JP2012002752A - 容量式慣性力センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第1固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第1固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第2固定電極と、を備える。
【選択図】図2
Description
慣性力に応じて所定方向に変位する可動電極と、該可動電極に対向配置された固定電極を備え、可動電極及び固定電極間の容量変化に応じた検出信号を出力する容量式慣性力センサであって、
固定電極として、
可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第1固定電極と、
可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第1固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第2固定電極と、
を備えることを特徴とする。
支持基板の一面上に絶縁層を介して配置された半導体層に、支持基板の厚み方向に延びて貫通する貫通孔が形成されて、可動電極及び第1固定電極が区画され、
支持基板の一面と半導体層との間において、可動電極における支持基板側の下面との対向部位に第2固定電極が配置され、
可動電極と第1固定電極の直下及び第2固定電極の直上における絶縁層の除去により、貫通孔に連なる空洞部が形成された構成とすると良い。
支持基板の一面上に絶縁層を介して配置された半導体層に、支持基板の厚み方向に延びて貫通する貫通孔が形成されて、可動電極及び第1固定電極が区画され、
支持基板と半導体層との対向領域には、可動電極と第1固定電極の直下における絶縁層の除去により、貫通孔に連なる空洞部が形成され、
半導体層における絶縁層と反対の面に、可動電極及び第1固定電極との間に隙間を有して固定部材が固定され、該固定部材が、可動電極の上面との対向部位に第2固定電極を有する構成としても良い。
(第1実施形態)
以下に示す各実施形態、変形例において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、便宜上、基板(若しくは支持基板)の厚み方向を縦方向とし、厚み方向に垂直な方向を横方向とする。
図6に示すように、本実施形態に係る容量式慣性力センサ10は、第1実施形態に示した容量式慣性力センサ10同様、絶縁層22を介して支持基板21上に半導体層23が配置されてなる基板20に、可動電極31、第1固定電極41、及び第2固定電極61が構成されている。
図7に示すように、本実施形態に係る容量式慣性力センサ10は、上記実施形態で示した容量式慣性力センサ10に対し、半導体層23の表面23aに、可動電極31(可動部30)及び第1固定電極41(第1固定部40)との間に隙間を有して固定された固定部材を備え、該固定部材80における可動電極31の上面31cとの対向部位に第2固定電極81が形成されている点を特徴とする。
22・・・絶縁層
23・・・半導体層
25・・・第2絶縁層
26・・・貫通孔
27・・・空洞部
28・・・第3絶縁層
31・・・可動電極
41・・・第1固定電極
61・・・第2固定電極
80・・・固定部材(キャップ)
81・・・第2固定電極
Claims (8)
- 慣性力に応じて所定方向に変位する可動電極と、該可動電極に対向配置された固定電極を備え、前記可動電極及び前記固定電極間の容量変化に応じた検出信号を出力する容量式慣性力センサであって、
前記固定電極として、
前記可動電極の変位にともない前記可動電極との対向距離が変化するように、前記可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第1固定電極と、
前記可動電極の変位にともない前記可動電極との対向面積が変化するように、前記第1固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第2固定電極と、
を備えることを特徴とする容量式慣性力センサ。 - 支持基板の一面上に絶縁層を介して配置された半導体層に、前記支持基板の厚み方向に延びて貫通する貫通孔が形成されて、前記可動電極及び前記第1固定電極が区画され、
前記支持基板の一面と前記半導体層との間において、前記可動電極の下面との対向部位に前記第2固定電極が配置され、
前記可動電極と前記第1固定電極の直下及び前記第2固定電極の直上における前記絶縁層の除去により、前記貫通孔に連なる空洞部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の容量式慣性力センサ。 - 前記絶縁層は、前記半導体層に隣接する第1絶縁層と、該第1絶縁層よりも前記支持基板側に配置され、前記第1絶縁層を除去する際のストッパとなる第2絶縁層を含み、
前記第2固定電極は、前記第2絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の容量式慣性力センサ。 - 前記第2固定電極は、前記支持基板と前記半導体層との間に配置された下部配線と同一材料からなるとともに、前記下部配線と同一層に配置されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の容量式慣性力センサ。
- 支持基板の一面上に絶縁層を介して配置された半導体層に、前記支持基板の厚み方向に延びて貫通する貫通孔が形成されて、前記可動電極及び前記第1固定電極が区画され、
前記支持基板と前記半導体層との対向領域には、前記可動電極と前記第1固定電極の直下における前記絶縁層の除去により、前記貫通孔に連なる空洞部が形成され、
前記半導体層における前記絶縁層と反対の面に、前記可動電極及び前記第1固定電極との間に隙間を有して固定部材が固定され、
前記固定部材が、前記可動電極の上面との対向部位に前記第2固定電極を有することを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載の容量式慣性力センサ。 - 前記固定部材は、前記可動電極及び前記固定電極を封止するためのキャップであることを特徴とする請求項5に記載の容量式慣性力センサ。
- 前記第2固定電極は、前記可動電極と同じ形状及び大きさとされていることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項に記載の容量式慣性力センサ。
- 前記可動電極は、櫛歯形状とされていることを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載の容量式慣性力センサ。
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