JPH07153973A - マイクロメカニカル構成素子の製造方法 - Google Patents

マイクロメカニカル構成素子の製造方法

Info

Publication number
JPH07153973A
JPH07153973A JP6223501A JP22350194A JPH07153973A JP H07153973 A JPH07153973 A JP H07153973A JP 6223501 A JP6223501 A JP 6223501A JP 22350194 A JP22350194 A JP 22350194A JP H07153973 A JPH07153973 A JP H07153973A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
layer
doping
silicon layer
anodizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6223501A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard Benz
ベンツ ゲルハルト
Franz Laermer
レルマー フランツ
Andrea Schilp
シルプ アンドレア
Jiri Marek
マレク イーリ
Martin Willmann
ヴィルマン マルティン
Frank Bantien
バンティーン フランク
Horst Muenzel
ミュンツェル ホルスト
Michael Dr Offenberg
オッフェンベルク ミヒャエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of JPH07153973A publication Critical patent/JPH07153973A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/96—Porous semiconductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 双極回路素子と一緒に集積することのできる
マイクロメカニカル構成素子を製造する。 【構成】 １つのケイ素層に構造を規定するみぞを刻設
し、該構造を別の工程でアンダエッチングする。このア
ンダエッチングのために、ケイ素の選択的陽極処理を利
用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項１の部類による
マイクロメカニカル構成素子の製造方法から出発する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ国特許出願Ｐ４０００９０３号か
ら、２層支持体から上方の層中に振動舌状片をエッチン
グ除去する、マイクロメカニカル速度センサの製造方法
は既に公知である。電位を印加することにより、湾曲舌
状片は該湾曲舌状片の下方に配置された基板をエッチン
グする際にエッチング攻撃に対して保護されるので、湾
曲舌状片をアンダエッチングすることができる。
【０００３】国際公開（ＷＯ）９１／０３０７４号か
ら、みぞを彫り、このみぞの側壁を二酸化ケイ素で覆う
方法が公知である。みぞの底は酸化物で覆われておら
ず、それでみぞによって形成された構造をアンダーエッ
チングするための出発点として利用される。
【０００４】ラング（Ｌａｎｇ）等の論文（“犠牲層と
しての多孔性シリコンの適用”、ソリッドステートセン
サおよびアクチュエーターに関する第７回国際会議）か
ら、陽極処理によるケイ素構造のアンダエッチング方法
は公知である。
【０００５】
【発明の効果】これに対して、請求項１に記載された特
徴を有する本発明方法は、ケイ素の陽極処理が半導体エ
レクトロニクスの他の方法と両立するという利点を有す
る。そのため、完全に新規なマイクロメカニカル構成素
子を製造できるか、ないしは既に公知のマイクロメカニ
カル構成素子の製造を簡素化することができる。多層基
板の使用により、アンダエッチング範囲および構造のと
くに正確な寸法コントロールを得ることができる。ドー
ピング物質濃度によって、陽極処理挙動を、非常に迅速
な陽極処理からほとんど全く陽極処理されてない状態ま
で制御することができる。
【０００６】従属請求項に記載された手段によって、独
立請求項に記載された方法の別の有利な拡張および改良
が可能である。陽極処理電位に依存して、ケイ素を切削
するかまたは多孔性ケイ素に変換することができ、次い
でこれを別の工程で除去する。それ故、そのつど構造な
いしは製造方法の他の要求に依存して利用することので
きる多数の可能なエッチング方法が利用される。陽極処
理は、フッ化水素酸中でとくに簡単に行なわれ、その際
この陽極処理剤は半導体エレクトロニクスの回路結線と
結合して問題なく使用できる。殊に、既に完成した回路
を、ホトラッカーで簡単に覆うことによってフッ化水素
酸の攻撃に対して保護することが可能である。２層基板
を用いると、マイクロメカニカル構成素子をとくに簡単
につくることができる。もう１つの層の使用によって、
マイクロメカニカル構成素子の幾何学的寸法を正確に制
御することができる。さらに、このような多層基板は、
標準の回路素子を収容するのにも適当であり、回路を製
造するために工程を、マイクロメカニカル構成素子の製
造のために利用することもできる。この場合、とくに丈
夫な回路の製造を可能にする、埋込まれた絶縁層を有す
る多層基板を利用することもできる。陽極処理は、とく
に簡単に、多層基板のエッチング液に離反する側で接触
接続することによって行なうことができる。
【０００７】
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｃ）には、本発明方法の第１
実施例が示されている。図１（Ａ）には、上方のケイ素
層１（カバー層）、下方のケイ素層２（基板）およびも
う１つのケイ素層３（埋込み層）を有する多層基板が示
されている。このような多層基板の製造は、たとえば双
極回路の製造から良く知られている。このためには、差
当りケイ素基板２中に、植込みまたは拡散によって、埋
込み層用ドーピング物質を入れる。次に、エピタキシー
または他の適当な方法によって、表側にカバー層１をつ
くる。たとえば、カバー層１の代りに結合工程（ボンデ
ィング）によって薄いケイ素板を設けることも考えられ
る。
【０００８】適当なエッチング工程により、図１（Ｂ）
に示したように、構造６を規定するみぞ５を設ける。し
かし、構造６は、第３のケイ素層３上に構造を付加する
付加的方法によってつくることもできる。別の工程（図
１（Ｃ））で、構造６をアンダエッチングする、つまり
構造６の下方に配置された埋込み層３を除去する。本発
明方法では、あらかじめつくられたケイ素構造６を露出
するため、つまりアンダエッチングするために、場合に
より（二）フッ化アンモニウム、酢酸アンモニウム、酢
酸のような添加物またはこれら成分からなる適当な混合
物で緩衝されていてもよい希フッ化水素酸水溶液の電気
化学的エッチング特性を利用する。
【０００９】種々の印加された電気的陽極処理電位およ
びそれから得られる陽極処理電流密度において、フッ化
水素酸水溶液（緩衝または非緩衝）中でケイ素を陽極処
理する場合、異なるエッチング挙動を有する３つの範囲
が生じる：額により比較的低い電気の陽極処理電位およ
び指数的電流／電圧特性を有する第一範囲においてはエ
ッチング液と接触しているケイ素表面に、全面に多孔性
ケイ素が形成する。陽極処理の際につくられる多孔性ケ
イ素の性質は、ＨＦ濃度、陽極処理電流密度およびケイ
素ドーピングに著しく依存する。印加される電位が額に
より増大する、つまり電流密度が増加すると、電流密度
／電圧特性は、平坦で、ほぼ線状に経過する。この特性
曲線範囲内ではウエーハ表面はたんに部分的にしか多孔
性ケイ素に変換せず、表面の他の部分は既に“正常”に
エッチングされる。もっと高い陽極処理電位では電流密
度が飽和し、ウエーハ全表面がエッチングされ、その際
研摩効果が生じる（電解研摩）。低いＨＦ濃度には、陽
極処理電流密度の飽和、ひいては既に小さい値で電解研
摩が起き、ＨＦ濃度が増加すると電流飽和が大きい値の
方へずれて、多孔性ケイ素の生成が助長される。
【００１０】さらに、記載の効果は、高度に、ケイ素ド
ーピングに依存する。印加される陽極処理電位が同じ場
合、望ましくはＰ+領域およびｎ+領域（ドーピング＞１
０17ｃｍ~3）が多孔性ケイ素へ変換ないしは溶解され、
Ｐ~ケイ素領域は明らかに緩慢に、ｎ−領域（ドーピン
グ＞１０16ｃｍ~3）は極めて緩慢に変換ないしは溶解さ
れる。それと共に、高いドーピングの犠牲層を選択的に
低いドーピングのケイ素領域または望ましくはｎ−ドー
ピングに最終的に溶解することができる。
【００１１】構造をフリーエッチングするためには、ケ
イ素ウエーハを裏面で適当な方法で（電解液を介してま
たは金属接触を介して）陽極電位と接触させ、場合によ
り必要な個所で適当に不動態化した前面（たとえばホト
レジストによって）を、適当な対応電極（たとえばパラ
ジウムまたは白金）が浸漬しているフッ化水素酸水溶液
にさらす。
【００１２】その際、高ドーピングの埋込みケイ素層な
いしは埋込まれた高ドーピングケイ素領域は、その上下
で低ドーピング領域に、印加される陽極処理電位／これ
により惹起される陽極処理電流密度ないしはＨＦ濃度の
高さにより、とくにｎ~−ケイ素に対して選択的に ―溶解し、低ドーピングの構造は直接にフリーエッチン
グされるか、または ―多孔性ケイ素に変換される。
【００１３】従って、溶解または変換した範囲に垂直な
らびに横方向の寸法制御（マスキング変換ないしはイオ
ンプランテーションによって局所的に制限された高いド
ーピング濃度を使用する場合）が与えられている。
【００１４】陽極処理電位ないしはそれにより惹起され
る陽極処理電流密度を、多孔性ケイ素への変換が行なわ
れる程度に低く選択すれば、多孔性ケイ素を引き続き非
常に迅速に選択的に熱酸化することができる。埋込まれ
た陽極領域も、埋込まれた酸化物に変換される。このた
めには、ケイ素を約８００〜１１００℃の温度で含水お
よび酸素含有ガスに曝露する。こうして処理したウエー
ハは、必要に応じ、たとえばそのドーピングも変えるた
めに、次いでもう１つの高温工程（高温拡散）にかける
ことができる。形成した酸化物はあとでＨＦで選択的に
溶解することができる。
【００１５】また、選択的変換が露出すべき構造の下方
で終った場合、形成した多孔性ケイ素は陽極処理電位／
陽極処理電流密度を電解研摩領域にまで短時間高めるこ
とにより非常に迅速に溶解することができる。
【００１６】また、露出すべき構造の下方に選択的に形
成した多孔性ケイ素を非常に迅速かつ選択的に下記のも
のに溶解することも可能である： ―アルカリ性（ＮａＯＨ，ＫＯＨ）またはアンモニアア
ルカリ性（ＮＨ4ＯＨ，ＴＭＡＨ）水溶液（とくに低温
で使用することができる）、 ―フッ化水素酸（ＨＦ）および酸化剤、たとえばＨ2Ｏ2
またはＨＮＯ3またはＨＣｌＯ3、またはＫ2Ｃｒ2Ｏ7ま
たはＣｒＯ3の溶液（場合により緩衝剤（たとえばＣＨ3
ＣＯＯＨ）添加）、 ―ＨＦとＨＮＯ3またはＨＦとＨ2Ｃ12の蒸気混合物。
【００１７】陽極処理工程を全部高い陽極処理電位で、
つまり電解研摩範囲内で実施する場合には溶解は、直接
に、あらかじめ多孔性ケイ素を溶解することなしに、場
合により減少したドーピング選択性で行なわれ記載の工
程順序は、結局ひつくるめて、ウエーハ表側に自由な構
造を生じる。この場合、とくに有利に、単結晶ケイ素か
らなる構造を製造することができるので、単結晶ケイ素
の卓越した機械的性質を利用することができる。さら
に、かかるケイ素層中へ電子回路結線を組込むことがで
きる。
【００１８】記載の方法に対する適当なドーピング層順
序は次にリストアップされている： 被覆層 ｎ~ ｎ~ ｐ~ ｐ~ ｐ~ n~ 犠牲層 ｐ+ ｎ+ ｎ+ ｐ+ ｎ+ ｎ+ 基板 ｐ~ ｐ~ ｐ~ ｐ~ ｎ~ ｎ~ （ｎ~，ｐ~≒１０15…１０16ｃｍ~3;ｎ+,ｐ+≒１０17…
１０18ｃｍ~3） 最初の２つのドーピング層配列は、その順序ならびにそ
のドーピング濃度が、双極法において帯用のウエーハ構
造に一致し、従ってとくに有利である。ｐ基板に埋込ま
れたｎ+層の場合、陽極処理工程のｎ−ドーピング経過
を減少するｎ−ドーピング物質濃度で完全に停止するま
で制動することにより、陽極処理工程のｎ+領域のほと
んど完全な制限が生じる。（ｐｎ遷移個所の領域は、工
程に対する克服できない障壁である）。
【００１９】電位は、アルカリ性エッチング媒体中で電
気化学的エッチングする場合のようにウエーハの表側か
らではなく、ウエハーの裏側から（ｐｎ−エッチング停
止技術）印加される。電気の裏面接触は、ウエーハを２
つの電極板の間で溶液中へ浸漬するか、または金属化ウ
エーハ裏面を使用することによって、電解液自体を介し
て行なうことができる。後者の場合、電気接点を有する
金属化ウエハー裏面は、ポリマー材料（たとえばホトレ
ジスト）によるかまたはエッチングかんの使用によっ
て、希フッ化水素酸溶液に対して確実に保護することが
できる。これに反して、慣用の技術によりアルカリ性媒
体中でエッチングする場合の表側の接点の保護はほとん
ど不可能である。
【００２０】出現する決定的なｐｎ−遷移（ダイオー
ド）は順方向（停止方向ではない）に成極されており；
アルカリ性媒体中での電気化学的エッチング停止の場合
とは異なり、有害な場合により可能な大表面のｐｎ遷移
領域における障壁効果は生じない。殊にこの技術を用い
ると、埋込まれた、直接に電気的接触に使用できない犠
牲層範囲を、相応にバイアス電圧を加えた基板を介して
陽極処理電位に置くことが可能である。
【００２１】図２には、本発明方法の別の実施例が示さ
れている。図４に示した多層基板は、上方のケイ素層お
よび下方のケイ素層２のみを有する。上方のケイ素層１
中へは、構造６を規定するみぞ５が刻設されている。上
方の被覆層１のドーピングは、比較的僅かである。そこ
でこの多層基板にみぞ５を介して陽極処理溶液を送入
し、相応する電位を印加すると、みぞの下方および構造
６の下方の範囲２′が陽極処理される。この場合、相応
する電位で、範囲２′は陽極処理工程において除去する
ことができる。範囲２′を多孔性ケイ素に変換すること
も同様に良好に可能である。次に、この多孔性ケイ素を
再び選択的に残余ケイ素に対してエッチングするか、ま
たは酸化ケイ素に変換し、引き続きエッチングすること
もできる。それ故、本発明方法を、上方のケイ素層およ
び下方のケイ素層ｅのみを有する多層基板の場合に利用
することも可能である。この場合、上方のケイ素層１が
１０16ｃｍ~3以下のドーピングを有することが重要であ
るにすぎない。上方のケイ素層がｐ型のものである場合
には下方のケイ素層は１０17ｃｍ~3以上のドーピングを
有しなければならない。上方のケイ素層がｎ型のもので
ある場合には下方のケイ素層はｐ標準ドーピングまたは
１０17ｃｍ~3以上のｎ+またはｐ+ドーピングを有するこ
とができる（ここではｐ−ｐ+；ｎ−ｐ；ｎ−ｐ+；ｎ−
ｎ+；ｐ−ｎ+が可能である）。
【００２２】図５には、上方のケイ素層１、下方のケイ
素層２およびこれらケイ素層の間に配置された絶縁層４
（ＳＯＩウエーハ構造）からなる多層基板から出発する
本発明方法のもう１つの実施例を示す。上方のケイ素層
１中へは、再びみぞ５を刻設することにより構造６が形
成される。この場合、絶縁層４は、刻設されるみぞ５の
深さを正確に制御するために利用することもできる。そ
れ故、構造６の幾何学的寸法のとくに正確な制御が達成
される。アンダエッチングの前に、絶縁層４を除去しな
ければならない。この絶縁層の適当な材料はたとえば酸
化ケイ素であり、このものは陽極処理液としてフッ化水
素酸を使用する場合、多層基板を浸漬する際に自然にエ
ッチングされるにで、この絶縁層４を除去するための本
来の工程は不要である。みぞ５の下方の絶縁層４を除去
した後または除去する間、図２に記載したと類似のもう
１つの加工が行なわれる。同様に、図３において使用し
た、絶縁層４を有する多層基板を、犠牲層と共に使用す
ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法の第１実施例によるマイクロメカニ
カル構成素子製造工程の説明図 （Ａ）は、上方のケイ素層（被覆層）、下方のケイ素層
（基板）および別のケイ素層（犠牲層）を有する出発多
層基板の断面図 （Ｂ）は上方のケイ素層中にエッチングにより刻設した
みぞを有する基板の断面図 （Ｃ）は別の工程でアンダエッチングした構造を有する
基板の断面図。
【図２】本発明方法の第２の実施例を示すもので、上方
のケイ素層と下方のケイ素層のみを有し、上方のケイ素
層中に該設されたみぞを有する多層基板の断面図
【図３】本発明方法の第３の実施例を示すもので、上方
のケイ素層と下方のケイ素層との間に配置された絶縁層
を有する、図２と類似の断面図。
【符号の説明】
１ 上方のケイ素層（被覆層） ２ 下方のケイ素層（基板） ３ もう１つのケイ素層（犠牲層） ４ 絶縁層 ５ みぞ ６ 構造
フロントページの続き (72)発明者 フランツ レルマー ドイツ連邦共和国 シュツットガルト ヴ ィティコヴェーク ９ (72)発明者 アンドレア シルプ ドイツ連邦共和国 シュヴェービッシュ グミュント ゼーレンバッハヴェーク 15 (72)発明者 イーリ マレク ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ライ プルシュトラーセ 10−１ (72)発明者 マルティン ヴィルマン ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン アー ヘナー シュトラーセ 146 (72)発明者 フランク バンティーン ドイツ連邦共和国 ディツィンゲン ヘル ターシュトラーセ 70 (72)発明者 ホルスト ミュンツェル ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン グル オバッハシュトラーセ 60 (72)発明者 ミヒャエル オッフェンベルク ドイツ連邦共和国 テュービンゲン オプ デア グラーフェンハルデ 17

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １つのケイ素層に構造（６）を形成し、
    該構造を別の工程によってアンダエッチングし、その際
    アンダエッチングのためケイ素の陽極処理を利用する、
    マイクロメカニカル構成素子の製造方法において、刻設
    された構造（６）が少なくとも部分的に特定ドーピング
    のケイ素からなり、構造（６）の下方により高いドーピ
    ングを有するケイ素層が配置されており、主として高い
    ドーピングを有する層を陽極処理することを特徴とする
    マイクロメカニカル構成素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 弱ドーピング層のドーピング物質濃度が
    １×１０16ｃｍ~3以下であり、高ドーピング層のドーピ
    ング物質濃度が１×１０17ｃｍ~3よりも高いことを特徴
    とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 陽極処理のためケイ素に電位を印加し
    て、ケイ素を切除することを特徴とする請求項１または
    ２記載の方法。
  4. 【請求項４】 陽極処理のため電位を印加して、ケイ素
    を多孔性ケイ素に変換し、多孔性ケイ素を別の工程で除
    去することを特徴とする請求項１または２記載の方法。
  5. 【請求項５】 多孔性ケイ素を、中実ケイ素よりも多孔
    性ケイ素を迅速にエッチングするエッチング工程によっ
    て除去することを特徴とする請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 多孔性ケイ素を酸化ケイ素に変換し、次
    いで酸化ケイ素を除去することを特徴とする請求項４記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 陽極処理剤としてフッ化水素酸を使用す
    ることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項
    記載の方法。
  8. 【請求項８】 多層基板（１０）が上方のケイ素層
    （１）および下方のケイ素層（２）を有し、上方のケイ
    素層中へ構造（６）を刻設し、下方の層（２）中でアン
    ダエッチングを行なうことを特徴とする請求項１から７
    までのいずれか１項記載の方法。
  9. 【請求項９】 多層基板（１０）が上方のケイ素層
    （１）および下方のケイ素層（２）を、その中間に配置
    されたもう１つのケイ素層（３）を有し、上方のケイ素
    層（１）中へ構造（６）を刻設し、もう１つのケイ素層
    （３）中でアンダエッチングを行なうことを特徴とする
    請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
  10. 【請求項１０】 上方のケイ素層（１）と下方のケイ素
    層（２）の間に酸化ケイ素層（４）が配置されていて、
    該酸化ケイ素層を、みぞ（５）を刻設した後、少なくと
    もみぞ（５）の範囲で除去することを特徴とする請求項
    ８または９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 上方のケイ素層（１）がｎ−ドーピン
    グを有し、下方のケイ素層（２）がｐ−ドーピングを有
    することを特徴とする請求項８から１０までのいずれか
    １項記載の方法。
  12. 【請求項１２】 上方のケイ素層（１）が単結晶である
    ことを特徴とする請求項８から１１までのいずれか１項
    記載の方法。
JP6223501A 1993-09-18 1994-09-19 マイクロメカニカル構成素子の製造方法 Pending JPH07153973A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4331798.7 1993-09-18
DE4331798A DE4331798B4 (de) 1993-09-18 1993-09-18 Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07153973A true JPH07153973A (ja) 1995-06-16

Family

ID=6498052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6223501A Pending JPH07153973A (ja) 1993-09-18 1994-09-19 マイクロメカニカル構成素子の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5542558A (ja)
JP (1) JPH07153973A (ja)
DE (1) DE4331798B4 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09119912A (ja) * 1995-06-30 1997-05-06 Motorola Semiconducteurs Sa 半導体センサ装置およびその形成方法
JP2007525330A (ja) * 2003-07-04 2007-09-06 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 有用な層を分離する方法および前記方法によって得られるコンポーネント
JP2009065042A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Mitsubishi Electric Corp 高周波受動素子およびその製造方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6017811A (en) * 1993-09-09 2000-01-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making improved electrical contact to porous silicon
JP3305516B2 (ja) * 1994-10-31 2002-07-22 株式会社東海理化電機製作所 静電容量式加速度センサ及びその製造方法
US5736430A (en) * 1995-06-07 1998-04-07 Ssi Technologies, Inc. Transducer having a silicon diaphragm and method for forming same
US5706041A (en) * 1996-03-04 1998-01-06 Xerox Corporation Thermal ink-jet printhead with a suspended heating element in each ejector
DE19616970B4 (de) * 1996-04-27 2012-04-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von mikromechanische Strukturen aufweisenden Halbleiterbauelementen
TW375744B (en) * 1996-12-10 1999-12-01 Heraeus Electro Nite Int Resistor having at least two coupled contact springs arranged on a ceramic base and process for the same
JPH10340885A (ja) 1997-06-06 1998-12-22 Tokai Rika Co Ltd シリコン基板における陽極化成方法
EP0895276A1 (en) * 1997-07-31 1999-02-03 STMicroelectronics S.r.l. Process for manufacturing integrated microstructures of single-crystal semiconductor material
JPH11103074A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Tokai Rika Co Ltd シリコン基板の陽極化成方法及びそれを利用した加速度センサの製造方法
US6287885B1 (en) 1998-05-08 2001-09-11 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor dynamic quantity sensor
JP3307328B2 (ja) * 1998-05-11 2002-07-24 株式会社デンソー 半導体力学量センサ
DE19843984B4 (de) * 1998-09-25 2013-10-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Strahlungssensoren
US6238581B1 (en) * 1998-12-18 2001-05-29 Eastman Kodak Company Process for manufacturing an electro-mechanical grating device
US6444138B1 (en) * 1999-06-16 2002-09-03 James E. Moon Method of fabricating microelectromechanical and microfluidic devices
US6797591B1 (en) * 2000-09-14 2004-09-28 Analog Devices, Inc. Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device formed by the method
US6479315B1 (en) * 2000-11-27 2002-11-12 Microscan Systems, Inc. Process for manufacturing micromechanical and microoptomechanical structures with single crystal silicon exposure step
DE10064494A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement insbesondere eine bewegliche Masse aufweist
US6808956B2 (en) 2000-12-27 2004-10-26 Honeywell International Inc. Thin micromachined structures
US6582985B2 (en) * 2000-12-27 2003-06-24 Honeywell International Inc. SOI/glass process for forming thin silicon micromachined structures
DE10117486A1 (de) * 2001-04-07 2002-10-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstelung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
DE10118568A1 (de) * 2001-04-14 2002-10-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Erzeugen von optisch transparenten Bereichen in einem Siliziumsubstrat
US20040240034A1 (en) * 2001-11-30 2004-12-02 Scharf Bruce R. Diffraction compensation using a patterned reflector
DE10244786A1 (de) * 2002-09-26 2004-04-08 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren
DE10244785A1 (de) * 2002-09-26 2004-04-08 Robert Bosch Gmbh Verfahren und mikromechanisches Bauelement
US7094621B2 (en) * 2003-03-05 2006-08-22 Jbcr Innovations, L.L.P. Fabrication of diaphragms and “floating” regions of single crystal semiconductor for MEMS devices
CN102689870B (zh) * 2012-05-15 2015-04-15 清华大学 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法
US9006109B2 (en) * 2013-03-27 2015-04-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6130038A (ja) * 1984-07-23 1986-02-12 Nec Corp エツチングの方法
US4628591A (en) * 1984-10-31 1986-12-16 Texas Instruments Incorporated Method for obtaining full oxide isolation of epitaxial islands in silicon utilizing selective oxidation of porous silicon
EP0226091A3 (en) * 1985-12-17 1989-09-13 Texas Instruments Incorporated Semiconductor isolation using trenches and oxidation of anodized silicon sublayer
DE3879771D1 (de) * 1987-05-27 1993-05-06 Siemens Ag Aetzverfahren zum erzeugen von lochoeffnungen oder graeben in n-dotiertem silizium.
US4966663A (en) * 1988-09-13 1990-10-30 Nanostructures, Inc. Method for forming a silicon membrane with controlled stress
US5006487A (en) * 1989-07-27 1991-04-09 Honeywell Inc. Method of making an electrostatic silicon accelerometer
DE4000496A1 (de) * 1989-08-17 1991-02-21 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur strukturierung eines halbleiterkoerpers
DE4000903C1 (ja) * 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US4995954A (en) * 1990-02-12 1991-02-26 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Porous siliconformation and etching process for use in silicon micromachining
DE4016472A1 (de) * 1990-05-22 1991-11-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung von mikromechanischen sensoren mit ueberlastsicherung
CN1018844B (zh) * 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
CN1027011C (zh) * 1990-07-12 1994-12-14 涂相征 一种硅梁压阻加速度传感器及其制造方法
DE4126954C2 (de) * 1991-08-14 1994-05-05 Fraunhofer Ges Forschung Verwendung einer mikroporösen Siliziumstruktur als photolumineszente Struktur
US5277769A (en) * 1991-11-27 1994-01-11 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Electrochemical thinning of silicon
US5338416A (en) * 1993-02-05 1994-08-16 Massachusetts Institute Of Technology Electrochemical etching process

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09119912A (ja) * 1995-06-30 1997-05-06 Motorola Semiconducteurs Sa 半導体センサ装置およびその形成方法
JP2007525330A (ja) * 2003-07-04 2007-09-06 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 有用な層を分離する方法および前記方法によって得られるコンポーネント
JP2009065042A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Mitsubishi Electric Corp 高周波受動素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE4331798B4 (de) 2004-08-26
DE4331798A1 (de) 1995-03-23
US5542558A (en) 1996-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07153973A (ja) マイクロメカニカル構成素子の製造方法
US7566939B2 (en) Fabrication of silicon micro-mechanical structures
JP2002200599A (ja) 三次元構造体の作製方法
JP3950628B2 (ja) 広範囲メンブランマスクを製造する方法
JP2010129820A (ja) 半導体装置
US6514786B1 (en) Method of manufacturing acceleration sensor
Kuhl et al. Formation of porous silicon using an ammonium fluoride based electrolyte for application as a sacrificial layer
KR940010316A (ko) 전하저장전극 제조 방법
JPH11186566A (ja) 微小装置の製造方法
KR100605368B1 (ko) Ｓｏｉ기판, 그 제조방법, 그리고, 그 ｓｏｉ기판을이용한 부유 구조체 제조 방법
KR19980016031A (ko) 실리콘 미세 기계의 제조방법
JPH08315969A (ja) マイクロヒーターとその製造方法及びガスセンサー
US6217647B1 (en) Method for producing a monocrystalline layer of a conducting or semiconducting material
KR100451990B1 (ko) 반도체소자 제조방법
JPH09246159A (ja) 位置合せ用マークを用いた半導体装置の製法
JPH1187489A (ja) ポーラスシリコンを用いた素子分離膜形成方法
JP3533822B2 (ja) 半導体力学量センサの製造方法
US20040048437A1 (en) Method of making oxide embedded transistor structures
US10221066B2 (en) Process for manufacturing a microelectromechanical interaction system for a storage medium
TW409405B (en) Manufacture method of crown type charge storage electrode
JPS59195823A (ja) 電極形成方法
JP2853325B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP0243392A1 (en) A method of producing isolated silicon structures
JPH06267927A (ja) ＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法
JPH118303A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051117

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051209