JPH05222036A - スルフォン化ジアリールエテン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 次式（１）の化合物。 （式中、Ａは２−メチル−１，１ジオキソ−３−ベンゾ
チエニルー又は を、Ｂは を、ｎは２〜４の整数を、Ｒ^１はアルキル基又はシアノ
基を；Ｒ^２はアルキル基を；Ｒ^３〜Ｒ^６はＨ，アルキル
基，アルコシキル基，又はジアルキルアミノ基を表わ
す。） 【効果】上記のジアリールエテン化合物は、熱安定性、
耐湿性，感度に優れ，かつ着消色の繰り返し耐久性の良
好なフォトクロミック性を有し，これを用いれば性能の
優れた可逆的光記録材料などを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なジアリールエテ
ン系化合物に係り、更に詳細には、フォトクロミック性
を有し、光記録材料等に好適なジアリールエテン系化合
物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、記録，記憶材料，複写材料，調光
材料，印刷感光体，レーザー用感光体，マスキング材
料，光量計あるいは表示材料に利用される光照射により
可逆的に色相変化する種々のフォトクロミック性を有す
る化合物が提案されている。例えば、それらのフォトク
ロミック化合物としてベンゾスピロピラン類，ナフトオ
キサジン類，フルギド類，ジアゾ化合物あるいはジアリ
ールエテン類等の化合物が提案されている。

【０００３】そして、このようなフォトクロミック化合
物を可逆的な光記録材料に応用するためには特に次のよ
うな性能が要求される。すなわち、（１）記録の安定
性，（２）繰り返し耐久性，（３）高い感度，（４）半
導体レーザー感受性等である。ところが、前記既存のフ
ォトクロミック化合物は、一般に着色状態又は消色状態
のどちらか一方が熱的に不安定であり、室温においても
数時間以内により安定な状態に戻るため、記録の安定性
が確保できないという欠点を有している。又、光照射に
よる二つの状態が熱的には比較的安定なものとして、フ
ルギド類やジアリールエテン類が知られているが、記録
材料に応用するには水分や酸素に対する安定性が十分で
なかったり、あるいは、モル吸光係数が小さく感度が不
足しているといった欠点があり、未だ光記録材料として
十分満足な性能を有するフォトクロミック化合物がない
のが現状である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に鑑み、なされたものであって、その目的とすると
ころは、記録が熱，酸素，水分等に対して安定で、繰り
返し耐久性に優れ、かつモル吸光係数が大きい等フォト
クロミック材料として優れた特性を有するジアリールエ
テン系化合物を提供するにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の目的は、下記一般
式（１）にて示されるジアリールエテン化合物によって
達成される。

【化５】 …（１） （ただし式中ｎは２〜４の整数を表わす。Ａは

【化６】 又は

【化７】 Ｂは

【化８】 Ｒ¹ はアルキル基又はシアノ基を表わし、Ｒ² はアルキ
ル基を表わす。Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は水素原子，アルキル基，ア
ルコキシ基，又はジアルキルアミノ基を表わす。）

【０００６】次に本発明を詳しく説明する。本発明のジ
アリールエテン系化合物は、前記一般式（１）で表わさ
れるものであり、ｎは２〜５の整数で、二重結合と共同
して、４〜７員環の環状構造を有する。中でもｎが３又
は４の５又は６員環が特に好ましいフォトクロミック特
性を示す。Ａは

【化９】 又は

【化１０】 で示される、１，１−ジオキソベンゾチエニル基又は
１，１−ジオキソチエニル基を表わし、Ｂは

【化１１】 で示されるインドリル基を表わす。Ｒ¹ はアルキル基又
はシアノ基を表わし、Ｒ² はアルキル基を表わすが、メ
チル，エチル，又はプロピル基の低級アルキル基が好ま
しい。Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は水素原子，アルキル基，アルコキシ
基又はジアルキルアミノ基を表わす。電子供与性のイン
ドリル基と電子吸引性の１，１−ジオキソベンゾチエニ
ル基又は１，１−ジオキソチエニル基との相乗効果で吸
収波長の長波長化と高いモル吸光係数が達成される。

【０００７】本発明のジアリールエテン誘導体は種々の
方法により製造可能であるが、例えば次のような方法で
製造される。即ち下記一般式（２）

【化１２】 …（２） で示されるシクロパーフルオロアルケン誘導体（ｎは２
〜５の整数）とスルフォン化アリールリチウム誘導体Ａ
Ｌｉ及びアリールリチウム誘導体ＢＬｉ（Ａ，Ｂは前記
に同じ）を同時に反応させる方法、ＡＬｉをのみを反応
させて一つのスルフォン化アリール基が導入された一般
式（３）

【化１３】 …（３） （ただし式中ｎ，Ａは前記に同じ）で示されるモノスル
フォン化アリールエテン誘導体とし、次にもう一方のア
リールリチウム誘導体ＢＬｉ（Ｂは前記に同じ）を前述
のモノスルフォン化アリールエテン誘導体と反応させる
方法、スルフォン化していないベンゾチエニル基又はチ
エニル基を有するジアリールエテン誘導体を酸化剤によ
りベンゾチエニル基又はチエニル基の硫黄原子をスルフ
ォン化する方法、あるいは同様にスルフォン化していな
いベンゾチエニル基又はチエニル基を有するモノアリー
ルエテン誘導体を酸化剤によりスルフォン化した後、前
述のアリールリチウム誘導体ＢＬｉ（Ｂは前記に同じ）
と反応させる方法などが挙げられるが、反応操作の簡便
性と収率の上から後２者のモノアリールエテン誘導体又
はジアリールエテン誘導体をスルフォン化する方法が好
ましい。

【０００８】好適な製造方法の一例を挙げると次の通り
である。まず下記一般式（４）または（５）

【化１４】 …（４）

【化１５】 …（５） （ただし、Ｘ，Ｙは臭素原子またはヨウ素原子を表す。
Ｒ¹ は前記に同じ。）で示されるチエニルハライド誘導
体あるいはベンゾチエニルハライド誘導体をアルキルリ
チウムまたはリチウムジアルキルアミドと反応させ、ハ
ロゲンをリチウムに置換したチエニルリチオ誘導体ある
いはベンゾチエニルリチオ誘導体とする。溶媒としては
テトラヒドロフランやジエチルエーテル等のエーテル系
溶媒が好ましく用いられ、更に低温での溶媒凝固を防ぐ
ためにｎ−ヘキサン，ｎ−ペンタン等の低級アルカンを
混ぜてもよい。リチオ化剤のアルキルリチウム，リチウ
ムジアルキルアミドとしてはｎ−ブチルリチウム，ｔ−
ブチルリチウム，メチルリチウム，フェニルリチウム，
リチウムジイソプロピルアミド，リチウムジシクロヘキ
シルアミド等が挙げられるが、ｎ−ブチルリチウムのヘ
キサン溶液が好適に用いられる。リチオ化剤の量は、チ
エニルハライド誘導体あるいはベンゾチエニルハライド
誘導体の総量にたいして１．０〜１．２倍モル使用する
のが好ましい。反応温度は、−４５〜−１２０℃で、好
ましくは−７０〜−１１０℃の低温で行う。反応時間は
通常２０分〜３時間で、好ましくは３０分〜２時間であ
る。

【０００９】次に、生成したチエニルリチウム誘導体あ
るいはベンゾチエニルリチウム誘導体に下記一般式
（２）

【化１６】 …（２） （但しｎは２〜５の整数を表す。）で示されるペルフル
オロシクロアルケン化合物を添加するが、使用するペル
フルオロシクロアルケン化合物の量はチエニルハライド
誘導体あるいはベンゾチエニルハライド誘導体の１．０
〜１．５倍モル用いるのが好ましく、希釈せずに、ある
いは溶媒に希釈して添加することができる。通常この反
応温度は−６０〜−１１０℃で、反応時間は３０分〜５
時間である。反応終了後、すぐに水またはアルコール等
を加えて反応を完了させても、また室温まで液温をもど
してから反応を完了させてもよいが低温のうちに反応を
完了させた方が収率がよい。かくして一般式（６）で示
されるモノチエニルエテン誘導体あるいは一般式（７）
で示されるモノベンゾチエニルエテン誘導体が得られ
る。

【化１７】 …（６）

【化１８】 …（７） （但しｎ，Ｒ¹ は前記に同じ。）

【００１０】次に、ジアリールエテン誘導体を得るため
には一般式（８）

【化１９】 …（８） （但し、Ｚは臭素原子またはヨウ素原子を表しＲ² 〜Ｒ
⁶ は前記に同じ。）で示されるインドリルハライド誘導
体を前記と同じ方法でインドリルリチウム誘導体とし、
これに前述のモノチエニルエテン誘導体あるいはモノベ
ンゾチエニルエテン誘導体のテトラヒドロフラン溶液を
添加するが、使用するモノチエニルエテン誘導体あるい
はモノベンゾチエニルエテン誘導体の量はジアルキルア
ミノインドリルハライド誘導体の１．０〜１．２倍モル
用いるのが好ましい。通常この反応温度は−６０〜−１
１０℃で、反応時間は３０分〜５時間である。反応終了
後、すぐに水またはアルコール等を加えて反応を完了さ
せても、また室温まで液温をもどしてから反応を完了さ
せてもよいが低温のうちに反応を完結させた方が収率が
よい。

【００１１】製造方法としては上記のように一般式
（６）あるいは（７）で示されるモノアリールエテン誘
導体と一般式（８）で示されるインドリル誘導体を反応
させる方法とは逆に、まず上記一般式（８）で示される
インドリル誘導体から下記一般式（９）

【化２０】 …（９） （但しｎ，Ｒ² 〜Ｒ⁶ は前記に同じ。）で示されるモノ
インドリルエテン誘導体を合成した後に、前記一般式
（４）あるいは（５）で示されるチエニルハライド誘導
体あるいはベンゾチエニルハライド誘導体と反応させて
もよい。リチオ化反応，モノアリールエテン合成，ジア
リールエテン合成ともに前述の製造方法と同様な条件下
で行うことができる。

【００１２】また、他の製造方法として前記一般式
（８）で示されるインドリル誘導体と、前記一般式
（４）で示されるチエニル誘導体あるいは前記一般式
（５）で示されるベンゾチエニル誘導体とを同時に反応
させることも可能である。すなわち、前記一般式（４）
で示されるチエニル誘導体と前記一般式（８）で示され
るインドリル誘導体の等モル量混合物を、リチオ化剤の
量をチエニル誘導体とインドリル誘導体の総量の１．０
〜１．２倍モル使用すること以外は前述の製造方法と同
様な条件下でリチオ化反応を行う。続いて、やはり前述
の製造方法と同様な条件下で前記一般式（６）で示され
るペルフルオロシクロアルケン化合物を添加することに
よって得ることができる。前２者の逐次反応では、２種
類のアリール基が導入されたジアリールエテン化合物を
選択的に得る利点を有し、一方最後の同時反応では１ポ
ット２段階反応の簡便さが特長である。かくして一般式
（１０）或いは（１１）で示されるジアリールエテン誘
導体が得られる。

【化２１】 …（１０）

【化２２】 …（１１） （但し、ｎ，Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ は前記に同じ）

【００１３】得られた一般式（６）又は（７）で示され
るモノアリールエテン誘導体あるいは一般式（１０）、
又は（１１）で示されるジアリールエテン誘導体をスル
フォン化する方法としては、過酸化水素，過酢酸，トリ
フルオロ過酢酸，過安息香酸，ｍ−クロロ過安息香酸，
ジメチルジオキシラン，ｔ−ブチルヒドロペルオキシド
オキソン（Ｏｘｏｎｅ Ｄｕ．ｐｏｎｔ社製），過マン
ガン酸カリウム等の酸化剤と反応させ、硫黄原子をスル
フォン化する方法などが挙げられるが、好ましくはｍ−
クロロ過安息香酸，ジメチルジオキシランが好適に用い
られる。過酸化物の量は、硫黄原子の総量に対して２．
０〜５．０倍当量用いるのが好ましい。溶媒としては、
ジクロロメタン，１，２−ジクロロエタン等の塩素系溶
媒が好ましく用いられる。反応温度は−７０℃〜５０℃
で、好ましくは−２０℃〜３０℃で行う。反応時間は、
１時間〜７２時間、好ましくは４時間〜２４時間であ
る。以上の方法で得られた反応物からジアリールエテン
化合物を得るには、抽出，カラムクロマトグラフ，再結
晶法等の方法を用いて分離，精製すればよい。本発明の
ジアリールエテン化合物は、その一例として１−（２−
メチル−１，１−ジオキソ−３−ベンゾチエニル）−２
−（１，２−ジメチル−３−インドリル）−３，３，
４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの例に
ついて説明すると、下記（４）式のように紫外光により
閉環体に変化して青紫色になる。

【化２３】

【化２４】

【００１４】また、この閉環体に可視光を照射すると、
元の開環体に戻り、消色する。本発明のジアリールエテ
ン化合物は、着色状態も消色状態も熱安定性が高く、又
水分に対しても安定で、長期間変化せず、良好に保持さ
れる。また、着消色の繰り返し耐久性にも優れ、可逆的
な光情報記録材料に有利に使用することができる。着色
状態の吸収が７００ｎｍ以上となるので６７０ｎｍ或い
は、７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを使
用することができ、又記録の感度に影響する閉環体のモ
ル吸光係数も大きくなるので、光記録材料に好適に用い
ることができる。本発明の新規ジアリールエテン化合物
を含有する記録層を利用した光記録材料は、公知の方法
で容易に得ることができる。例えば、本発明のジアリー
ルエテン化合物を、公知の蒸着法により適当な基板上に
蒸着する方法、本発明のジアリールエテン化合物を、ポ
リエステル樹脂，ポリスチレン樹脂，ポリ塩化ビニル樹
脂，ポリ酢酸ビニル樹脂，ポリビニルブチラール樹脂，
ポリメチルメタクリル酸樹脂，ポリカーボネイト樹脂，
フェノール樹脂，エポキシ樹脂等の樹脂バインダーと共
に、ベンゼン，トルエン，ヘキサン，シクロヘキサン，
メチルエチルケトン，アセトン，メタノール，エタノー
ル，テトラハイドロフラン，ジオキサン，四塩化炭素，
クロロホルム等の溶媒に分散又は溶解させて、適当な基
板上に塗布する方法、本発明のジアリールエテン化合物
を前記のような溶媒に溶解し、ガラスセル等に封入する
方法、等により、記録層を形成し、光記録材料とするこ
とができる。

【００１５】

【発明の効果】以上のように、本発明のジアリールエテ
ン化合物は、熱安定性，耐湿性，感度に優れ、かつ着消
色の繰り返し耐久性の良好なフォトクロミック性を有
し、これを用いれば性能の優れた可逆的光記録材料など
を得ることができる。以下に、実施例を挙げて本発明を
具体的に説明する。

【００１６】（実施例１） （１）１−（２−メチル−３−ベンゾチエニル）−２，
３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテ
ンの製造 ５００mlの３つ口フラスコ中で３−ブロモ−２−メチル
ベンゾチオフェン１１．４ｇ（５０mmol）をジエチルエ
ーテル２５０mlに溶かし、窒素気流下、−６０℃で、
１．６規定のｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液５０mmol
を３０分間かけて滴下し、１時間攪拌した。次にパーフ
ルオロシクロペンテン１０．６ｇ（５０mmol）のジエチ
ルエーテル溶液５０ molを３０分間かけて滴下した。３
時間反応させ、メタノールを滴下して反応を終結させ、
水洗しジエチルエーテルで３回抽出した。有機層を集
め、乾燥後ジエチルエーテルを留去した。反応生成物を
シリカゲルのカラムクロマトグラフを用い分離，精製し
た結果下記構造の１−（２−メチル−３−ベンゾチエニ
ル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシ
クロペンテンを１４．５ｇ（収率８５％）白色結晶とし
て得た。

【化２５】 分析値： （Ｉ） ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ（ｐｐｍ） ２．５１（ｓ，３Ｈ） ７．２０〜８．
００（ｍ，４Ｈ） （II）ＭＳ（ｍ／ｅ） ３４０（Ｍ⁺ ）

【００１７】（２）１−（２−メチル−３−ベンゾチエ
ニル）−２−（１，２−ジメチル−３−インドリル）−
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンの製造 ５００mlの３つ口フラスコ中で３−ブロモ−１，２−ジ
メチルインドール５．４ｇ（２４mmol）をテトラハイド
ロフラン１５０mlに溶かし、窒素気流下−６０℃で、
１．６規定のｎ−ブチルリチウムヘキサン２４mmolを３
０分間かけて滴下し、１時間攪拌した。次に実施例１−
（１）で合成した１−（２−メチル−３−ベンゾチエニ
ル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシ
クロペンテン８．２ｇ（２４mmol）のテトラハイドロフ
ラン溶液２０mlを３０分間かけて滴下した。３時間反応
させ、メタノールを滴下して反応を終結させ、水洗し、
ジエチルエーテルで３回抽出した。ジエチルエーテル層
を集め乾燥後、ジエチルエーテルを留去した。反応生成
物をシリカゲルのカラムクロマトグラフを用い分離精製
した結果下記構造の１−（２−メチル−３−ベンゾチエ
ニル）−２−（１，２−ジメチル−３−インドリル）−
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ンを７．８ｇ（収率７０％）白色結晶として得た。

【化２６】 分析値： （Ｉ） ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ（ｐｐｍ） １．９１（ｓ，３Ｈ） ２．２３（ｓ，
３Ｈ） ３．４１（ｓ，３Ｈ） ７．０７〜７．６６
（ｍ，８Ｈ） （II）ＭＳ（ｍ／ｅ） ４６５（Ｍ⁺ ）

【００１８】（３）１−（２−メチル−１，１−ジオキ
ソ−３−ベンゾチエニル）−２−（１，２−ジメチル−
３−インドリル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフ
ルオロシクロペンテンの製造 ５００mlの２つ口フラスコ中で実施例１−（２）で合成
した１−（２−メチル−３−ベンゾチエニル）−２−
（１，２−ジメチル−３−インドリル）−３，３，４，
４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン４．７ｇ
（１０mmol）をジクロロメタン１００mlに溶かし氷冷下
で７０％メタクロロ過安息香酸４．９ｇ（２０mmol）の
ジクロロメタン溶液１００mlを滴下し、室温まで戻し１
２時間攪拌した。反応後、析出した沈澱を濾別し、濾液
を亜硫酸水素ナトリウム飽和水溶液炭酸水素ナトリウム
飽和水溶液で洗浄した後有機層を集め乾燥後ジクロロメ
タンを留去した。反応生成物をヘキサンにより再結晶し
た結果、下記構造の１−（２−メチル−１，１−ジオキ
ソ−３−ベンゾチエニル）−２−（１，２−ジメチル−
３−インドリル）−３，３，４，４，５，５−ペンタフ
ルオロシクロペンテン４．９ｇ（収率９９％）を得た。

【化２７】 分析値： （Ｉ） ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） ２．１０（ｓ，３Ｈ） ２．１１（ｓ，３Ｈ） ３．５
７（ｓ，３Ｈ） ７．１１〜７．７０（ｍ，８Ｈ） （II）ＭＳ（ｍ／ｅ） ４９７（Ｍ⁺ ） （III)ＩＲ（ｃｍ^-1） １１７３ １３０９（Ｖso₂)

【００１９】（４）フォトクロミック性 上記で合成した化合物をベンゼンに１０^-4モル／ｌにな
るように溶解して得た溶液を１×１×４ｃｍの石英ガラ
スセルに入れ、これに４０１ｎｍの干渉フィルター（日
本真空光学社製）を装着した１００Ｗ超高圧水銀灯（オ
スラム社製）により４０１ｎｍの光を３０秒間照射した
ところ青紫色に着色した。吸収スペクトルは図１に実線
で示すものから５８３ｎｍに極大吸収を持つ、点線で示
すものに変化した。次に、青紫色に着色した溶液にカッ
トフィルター（日本真空光学社製）を装着した１００Ｗ
の超高圧水銀灯により５００ｎｍ以上の可視光を３０秒
間照射したところ、ただちに消色し、元の黄色の状態に
変化した。この変化は可逆的に繰り返すことができた。
着色体の５８３ｎｍにおけるモル吸光係数は、ベンゼン
中で１２５００と高いものであった。

【００２０】繰り返し耐久性（可逆的着色消色サイクル
耐性） 上記で合成した化合物の１０ｍｇをポリメチルメタクリ
レート１００ｍｇとともにトルエン１mlに溶解し、これ
を１×３ｃｍ角の石英ガラス板上にスピンコーティング
法により塗布，乾燥して記録層を作製した。この記録層
の吸収スペクトルの５８３ｎｍにおける吸光度は０．０
３９であった。この記録層に４０１ｎｍの干渉フィルタ
ー（日本真空光学社製）を装着した１００Ｗの超高圧水
銀灯（オスラム社製）により４０１ｎｍの光を１２０秒
間照射し、全面着色状態にした。得られた着色状態の吸
収スペクトルの５８３ｎｍにおける吸光度は０．４３０
であった。次にこの着色状態の記録層にカットフィルタ
ー（日本真空光学社製）を装着した１００Ｗの超高圧水
銀灯により５００ｎｍ以上の黄色光を６０秒間照射した
ところ消色し、この記録層の吸収スペクトルの吸光度は
０．０３９に戻った。この２種類の光の交互照射により
着色消色を１サイクルとして、繰り返し耐久性試験を行
った。この結果を図２に示した。図２に示すように３０
０回繰り返した時点での５８３ｎｍの吸光度は消色状態
で０．０４０、着色状態で０．４２８と優れた繰り返し
耐久性を有していた。

【００２１】保存安定性 繰り返し耐久性で使用したものと同様にして作製した記
録層の２枚のうち一方を紫外光により着色し、他方を未
着色のまま、アルミホイルで遮光し、温度８０℃，湿度
６５％ＲＨの恒温恒湿槽に入れ、吸光度の変化を観察し
た。その結果を図３に示してあるが、３０日間経過して
も吸光度の変化はほとんどなく、記録を安定に保存する
ことができた。

【００２２】（実施例２） （１）１−（２−メチル−１，１−ジオキソ−３−ベン
ゾチエニル）−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフ
ルオロシクロペンテンの製造 ３００mlの２つ口フラスコ中で実施例１−（１）で合成
した１−（２−メチル−３−ベンゾチエニル）−２，
３，３，４，４，５，５−ペンタフルオロシクロペンテ
ン５．１０ｇ（１５mmol）をジクロロメタン５０mlに溶
かし、氷冷下で７０％メタ−クロロ−過安息香酸７．４
ｇ（３０mmol）のジクロロメタン溶液７０mlを滴下し、
室温まで戻し１２時間攪拌した。反応後、析出した沈澱
を濾別し、濾液を、亜硫酸水素ナトリウム飽和水溶液，
炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で洗浄した後有機層を集
め、乾燥後ジクロロメタンを留去した。反応生成物をヘ
キサンにより再結晶した結果下記構造の１−（２−メチ
ル−１，１−ジオキソ−３−ベンゾチエニル）−２，
３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテ
ン５．４ｇ（収率９７％）を得た。

【化２８】 分析値 （Ｉ） ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ（ｐｐｍ） ２．２４（ｓ，３Ｈ） ７．１０〜８．
１０（ｍ，４Ｈ） （II）ＭＳ（ｍ／ｅ） ３７２（Ｍ⁺ ） （III)ＩＲ（ｃｍ^-1） １１６０，１３１５（Ｖso₂)

【００２３】（２）１−（２−メチル−１，１−ジオキ
ソ−３−ベンゾチエニル）−２−（１，２−ジメチル−
５−ジメチルアミノ−３−インドリル）−３，３，４，
４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造 １００mlの２つ口フラスコに３−ブロモ−１，２−ジメ
チル−５−ジメチルアミノインドール０．９２ｇ（３．
４mmol）をテトラハイドロフラン３０mlとｎ−ヘキサン
３mlに溶かし、窒素雰囲気下、−１００℃で、１．６規
定のｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液３．４mmolを滴下
し、３０分攪拌した。次に、実施例１−（２）で合成し
た１−（２−メチル−１，１−ジオキソ−３−ベンゾチ
エニル）−２，３，３，４，４，５，５−ペンタフルオ
ロシクロペンテン１．２８ｇ（３．４mmol）のテトラハ
イドロフラン溶液５mlを２０分間で滴下した。１時間反
応させた後、１時間かけて徐々に−６０℃まで昇温し、
メタノールを滴下して反応を終結させた。反応終了後、
水洗し、ジエチルエーテルで３回抽出し、ジエチルエー
テル層を集め乾燥後、ジエチルエーテルを留去した。反
応生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフを用いて
分離、メタノール，水により再結晶した結果、下記構造
の１−（２−メチル−１，１−ジオキソ−３−ベンゾチ
エニル）−２−（１，２−ジメチル−５−ジメチルアミ
ノ−３−インドリル）−３，３，４，４，５，５−ヘキ
サフルオロシクロペンテン０．８２ｇ（収率４５％）を
淡黄色結晶として得た。

【化２９】 分析値 （Ｉ） ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ） δ（ｐｐｍ） ２．０５（ｓ，３Ｈ） ２．０７（ｓ，
３Ｈ） ２．９３（ｓ，６Ｈ） ３．５２（ｓ，３Ｈ）
６．６３〜７．６９（ｍ，７Ｈ） （II）ＭＳ（ｍ／ｅ） ５４０（Ｍ⁺ ） （III)ＩＲ（ｃｍ^-1） １１７０，１３０６（Ｖso₂)

【００２４】（４）フォトクロミック性 実施例１と同様にして、ヘキサン中で４０１ｎｍの光を
照射したところ、６７０ｎｍに吸収極大を持つ、緑色の
吸収スペクトルに変化した。この着色体は、５００ｎｍ
以上の光の照射により元の無色の状態に戻り、可逆的変
化が認められた。着色体の６７０ｎｍにおけるモル吸光
係数は、ベンゼン中で１２０００と高いものであった。

【００２５】

【図面の簡単な説明】

図１は実施例１−（３）で合成した化合物のベンゼン溶
液中の吸収スペクトルの光変化を示す線図である。図２
は実施例１で作製した光記録層の紫外光および可視光の
交互照射にともなう５８３ｎｍにおける吸光度の変化を
示した線図である。又、図３は実施例１で作製した光記
録層の着色及び消色状態の８０℃における経日変化を示
した図である。図４は実施例２−（２）で合成した化合
物のヘキサン溶液での吸収スペクトルの光変化を示す図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）にて示されるジアリー
   ルエテン系化合物。 【化１】 …（１） （ただし式中ｎは２〜４の整数を表わす。Ａは 【化２】 又は 【化３】 Ｂは 【化４】 Ｒ¹ はアルキル基又はシアノ基を表わし、Ｒ² はアルキ
   ル基を表わす。Ｒ³ 〜Ｒ ⁶ は水素原子，アルキル基，ア
   ルコキシ基，又はジアルキルアミノ基を表わす。）