JPH06123628A - 半導体力学センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体力学センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06123628A JPH06123628A JP4273202A JP27320292A JPH06123628A JP H06123628 A JPH06123628 A JP H06123628A JP 4273202 A JP4273202 A JP 4273202A JP 27320292 A JP27320292 A JP 27320292A JP H06123628 A JPH06123628 A JP H06123628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- silicon substrate
- single crystal
- crystal silicon
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 梁励振タイプの容量検出方式によるヨーレイ
トセンサ及びそれを容易に製造することができることは
勿論、２方向さらには３方向における可動状態を検出す
ることができる半導体力学センサ及びその製造方法を提
供する。 【構成】 単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，
トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対
の対向電極としてのｎ+ 拡散層１１７を形成するととも
に、基板面方向に直交する方向にｎ+ 拡散層１１７を形
成する。そして、凹部，トレンチをポリシリコン膜にて
充填するとともにポリシリコン膜を挟んでｎ+ ポリシリ
コン膜を形成し、さらに、基板１０１の主表面を平滑化
し、基板１０１の主表面とシリコン基板１１０とを接合
する。さらに、基板１０１の裏面側を所定量研摩して基
板１０１を薄膜化し、基板１０１の裏面側からポリシリ
コン膜をエッチング除去して錘１３９を有する片持ち梁
を形成する。
トセンサ及びそれを容易に製造することができることは
勿論、２方向さらには３方向における可動状態を検出す
ることができる半導体力学センサ及びその製造方法を提
供する。 【構成】 単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，
トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対
の対向電極としてのｎ+ 拡散層１１７を形成するととも
に、基板面方向に直交する方向にｎ+ 拡散層１１７を形
成する。そして、凹部，トレンチをポリシリコン膜にて
充填するとともにポリシリコン膜を挟んでｎ+ ポリシリ
コン膜を形成し、さらに、基板１０１の主表面を平滑化
し、基板１０１の主表面とシリコン基板１１０とを接合
する。さらに、基板１０１の裏面側を所定量研摩して基
板１０１を薄膜化し、基板１０１の裏面側からポリシリ
コン膜をエッチング除去して錘１３９を有する片持ち梁
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体力学センサ及び
その製造方法に関し、特にヨーレイトセンサ及びその製
造に好適なものである。
その製造方法に関し、特にヨーレイトセンサ及びその製
造に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】本願出願人はすでに、平成４年特許願第
２２３０７２号にて半導体ヨーレイトセンサを提案して
いる。これは、図１７に示すように、半導体基板の一部
に当該基板と離間した梁構造を形成し、その梁の先端に
形成された錘の一面と同錘面と対向する基板壁面に交流
電力を加えて静電気により錘を励振させ、当該錘の励振
方向に対し直交する軸方向において錘の一面と同錘面と
対向する基板壁面に電極を対向配置して当該対向電極間
の容量の変化を電気的に検出して同方向に働くヨーレイ
トを検出するようにしたものである。
２２３０７２号にて半導体ヨーレイトセンサを提案して
いる。これは、図１７に示すように、半導体基板の一部
に当該基板と離間した梁構造を形成し、その梁の先端に
形成された錘の一面と同錘面と対向する基板壁面に交流
電力を加えて静電気により錘を励振させ、当該錘の励振
方向に対し直交する軸方向において錘の一面と同錘面と
対向する基板壁面に電極を対向配置して当該対向電極間
の容量の変化を電気的に検出して同方向に働くヨーレイ
トを検出するようにしたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この半導体
ヨーレイトセンサの如く２方向に可動する半導体力学セ
ンサにおいては、その具体的構造という観点からは不十
分であるとともにセンサの製造方法については何ら触れ
られておらず今後の課題となっている。
ヨーレイトセンサの如く２方向に可動する半導体力学セ
ンサにおいては、その具体的構造という観点からは不十
分であるとともにセンサの製造方法については何ら触れ
られておらず今後の課題となっている。
【０００４】そこで、この発明の目的は、梁励振タイプ
の容量検出方式によるヨーレイトセンサ及びそれを容易
に製造することができることは勿論、２方向さらには３
方向（２個使用することにより）における可動状態を検
出することができる半導体力学センサおよびその製造方
法を提供することにある。
の容量検出方式によるヨーレイトセンサ及びそれを容易
に製造することができることは勿論、２方向さらには３
方向（２個使用することにより）における可動状態を検
出することができる半導体力学センサおよびその製造方
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、基板上に
絶縁膜を介して接合され、かつ薄膜化された単結晶シリ
コン基板と、前記単結晶シリコン基板に形成され、錘を
有する梁と、前記錘の一面および同錘面と対応する壁面
に形成された第１の対向電極と、前記錘の前記対向電極
に対して直交する軸方向において前記錘の一面および同
錘面と対向する壁面に形成された第２の対向電極とを備
えた半導体力学センサをその要旨とする。
絶縁膜を介して接合され、かつ薄膜化された単結晶シリ
コン基板と、前記単結晶シリコン基板に形成され、錘を
有する梁と、前記錘の一面および同錘面と対応する壁面
に形成された第１の対向電極と、前記錘の前記対向電極
に対して直交する軸方向において前記錘の一面および同
錘面と対向する壁面に形成された第２の対向電極とを備
えた半導体力学センサをその要旨とする。
【０００６】又、前記対向電極のどちらか１つは単結晶
シリコン基板の主表面に平行に形成するのが望ましい。
さらに、前記全ての電極取り出し部を前記薄膜化された
単結晶シリコン基板の同一面上に形成するのが望まし
い。
シリコン基板の主表面に平行に形成するのが望ましい。
さらに、前記全ての電極取り出し部を前記薄膜化された
単結晶シリコン基板の同一面上に形成するのが望まし
い。
【０００７】第２の発明は、単結晶シリコン基板の主表
面に、錘を有する梁を形成するための所定深さの溝を形
成する第１工程と、前記錘となる基板表面領域及びこの
錘を囲む溝内壁において基板面方向に溝を挟んで一対の
対向電極を形成するとともに、前記錘となる基板表面領
域において基板面方向に直交する方向に第１電極を形成
する第２工程と、前記溝を充填材にて充填するとともに
当該充填材を挟んで前記第１電極に対し対向する電極を
形成し、さらに、前記単結晶シリコン基板の主表面を平
滑化する第３工程と、前記単結晶シリコン基板の主表面
と基板とを接合する第４工程と、前記単結晶シリコン基
板の裏面側を所定量研摩して単結晶シリコン基板を薄膜
化する第５工程と、前記単結晶シリコン基板の裏面側か
ら前記充填材をエッチング除去して錘を有する梁を形成
する第６工程とを備えた半導体力学センサの製造方法を
その要旨とするものである。
面に、錘を有する梁を形成するための所定深さの溝を形
成する第１工程と、前記錘となる基板表面領域及びこの
錘を囲む溝内壁において基板面方向に溝を挟んで一対の
対向電極を形成するとともに、前記錘となる基板表面領
域において基板面方向に直交する方向に第１電極を形成
する第２工程と、前記溝を充填材にて充填するとともに
当該充填材を挟んで前記第１電極に対し対向する電極を
形成し、さらに、前記単結晶シリコン基板の主表面を平
滑化する第３工程と、前記単結晶シリコン基板の主表面
と基板とを接合する第４工程と、前記単結晶シリコン基
板の裏面側を所定量研摩して単結晶シリコン基板を薄膜
化する第５工程と、前記単結晶シリコン基板の裏面側か
ら前記充填材をエッチング除去して錘を有する梁を形成
する第６工程とを備えた半導体力学センサの製造方法を
その要旨とするものである。
【０００８】
【作用】第１の発明において、第１の対向電極と、その
対向電極に対して直交する軸方向の第２の対向電極とに
より、錘を有する梁に加わる力学量が検出される。
対向電極に対して直交する軸方向の第２の対向電極とに
より、錘を有する梁に加わる力学量が検出される。
【０００９】第２の発明において、第１工程により単結
晶シリコン基板の主表面に、錘を有する梁を形成するた
めの所定深さの溝が形成される。そして、第２工程によ
り錘となる基板表面領域及びこの錘を囲む溝内壁におい
て基板面方向に溝を挟んで一対の対向電極が形成される
とともに、錘となる基板表面領域において基板面方向に
直交する方向に第１電極が形成される。さらに、第３工
程により溝を充填材にて充填するとともに当該充填材を
挟んで第１電極に対し対向する電極が形成され、さら
に、単結晶シリコン基板の主表面が平滑化される。次
に、第４工程により単結晶シリコン基板の主表面とシリ
コン基板とが接合され、第５工程により単結晶シリコン
基板の裏面側が所定量研摩されて単結晶シリコン基板が
薄膜化される。最後に、第６工程により単結晶シリコン
基板の裏面側から充填材がエッチング除去されて錘を有
する梁が形成される。その結果、第１の発明の半導体力
学センサが製造される。
晶シリコン基板の主表面に、錘を有する梁を形成するた
めの所定深さの溝が形成される。そして、第２工程によ
り錘となる基板表面領域及びこの錘を囲む溝内壁におい
て基板面方向に溝を挟んで一対の対向電極が形成される
とともに、錘となる基板表面領域において基板面方向に
直交する方向に第１電極が形成される。さらに、第３工
程により溝を充填材にて充填するとともに当該充填材を
挟んで第１電極に対し対向する電極が形成され、さら
に、単結晶シリコン基板の主表面が平滑化される。次
に、第４工程により単結晶シリコン基板の主表面とシリ
コン基板とが接合され、第５工程により単結晶シリコン
基板の裏面側が所定量研摩されて単結晶シリコン基板が
薄膜化される。最後に、第６工程により単結晶シリコン
基板の裏面側から充填材がエッチング除去されて錘を有
する梁が形成される。その結果、第１の発明の半導体力
学センサが製造される。
【００１０】
（第１実施例）以下、この発明を具体化した一実施例を
図面に従って説明する。
図面に従って説明する。
【００１１】図２には、本実施例における半導体ヨーレ
イトセンサの概略平面図を示す。つまり、本センサは単
結晶シリコン基板１０１に片持ち梁１０２が形成され、
その先端に錘１３９が形成されている。又、錘１３９の
先端部には梁の延設方向に３つの突起１０３，１０４，
１０５が離間して延設されている。又、片持ち梁１０２
（錘１３９）の先端面に対向する単結晶シリコン基板１
側には、突起１０３と１０４との間において２つの突起
１０６，１０７が離間して突起１０３，１０４の延設方
向に平行状態にて延設されている。同様に、片持ち梁１
０２（錘１３９）の先端面に対向するシリコン基板１０
１側には、突起１０４と１０５との間において２つの突
起１０８，１０９が離間して突起１０４，１０５の延設
方向に平行状態にて延設されている。
イトセンサの概略平面図を示す。つまり、本センサは単
結晶シリコン基板１０１に片持ち梁１０２が形成され、
その先端に錘１３９が形成されている。又、錘１３９の
先端部には梁の延設方向に３つの突起１０３，１０４，
１０５が離間して延設されている。又、片持ち梁１０２
（錘１３９）の先端面に対向する単結晶シリコン基板１
側には、突起１０３と１０４との間において２つの突起
１０６，１０７が離間して突起１０３，１０４の延設方
向に平行状態にて延設されている。同様に、片持ち梁１
０２（錘１３９）の先端面に対向するシリコン基板１０
１側には、突起１０４と１０５との間において２つの突
起１０８，１０９が離間して突起１０４，１０５の延設
方向に平行状態にて延設されている。
【００１２】又、図３には、電極を含めた半導体ヨーレ
イトセンサの平面図を示す。さらに、図１には、図３の
Ａ−Ａ断面図を示す。尚、ＳＯＩ回路に形成するＩＣ回
路、配線等は省略し、本センサにおける容量を取り出す
電極および振動電極等のみに関して外部取り出し用のア
ルミ電極のみを示してある。つまり、全ての電極取り出
し部が単結晶シリコン基板１０１の主表面上に形成され
ている。
イトセンサの平面図を示す。さらに、図１には、図３の
Ａ−Ａ断面図を示す。尚、ＳＯＩ回路に形成するＩＣ回
路、配線等は省略し、本センサにおける容量を取り出す
電極および振動電極等のみに関して外部取り出し用のア
ルミ電極のみを示してある。つまり、全ての電極取り出
し部が単結晶シリコン基板１０１の主表面上に形成され
ている。
【００１３】図１に示すように、単結晶シリコン基板１
１０上にＳｉＯ2 膜１１１を介して単結晶シリコン基板
１０１が接合され、この単結晶シリコン基板１０１に前
述した梁構造が形成されている。
１０上にＳｉＯ2 膜１１１を介して単結晶シリコン基板
１０１が接合され、この単結晶シリコン基板１０１に前
述した梁構造が形成されている。
【００１４】図１，３において、片持ち梁１０２の錘１
３９の表面には可動電極１１２が形成されている。この
可動電極１１２は、錘１３９の３つの突起１０３，１０
４，１０５を含むものである。又、錘１３９の下方に
は、２つの電極１１３，１１４が並設されている。励振
用電極１１４は、交流電力を加えて静電気により錘１３
９を励振させるためのものである。つまり、可動電極１
１２と励振用電極１１４とにより励振用対向電極が形成
されている。
３９の表面には可動電極１１２が形成されている。この
可動電極１１２は、錘１３９の３つの突起１０３，１０
４，１０５を含むものである。又、錘１３９の下方に
は、２つの電極１１３，１１４が並設されている。励振
用電極１１４は、交流電力を加えて静電気により錘１３
９を励振させるためのものである。つまり、可動電極１
１２と励振用電極１１４とにより励振用対向電極が形成
されている。
【００１５】一方、センス用電極１１３は錘１３９の励
振を検知するためのものであり、錘１３９の励振に伴う
出力信号に基づいてフィードバック制御により所定の錘
１３９の励振が行われる。つまり、可動電極１１２とセ
ンス用電極１１３とにより励振のフィードバック用対向
電極が形成されている。
振を検知するためのものであり、錘１３９の励振に伴う
出力信号に基づいてフィードバック制御により所定の錘
１３９の励振が行われる。つまり、可動電極１１２とセ
ンス用電極１１３とにより励振のフィードバック用対向
電極が形成されている。
【００１６】又、図３に示すように、片持ち梁１０２の
突起１０３を挟んで固定電極１３３と１３４（突起１０
６）が形成されるとともに、突起１０４を挟んで固定電
極１３５（突起１０７）と１３６（突起１０８）が形成
されている。さらに、突起１０５を挟んで固定電極１３
７（突起１０９）と１３８が形成されている。つまり、
突起１０３（可動電極１１２）と固定電極１３３，１３
４とにより対向電極が、又、突起１０４（可動電極１１
２）と固定電極１３５，１３６とにより対向電極が形成
されている。さらに、突起１０５（可動電極１１２）と
固定電極１３７，１３８とにより対向電極が形成されて
いる。
突起１０３を挟んで固定電極１３３と１３４（突起１０
６）が形成されるとともに、突起１０４を挟んで固定電
極１３５（突起１０７）と１３６（突起１０８）が形成
されている。さらに、突起１０５を挟んで固定電極１３
７（突起１０９）と１３８が形成されている。つまり、
突起１０３（可動電極１１２）と固定電極１３３，１３
４とにより対向電極が、又、突起１０４（可動電極１１
２）と固定電極１３５，１３６とにより対向電極が形成
されている。さらに、突起１０５（可動電極１１２）と
固定電極１３７，１３８とにより対向電極が形成されて
いる。
【００１７】図４〜図８にはその製造工程を示す。以
下、製造工程を説明する。図４に示すように、１〜２０
Ω・ｃｍのｎ型（１００）単結晶シリコン基板１０１を
用意し、単結晶シリコン基板１０１の主表面にドライエ
ッチング又はウェットエッチングにより凹部１１５を所
定の深さ、例えば、０．１〜５μｍの深さで形成する。
そして、単結晶シリコン基板１０１の主表面にＳｉＯ2
膜を形成し、フォトリソグラフィー手法によりパターン
を形成する。続いて、凹部１１５の底部を含む単結晶シ
リコン基板１０１の主表面にドライエッチング等により
０．１〜３０μｍ程度のトレンチ１１６を形成する。
下、製造工程を説明する。図４に示すように、１〜２０
Ω・ｃｍのｎ型（１００）単結晶シリコン基板１０１を
用意し、単結晶シリコン基板１０１の主表面にドライエ
ッチング又はウェットエッチングにより凹部１１５を所
定の深さ、例えば、０．１〜５μｍの深さで形成する。
そして、単結晶シリコン基板１０１の主表面にＳｉＯ2
膜を形成し、フォトリソグラフィー手法によりパターン
を形成する。続いて、凹部１１５の底部を含む単結晶シ
リコン基板１０１の主表面にドライエッチング等により
０．１〜３０μｍ程度のトレンチ１１６を形成する。
【００１８】本実施例では、この凹部１１５とトレンチ
１１６とにより溝が構成されている。そして、トレンチ
１１６の内壁を含む単結晶シリコン基板１０１の主表面
に、ｎ+ 拡散層１１７を形成するとともに、その表面に
熱酸化によりＳｉＯ2 膜１１８を形成する。
１１６とにより溝が構成されている。そして、トレンチ
１１６の内壁を含む単結晶シリコン基板１０１の主表面
に、ｎ+ 拡散層１１７を形成するとともに、その表面に
熱酸化によりＳｉＯ2 膜１１８を形成する。
【００１９】その後、図５に示すように、凹部１１５、
トレンチ１１６内にＬＰＣＶＤ法によりポリシリコン膜
１１９を埋め込む。引き続き、ＳｉＯ2 膜１１８をスト
ッパーとしてポリシリコン膜１１９の表面を研摩し、表
面を平滑にする。この時、ポリシリコン膜１１９とＳｉ
Ｏ2 膜１１８の表面が平滑になることが望ましい。
トレンチ１１６内にＬＰＣＶＤ法によりポリシリコン膜
１１９を埋め込む。引き続き、ＳｉＯ2 膜１１８をスト
ッパーとしてポリシリコン膜１１９の表面を研摩し、表
面を平滑にする。この時、ポリシリコン膜１１９とＳｉ
Ｏ2 膜１１８の表面が平滑になることが望ましい。
【００２０】続いて、表面に例えばＣＶＤ法等により
０．３〜２μｍ程度の厚さのＳｉＯ2膜１２０を形成
し、ｎ+ 拡散層１１７との電気的接続用の下部コンタク
ト１２１を所定の位置に形成する。
０．３〜２μｍ程度の厚さのＳｉＯ2膜１２０を形成
し、ｎ+ 拡散層１１７との電気的接続用の下部コンタク
ト１２１を所定の位置に形成する。
【００２１】さらに、Ａｓ，Ｐ（リン）を不純物とした
ｎ+ ポリシリコン１２２を０．２〜１μｍの厚さで形成
して、これを所定の電極パターン及びシールド層とす
る。次に、表面に、例えば絶縁膜であるＢＧＳＰ膜１２
３を０．２〜１μｍの厚さで形成する。そして、このＢ
ＧＳＰ膜１２３の表面を平坦化研摩する。
ｎ+ ポリシリコン１２２を０．２〜１μｍの厚さで形成
して、これを所定の電極パターン及びシールド層とす
る。次に、表面に、例えば絶縁膜であるＢＧＳＰ膜１２
３を０．２〜１μｍの厚さで形成する。そして、このＢ
ＧＳＰ膜１２３の表面を平坦化研摩する。
【００２２】一方、図６に示すように、シリコン基板１
１０を用意し、その表面に熱酸化により０．２〜１μｍ
のＳｉＯ2 膜１１１を形成する。引き続き、図７に示す
ように、シリコン基板１０１及び１１０を、ＳｉＯ2 膜
１１１を介して、例えば１０００℃、Ｎ2 中で接合す
る。そして、単結晶シリコン基板１０１の裏面を、Ｓｉ
Ｏ2 膜１１８をストッパとして選択研摩する。この研摩
によりポリシリコン１１９とそれにより分離されたシリ
コン基板１０１領域を表面に露出させる。
１０を用意し、その表面に熱酸化により０．２〜１μｍ
のＳｉＯ2 膜１１１を形成する。引き続き、図７に示す
ように、シリコン基板１０１及び１１０を、ＳｉＯ2 膜
１１１を介して、例えば１０００℃、Ｎ2 中で接合す
る。そして、単結晶シリコン基板１０１の裏面を、Ｓｉ
Ｏ2 膜１１８をストッパとして選択研摩する。この研摩
によりポリシリコン１１９とそれにより分離されたシリ
コン基板１０１領域を表面に露出させる。
【００２３】続いて、単結晶シリコン基板１０１領域に
公知の方法でＩＣ基板その他のデバイス（図示せず）を
作製するとともに、アルミ配線，パッシベーション膜，
パッド窓（いずれも図示せず）を形成する。
公知の方法でＩＣ基板その他のデバイス（図示せず）を
作製するとともに、アルミ配線，パッシベーション膜，
パッド窓（いずれも図示せず）を形成する。
【００２４】続いて、図８に示すように、所定領域のＳ
ｉＯ2 膜１１８を除去し、図３に示すエッチング用孔１
２４を用いて所定領域のポリシリコン膜１１９を除去す
る。一例として、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド）エッチング液を用いる。このエッ
チングにより、可動電極（梁部）が形成される。
ｉＯ2 膜１１８を除去し、図３に示すエッチング用孔１
２４を用いて所定領域のポリシリコン膜１１９を除去す
る。一例として、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド）エッチング液を用いる。このエッ
チングにより、可動電極（梁部）が形成される。
【００２５】このようにして製造された半導体ヨーレイ
トセンサにおいては、シリコン基板１１０上にＳｉＯ2
膜１１１を介して薄膜化された単結晶シリコン基板１０
１が接合され、単結晶シリコン基板１０１には先端に錘
１３９を有する片持ち梁１０２が形成されている。又、
錘１３９の一面（図１の下面）にはｎ+ 拡散層１１７
が、又、同錘面と対向する単結晶シリコン基板１０１の
下面にｎ+ ポリシリコン１２２（励振用電極１１４）が
形成され、ｎ+ 拡散層１１７とｎ+ ポリシリコン１２２
とにより励振用対向電極が形成される。そして、この励
振用対向電極に交流電力を加えて静電気により錘１３９
が励振する。さらに、錘１３９の励振方向に対し直交す
る軸方向において、錘１３９の一面にはｎ+ 拡散層１１
７が、又、同錘面と対向する単結晶シリコン基板１０１
の壁面にｎ+ 拡散層１１７が形成され、錘１３９側のｎ
+ 拡散層１１７と単結晶シリコン基板１０１の壁面側の
ｎ+拡散層１１７とによりヨーレイト検出用電極が形成
される。このヨーレイト検出用電極により電気容量の変
化を検出して同方向に働くヨーレイトが検出される。
トセンサにおいては、シリコン基板１１０上にＳｉＯ2
膜１１１を介して薄膜化された単結晶シリコン基板１０
１が接合され、単結晶シリコン基板１０１には先端に錘
１３９を有する片持ち梁１０２が形成されている。又、
錘１３９の一面（図１の下面）にはｎ+ 拡散層１１７
が、又、同錘面と対向する単結晶シリコン基板１０１の
下面にｎ+ ポリシリコン１２２（励振用電極１１４）が
形成され、ｎ+ 拡散層１１７とｎ+ ポリシリコン１２２
とにより励振用対向電極が形成される。そして、この励
振用対向電極に交流電力を加えて静電気により錘１３９
が励振する。さらに、錘１３９の励振方向に対し直交す
る軸方向において、錘１３９の一面にはｎ+ 拡散層１１
７が、又、同錘面と対向する単結晶シリコン基板１０１
の壁面にｎ+ 拡散層１１７が形成され、錘１３９側のｎ
+ 拡散層１１７と単結晶シリコン基板１０１の壁面側の
ｎ+拡散層１１７とによりヨーレイト検出用電極が形成
される。このヨーレイト検出用電極により電気容量の変
化を検出して同方向に働くヨーレイトが検出される。
【００２６】つまり、励振用対向電極（ｎ+ 拡散層１１
７とｎ+ ポリシリコン１２２）に交流電力を加えて静電
気により錘１３９を励振させる。この状態で、ヨーレイ
ト検出用電極（錘１３９側のｎ+ 拡散層１１７と、単結
晶シリコン基板１０１の壁面側のｎ+ 拡散層１１７）に
より錘１３９の励振方向に対し直交する軸方向において
電気容量の変化が検出されて同方向に働くヨーレイトが
検出される。
７とｎ+ ポリシリコン１２２）に交流電力を加えて静電
気により錘１３９を励振させる。この状態で、ヨーレイ
ト検出用電極（錘１３９側のｎ+ 拡散層１１７と、単結
晶シリコン基板１０１の壁面側のｎ+ 拡散層１１７）に
より錘１３９の励振方向に対し直交する軸方向において
電気容量の変化が検出されて同方向に働くヨーレイトが
検出される。
【００２７】このように本実施例では、単結晶シリコン
基板１０１の主表面に、錘１３９を有する片持ち梁１０
２を形成するための所定深さの溝としての凹部１１５，
トレンチ１１６を形成し（第１工程）、錘１３９となる
基板表面領域及びこの錘１３９を囲む凹部１１５，トレ
ンチ１１６の内壁において基板面方向（図４の左右方
向）にトレンチ１１６を挟んで一対の対向電極としての
ｎ+ 拡散層１１７を形成するとともに、錘１３９となる
基板表面領域において基板面方向に直交する方向（図５
の上下方向；シリコン基板１０１の厚さ方向）にｎ+ 拡
散層１１７（第１電極）を形成する（第２工程）。そし
て、凹部１１５，トレンチ１１６を充填材としてのポリ
シリコン膜１１９にて充填するとともにポリシリコン膜
１１９を挟んでｎ+ 拡散層１１７（第１電極）に対し対
向するｎ+ ポリシリコン膜１２２（電極）を形成し、さ
らに、単結晶シリコン基板１０１の主表面を平滑化し
（第３工程）、単結晶シリコン基板１０１の主表面とシ
リコン基板１１０とを接合する（第４工程）。さらに、
単結晶シリコン基板１０１の裏面側を所定量研摩して単
結晶シリコン基板１０１を薄膜化し（第５工程）、単結
晶シリコン基板１０１の裏面側からポリシリコン膜１１
９をエッチング除去して錘１３９を有する片持ち梁１０
２を形成する（第６工程）。
基板１０１の主表面に、錘１３９を有する片持ち梁１０
２を形成するための所定深さの溝としての凹部１１５，
トレンチ１１６を形成し（第１工程）、錘１３９となる
基板表面領域及びこの錘１３９を囲む凹部１１５，トレ
ンチ１１６の内壁において基板面方向（図４の左右方
向）にトレンチ１１６を挟んで一対の対向電極としての
ｎ+ 拡散層１１７を形成するとともに、錘１３９となる
基板表面領域において基板面方向に直交する方向（図５
の上下方向；シリコン基板１０１の厚さ方向）にｎ+ 拡
散層１１７（第１電極）を形成する（第２工程）。そし
て、凹部１１５，トレンチ１１６を充填材としてのポリ
シリコン膜１１９にて充填するとともにポリシリコン膜
１１９を挟んでｎ+ 拡散層１１７（第１電極）に対し対
向するｎ+ ポリシリコン膜１２２（電極）を形成し、さ
らに、単結晶シリコン基板１０１の主表面を平滑化し
（第３工程）、単結晶シリコン基板１０１の主表面とシ
リコン基板１１０とを接合する（第４工程）。さらに、
単結晶シリコン基板１０１の裏面側を所定量研摩して単
結晶シリコン基板１０１を薄膜化し（第５工程）、単結
晶シリコン基板１０１の裏面側からポリシリコン膜１１
９をエッチング除去して錘１３９を有する片持ち梁１０
２を形成する（第６工程）。
【００２８】その結果、シリコン基板１１０上にＳｉＯ
2 膜１１１（絶縁膜）を介して接合され、かつ薄膜化さ
れた単結晶シリコン基板１０１と、単結晶シリコン基板
１０１に形成され、錘１３９を有する梁１０２と、錘１
３９の一面および同錘面と対応する壁面に形成された可
動電極１１２，励振用電極１１４（第１の対向電極）
と、錘１３９の可動電極１１２，励振用電極１１４に対
して直交する軸方向において錘１３９の一面および同錘
面と対向する壁面に形成された突起１０３〜１０５，固
定電極１３３〜１３８（第２の対向電極）とを備えるこ
ととなる。
2 膜１１１（絶縁膜）を介して接合され、かつ薄膜化さ
れた単結晶シリコン基板１０１と、単結晶シリコン基板
１０１に形成され、錘１３９を有する梁１０２と、錘１
３９の一面および同錘面と対応する壁面に形成された可
動電極１１２，励振用電極１１４（第１の対向電極）
と、錘１３９の可動電極１１２，励振用電極１１４に対
して直交する軸方向において錘１３９の一面および同錘
面と対向する壁面に形成された突起１０３〜１０５，固
定電極１３３〜１３８（第２の対向電極）とを備えるこ
ととなる。
【００２９】又、対向電極のどちらか１つ、即ち、可動
電極１１２，励振用電極１１４は単結晶シリコン基板１
０１の主表面に平行に形成されている。さらに、全ての
電極取り出し部を薄膜化された単結晶シリコン基板１０
１の同一面上に形成した。
電極１１２，励振用電極１１４は単結晶シリコン基板１
０１の主表面に平行に形成されている。さらに、全ての
電極取り出し部を薄膜化された単結晶シリコン基板１０
１の同一面上に形成した。
【００３０】このように、シリコン基板１１０上にＳｉ
Ｏ2 膜１１１を介して接合され、かつ、薄膜化された単
結晶シリコン基板１０１と、単結晶シリコン基板１０１
に形成され、先端に錘１３９を有する片持ち梁１０２
と、錘１３９の一面および同錘面と対向する単結晶シリ
コン基板１０１の壁面に形成され、交流電力を加えて静
電気により錘１３９を励振させる励振用対向電極と、錘
１３９の励振方向に対し直交する軸方向において、錘１
３９の一面および同錘面と対向する単結晶シリコン基板
１０１の壁面に形成され、電気容量の変化を検出して同
方向に働くヨーレイトを検出するためのヨーレイト検出
用電極とを備えた半導体ヨーレイトセンサとなる。
Ｏ2 膜１１１を介して接合され、かつ、薄膜化された単
結晶シリコン基板１０１と、単結晶シリコン基板１０１
に形成され、先端に錘１３９を有する片持ち梁１０２
と、錘１３９の一面および同錘面と対向する単結晶シリ
コン基板１０１の壁面に形成され、交流電力を加えて静
電気により錘１３９を励振させる励振用対向電極と、錘
１３９の励振方向に対し直交する軸方向において、錘１
３９の一面および同錘面と対向する単結晶シリコン基板
１０１の壁面に形成され、電気容量の変化を検出して同
方向に働くヨーレイトを検出するためのヨーレイト検出
用電極とを備えた半導体ヨーレイトセンサとなる。
【００３１】このようにして表面マイクロマシーニング
技術を用いて、ウェハプロセス途中、特にＩＣ回路作製
時、ウェハ凹部、貫通孔等のある状態での熱処理、フォ
トリソグラフィー処理等は行わず、プロセスの安定化、
コンタミネーションを防ぎデバイスの安定化、高精度化
を図ることができることとなる。
技術を用いて、ウェハプロセス途中、特にＩＣ回路作製
時、ウェハ凹部、貫通孔等のある状態での熱処理、フォ
トリソグラフィー処理等は行わず、プロセスの安定化、
コンタミネーションを防ぎデバイスの安定化、高精度化
を図ることができることとなる。
【００３２】尚、本実施例の応用としては、上記実施例
では励振用電極、センス電極を基板内部に埋め込んだ構
造で説明したが、コスト低減化のためセンス電極を省略
してもよい。この場合、上記構造の他にシリコン基板を
励振用電極としてそのまま利用することもできる。
では励振用電極、センス電極を基板内部に埋め込んだ構
造で説明したが、コスト低減化のためセンス電極を省略
してもよい。この場合、上記構造の他にシリコン基板を
励振用電極としてそのまま利用することもできる。
【００３３】又、本実施例ではウェハ面と平行に形成し
た電極をセンス用電極、励振用電極とし、垂直方向の電
極をコリオリの力を検出するための固定電極として用い
たが、逆に利用することもできる。即ち、シリコン基板
１０１に垂直方向に形成した固定電極の一方を励振用電
極とし、もう一方の垂直方向の電極をフィードバックを
かけるためのセンス用電極として用い、ウェハ面に水平
な電極をコリオリの力を検出するための電極としてもよ
い。
た電極をセンス用電極、励振用電極とし、垂直方向の電
極をコリオリの力を検出するための固定電極として用い
たが、逆に利用することもできる。即ち、シリコン基板
１０１に垂直方向に形成した固定電極の一方を励振用電
極とし、もう一方の垂直方向の電極をフィードバックを
かけるためのセンス用電極として用い、ウェハ面に水平
な電極をコリオリの力を検出するための電極としてもよ
い。
【００３４】さらに、凹部１１５とトレンチ１１６を充
填するためのポリシリコン膜１１９（即ち、多結晶シリ
コン膜）は、非晶質又は多結晶と非晶質の混在したシリ
コン膜を用いてもよい。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
填するためのポリシリコン膜１１９（即ち、多結晶シリ
コン膜）は、非晶質又は多結晶と非晶質の混在したシリ
コン膜を用いてもよい。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００３５】本実施例は、第１実施例に対し出力をさら
に増大し、かつ、過剰な衝撃等に対して梁の破壊を防止
しようとするものである。図９〜図１５にはセンサの製
造工程を示す。以下、製造工程を説明する。
に増大し、かつ、過剰な衝撃等に対して梁の破壊を防止
しようとするものである。図９〜図１５にはセンサの製
造工程を示す。以下、製造工程を説明する。
【００３６】第１実施例の図４において、図９に示すよ
うに、ＳｉＯ2 膜１１８の形成後、ＬＰＣＶＤ法により
２００〜２０００ÅのＳｉ3 Ｎ4 膜１２５を形成する。
本実施例ではＳｉ3 Ｎ4 膜１２５の膜厚を５００Åとし
ている。
うに、ＳｉＯ2 膜１１８の形成後、ＬＰＣＶＤ法により
２００〜２０００ÅのＳｉ3 Ｎ4 膜１２５を形成する。
本実施例ではＳｉ3 Ｎ4 膜１２５の膜厚を５００Åとし
ている。
【００３７】第１実施例と同様なプロセスで第１実施例
の図７に示すような表面平坦化研摩を行う。続いて、フ
ォトリソグラフィーにより図９のレジスト１２６で所定
のパターンを形成する。そして、図１０に示すように、
ドライエッチング等により単結晶シリコン基板１０１の
センサ部になる領域を部分的に除去する。
の図７に示すような表面平坦化研摩を行う。続いて、フ
ォトリソグラフィーにより図９のレジスト１２６で所定
のパターンを形成する。そして、図１０に示すように、
ドライエッチング等により単結晶シリコン基板１０１の
センサ部になる領域を部分的に除去する。
【００３８】次に、レジスト１２６をマスクとして、例
えばフッ酸を主体とするウェットエッチングによりＳｉ
Ｏ2 膜１１８を除去する。続いて、レジスト１２６を除
去する。
えばフッ酸を主体とするウェットエッチングによりＳｉ
Ｏ2 膜１１８を除去する。続いて、レジスト１２６を除
去する。
【００３９】以後、説明を分かりやすくするため図１０
のセンサ部Ｂの拡大図を用いて説明していく。図１１は
その拡大部分である。
のセンサ部Ｂの拡大図を用いて説明していく。図１１は
その拡大部分である。
【００４０】図１２に示すように、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１２５
を熱酸化のマスクとしてＳｉＯ2 膜１２７を５００〜１
００００Å形成する。本実施例では、ＳｉＯ2 膜１２７
の厚さを１０００Åとしている。
を熱酸化のマスクとしてＳｉＯ2 膜１２７を５００〜１
００００Å形成する。本実施例では、ＳｉＯ2 膜１２７
の厚さを１０００Åとしている。
【００４１】続いて、図１３に示すように、熱酸化時の
マスクとして用いたＳｉ3 Ｎ4 膜１２５をプラズマエッ
チングまたは熱リン酸のエッチングにて除去する。続い
て、ＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン１２８を表面に
形成し、ポリシリコン１２８の表面を選択研摩によりＳ
ｉＯ2 膜１２７をストッパとして除去する。
マスクとして用いたＳｉ3 Ｎ4 膜１２５をプラズマエッ
チングまたは熱リン酸のエッチングにて除去する。続い
て、ＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン１２８を表面に
形成し、ポリシリコン１２８の表面を選択研摩によりＳ
ｉＯ2 膜１２７をストッパとして除去する。
【００４２】さらに、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）液にて表面の仕上げを行う。
ここで、周辺部にＩＣ回路等形成のプロセスを行う（図
示せず）。
ウムハイドロオキサイド）液にて表面の仕上げを行う。
ここで、周辺部にＩＣ回路等形成のプロセスを行う（図
示せず）。
【００４３】そして、図１４に示すように、表面にＳｉ
3 Ｎ4 膜１２９を５００〜２０００Å形成し、電極層お
よびセンサの過度の振幅に対するストッパとしてｎ+ ポ
リシリコン層１３０を形成する。続いて、表面保護膜と
してＢＰＳＧ膜１３１を形する。尚、この膜はＳｉ3 Ｎ
4 膜等で形成することも可能である。続いて、窓部１３
２を明ける。
3 Ｎ4 膜１２９を５００〜２０００Å形成し、電極層お
よびセンサの過度の振幅に対するストッパとしてｎ+ ポ
リシリコン層１３０を形成する。続いて、表面保護膜と
してＢＰＳＧ膜１３１を形する。尚、この膜はＳｉ3 Ｎ
4 膜等で形成することも可能である。続いて、窓部１３
２を明ける。
【００４４】続いて、図１５に示すように、ＴＭＡＨ液
にてポリシリコン１１９，ポリシリコン１２８をこの窓
部１３２よりエッチング除去する。このようにして、全
周を電極及びストッパで包囲された可動部（片持ち梁）
を持つセンサが形成される。又、この構造においては、
基板と垂直方向に錘部分を励振させた場合、図１５に示
すように、ａ＞ｂかつａの範囲内にｂがあるので励振に
よるヨーレイトを検出する場合の容量の変化はほとんど
ない。又、このようにａとｂの関係は第１実施例に作り
込むこともできる。
にてポリシリコン１１９，ポリシリコン１２８をこの窓
部１３２よりエッチング除去する。このようにして、全
周を電極及びストッパで包囲された可動部（片持ち梁）
を持つセンサが形成される。又、この構造においては、
基板と垂直方向に錘部分を励振させた場合、図１５に示
すように、ａ＞ｂかつａの範囲内にｂがあるので励振に
よるヨーレイトを検出する場合の容量の変化はほとんど
ない。又、このようにａとｂの関係は第１実施例に作り
込むこともできる。
【００４５】尚、図１６は全体の様子がより詳しく分か
るようにした図である。このように本実施例では、片持
ち梁１０２の上方にストッパ部材を配置したので、第１
実施例に対し出力をさらに増大、かつ、過剰な衝撃等に
対して片持ち梁１０２の破壊が防止できる。
るようにした図である。このように本実施例では、片持
ち梁１０２の上方にストッパ部材を配置したので、第１
実施例に対し出力をさらに増大、かつ、過剰な衝撃等に
対して片持ち梁１０２の破壊が防止できる。
【００４６】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、例えばセンサユニットを互いに直交する
方向に２組配置して２軸方向でのヨーレイトを検出する
ようにしてもよい。又、片持ち梁に限定されるものでも
ない。さらに、ヨーレイト検出に限らず、例えば、上述
の実施例において励振用電極としたものを、上下方向に
おける変位を容量検出する電極とし、２方向における変
位検出を可能とした力学センサに用いることも可能であ
る。
ものではなく、例えばセンサユニットを互いに直交する
方向に２組配置して２軸方向でのヨーレイトを検出する
ようにしてもよい。又、片持ち梁に限定されるものでも
ない。さらに、ヨーレイト検出に限らず、例えば、上述
の実施例において励振用電極としたものを、上下方向に
おける変位を容量検出する電極とし、２方向における変
位検出を可能とした力学センサに用いることも可能であ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
梁励振タイプの容量検出方式によるヨーレイトセンサ及
びそれを容易に製造することができることは勿論、２方
向さらには３方向における可動状態を検出することがで
きる半導体力学センサ及びそれを製造することができる
優れた効果を発揮する。
梁励振タイプの容量検出方式によるヨーレイトセンサ及
びそれを容易に製造することができることは勿論、２方
向さらには３方向における可動状態を検出することがで
きる半導体力学センサ及びそれを製造することができる
優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例における半導体ヨーレイトセンサの
断面図である。
断面図である。
【図２】第１実施例における半導体ヨーレイトセンサの
概略平面図である。
概略平面図である。
【図３】電極を含めた半導体ヨーレイトセンサの平面図
である。
である。
【図４】製造工程を示す断面図である。
【図５】製造工程を示す断面図である。
【図６】製造工程を示す断面図である。
【図７】製造工程を示す断面図である。
【図８】製造工程を示す断面図である。
【図９】第２実施例の半導体ヨーレイトセンサの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図１０】製造工程を示す断面図である。
【図１１】製造工程を示す断面図である。
【図１２】製造工程を示す断面図である。
【図１３】製造工程を示す断面図である。
【図１４】製造工程を示す断面図である。
【図１５】製造工程を示す断面図である。
【図１６】製造工程を示す断面図である。
【図１７】センサの原理を説明するための説明図であ
る。
る。
１０１ 単結晶シリコン基板 １０２ 片持ち梁 １０３〜１０５ 第２の対向電極を構成する突起 １１０ シリコン基板 １１１ 絶縁膜としてのＳｉＯ2 膜 １１２ 第１の対向電極を構成する可動電極 １１４ 第１の対向電極を構成する励振用電極 １１５ 溝を構成する凹部 １１６ 溝を構成するトレンチ １１７ ｎ+ 拡散層 １１９ 充填材としてのポリシコン膜 １２２ ｎ+ ポリシリコン膜 １３３〜１３８ 第２の対向電極を構成する固定電極 １３９ 錘
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１５】
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に絶縁膜を介して接合され、かつ
薄膜化された単結晶シリコン基板と、 前記単結晶シリコン基板に形成され、錘を有する梁と、 前記錘の一面および同錘面と対応する壁面に形成された
第１の対向電極と、 前記錘の前記対向電極に対して直交する軸方向において
前記錘の一面および同錘面と対向する壁面に形成された
第２の対向電極とを備えたことを特徴とする半導体力学
センサ。 - 【請求項２】 対向電極のどちらか１つは単結晶シリコ
ン基板の主表面に平行に形成されている請求項１に記載
の半導体力学センサ。 - 【請求項３】 全ての電極取り出し部を前記薄膜化され
た単結晶シリコン基板の同一面上に形成してなる請求項
１に記載の半導体力学センサ。 - 【請求項４】 単結晶シリコン基板の主表面に、錘を有
する梁を形成するための所定深さの溝を形成する第１工
程と、 前記錘となる基板表面領域及びこの錘を囲む溝内壁にお
いて基板面方向に溝を挟んで一対の対向電極を形成する
とともに、前記錘となる基板表面領域において基板面方
向に直交する方向に第１電極を形成する第２工程と、 前記溝を充填材にて充填するとともに当該充填材を挟ん
で前記第１電極に対し対向する電極を形成し、さらに、
前記単結晶シリコン基板の主表面を平滑化する第３工程
と、 前記単結晶シリコン基板の主表面と基板とを接合する第
４工程と、 前記単結晶シリコン基板の裏面側を所定量研摩して単結
晶シリコン基板を薄膜化する第５工程と、 前記単結晶シリコン基板の裏面側から前記充填材をエッ
チング除去して錘を有する梁を形成する第６工程とを備
えたことを特徴とする半導体力学センサの製造方法。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27320292A JP3638290B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体力学センサ |
| US08/109,504 US5461916A (en) | 1992-08-21 | 1993-08-20 | Mechanical force sensing semiconductor device |
| US08/508,170 US5627318A (en) | 1992-08-21 | 1995-07-27 | Mechanical force sensing semiconductor device |
| US08/834,129 US5872024A (en) | 1992-08-21 | 1997-04-14 | Method for manufacturing a mechanical force sensing semiconductor device |
| US09/181,615 US6227050B1 (en) | 1992-08-21 | 1998-10-28 | Semiconductor mechanical sensor and method of manufacture |
| US09/742,448 US6422078B2 (en) | 1992-08-21 | 2000-12-22 | Semiconductor mechanical sensor |
| US09/749,693 US6463803B2 (en) | 1992-08-21 | 2000-12-28 | Semiconductor mechanical sensor |
| US09/947,409 US6550331B2 (en) | 1992-08-21 | 2001-09-07 | Semiconductor mechanical sensor |
| US10/358,691 US6868727B2 (en) | 1992-08-21 | 2003-02-05 | Semiconductor mechanical sensor |
| US10/899,729 US6938486B2 (en) | 1992-08-21 | 2004-07-27 | Semiconductor mechanical sensor |
| US11/062,935 US7040165B2 (en) | 1992-08-21 | 2005-02-22 | Semiconductor mechanical sensor |
| US11/210,006 US7407827B2 (en) | 1992-08-21 | 2005-08-23 | Semiconductor mechanical sensor |
| US12/215,884 US7685877B2 (en) | 1992-08-21 | 2008-06-30 | Semiconductor mechanical sensor |
| US12/381,356 US7866210B2 (en) | 1992-08-21 | 2009-03-11 | Semiconductor mechanical sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27320292A JP3638290B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体力学センサ |
Related Child Applications (8)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11216803A Division JP2000046563A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 半導体力学量センサ |
| JP11216802A Division JP2000065583A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 半導体力学量センサ |
| JP11216801A Division JP2000065582A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 半導体力学センサ |
| JP2001310622A Division JP3725059B2 (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 半導体力学量センサ |
| JP2001310621A Division JP2002181551A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 半導体力学量センサ |
| JP2002010210A Division JP3725078B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 半導体力学量センサの製造方法 |
| JP2004103391A Division JP2004245844A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 半導体力学量センサ |
| JP2004351134A Division JP4063272B2 (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体力学量センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06123628A true JPH06123628A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3638290B2 JP3638290B2 (ja) | 2005-04-13 |
Family
ID=17524525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27320292A Expired - Lifetime JP3638290B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-10-12 | 半導体力学センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3638290B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500549A (en) * | 1993-12-13 | 1996-03-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor |
| US5895851A (en) * | 1994-11-17 | 1999-04-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor with a vibrating movable section with vertical and horizontal displacement detection |
| US5987989A (en) * | 1996-02-05 | 1999-11-23 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor |
| US6028332A (en) * | 1997-06-30 | 2000-02-22 | Denso Corporation | Semiconductor type yaw rate sensor |
| US6137150A (en) * | 1994-10-28 | 2000-10-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor physical-quantity sensor having a locos oxide film, for sensing a physical quantity such as acceleration, yaw rate, or the like |
| JP2001133479A (ja) * | 2000-09-21 | 2001-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサおよびその製造方法 |
| JP2003531017A (ja) * | 2000-02-10 | 2003-10-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシーニング構造素子の製造法および該方法により製造された構造素子 |
| JP2007021713A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、およびその作製方法 |
| JP2008175825A (ja) * | 2008-02-07 | 2008-07-31 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| EP2011762A2 (en) | 2007-07-02 | 2009-01-07 | Denso Corporation | Semiconductor device with a sensor connected to an external element |
| JP2012002752A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Denso Corp | 容量式慣性力センサ |
| JP2012516239A (ja) * | 2009-01-29 | 2012-07-19 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | マイクロ構造、その作製方法、マイクロ構造とマイクロシステムとのボンディング装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4530050B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2010-08-25 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP27320292A patent/JP3638290B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500549A (en) * | 1993-12-13 | 1996-03-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor |
| US6137150A (en) * | 1994-10-28 | 2000-10-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor physical-quantity sensor having a locos oxide film, for sensing a physical quantity such as acceleration, yaw rate, or the like |
| US5895851A (en) * | 1994-11-17 | 1999-04-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor with a vibrating movable section with vertical and horizontal displacement detection |
| US5987989A (en) * | 1996-02-05 | 1999-11-23 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor |
| US6028332A (en) * | 1997-06-30 | 2000-02-22 | Denso Corporation | Semiconductor type yaw rate sensor |
| JP2003531017A (ja) * | 2000-02-10 | 2003-10-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシーニング構造素子の製造法および該方法により製造された構造素子 |
| JP4838476B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2011-12-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシーニング構造素子の製造法および該方法により製造された構造素子 |
| JP2001133479A (ja) * | 2000-09-21 | 2001-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサおよびその製造方法 |
| JP2007021713A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、およびその作製方法 |
| EP2011762A2 (en) | 2007-07-02 | 2009-01-07 | Denso Corporation | Semiconductor device with a sensor connected to an external element |
| JP2008175825A (ja) * | 2008-02-07 | 2008-07-31 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| JP4645656B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2011-03-09 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ |
| JP2012516239A (ja) * | 2009-01-29 | 2012-07-19 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | マイクロ構造、その作製方法、マイクロ構造とマイクロシステムとのボンディング装置 |
| JP2012002752A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Denso Corp | 容量式慣性力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3638290B2 (ja) | 2005-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3367113B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JP3430771B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP3555388B2 (ja) | 半導体ヨーレートセンサ | |
| JPH06123628A (ja) | 半導体力学センサ及びその製造方法 | |
| JPH09181332A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスク | |
| JP4081868B2 (ja) | 微小装置の製造方法 | |
| JP3725078B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP3725059B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP3633555B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP4530050B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP4063272B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP4752078B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP2000046563A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP2000065583A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP4783914B2 (ja) | 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP2002181551A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP3309827B2 (ja) | 可動部を有する基板の製造方法及び力学量センサの製造方法 | |
| JP2004245844A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP4569167B2 (ja) | 外力検知センサの製造方法 | |
| JP2000065582A (ja) | 半導体力学センサ | |
| JP4120037B2 (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
| JP4175309B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP2002148278A (ja) | 半導体力学量センサとその製造方法 | |
| JP2006030209A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP4122572B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040331 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050111 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080121 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 8 |