９）の化合物を得た。収量３０．１ｇ
（収率 ８４．０％）。
【００４４】
【化１９】 分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．１７（ｓ １Ｈ） ２．３６（ｓ
１Ｈ） ６．３０〜８．８５（ｍ ２Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３４０（Ｍ+ ）
１Ｈ） ６．３０〜８．８５（ｍ ２Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３４０（Ｍ+ ）
【００４５】ｂ）１−（２，４−ジメチル−５−（２−
（４−ピリジル−１−エテニル）−３−チエニル）−
２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 実施例１のｂ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（４−キノリル）−１−エテニル）チオ
フェンを用いる代わりに、実施例２のａ）項に於て製造
された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４
−ピリジル）−１−エテニル）チオフェンを用い、同様
の方法で下記構造式（化２０）の化合物を得た。収量
６．６ｇ（収率 ５４．０％）。
（４−ピリジル−１−エテニル）−３−チエニル）−
２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 実施例１のｂ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（４−キノリル）−１−エテニル）チオ
フェンを用いる代わりに、実施例２のａ）項に於て製造
された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４
−ピリジル）−１−エテニル）チオフェンを用い、同様
の方法で下記構造式（化２０）の化合物を得た。収量
６．６ｇ（収率 ５４．０％）。
【００４６】
【化２０】 分析値： １）ＭＳ ｍ／ｅ ４０６（Ｍ+ ）
【００４７】ｃ） １，２−ビス（２，４−ジメチル−
５−（２−（４−ピリジル）−１−エテニル）−３−チ
エニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシ
クロペンテンの製造 実施例１のｃ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）チオ
フェンを用いる代わりに、実施例２のａ）項に於て製造
された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４
−ピリジル）−１−エテニル）−チオフェンを用い、１
−（２，４−ジメチル−５−（（２−キノリル−１−エ
テニル）−３−チエニル）−２，３，３，４，４，５，
５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる代わりに、
実施例２のｂ）項に於て製造された１−（２，４−ジメ
チル−５−（２−（４−ピリジル−１−エテニル）−３
−チエニル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフ
ルオロシクロペンテンを用い、同様の方法で下記構造式
（化２１）の化合物を得た。収量３．９ｇ（収率５４．
０％）。
５−（２−（４−ピリジル）−１−エテニル）−３−チ
エニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシ
クロペンテンの製造 実施例１のｃ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）チオ
フェンを用いる代わりに、実施例２のａ）項に於て製造
された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４
−ピリジル）−１−エテニル）−チオフェンを用い、１
−（２，４−ジメチル−５−（（２−キノリル−１−エ
テニル）−３−チエニル）−２，３，３，４，４，５，
５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる代わりに、
実施例２のｂ）項に於て製造された１−（２，４−ジメ
チル−５−（２−（４−ピリジル−１−エテニル）−３
−チエニル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフ
ルオロシクロペンテンを用い、同様の方法で下記構造式
（化２１）の化合物を得た。収量３．９ｇ（収率５４．
０％）。
【００４８】
【化２１】 分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．１３（ｓ １Ｈ） ２．３４（ｓ
１Ｈ） ６．３５〜８．８０（ｍ ２Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６２２（Ｍ+ ）
１Ｈ） ６．３５〜８．８０（ｍ ２Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６２２（Ｍ+ ）
【００４９】（実施例７） １，２−ビス（２，４−ジメチル−５−（２−（１−ナ
フチル）−１−エテニル）−３−チエニル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
フチル）−１−エテニル）−３−チエニル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
【００５０】ａ） ２，４−ジメチル−３−ヨード−５
−（２−（１−ナフチル）−１−エテニル）チオフェン
の製造 実施例１のａ）項に於て、２−キノリルトリフェニルホ
スホニウムクロリドを用いる代わりに、１−ナフチルト
リフェニルホスホニウムクロリドを用い、同様の方法で
下記構造式（化２２）の化合物を得た。収量３１．１ｇ
（収率 ９４．０％）。
−（２−（１−ナフチル）−１−エテニル）チオフェン
の製造 実施例１のａ）項に於て、２−キノリルトリフェニルホ
スホニウムクロリドを用いる代わりに、１−ナフチルト
リフェニルホスホニウムクロリドを用い、同様の方法で
下記構造式（化２２）の化合物を得た。収量３１．１ｇ
（収率 ９４．０％）。
【００５１】
【化２２】 分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．３０（ｓ １Ｈ） ２．４２（ｓ
１Ｈ） ６．８５〜８．５０（ｍ ３Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３８９（Ｍ+ ）
１Ｈ） ６．８５〜８．５０（ｍ ３Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ３８９（Ｍ+ ）
【００５２】ｂ）１−（２，４−ジメチル−５−（２−
（１−ナフチル−１−エテニル）−３−チエニル）−
２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 実施例１のｂ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）−チ
オフェンを用いる代わりに、実施例３のａ）項に於て製
造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−
（１−ナフチル）−１−エテニル）チオフェンを用い、
同様の方法で下記構造式（化２３）の化合物を得た。収
量１１．１ｇ（収率 ９４．０％）。
（１−ナフチル−１−エテニル）−３−チエニル）−
２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペ
ンテンの製造 実施例１のｂ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）−チ
オフェンを用いる代わりに、実施例３のａ）項に於て製
造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−
（１−ナフチル）−１−エテニル）チオフェンを用い、
同様の方法で下記構造式（化２３）の化合物を得た。収
量１１．１ｇ（収率 ９４．０％）。
【００５３】
【化２３】 分析値： １）ＭＳ ｍ／ｅ ４５４（Ｍ+ ）
【００５４】ｃ） １，２−ビス（２，４−ジメチル−
５−（２−（１−ナフチル）−１−エテニル）−３−チ
エニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシ
クロペンテンの製造 実施例１のｃ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）チオ
フェンを用いる代わりに、実施例３のａ）項に於て製造
された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（１
−ナフチル）−１−エテニル）チオフェンを用い、１−
（２，４−ジメチル−５−（２−（２−キノリル−１−
エテニル）−３−チエニル）−２，３，３，４，４，
５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる代わり
に、実施例２のｂ）項に於て製造された１−（２，４−
ジメチル−５−（２−（１−ナフチル−１−エテニル）
−３−チエニル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプ
タフルオロシクロペンテンを用い、同様の方法で下記構
造式（化２４）の化合物を得た。収量４．１ｇ（収率９
８．０％）。
５−（２−（１−ナフチル）−１−エテニル）−３−チ
エニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシ
クロペンテンの製造 実施例１のｃ）項に於て、２，４−ジメチル−３−ヨー
ド−５−（２−（２−キノリル）−１−エテニル）チオ
フェンを用いる代わりに、実施例３のａ）項に於て製造
された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（１
−ナフチル）−１−エテニル）チオフェンを用い、１−
（２，４−ジメチル−５−（２−（２−キノリル−１−
エテニル）−３−チエニル）−２，３，３，４，４，
５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる代わり
に、実施例２のｂ）項に於て製造された１−（２，４−
ジメチル−５−（２−（１−ナフチル−１−エテニル）
−３−チエニル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプ
タフルオロシクロペンテンを用い、同様の方法で下記構
造式（化２４）の化合物を得た。収量４．１ｇ（収率９
８．０％）。
【００５５】
【化２４】 分析値： １）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．１５（ｓ １Ｈ） ２．３５（ｓ
１Ｈ） ３．５１（ｓ １Ｈ） ３．６６（ｓ １Ｈ） ６．９０〜８．４５（ｍ ４Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６９８（Ｍ+ ）
１Ｈ） ３．５１（ｓ １Ｈ） ３．６６（ｓ １Ｈ） ６．９０〜８．４５（ｍ ４Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ６９８（Ｍ+ ）
【００５６】（実施例８） 吸収スペクトルの測定 実施例５で得られた化合物をベンゼンに２．４×１０-5
ｍｏｌ／ｌになるように溶解して得た溶液を１ｃｍ×１
ｃｍ×４ｃｍの石英ガラスセルに入れた。これにガラス
フィルターを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯を用いて攪
拌しながら３６５ｎｍの光を３０分間照射し、溶液を着
色させた後、この光定常状態に於ける溶液の吸収スペク
トルを測定した。実施例５の化合物について、着色体及
び消色体の吸収スペクトルを図１に示す。着色状態の吸
収スペクトルの吸収極大は６６９ｎｍであり、吸収端は
８００ｎｍに達し、吸収極大位置での化合物の分子吸光
係数は、ε＝１７，８００という高い値を示した。又、
この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
ｍｏｌ／ｌになるように溶解して得た溶液を１ｃｍ×１
ｃｍ×４ｃｍの石英ガラスセルに入れた。これにガラス
フィルターを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯を用いて攪
拌しながら３６５ｎｍの光を３０分間照射し、溶液を着
色させた後、この光定常状態に於ける溶液の吸収スペク
トルを測定した。実施例５の化合物について、着色体及
び消色体の吸収スペクトルを図１に示す。着色状態の吸
収スペクトルの吸収極大は６６９ｎｍであり、吸収端は
８００ｎｍに達し、吸収極大位置での化合物の分子吸光
係数は、ε＝１７，８００という高い値を示した。又、
この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
【００５７】次に、実施例６、７の化合物についても同
様な測定をした。着色体及び消色体の吸収スペクトルを
図２、図３に、又、着色体の吸収極大波長（λmax ）と
この極大波長に於ける化合物の分子吸光係数（ε・λma
x ）とを表２に示す。
様な測定をした。着色体及び消色体の吸収スペクトルを
図２、図３に、又、着色体の吸収極大波長（λmax ）と
この極大波長に於ける化合物の分子吸光係数（ε・λma
x ）とを表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】この様に、チエニル環へのアリール−１−
エテニル基の導入により、着色体の吸収極大波長は長波
長化し、発振波長６７０ｎｍあるいは７８０ｎｍの半導
体レーザー感受性が付与され、化合物の分子吸光係数を
増大させることができた。
エテニル基の導入により、着色体の吸収極大波長は長波
長化し、発振波長６７０ｎｍあるいは７８０ｎｍの半導
体レーザー感受性が付与され、化合物の分子吸光係数を
増大させることができた。
【００６０】（実施例９）ジアリールエテン系化合物と
して、表３、４に示す化合物を用い、光記録媒体を作製
した。光記録媒体の製造は、プリグルーブを有する３．
５インチのポリカーボネート製ディスク基板にスピンコ
ート法によりフォトクロミック化合物とポリスチレンを
１対１に混合した記録膜（膜厚約０．５μｍ）を形成し
た。次いで、その上にスパッタ法によりアルミニウムの
反射膜を形成した。得られたディスク盤を３６５ｎｍの
紫外光を主体とする１００Ｗブラックライトを２０分間
照射し、フォトクロミック化合物を全面着色させた。着
色させた記録面に約１μｍのスポット径に絞った６８０
ｎｍの半導体レーザー光を照射し、記録再生試験を実施
した。ディスク回転数１２００回／分（線速度４．５ｍ
／秒）、レーザー強度７ｍＷ、記録周波数１ＭＨｚ（デ
ューティ比５０％）で記録し、次いで同一回転数、レー
ザー強度０．２ｍＷで再生を行った結果を表５に示す。
なお、記録時の光記録媒体の温度は１２０℃以上、再生
時は４０℃以下となった。
して、表３、４に示す化合物を用い、光記録媒体を作製
した。光記録媒体の製造は、プリグルーブを有する３．
５インチのポリカーボネート製ディスク基板にスピンコ
ート法によりフォトクロミック化合物とポリスチレンを
１対１に混合した記録膜（膜厚約０．５μｍ）を形成し
た。次いで、その上にスパッタ法によりアルミニウムの
反射膜を形成した。得られたディスク盤を３６５ｎｍの
紫外光を主体とする１００Ｗブラックライトを２０分間
照射し、フォトクロミック化合物を全面着色させた。着
色させた記録面に約１μｍのスポット径に絞った６８０
ｎｍの半導体レーザー光を照射し、記録再生試験を実施
した。ディスク回転数１２００回／分（線速度４．５ｍ
／秒）、レーザー強度７ｍＷ、記録周波数１ＭＨｚ（デ
ューティ比５０％）で記録し、次いで同一回転数、レー
ザー強度０．２ｍＷで再生を行った結果を表５に示す。
なお、記録時の光記録媒体の温度は１２０℃以上、再生
時は４０℃以下となった。
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表４】
【００６３】
【表５】
【００６４】表５の結果より、例えば、試験例１では、
記録直後のＣＮ比は５５デシベル（ｄＢ）であったが、
同一トラックを１０分間再生（再生回数１２０００回に
相当）したところ、ＣＮ比は５２デシベル（ｄＢ）と記
録直後と大差なく、再生破壊が非常に小さかった。同様
に、試験例２〜９のディスク盤のいずれも１０分間の再
生による記録破壊は非常に小さいものであった。
記録直後のＣＮ比は５５デシベル（ｄＢ）であったが、
同一トラックを１０分間再生（再生回数１２０００回に
相当）したところ、ＣＮ比は５２デシベル（ｄＢ）と記
録直後と大差なく、再生破壊が非常に小さかった。同様
に、試験例２〜９のディスク盤のいずれも１０分間の再
生による記録破壊は非常に小さいものであった。
【００６５】（実施例１０） １，２−ビス（５−（２−（４−メトキシフェニル）−
１−エテニル）−２−メチル−４−オクチル−３−チエ
ニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシク
ロペンテンの製造 ａ） ３−ヨード−５−（２−（４−メトキシフェニ
ル）−１−エテニル）−２−メチル−４−オクチルチオ
フェンの製造 実施例２のａ）項に於て、３−ヨード−５−ホルミル−
２，４−ジメチルチオフェンを用いる代わりに、３−ヨ
ード−５−ホルミル−２−メチル−４−オクチルチオフ
ェンを用い、同様の方法で下記構造式（化２５）の化合
物を得た。収量８．４ｇ（収率 ８９．５％）。
１−エテニル）−２−メチル−４−オクチル−３−チエ
ニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシク
ロペンテンの製造 ａ） ３−ヨード−５−（２−（４−メトキシフェニ
ル）−１−エテニル）−２−メチル−４−オクチルチオ
フェンの製造 実施例２のａ）項に於て、３−ヨード−５−ホルミル−
２，４−ジメチルチオフェンを用いる代わりに、３−ヨ
ード−５−ホルミル−２−メチル−４−オクチルチオフ
ェンを用い、同様の方法で下記構造式（化２５）の化合
物を得た。収量８．４ｇ（収率 ８９．５％）。
【００６６】
【化２５】 分析値： １） 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ０．９０（ｓ １Ｈ） １．３６（ｓブ
ロード １６Ｈ） ２．４２（ｓ ３Ｈ） ３．８５（ｓ ３Ｈ） ６．５１〜７．５０（ｍ ６Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ４６８（Ｍ+ ）
ロード １６Ｈ） ２．４２（ｓ ３Ｈ） ３．８５（ｓ ３Ｈ） ６．５１〜７．５０（ｍ ６Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ４６８（Ｍ+ ）
【００６７】ｂ） １，２−ビス（５−（２−（４−メ
トキシフェニル）−１−エテニル）−２−メチル−４−
オクチル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−
ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 実施例２のｂ）項に於て、３−ヨード−５−（２−（４
−メトキシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメ
チルチオフェンを用いる代わりに、３−ヨード−５−
（２−（４−メトキシフェニル）−１−エテニル）−２
−メチル−４−オクチルチオフェンを用い、同様の方法
で下記構造式（化２６）のジアリールエテン系化合物を
得た。収量３．７ｇ（収率 ６８．７％）。
トキシフェニル）−１−エテニル）−２−メチル−４−
オクチル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−
ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 実施例２のｂ）項に於て、３−ヨード−５−（２−（４
−メトキシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメ
チルチオフェンを用いる代わりに、３−ヨード−５−
（２−（４−メトキシフェニル）−１−エテニル）−２
−メチル−４−オクチルチオフェンを用い、同様の方法
で下記構造式（化２６）のジアリールエテン系化合物を
得た。収量３．７ｇ（収率 ６８．７％）。
【００６８】
【化２６】 分析値： １） 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ０．８９（ｓ １Ｈ）１．３１（ｓブロ
ード １６Ｈ） ２．２６ ２．４０（ｓ ３Ｈ 構造異性体） ３．８０（ｓ ３Ｈ）６．３０〜７．５５（ｍ ６Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ８５７（Ｍ+ ）
ード １６Ｈ） ２．２６ ２．４０（ｓ ３Ｈ 構造異性体） ３．８０（ｓ ３Ｈ）６．３０〜７．５５（ｍ ６Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ８５７（Ｍ+ ）
【００６９】吸収スペクトルの測定 実施例１０の化合物について、着色体及び消色体の吸収
スペクトルを図５に示す。着色状態の吸収スペクトルの
吸収極大は６７２ｎｍであり、吸収端は８５０ｎｍに達
し、吸収極大位置での化合物の分子吸光係数は、ε＝１
９，４００という高い値を示した。又、この着消色反応
は可逆的に行う事ができた。また、チオフェン環の４位
にオクチル基を導入したことにより、溶解性、相溶性が
改善された。
スペクトルを図５に示す。着色状態の吸収スペクトルの
吸収極大は６７２ｎｍであり、吸収端は８５０ｎｍに達
し、吸収極大位置での化合物の分子吸光係数は、ε＝１
９，４００という高い値を示した。又、この着消色反応
は可逆的に行う事ができた。また、チオフェン環の４位
にオクチル基を導入したことにより、溶解性、相溶性が
改善された。
【００７０】（実施例１１） １，２−ビス（５−（２−（４−ｔ−ブチルフェニル）
−１−エテニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）
−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペン
テンの製造
−１−エテニル）−２，４−ジメチル−３−チエニル）
−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペン
テンの製造
【００７１】ａ） ３−ヨード−５−（２−（４−ｔ−
ブチルフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチル
チオフェンの製造 実施例２のａ）項に於て、４−メトキシベンジルトリフ
ェニルホスホニウムクロリドを用いる代わりに、４−ｔ
−ブチルベンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを
用い、同様の方法で下記構造式（化２７）の化合物を得
た（収率 ５５．２％）。
ブチルフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチル
チオフェンの製造 実施例２のａ）項に於て、４−メトキシベンジルトリフ
ェニルホスホニウムクロリドを用いる代わりに、４−ｔ
−ブチルベンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを
用い、同様の方法で下記構造式（化２７）の化合物を得
た（収率 ５５．２％）。
【化２７】
【００７２】ｂ） １，２−ビス（５−（２−（４−ｔ
−ブチルフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチ
ル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサ
フルオロシクロペンテンの製造 実施例２のｂ）項に於て、３−ヨード−５−（２−（４
−メトキシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメ
チルチオフェンを用いる代わりに、３−ヨード−５−
（２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１−エテニル）−
２，４−ジメチルチオフェンを用い、同様の方法で下記
構造式（化２８）のジアリールエテン系化合物を得た
（収率 ６５．７％）。
−ブチルフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメチ
ル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサ
フルオロシクロペンテンの製造 実施例２のｂ）項に於て、３−ヨード−５−（２−（４
−メトキシフェニル）−１−エテニル）−２，４−ジメ
チルチオフェンを用いる代わりに、３−ヨード−５−
（２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１−エテニル）−
２，４−ジメチルチオフェンを用い、同様の方法で下記
構造式（化２８）のジアリールエテン系化合物を得た
（収率 ６５．７％）。
【００７３】
【化２８】 分析値： １） 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） １．３１（ｓ １８Ｈ） ２．１０（ｓ
６Ｈ） ２．３１（ｓ ６Ｈ） ６．８０〜７．３１（ｍ １２
Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７１２（Ｍ+ ）
６Ｈ） ２．３１（ｓ ６Ｈ） ６．８０〜７．３１（ｍ １２
Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７１２（Ｍ+ ）
【００７４】吸収スペクトルの測定 実施例１１の化合物について、着色体及び消色体の吸収
スペクトルを図６に示す。着色状態の吸収スペクトルの
吸収極大は６５３ｎｍであり、吸収極大位置での化合物
の分子吸光係数は、ε＝３１，６００という高い値を示
した。又、この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
スペクトルを図６に示す。着色状態の吸収スペクトルの
吸収極大は６５３ｎｍであり、吸収極大位置での化合物
の分子吸光係数は、ε＝３１，６００という高い値を示
した。又、この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
【００７５】（実施例１２） １、２−ビス（２、４−ジメチル−５−（２−（２−ベ
ンゾチアジル）−１−エテニル）−３−チエニル）−
３、３、４、４、５、５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造
ンゾチアジル）−１−エテニル）−３−チエニル）−
３、３、４、４、５、５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造
【００７６】ａ） １−トリメチルシリル−２−（２、
４−ジメチル−３−ヨード−５−チエニル）アセチレン
の製造 冷却管をつけた３００ｍｌのナスフラスコに２、４−ジ
メチル−１、３−ジヨードチオフェン１４．６ｇ、エテ
ニルトリメチルシラン３．９３ｇ、よう化銅０．５０
ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウ
ム０．６０ｇ、トリエチルアミン３８．４ｍｌ、ジメチ
ルホルムアミド１５０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下７０℃
で一晩攪伴した。冷却後、希塩酸にあけ酢酸エチルで抽
出後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離精製
し、下記構造式（化２９）の化合物を得た。収量８．５
６ｇ（収率６４％）。
４−ジメチル−３−ヨード−５−チエニル）アセチレン
の製造 冷却管をつけた３００ｍｌのナスフラスコに２、４−ジ
メチル−１、３−ジヨードチオフェン１４．６ｇ、エテ
ニルトリメチルシラン３．９３ｇ、よう化銅０．５０
ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウ
ム０．６０ｇ、トリエチルアミン３８．４ｍｌ、ジメチ
ルホルムアミド１５０ｍｌを入れ、窒素雰囲気下７０℃
で一晩攪伴した。冷却後、希塩酸にあけ酢酸エチルで抽
出後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離精製
し、下記構造式（化２９）の化合物を得た。収量８．５
６ｇ（収率６４％）。
【化２９】
【００７７】分析値 １）ＭＳ ｍ／ｅ ３３４（Ｍ+ ）
【００７８】ｂ） １、２−ビス（２、４−ジメチル−
５−（２−トリメチルシリル−１−エチニル）−３−チ
エニル）−３、３、４、４、５、５−ヘキサシクロペン
テンの製造
５−（２−トリメチルシリル−１−エチニル）−３−チ
エニル）−３、３、４、４、５、５−ヘキサシクロペン
テンの製造
【００７９】滴下ロートを装着した５０ｍｌのナスフラ
スコに、上記ａ）で合成した１−トリメチルシリル−２
−（２、４−ジメチル−５−ヨード−２−チエニル）ア
セチレン２．０ｇをとり、１５ｍｌのテトラヒドロフラ
ンに溶解させ窒素置換後、ー７８℃に冷却して１．６Ｍ
−ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液４．５ｍｌを５分で
滴下した。同温で３０分攪拌後オクタフルオロシクロペ
ンテン０．７ｇをエーテル３ｍｌで希釈した溶液を５分
で滴下後、更に３０分攪拌して水にあけ、酢酸エチルで
抽出後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離精製
し下記構造式（化３０）の化合物を得た。収量１．８０
ｇ（収率５４％）。
スコに、上記ａ）で合成した１−トリメチルシリル−２
−（２、４−ジメチル−５−ヨード−２−チエニル）ア
セチレン２．０ｇをとり、１５ｍｌのテトラヒドロフラ
ンに溶解させ窒素置換後、ー７８℃に冷却して１．６Ｍ
−ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液４．５ｍｌを５分で
滴下した。同温で３０分攪拌後オクタフルオロシクロペ
ンテン０．７ｇをエーテル３ｍｌで希釈した溶液を５分
で滴下後、更に３０分攪拌して水にあけ、酢酸エチルで
抽出後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離精製
し下記構造式（化３０）の化合物を得た。収量１．８０
ｇ（収率５４％）。
【化３０】
【００８０】分析値： １） 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ０．２５（ｓ ９Ｈ） ２．１６（ｓ
３Ｈ） ２．３３（ｓ ３Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ５５８（Ｍ+ ）
３Ｈ） ２．３３（ｓ ３Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ５５８（Ｍ+ ）
【００８１】ｃ） １、２−ビス（２、４−ジメチル−
５−エチニル−３−チエニル）−３、３、４、４、５、
５−ヘキサシクロペンテンの製造
５−エチニル−３−チエニル）−３、３、４、４、５、
５−ヘキサシクロペンテンの製造
【００８２】２０ｍｌのナスフラスコ中で、上記ｂ）で
得られた１、２−ビス（２、４−ジメチル−５−（２−
トリメチルシリル−１−エチニル）−３−チエニル）ヘ
キサシクロペンテン１．８０ｇを１０ｍｌのテトラヒド
ロフランに溶解させ、これにテトラブチルアンモニウム
フルオリドの１Ｍ−テトラヒドロフラン溶液３．５ｍｌ
を加え室温で３０分攪拌した。希塩酸にあけて酢酸エチ
ルで抽出後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離
精製し下記構造式（化３１）の化合物を得た。収量１．
０５ｇ（収率７４％）。
得られた１、２−ビス（２、４−ジメチル−５−（２−
トリメチルシリル−１−エチニル）−３−チエニル）ヘ
キサシクロペンテン１．８０ｇを１０ｍｌのテトラヒド
ロフランに溶解させ、これにテトラブチルアンモニウム
フルオリドの１Ｍ−テトラヒドロフラン溶液３．５ｍｌ
を加え室温で３０分攪拌した。希塩酸にあけて酢酸エチ
ルで抽出後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離
精製し下記構造式（化３１）の化合物を得た。収量１．
０５ｇ（収率７４％）。
【化３１】
【００８３】分析値： １）ＭＳ ｍ／ｅ ４４４（Ｍ+ ）
【００８４】ｄ） １、２ービス（２、４−ジメチル−
５−（２−（２−ベンゾチアジル）−１−エチニル）−
３−チエニル）ヘキサシクロペンテンの製造
５−（２−（２−ベンゾチアジル）−１−エチニル）−
３−チエニル）ヘキサシクロペンテンの製造
【００８５】冷却管を装着した５０ｍｌのナスフラスコ
に、上記ｃ）で得られた１、２−ビス（２、４−ジメチ
ル−５−エチニル−３−チエニル）ヘキサシクロペンテ
ン１．０５ｇ、２−クロロベンゾチアゾール０．４５
ｇ、よう化銅３０ｍｇ、テトラキス（トリフェニルフォ
スフィン）パラジウム５０ｍｇ、トリエチルアミン２．
４ｍｌ、ジメチルホルムアミド１５ｍｌを入れ、本実施
例のａ）と同様にして下記構造式（化３２）の化合物を
得た。収量１．５２ｇ（収率９０％）。
に、上記ｃ）で得られた１、２−ビス（２、４−ジメチ
ル−５−エチニル−３−チエニル）ヘキサシクロペンテ
ン１．０５ｇ、２−クロロベンゾチアゾール０．４５
ｇ、よう化銅３０ｍｇ、テトラキス（トリフェニルフォ
スフィン）パラジウム５０ｍｇ、トリエチルアミン２．
４ｍｌ、ジメチルホルムアミド１５ｍｌを入れ、本実施
例のａ）と同様にして下記構造式（化３２）の化合物を
得た。収量１．５２ｇ（収率９０％）。
【化３２】
【００８６】分析値： １） 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．２９（ｓ ３Ｈ） ２．３８（ｓ
３Ｈ） ７．２０〜８．０５（ｍ ４Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７１１（Ｍ+ ）
３Ｈ） ７．２０〜８．０５（ｍ ４Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７１１（Ｍ+ ）
【００８７】ｅ） １、２−ビス（２、４−ジメチル−
５−（２−（２−ベンゾチアジル）−１−エテニル）−
３−チエニル）−３、３、４、４、５、５−ヘキサフル
オロシクロペンテンの製造
５−（２−（２−ベンゾチアジル）−１−エテニル）−
３−チエニル）−３、３、４、４、５、５−ヘキサフル
オロシクロペンテンの製造
【００８８】三方コックをつけた５０ｍｌのナスフラス
コで、上記ｄ）で得られた１、２−ビス（１、３−ジメ
チル−４−（２−（２−ベンゾチアジル）−１−エチニ
ル）−２−チエニル）ヘキサシクロペンテン１．５３ｇ
をジエチルエーテル１０ｍｌに溶かし、ジイソブチルア
ルミニウムハイドライドの１Ｍジエチルエーテル溶液
４．７ｍｌを室温で加え３時間攪拌した。更に濃塩酸３
ｍｌを加えて激しく攪拌した後、酢酸エチルで抽出後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離精製し下記構
造式（化３３）の化合物を得た。収量０．１８ｇ（収率
１２％）。
コで、上記ｄ）で得られた１、２−ビス（１、３−ジメ
チル−４−（２−（２−ベンゾチアジル）−１−エチニ
ル）−２−チエニル）ヘキサシクロペンテン１．５３ｇ
をジエチルエーテル１０ｍｌに溶かし、ジイソブチルア
ルミニウムハイドライドの１Ｍジエチルエーテル溶液
４．７ｍｌを室温で加え３時間攪拌した。更に濃塩酸３
ｍｌを加えて激しく攪拌した後、酢酸エチルで抽出後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィで単離精製し下記構
造式（化３３）の化合物を得た。収量０．１８ｇ（収率
１２％）。
【化３３】
【００８９】分析値： １） 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 中） δ（ｐｐｍ） ２．３０（ｓ ３Ｈ） ２．４３（ｓ
３Ｈ） ６．８０〜８．０５（ｍ ６Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７１３（Ｍ+ ）
３Ｈ） ６．８０〜８．０５（ｍ ６Ｈ） ２）ＭＳ ｍ／ｅ ７１３（Ｍ+ ）
【００９０】吸収スペクトルの測定 実施例１２の化合物について、着色体及び消色体の吸収
スペクトルを図７に示す。着色状態の吸収スペクトルの
吸収極大は６７３ｎｍであり、吸収極大位置での化合物
の分子吸光係数は、ε＝９，０００という高い値を示し
た。又、この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
スペクトルを図７に示す。着色状態の吸収スペクトルの
吸収極大は６７３ｎｍであり、吸収極大位置での化合物
の分子吸光係数は、ε＝９，０００という高い値を示し
た。又、この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例２で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図２】実施例５で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図３】実施例６で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図４】実施例７で得られた化合物の、ベンゼン溶液中
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図５】実施例１０で得られた化合物の、ベンゼン溶液
中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図６】実施例１１で得られた化合物の、ベンゼン溶液
中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
【図７】実施例１２で得られた化合物の、ベンゼン溶液
中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 333/32 333/38 333/42 409/06 ２１３ ２１５ 417/06 ３３３ 495/04 １０１ Ｃ０９Ｋ 9/02 Ｂ Ｇ０３Ｃ 5/56 ５１１ 9413−2Ｈ Ｇ１１Ｂ 7/00 Ｑ 9464−5Ｄ 7/24 ５１６ 7215−5Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）にて示されるジアリー
ルエテン系化合物。 【化１】 （但し、式中ｎは２〜５の整数、ｌ，ｍは０〜２の整
数、Ｒ1 ，Ｒ3 はアルキル基、Ｒ2 ，Ｒ4 は水素原子、
アルキル基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基
又はアルコキシ基、Ａ，Ｂは芳香族基又は複素環基を表
す。） - 【請求項２】 下記一般式（１）にて示されるジアリー
ルエテン系化合物を記録材料とする光記録媒体を用い、
紫外光を照射して着色状態に変化させることにより初期
化を行った後、可視光を照射して無色状態に変化させる
ことにより情報の記録を行い、書き込まれた記録情報を
可視光を照射して再生する光記録・再生法において、再
生時の光記録媒体温度を、記録時の光記録媒体温度より
４０℃以上低く設定することを特徴とするジアリールエ
テン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生法。 【化２】 （但し、式中ｎは２〜５の整数、ｌ，ｍは０〜２の整
数、Ｒ1 ，Ｒ3 はアルキル基、Ｒ2 ，Ｒ4 は水素原子、
アルキル基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基
又はアルコキシ基、Ａ，Ｂは芳香族基又は複素環基を表
す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5338827A JP2676698B2 (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | ジアリールエテン系化合物及びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35048392 | 1992-12-02 | ||
| JP4-350483 | 1993-10-22 | ||
| JP5-287571 | 1993-10-22 | ||
| JP28757193 | 1993-10-22 | ||
| JP5338827A JP2676698B2 (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | ジアリールエテン系化合物及びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07173151A true JPH07173151A (ja) | 1995-07-11 |
| JP2676698B2 JP2676698B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=27337364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5338827A Expired - Lifetime JP2676698B2 (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | ジアリールエテン系化合物及びこのジアリールエテン系化合物を用いた光記録媒体の光記録・再生法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676698B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2799200A1 (fr) * | 1999-08-31 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | Compose photochrome et dispositif a fonctionnement optique utilisant celui-ci |
| FR2813697A1 (fr) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Dixet | Support securise de donnees a lecture optique |
| FR2813696A1 (fr) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Dixet | Support securise de donnees a lecture optique |
| JP2003082340A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Masahiro Irie | フォトクロミック材料およびその製造方法並びに記録表示媒体 |
| JP2004277416A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-10-07 | Masahiro Irie | ジアリールエテン系化合物、フォトクロミック材料および光機能素子 |
| US6884553B2 (en) * | 1999-03-11 | 2005-04-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Near-field optical recording medium and near-field optical recording method |
| JP2009079132A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Hyogo Univ Of Teacher Education | フォトクロミック化合物及び光可逆性発色組成物 |
| CN114656646A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-06-24 | 江西科技师范大学 | 一种二芳烯COFs材料的合成方法及在光控吸附中应用 |
-
1993
- 1993-12-01 JP JP5338827A patent/JP2676698B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6884553B2 (en) * | 1999-03-11 | 2005-04-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Near-field optical recording medium and near-field optical recording method |
| FR2799200A1 (fr) * | 1999-08-31 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | Compose photochrome et dispositif a fonctionnement optique utilisant celui-ci |
| FR2813697A1 (fr) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Dixet | Support securise de donnees a lecture optique |
| FR2813696A1 (fr) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Dixet | Support securise de donnees a lecture optique |
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