JPH09119912A - 半導体センサ装置およびその形成方法 - Google Patents
半導体センサ装置およびその形成方法Info
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- JPH09119912A JPH09119912A JP8186774A JP18677496A JPH09119912A JP H09119912 A JPH09119912 A JP H09119912A JP 8186774 A JP8186774 A JP 8186774A JP 18677496 A JP18677496 A JP 18677496A JP H09119912 A JPH09119912 A JP H09119912A
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- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体センサ装置の電力消費を低減すると共
に製造工程を単純化しかつ有毒な化学薬品を不要とす
る。 【解決手段】 半導体センサ装置を形成する方法は基板
４を準備しかつ該基板上に犠牲層１８を形成する段階を
含む。犠牲層１８は次にパターニングおよびエッチング
されて基板４上に一部１９を残す。基板４および犠牲層
の一部１９の上に第１のアイソレーション層６が形成さ
れ、かつセンサ装置のヒータを提供する導電層１２が第
１のアイソレーション層６の上に形成される。犠牲層の
一部１９が次に選択的にエッチングされて第１のアイソ
レーション層６と基板４の間に空洞１０を形成し、該空
洞１０はヒータと基板の間の熱的隔離を与える。
に製造工程を単純化しかつ有毒な化学薬品を不要とす
る。 【解決手段】 半導体センサ装置を形成する方法は基板
４を準備しかつ該基板上に犠牲層１８を形成する段階を
含む。犠牲層１８は次にパターニングおよびエッチング
されて基板４上に一部１９を残す。基板４および犠牲層
の一部１９の上に第１のアイソレーション層６が形成さ
れ、かつセンサ装置のヒータを提供する導電層１２が第
１のアイソレーション層６の上に形成される。犠牲層の
一部１９が次に選択的にエッチングされて第１のアイソ
レーション層６と基板４の間に空洞１０を形成し、該空
洞１０はヒータと基板の間の熱的隔離を与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体センサ装置
および半導体センサ装置を形成する方法に関する。より
詳細には、この発明は半導体化学センサおよびそれらの
製造方法に関する。
および半導体センサ装置を形成する方法に関する。より
詳細には、この発明は半導体化学センサおよびそれらの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学センサは液体または気体での与えら
れた化学種または化学物質の濃度を監視する装置であ
る。化学センサは、例えば、業務環境および家庭環境に
おける有毒なまたは爆発性の気体の危険レベルを検出す
るために使用される。
れた化学種または化学物質の濃度を監視する装置であ
る。化学センサは、例えば、業務環境および家庭環境に
おける有毒なまたは爆発性の気体の危険レベルを検出す
るために使用される。
【０００３】典型的には、化学センサは該センサによっ
て検出されるべき特定の化学製品に敏感な、感応層（ｓ
ｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）およびヒータを備えて
いる。該ヒータは前記感応層の温度を上昇させてセンサ
の感度および選択性を増大させる。
て検出されるべき特定の化学製品に敏感な、感応層（ｓ
ｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）およびヒータを備えて
いる。該ヒータは前記感応層の温度を上昇させてセンサ
の感度および選択性を増大させる。
【０００４】例えばセラミック基板の上に形成されたセ
ンサのような、ハイブリッド技術を使用して形成された
化学センサがよく知られている。また、センサとヒータ
がシリコン基板上に集積された半導体化学センサを製造
することも知られている。
ンサのような、ハイブリッド技術を使用して形成された
化学センサがよく知られている。また、センサとヒータ
がシリコン基板上に集積された半導体化学センサを製造
することも知られている。
【０００５】しかしながら、これらの知られた化学セン
サはヒータと基板との間の熱的隔離が良好ではなく、そ
の結果大きな電力消費を生じている。
サはヒータと基板との間の熱的隔離が良好ではなく、そ
の結果大きな電力消費を生じている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体化学センサにお
ける電力消費を低減するために、バルクのシリコンの後
部をミクロ機械加工してヒータの下に薄い膜（ｍｅｍｂ
ｒａｎｅ）を形成することが提案されている。該膜の厚
さは２ミクロンのオーダである。薄い膜は電力消費を低
減するが、薄い膜は壊れやすくかつ製造の間に破損する
傾向があり、その結果歩留りの損失を生じる。さらに、
前記膜の壊れやすさに鑑みて、センサは自動的によりも
むしろ人手により取り扱われなければならず、これは極
めて時間を浪費しかつしたがって製造のコストを増大さ
せる。
ける電力消費を低減するために、バルクのシリコンの後
部をミクロ機械加工してヒータの下に薄い膜（ｍｅｍｂ
ｒａｎｅ）を形成することが提案されている。該膜の厚
さは２ミクロンのオーダである。薄い膜は電力消費を低
減するが、薄い膜は壊れやすくかつ製造の間に破損する
傾向があり、その結果歩留りの損失を生じる。さらに、
前記膜の壊れやすさに鑑みて、センサは自動的によりも
むしろ人手により取り扱われなければならず、これは極
めて時間を浪費しかつしたがって製造のコストを増大さ
せる。
【０００７】米国特許第５，３４５，２１３号は前記膜
が表面ミクロ機械加工およびエチレンジアミン−ピロカ
テコール−水−ピラジン（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉ
ｎｅ−ｐｙｒｏｃａｔｅｃｈｏｌ−ｗａｔｅｒ−ｐｙｒ
ａｚｉｎｅ：ＥＤＰ）の混合物を使用して前記膜の下を
エッチングすることにより形成される半導体化学センサ
の製造方法を述べている。しかしながら、ＥＤＰは発癌
性物質であると信じられている極めて危険な化学製品で
ある。そのような化学製品を使用することを避けるのが
好ましい。
が表面ミクロ機械加工およびエチレンジアミン−ピロカ
テコール−水−ピラジン（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉ
ｎｅ−ｐｙｒｏｃａｔｅｃｈｏｌ−ｗａｔｅｒ−ｐｙｒ
ａｚｉｎｅ：ＥＤＰ）の混合物を使用して前記膜の下を
エッチングすることにより形成される半導体化学センサ
の製造方法を述べている。しかしながら、ＥＤＰは発癌
性物質であると信じられている極めて危険な化学製品で
ある。そのような化学製品を使用することを避けるのが
好ましい。
【０００８】したがって、上に述べた従来技術の問題を
生じることのない、改善された半導体センサ装置および
半導体センサ装置における電力消費を低減する改善され
た方法を提供するのが望ましい。
生じることのない、改善された半導体センサ装置および
半導体センサ装置における電力消費を低減する改善され
た方法を提供するのが望ましい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態樣によ
れば、半導体センサ装置を形成する方法が提供され、該
方法は、基板を提供する段階、前記基板の上部に犠牲層
（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ ｌａｙｅｒ）を形成する段
階、前記犠牲層をパターニングしかつエッチングして前
記基板上に一部を残す段階、前記基板および前記犠牲層
の部分の上部に第１のアイソレーション層を形成する段
階、前記第１のアイソレーション層の上部に導電層を形
成する段階であって、該導電層は前記センサ装置のため
のヒータを提供するもの、前記犠牲層の部分を選択的に
エッチングして前記第１のアイソレーション層と前記基
板との間に空洞を形成する段階であって、該空洞は前記
ヒータと前記基板との間の熱的隔離を提供するもの、前
記導電層の上部に第２のアイソレーション層を形成する
段階、そして前記第２のアイソレーション層の上部に感
応層を形成する段階、を具備する。
れば、半導体センサ装置を形成する方法が提供され、該
方法は、基板を提供する段階、前記基板の上部に犠牲層
（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ ｌａｙｅｒ）を形成する段
階、前記犠牲層をパターニングしかつエッチングして前
記基板上に一部を残す段階、前記基板および前記犠牲層
の部分の上部に第１のアイソレーション層を形成する段
階、前記第１のアイソレーション層の上部に導電層を形
成する段階であって、該導電層は前記センサ装置のため
のヒータを提供するもの、前記犠牲層の部分を選択的に
エッチングして前記第１のアイソレーション層と前記基
板との間に空洞を形成する段階であって、該空洞は前記
ヒータと前記基板との間の熱的隔離を提供するもの、前
記導電層の上部に第２のアイソレーション層を形成する
段階、そして前記第２のアイソレーション層の上部に感
応層を形成する段階、を具備する。
【００１０】本発明の上記第１の態樣に係わる半導体セ
ンサ装置はまた添付の特許請求の範囲の請求項１２に開
示されかつ特許請求されている。
ンサ装置はまた添付の特許請求の範囲の請求項１２に開
示されかつ特許請求されている。
【００１１】前記パターニングおよびエッチングを行な
う段階は前記犠牲層をパターニングおよびエッチングし
て前記基板の上に第１および第２の部分を残す段階を備
えることができ、前記犠牲層の前記第１および第２の部
分は選択的にエッチングされて前記第１のアイソレーシ
ョン層と前記基板との間に第１および第２の空洞を提供
する。センサ装置の膜を形成する前記第１のアイソレー
ション層のために付加的な支持が必要とされる大きな表
面積を有する半導体センサ装置においては１つより多く
の空洞を持つことが特に有利である。
う段階は前記犠牲層をパターニングおよびエッチングし
て前記基板の上に第１および第２の部分を残す段階を備
えることができ、前記犠牲層の前記第１および第２の部
分は選択的にエッチングされて前記第１のアイソレーシ
ョン層と前記基板との間に第１および第２の空洞を提供
する。センサ装置の膜を形成する前記第１のアイソレー
ション層のために付加的な支持が必要とされる大きな表
面積を有する半導体センサ装置においては１つより多く
の空洞を持つことが特に有利である。
【００１２】さらに、１つより多くの空洞を有する半導
体センサ装置は同じ基板上に１つより多くのセンサ素子
を持つことができ、各々のセンサ素子は他のセンサ素子
から熱的に隔離される。異なるセンサ素子の温度は異な
る値に設定することができ、それによってセンサ素子が
種々のまたは異なる応答を持つようにすることができ
る。
体センサ装置は同じ基板上に１つより多くのセンサ素子
を持つことができ、各々のセンサ素子は他のセンサ素子
から熱的に隔離される。異なるセンサ素子の温度は異な
る値に設定することができ、それによってセンサ素子が
種々のまたは異なる応答を持つようにすることができ
る。
【００１３】本発明の第２の態樣によれば、半導体セン
サ装置を形成する方法が提供され、該方法は、基板を提
供する段階、前記基板の上部に第１のアイソレーション
層を形成する段階、前記第１のアイソレーション層およ
び前記基板をエッチングしてトレンチを形成する段階、
前記トレンチを犠牲材料で充填する段階、前記第１のア
イソレーション層および前記トレンチ内の犠牲材料の上
部に導電層を形成する段階であって、該導電層は前記セ
ンサ装置のためのヒータを提供するもの、前記トレンチ
の犠牲材料を選択的にエッチングして前記導電層と前記
基板との間に空洞を形成し前記ヒータと前記基板との間
に熱的隔離を与える段階、前記導電層の上部に第２のア
イソレーション層を形成する段階、そして前記第２のア
イソレーション層の上部に感応層を形成する段階、を具
備する。
サ装置を形成する方法が提供され、該方法は、基板を提
供する段階、前記基板の上部に第１のアイソレーション
層を形成する段階、前記第１のアイソレーション層およ
び前記基板をエッチングしてトレンチを形成する段階、
前記トレンチを犠牲材料で充填する段階、前記第１のア
イソレーション層および前記トレンチ内の犠牲材料の上
部に導電層を形成する段階であって、該導電層は前記セ
ンサ装置のためのヒータを提供するもの、前記トレンチ
の犠牲材料を選択的にエッチングして前記導電層と前記
基板との間に空洞を形成し前記ヒータと前記基板との間
に熱的隔離を与える段階、前記導電層の上部に第２のア
イソレーション層を形成する段階、そして前記第２のア
イソレーション層の上部に感応層を形成する段階、を具
備する。
【００１４】本発明のこの第２の態樣に係わる半導体セ
ンサ装置はまた添付の特許請求の範囲の請求項１３に開
示されかつ特許請求されている。
ンサ装置はまた添付の特許請求の範囲の請求項１３に開
示されかつ特許請求されている。
【００１５】前記第１のアイソレーション層および前記
基板をエッチングする段階は前記第１のアイソレーショ
ン層および前記基板をエッチングして第１および第２の
トレンチを形成する段階を備えることができ、この場合
前記第１および第２のトレンチにおける犠牲材料は選択
的にエッチングされて前記導電層と前記基板との間に第
１および第２の空洞を形成する。前に述べたように、１
つより多くの空洞を有することはセンサ装置の膜を形成
する導電層のために付加的な支持を必要とする大きな表
面積を有する半導体センサ装置において特に有利であ
る。
基板をエッチングする段階は前記第１のアイソレーショ
ン層および前記基板をエッチングして第１および第２の
トレンチを形成する段階を備えることができ、この場合
前記第１および第２のトレンチにおける犠牲材料は選択
的にエッチングされて前記導電層と前記基板との間に第
１および第２の空洞を形成する。前に述べたように、１
つより多くの空洞を有することはセンサ装置の膜を形成
する導電層のために付加的な支持を必要とする大きな表
面積を有する半導体センサ装置において特に有利であ
る。
【００１６】本発明の第３の態樣によれば、前記方法は
さらに前記導電層の下に第３のアイソレーション層を形
成する段階を備え、該第３のアイソレーション層は前記
空洞の上部に前記膜を形成する。
さらに前記導電層の下に第３のアイソレーション層を形
成する段階を備え、該第３のアイソレーション層は前記
空洞の上部に前記膜を形成する。
【００１７】上記本発明の種々の異なる態樣に係わる半
導体装置を形成する方法は全て前記基板とヒータとの間
に熱的隔離を与える少なくとも１つの空洞を有する半導
体センサ装置を提供する。少なくとも１つの空洞を持つ
ことにより、本発明に係わる半導体センサ装置は低減さ
れた熱損失および電力消費を有するが装置の取り扱いを
困難にする壊れやすい膜を持たない。さらに、本発明は
前記ＥＤＰのような、危険な化学薬品を製造プロセスに
おいて使用する必要をなくする。
導体装置を形成する方法は全て前記基板とヒータとの間
に熱的隔離を与える少なくとも１つの空洞を有する半導
体センサ装置を提供する。少なくとも１つの空洞を持つ
ことにより、本発明に係わる半導体センサ装置は低減さ
れた熱損失および電力消費を有するが装置の取り扱いを
困難にする壊れやすい膜を持たない。さらに、本発明は
前記ＥＤＰのような、危険な化学薬品を製造プロセスに
おいて使用する必要をなくする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明に係わる半導体センサ装置
および本発明に係わる３つの半導体センサ装置を形成す
る方法につき、実例のみによって、添付の図面を参照し
て説明する。
および本発明に係わる３つの半導体センサ装置を形成す
る方法につき、実例のみによって、添付の図面を参照し
て説明する。
【００１９】始めに図１を参照すると、本発明の第１の
実施形態に係わる半導体センサ装置２は基板４、ブリッ
ジ８を形成するために前記基板４の上部に形成された第
１のアイソレーション層６を備えて示されており、前記
第１のアイソレーション層６と基板４との間に空洞１０
が形成される。半導体センサ装置２のヒータを形成する
層である、導電層１２が第１のアイソレーション層６の
上に形成される。前記ヒータに電圧を供給するための電
極は示されていない。前記空洞１０は前記第１のアイソ
レーション層６および前記基板４の間に熱的隔離を与え
る。ここに示した実施形態においては、空洞１０は空気
で満たされるが、該空洞は良好な熱的絶縁を与える任意
の材料で満たすことができる。
実施形態に係わる半導体センサ装置２は基板４、ブリッ
ジ８を形成するために前記基板４の上部に形成された第
１のアイソレーション層６を備えて示されており、前記
第１のアイソレーション層６と基板４との間に空洞１０
が形成される。半導体センサ装置２のヒータを形成する
層である、導電層１２が第１のアイソレーション層６の
上に形成される。前記ヒータに電圧を供給するための電
極は示されていない。前記空洞１０は前記第１のアイソ
レーション層６および前記基板４の間に熱的隔離を与え
る。ここに示した実施形態においては、空洞１０は空気
で満たされるが、該空洞は良好な熱的絶縁を与える任意
の材料で満たすことができる。
【００２０】第２のアイソレーション層１４が前記導電
層１２の上に形成され、かつ感応層１６が前記第２のア
イソレーション層１４の上に形成される。
層１２の上に形成され、かつ感応層１６が前記第２のア
イソレーション層１４の上に形成される。
【００２１】前記感応層１６はセンサ装置によって検知
されるべき化学種または化学物質（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓｐｅｃｉｅｓ）に敏感なものである。例えば、一酸化
炭素（ｃａｒｂｏｎ ｍｏｎｏｘｉｄｅ）センサにおい
ては、感応層１６は典型的には酸化スズ（ｔｉｎ ｏｘ
ｉｄｅ）層から構成される。
されるべき化学種または化学物質（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓｐｅｃｉｅｓ）に敏感なものである。例えば、一酸化
炭素（ｃａｒｂｏｎ ｍｏｎｏｘｉｄｅ）センサにおい
ては、感応層１６は典型的には酸化スズ（ｔｉｎ ｏｘ
ｉｄｅ）層から構成される。
【００２２】したがって、犠牲層の上に、センサ膜（ｓ
ｅｎｓｏｒ ｍｅｍｂｒａｎｅ）を形成するアイソレー
ション層を形成しかつ次に前記犠牲層をエッチングして
前記膜と基板との間に空洞を提供することにより、本発
明はヒータと基板との間に熱的隔離を与えるが、上に述
べた従来技術の装置における問題は有していない。本発
明に係わる半導体センサ装置は取り扱う上で壊れやすい
装置を提供することなく低減された熱損失および低減さ
れた電力消費を与える。さらに、そのような装置の製造
において何らの危険な化学薬品をも必要としない。
ｅｎｓｏｒ ｍｅｍｂｒａｎｅ）を形成するアイソレー
ション層を形成しかつ次に前記犠牲層をエッチングして
前記膜と基板との間に空洞を提供することにより、本発
明はヒータと基板との間に熱的隔離を与えるが、上に述
べた従来技術の装置における問題は有していない。本発
明に係わる半導体センサ装置は取り扱う上で壊れやすい
装置を提供することなく低減された熱損失および低減さ
れた電力消費を与える。さらに、そのような装置の製造
において何らの危険な化学薬品をも必要としない。
【００２３】次に図１〜図７を参照して本発明の第１の
実施形態に係わる半導体センサ装置を形成する方法につ
き説明する。
実施形態に係わる半導体センサ装置を形成する方法につ
き説明する。
【００２４】始めに、基板４が準備されかつ犠牲層１８
が基板４の上に形成される（図２）。該犠牲層は、技術
的によく知られている方法で、パターニングされかつエ
ッチングされて基板４の上に犠牲層の一部１９を残す
（図３）。第１のアイソレーション層６が前記基板の上
にかつ部分的に前記犠牲層の前記一部１９の上に形成さ
れる（図４）。図６から分かるように、前記第１のアイ
ソレーション層６は前記犠牲層の前記一部１９の部分２
１が引き続くエッチングのために露出された状態に残さ
れるようにパターニングされかつエッチングされる。
が基板４の上に形成される（図２）。該犠牲層は、技術
的によく知られている方法で、パターニングされかつエ
ッチングされて基板４の上に犠牲層の一部１９を残す
（図３）。第１のアイソレーション層６が前記基板の上
にかつ部分的に前記犠牲層の前記一部１９の上に形成さ
れる（図４）。図６から分かるように、前記第１のアイ
ソレーション層６は前記犠牲層の前記一部１９の部分２
１が引き続くエッチングのために露出された状態に残さ
れるようにパターニングされかつエッチングされる。
【００２５】導電層１２が前記第１のアイソレーション
層６の上に（図５）しかしながら前記犠牲層の前記一部
１９の露出部分２１の上には存在しないように形成され
る（図７を参照）。前記犠牲層の一部１９は次に、好ま
しくは液体のエッチング剤を使用して、等方性エッチン
グ（縦方向および横方向エッチング）を使用して選択的
にエッチングされる。使用されるエッチング剤のタイプ
は犠牲層１８、アイソレーション層６および導電層１２
の材料に依存する。もし、例えば、犠牲層が酸化シリコ
ン層からなり、アイソレーション層が窒化シリコン層か
らなりかつ導電層が多結晶シリコン層からなるものであ
れば、前記酸化シリコン犠牲層の一部を選択的にエッチ
ングするために液体フッ化水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｆ
ｌｕｏｒｉｄｅ）を使用することができる。
層６の上に（図５）しかしながら前記犠牲層の前記一部
１９の露出部分２１の上には存在しないように形成され
る（図７を参照）。前記犠牲層の一部１９は次に、好ま
しくは液体のエッチング剤を使用して、等方性エッチン
グ（縦方向および横方向エッチング）を使用して選択的
にエッチングされる。使用されるエッチング剤のタイプ
は犠牲層１８、アイソレーション層６および導電層１２
の材料に依存する。もし、例えば、犠牲層が酸化シリコ
ン層からなり、アイソレーション層が窒化シリコン層か
らなりかつ導電層が多結晶シリコン層からなるものであ
れば、前記酸化シリコン犠牲層の一部を選択的にエッチ
ングするために液体フッ化水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｆ
ｌｕｏｒｉｄｅ）を使用することができる。
【００２６】犠牲層の一部１９が選択的に除去された
後、空洞１０が前記第１のアイソレーション層６と前記
基板４との間に設けられる。すなわち、第１のアイソレ
ーション層６がブリッジ８を形成する。
後、空洞１０が前記第１のアイソレーション層６と前記
基板４との間に設けられる。すなわち、第１のアイソレ
ーション層６がブリッジ８を形成する。
【００２７】第２のアイソレーション層１４が導電層１
２の上に形成されかつ感応層（ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌ
ａｙｅｒ）１６が第２のアイソレーション層１４の上に
形成される（図１）。
２の上に形成されかつ感応層（ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌ
ａｙｅｒ）１６が第２のアイソレーション層１４の上に
形成される（図１）。
【００２８】本発明の第１の実施形態に係わる半導体セ
ンサ装置は今まで１つの空洞１０を持つものとして説明
してきた。しかしながら、本発明に係わるセンサ装置
は、例えば図８に示されるように、２つまたはそれ以上
の空洞を持つものとすることができる。これは大きな表
面積を有するセンサにとって特に有利である。
ンサ装置は今まで１つの空洞１０を持つものとして説明
してきた。しかしながら、本発明に係わるセンサ装置
は、例えば図８に示されるように、２つまたはそれ以上
の空洞を持つものとすることができる。これは大きな表
面積を有するセンサにとって特に有利である。
【００２９】２つまたはそれ以上の空洞を有する半導体
センサ装置を提供することのさらに他の利点はそれが熱
的に遮断された異なるセンサ素子を同じチップ上に持つ
ことができるという選択肢を与えることである。そのよ
うな装置では、異なるセンサ素子の温度を異なる値に設
定して該センサ素子から異なる応答を得ることができ
る。
センサ装置を提供することのさらに他の利点はそれが熱
的に遮断された異なるセンサ素子を同じチップ上に持つ
ことができるという選択肢を与えることである。そのよ
うな装置では、異なるセンサ素子の温度を異なる値に設
定して該センサ素子から異なる応答を得ることができ
る。
【００３０】そのようなセンサ装置を形成するために
は、前記犠牲層の一部１９が２つ形成されかつ次に選択
的にエッチングされるように上に述べた方法を変更す
る。
は、前記犠牲層の一部１９が２つ形成されかつ次に選択
的にエッチングされるように上に述べた方法を変更す
る。
【００３１】例えば、一酸化炭素のセンサ装置では、前
記異なる層の材料は次の通りである。酸化シリコンの犠
牲層がシリコン基板上に形成される。第１のアイソレー
ション層は窒化シリコンから構成される。前記導電層は
多結晶シリコン材料から形成される。第２のアイソレー
ション層は酸化シリコンから構成される。前記感応層は
酸化スズから構成される。しかしながら、本発明はこれ
らの種類の層に限定されるものではなくかつ一酸化炭素
のセンサに限定されるものではない。当業者は本明細書
の記載に基づき種々の半導体およびアイソレーション材
料を使用できることを理解するであろう。例えば、前記
アイソレーション層はオキシナイトライド（ｏｘｙｎｉ
ｔｒｉｄｅ）、酸化物、または窒化物から形成でき、前
記犠牲層は酸化物、ドーピングされた酸化物（ｄｏｐｅ
ｄ ｏｘｉｄｅ）、またはポリイミドから形成でき、前
記導電層はポリ（ｐｏｌｙ）または金属から形成でき、
かつ前記感応層は数多くの異なる種類の金属酸化物の１
つから形成できる。
記異なる層の材料は次の通りである。酸化シリコンの犠
牲層がシリコン基板上に形成される。第１のアイソレー
ション層は窒化シリコンから構成される。前記導電層は
多結晶シリコン材料から形成される。第２のアイソレー
ション層は酸化シリコンから構成される。前記感応層は
酸化スズから構成される。しかしながら、本発明はこれ
らの種類の層に限定されるものではなくかつ一酸化炭素
のセンサに限定されるものではない。当業者は本明細書
の記載に基づき種々の半導体およびアイソレーション材
料を使用できることを理解するであろう。例えば、前記
アイソレーション層はオキシナイトライド（ｏｘｙｎｉ
ｔｒｉｄｅ）、酸化物、または窒化物から形成でき、前
記犠牲層は酸化物、ドーピングされた酸化物（ｄｏｐｅ
ｄ ｏｘｉｄｅ）、またはポリイミドから形成でき、前
記導電層はポリ（ｐｏｌｙ）または金属から形成でき、
かつ前記感応層は数多くの異なる種類の金属酸化物の１
つから形成できる。
【００３２】次に図９を参照すると、本発明の第２の実
施形態に係わる半導体センサ装置２２が示されており、
該センサ装置２２は基板２４、該基板２４の上に形成さ
れた第１のアイソレーション層２６、該第１のアイソレ
ーション層２６を通り下方向にかつ基板２４内に伸びて
いるトレンチ２５、そして前記第１のアイソレーション
層２６およびトレンチ２５の上部に形成された導電層３
２を具備し、該導電層３２は該導電層３２とトレンチ２
５の底部との間に空洞３０を提供する。前記導電層３２
は半導体センサ装置２２のヒータを形成する。該ヒータ
に電圧を供給するための電極は示されていない。前記空
洞３０は前記導電層３２と基板２４との間に熱的アイソ
レーションを与える。ここに説明する実施形態では、空
洞１０は空気で満たされているが、該空洞は良好な熱的
絶縁を与える任意の材料で充填することができる。第２
のアイソレーション層３４が前記導電層３２の上部に形
成されかつ感応層３６が前記第２のアイソレーション層
３４の上部に形成される。前記感応層３６はセンサ装置
によって検知されるべき化学種または物質に敏感なもの
である。例えば、一酸化炭素のセンサにおいては、前記
感応層２６は典型的には酸化スズ層から構成される。
施形態に係わる半導体センサ装置２２が示されており、
該センサ装置２２は基板２４、該基板２４の上に形成さ
れた第１のアイソレーション層２６、該第１のアイソレ
ーション層２６を通り下方向にかつ基板２４内に伸びて
いるトレンチ２５、そして前記第１のアイソレーション
層２６およびトレンチ２５の上部に形成された導電層３
２を具備し、該導電層３２は該導電層３２とトレンチ２
５の底部との間に空洞３０を提供する。前記導電層３２
は半導体センサ装置２２のヒータを形成する。該ヒータ
に電圧を供給するための電極は示されていない。前記空
洞３０は前記導電層３２と基板２４との間に熱的アイソ
レーションを与える。ここに説明する実施形態では、空
洞１０は空気で満たされているが、該空洞は良好な熱的
絶縁を与える任意の材料で充填することができる。第２
のアイソレーション層３４が前記導電層３２の上部に形
成されかつ感応層３６が前記第２のアイソレーション層
３４の上部に形成される。前記感応層３６はセンサ装置
によって検知されるべき化学種または物質に敏感なもの
である。例えば、一酸化炭素のセンサにおいては、前記
感応層２６は典型的には酸化スズ層から構成される。
【００３３】本発明の第２の実施形態に係わる半導体装
置を形成する方法につき図９〜図１３を参照して説明す
る。
置を形成する方法につき図９〜図１３を参照して説明す
る。
【００３４】まず、基板２４が準備されかつ第１のアイ
ソレーション層２６が該基板２４の上部に形成される
（図１０）。該第１のアイソレーション層２６は基板２
４と共にパターニングされかつエッチングされて前記第
１のアイソレーション層２６を通り基板２４内にトレン
チ２５を形成する（図１１）。シリコン基板上に形成さ
れた窒化シリコンアイソレーション層に対しては、水酸
化カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄ
ｅ）エッチング剤を使用した化学エッチングを使用して
トレンチ２５を形成できる。プラズマエッチングのよう
な、他の形式のエッチングも使用できる。
ソレーション層２６が該基板２４の上部に形成される
（図１０）。該第１のアイソレーション層２６は基板２
４と共にパターニングされかつエッチングされて前記第
１のアイソレーション層２６を通り基板２４内にトレン
チ２５を形成する（図１１）。シリコン基板上に形成さ
れた窒化シリコンアイソレーション層に対しては、水酸
化カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄ
ｅ）エッチング剤を使用した化学エッチングを使用して
トレンチ２５を形成できる。プラズマエッチングのよう
な、他の形式のエッチングも使用できる。
【００３５】トレンチ２５を充填するように前記第１の
アイソレーション層２６の上に犠牲層が形成される。該
犠牲層は次にエッチングされて前記第１のアイソレーシ
ョン層２６の上の犠牲層の一部を除去しかつトレンチ２
５を充填する部分３９を残すようにされる。しかしなが
ら、第１のアイソレーション層２６から全ての犠牲層を
除去する必要はない。図１２に示されるように、犠牲層
の部分３９はまた第１のアイソレーション層２６にわた
り延在してもよい。
アイソレーション層２６の上に犠牲層が形成される。該
犠牲層は次にエッチングされて前記第１のアイソレーシ
ョン層２６の上の犠牲層の一部を除去しかつトレンチ２
５を充填する部分３９を残すようにされる。しかしなが
ら、第１のアイソレーション層２６から全ての犠牲層を
除去する必要はない。図１２に示されるように、犠牲層
の部分３９はまた第１のアイソレーション層２６にわた
り延在してもよい。
【００３６】導電層３２が、引き続くエッチングに対し
て犠牲層の部分３９の一部を露出状態に残すように前記
第１のアイソレーション層２６の上にかつ部分的に前記
犠牲層の部分３９の上に形成される（図１３）。前記犠
牲層の部分３９は次に、好ましくは液体エッチング剤を
使用して、等方性エッチング（縦方向および横方向エッ
チング）を用いて選択的にエッチングされる。使用され
るエッチング剤のタイプは前記犠牲層、第１のアイソレ
ーション層２６および導電層３２の材料に依存する。例
えば、前記犠牲層がポリイミド層からなり、前記第１の
アイソレーション層が窒化シリコン層から構成されかつ
前記導電層がポリシリコン層から構成されれば、前記ポ
リイミド犠牲層の一部を選択的にエッチングするための
エッチング剤として液体のフッ化水素（ｈｙｄｒｏｇｅ
ｎ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）が使用できる。ＳＯＧおよび酸
化シリコンのような他の材料もトレンチを充填するため
に犠牲層を形成する上で使用できる。
て犠牲層の部分３９の一部を露出状態に残すように前記
第１のアイソレーション層２６の上にかつ部分的に前記
犠牲層の部分３９の上に形成される（図１３）。前記犠
牲層の部分３９は次に、好ましくは液体エッチング剤を
使用して、等方性エッチング（縦方向および横方向エッ
チング）を用いて選択的にエッチングされる。使用され
るエッチング剤のタイプは前記犠牲層、第１のアイソレ
ーション層２６および導電層３２の材料に依存する。例
えば、前記犠牲層がポリイミド層からなり、前記第１の
アイソレーション層が窒化シリコン層から構成されかつ
前記導電層がポリシリコン層から構成されれば、前記ポ
リイミド犠牲層の一部を選択的にエッチングするための
エッチング剤として液体のフッ化水素（ｈｙｄｒｏｇｅ
ｎ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）が使用できる。ＳＯＧおよび酸
化シリコンのような他の材料もトレンチを充填するため
に犠牲層を形成する上で使用できる。
【００３７】犠牲層の部分３９を選択的に除去した後、
空洞３０が前記導電層３２と基板２４内の前記トレンチ
２５の底部との間に提供される。すなわち、導電層３２
はブリッジ２８を形成する。
空洞３０が前記導電層３２と基板２４内の前記トレンチ
２５の底部との間に提供される。すなわち、導電層３２
はブリッジ２８を形成する。
【００３８】第２のアイソレーション層３４、例えば酸
化シリコン層、が前記導電層３２の上部に形成され、か
つ感応層３６が該第２のアイソレーション層３４の上に
形成される（図９）。
化シリコン層、が前記導電層３２の上部に形成され、か
つ感応層３６が該第２のアイソレーション層３４の上に
形成される（図９）。
【００３９】本発明の第２の実施形態に係わる半導体セ
ンサ装置は今まで１つの空洞３０を有するものとして説
明した。しかしながら、前記第１の実施形態と同様に、
本発明の第２の実施形態に係わるセンサ装置は、例えば
図１４に示されるように、２つまたはそれ以上の空洞を
備えたものとすることができる。
ンサ装置は今まで１つの空洞３０を有するものとして説
明した。しかしながら、前記第１の実施形態と同様に、
本発明の第２の実施形態に係わるセンサ装置は、例えば
図１４に示されるように、２つまたはそれ以上の空洞を
備えたものとすることができる。
【００４０】そのようなセンサ装置を形成するために
は、２つのトレンチが形成されかつ犠牲材料で充填さ
れ、該犠牲材料は次に選択的にエッチングされるよう
に、上記方法を変更する。
は、２つのトレンチが形成されかつ犠牲材料で充填さ
れ、該犠牲材料は次に選択的にエッチングされるよう
に、上記方法を変更する。
【００４１】次に図１５を参照すると、本発明の第３の
実施形態に係わる半導体センサ装置４２が示されてい
る。該第３の実施形態に係わる半導体センサ装置４２
は、例えば窒化シリコン層の、第３のアイソレーション
層４７が第１のアイソレーション層４６と導電層５２の
間に形成されていることを除き、前記第２の実施形態に
係わる半導体センサ装置２２と同様のものである。図１
５においては、図９〜図１４に関して説明しかつ示した
ものと同様の層は同じ参照番号に数２０を加えたもので
示されている。
実施形態に係わる半導体センサ装置４２が示されてい
る。該第３の実施形態に係わる半導体センサ装置４２
は、例えば窒化シリコン層の、第３のアイソレーション
層４７が第１のアイソレーション層４６と導電層５２の
間に形成されていることを除き、前記第２の実施形態に
係わる半導体センサ装置２２と同様のものである。図１
５においては、図９〜図１４に関して説明しかつ示した
ものと同様の層は同じ参照番号に数２０を加えたもので
示されている。
【００４２】本発明の第３の実施形態に係わる半導体セ
ンサ装置４２を形成する方法は上に述べた第２の実施形
態に係わる半導体センサ装置２２を形成する方法と同様
である。第１のアイソレーション層４６およびトレンチ
を充填する犠牲材料の一部の上に第３のアイソレーショ
ン層４７を形成するために付加的な工程が必要とされ
る。前記犠牲層の部分は第３のアイソレーション層４７
の上部に導電層５２を形成した後に選択的にエッチング
される。このプロセスは上に述べたように２つまたはそ
れ以上の空洞５０を設けるよう修正できる。
ンサ装置４２を形成する方法は上に述べた第２の実施形
態に係わる半導体センサ装置２２を形成する方法と同様
である。第１のアイソレーション層４６およびトレンチ
を充填する犠牲材料の一部の上に第３のアイソレーショ
ン層４７を形成するために付加的な工程が必要とされ
る。前記犠牲層の部分は第３のアイソレーション層４７
の上部に導電層５２を形成した後に選択的にエッチング
される。このプロセスは上に述べたように２つまたはそ
れ以上の空洞５０を設けるよう修正できる。
【００４３】
【発明の効果】本発明の第２および第３の実施形態も、
センサ装置の膜を形成するアイソレーション層または導
電層が犠牲層の上に形成されかつ該犠牲層が次に少なく
とも１つの空洞を提供するよう選択的にエッチングされ
る点で前記第１の実施形態のものと同様である。前に述
べたように、この構造は従来技術の装置のような問題を
生じることなく低減された熱損失および低減された電力
消費を可能にする。しかしながら、前記第２および第３
の実施形態は犠牲層を被着する前に少なくとも１つのト
レンチを提供するために基板をまずエッチングするとい
う付加的な工程を使用し、かつしたがってこれらの実施
形態は第１の実施形態と比較してより深い空洞を持つこ
とができる。より深い空洞を持つことは前記膜と基板と
の間の熱的アイソレーションを改善することができる。
センサ装置の膜を形成するアイソレーション層または導
電層が犠牲層の上に形成されかつ該犠牲層が次に少なく
とも１つの空洞を提供するよう選択的にエッチングされ
る点で前記第１の実施形態のものと同様である。前に述
べたように、この構造は従来技術の装置のような問題を
生じることなく低減された熱損失および低減された電力
消費を可能にする。しかしながら、前記第２および第３
の実施形態は犠牲層を被着する前に少なくとも１つのト
レンチを提供するために基板をまずエッチングするとい
う付加的な工程を使用し、かつしたがってこれらの実施
形態は第１の実施形態と比較してより深い空洞を持つこ
とができる。より深い空洞を持つことは前記膜と基板と
の間の熱的アイソレーションを改善することができる。
【００４４】以上の説明では、ある領域および層は特定
の材料であるものとして示されている。しかしながら、
これは単に説明の都合上のものであり本発明を制限する
ことを意図したものではない。
の材料であるものとして示されている。しかしながら、
これは単に説明の都合上のものであり本発明を制限する
ことを意図したものではない。
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる半導体センサ
装置の単純化した概略的断面図である。
装置の単純化した概略的断面図である。
【図２】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる図
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図３】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる図
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図４】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる図
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図５】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる図
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
１の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図６】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる図
１の半導体センサ装置の単純化した概略的平面図であ
る。
１の半導体センサ装置の単純化した概略的平面図であ
る。
【図７】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる図
１の半導体センサ装置の単純化した概略的平面図であ
る。
１の半導体センサ装置の単純化した概略的平面図であ
る。
【図８】図１に示される半導体センサ装置の別の実施形
態の単純化した概略的断面図である。
態の単純化した概略的断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係わる半導体センサ
装置の単純化した概略的断面図である。
装置の単純化した概略的断面図である。
【図１０】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図１１】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図１２】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図１３】異なる製造段階におけるかつ本発明に係わる
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
図９の半導体センサ装置の単純化した概略的断面図であ
る。
【図１４】図９に示される半導体センサ装置の別の実施
形態を示す単純化した概略的断面図である。
形態を示す単純化した概略的断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係わる半導体セン
サ装置を示す単純化した概略的断面図である。
サ装置を示す単純化した概略的断面図である。
２ 半導体センサ装置 ４ 基板 ６ 第１のアイソレーション層 ８ ブリッジ １０ 空洞 １２ 導電層 １４ 第２のアイソレーション層 １６ 感応層 １８ 犠牲層 １９ 犠牲層の一部 ２１ 露出部分 ２２ 半導体センサ装置 ２４ 基板 ２５ トレンチ ２６ 第１のアイソレーション層 ２８ ブリッジ ３０ 空洞 ３２ 導電層 ３４ 第２のアイソレーション層 ３６ 感応層 ３９ 犠牲層の一部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年８月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャン・ポール・ギルメット フランス国31400、トゥールーズ、シャミ ン・ド・アル・バーデット 28 (72)発明者 アンドレ・ペイル・ラビネ フランス国31120、トゥールーズ、アベニ ュー・デル・アールアイユー 15
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体センサ装置を形成する方法であっ
て、 基板を提供する段階、 該基板の上部に犠牲層を形成する段階、 前記犠牲層をパターニングしかつエッチングして前記基
板上に一部を残す段階、 前記基板および前記犠牲層の部分の上に第１のアイソレ
ーション層を形成する段階、 前記第１のアイソレーション層の上部に導電層を形成す
る段階であって、該導電層は前記センサ装置のためのヒ
ータを提供するもの、 前記犠牲層の部分を選択的にエッチングして前記第１の
アイソレーション層と前記基板との間に空洞を形成する
段階であって、該空洞は前記ヒータと前記基板との間に
熱的隔離を与えるもの、 前記導電層の上部に第２のアイソレーション層を形成す
る段階、そして前記第２のアイソレーション層の上部に
感応層を形成する段階、 を具備することを特徴とする半導体センサ装置の形成方
法。 - 【請求項２】 前記パターニングおよびエッチング段階
は、前記基板上に第１および第２の部分を残すよう前記
犠牲層をパターニングしかつエッチングする段階を含
み、前記犠牲層の前記第１および第２の部分は選択的に
エッチングされて前記第１のアイソレーション層と前記
基板との間に第１および第２の空洞を提供することを特
徴とする請求項１に記載の半導体センサ装置を形成する
方法。 - 【請求項３】 前記選択的エッチング段階は前記犠牲層
の一部の等方性選択エッチングを用いることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体センサ装置を形成する方法。 - 【請求項４】 前記選択的エッチング段階は液体のエッ
チング剤を使用することを特徴とする請求項１に記載の
半導体センサ装置を形成する方法。 - 【請求項５】 半導体センサ装置を形成する方法であっ
て、 基板を準備する段階、 前記基板の上部に第１のアイソレーション層を形成する
段階、 前記第１のアイソレーション層および基板をエッチング
してトレンチを形成する段階、 前記トレンチを犠牲材料で充電する段階、 前記第１のアイソレーション層および前記トレンチ内の
犠牲材料の上部に導電層を形成する段階であって、該導
電層は前記センサ装置のためのヒータを提供するもの、 前記トレンチにおける犠牲材料を選択的にエッチングし
て前記導電層と前記基板との間に空洞を形成し前記ヒー
タと前記基板との間に熱的隔離を与える段階、 前記導電層の上部に第２のアイソレーション層を形成す
る段階、そして前記第２のアイソレーション層の上部に
感応層を形成する段階、 を具備することを特徴とする半導体センサ装置を形成す
る方法。 - 【請求項６】 前記第１のアイソレーション層および基
板をエッチングする段階は前記第１のアイソレーション
層および基板をエッチングして第１および第２のトレン
チを形成する段階を含みかつ前記第１および第２のトレ
ンチにおける犠牲材料は選択的にエッチングされて前記
導電層および前記基板の間に第１のおよび第２の空洞を
形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体セン
サ装置。 - 【請求項７】 前記方法はさらに前記導電層の下に第３
のアイソレーション層を形成する段階を具備することを
特徴とする請求項５に記載の半導体センサ装置を形成す
る方法。 - 【請求項８】 前記選択的エッチング段階は前記トレン
チにおける犠牲材料の等方性選択エッチングを使用する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体センサ装置を
形成する方法。 - 【請求項９】 前記選択的エッチング段階は液体エッチ
ング剤を使用することを特徴とする請求項５に記載の半
導体センサ装置を形成する方法。 - 【請求項１０】 半導体センサ装置であって、 基板、 該基板の上部に形成されブリッジを提供するための第１
のアイソレーション層であって、該ブリッジは前記第１
のアイソレーション層と基板との間に空洞を提供するも
の、 前記第１のアイソレーション層の上部に形成された導電
層であって、該導電層は前記センサ装置のためのヒータ
を提供し、前記空洞は前記ヒータと基板との間の熱的隔
離を与えるもの、 前記導電層の上部に形成された第２のアイソレーション
層、そして前記第２のアイソレーション層の上部に形成
された感応層、 を具備することを特徴とする半導体センサ装置。 - 【請求項１１】 半導体センサ装置であって、 基板、 前記基板の上部に形成された第１のアイソレーション
層、 前記第１のアイソレーション層を通り前記基板内に下に
伸びた空洞、 前記空洞の上部にブリッジを提供するために前記第１の
アイソレーション層の上部に形成された導電層であっ
て、 該導電層は前記センサ装置のためのヒータを提供し、前
記空洞は前記ヒータと前記基板との間の熱的隔離を与え
るもの、 前記導電層の上部に形成された第２のアイソレーション
層、そして前記第２のアイソレーション層の上部に形成
された感応層、を具備することを特徴とする半導体セン
サ装置。 - 【請求項１２】 さらに前記導電層の下に第３のアイソ
レーション層を具備し、該第３のアイソレーション層は
前記空洞の上部にブリッジを形成することを特徴とする
請求項１１に記載の半導体センサ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9507903A FR2736205B1 (fr) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation |
| FR9507903 | 1995-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09119912A true JPH09119912A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=9480570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8186774A Pending JPH09119912A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | 半導体センサ装置およびその形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5907765A (ja) |
| EP (1) | EP0751389B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09119912A (ja) |
| DE (1) | DE69630488T2 (ja) |
| FR (1) | FR2736205B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133616A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Stmicroelectronics Srl | 集積デバイスの製造方法および集積デバイス |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023091A (en) * | 1995-11-30 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor heater and method for making |
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