CN102689870B - 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法 - Google Patents

一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102689870B
CN102689870B CN201210151084.XA CN201210151084A CN102689870B CN 102689870 B CN102689870 B CN 102689870B CN 201210151084 A CN201210151084 A CN 201210151084A CN 102689870 B CN102689870 B CN 102689870B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
preparation
porous materials
photoresist
direct
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210151084.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102689870A (zh
Inventor
王晓红
申采为
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201210151084.XA priority Critical patent/CN102689870B/zh
Publication of CN102689870A publication Critical patent/CN102689870A/zh
Priority to US14/004,757 priority patent/US9046784B2/en
Priority to PCT/CN2013/000484 priority patent/WO2013170624A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102689870B publication Critical patent/CN102689870B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Abstract

本发明公开了属于多孔材料及微加工技术领域的一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法。该类材料的前驱体为纳米模板材料与光刻胶的混合物，混合物仍具有光刻胶的基本物理性质，通过标准光刻工艺在衬底上成膜并实现微小尺寸的图形结构。直接对具有图形结构的混合物进行化学刻蚀去除模板材料，形成多孔聚合物膜；或者将具有图形结构的混合物在高温下碳化，再去除模板材料，形成多孔碳膜。本发明通过一步标准光刻工艺及一次刻蚀直接在衬底上实现了具有微米尺寸图形的纳米多孔聚合物或碳膜，其操作简单，成本低，且具有极好的与其他微型电子机械系统集成的优点。

Description

一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法
技术领域
本发明属于多孔材料及微加工技术领域，具体涉及一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法。
背景技术
纳米多孔材料，如纳米多孔聚合物、纳米多孔碳等，在化学、生物、环境、能源等诸多学科具有广泛的应用，例如用作气体分离、吸附、水净化、大分子筛选、传感材料、药物输送、催化剂载体、储氢、超级电容电极等。因此，纳米多孔材料及其制备得到了广泛的研究，也是纳米技术中最有前景的领域之一。
纳米多孔材料制备的一个关键在于如何控制纳米孔的结构和大小，其中一类能够轻易调节纳米孔结构的方法称为模板方法，即用一种具有纳米结构的模板材料与主体材料混合，然后通过化学刻蚀等方法去除模板材料，便得到具有纳米多孔结构的主体材料。众多模板材料中，纳米氧化硅颗粒由于其制备方法简单、纳米尺寸容易控制且均一性好而得到了最广泛的应用。
另一方面，随着微型电子机械系统（MEMS）技术的发展，其与多学科的交叉使得微型芯片具有越来越多的功能，并日趋走向应用，如生物芯片、微型传感器等。在这类器件中，化学和生物材料往往是决定芯片性能的关键。一些材料，如有机聚合物，可通过光刻加刻蚀或软光刻的方法进行加工，而非常规的材料，如碳材料，可通过化学气相淀积（CVD）或碳化光刻胶的方法制备并获得微型结构。纳米多孔材料在各种传感器和微能源系统中应用前景广阔，但目前的技术却少有成功在微型器件中用到纳米多孔材料的例子，其主要原因在于，纳米多孔材料与微加工技术往往不兼容，或者是在微型器件内加入纳米多孔材料需要太过复杂的工艺步骤。
发明内容
本发明的目的是提供一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法。
一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料，所述的纳米多孔材料为具有图形结构的纳米多孔聚合物膜或纳米多孔碳膜材料。
一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料的制备方法，步骤如下：
（1）混合：对光刻胶进行搅拌，在搅拌中加入纳米模板材料，纳米模板材料与光刻胶质量比为1：1-20，加入溶剂调节粘度，溶剂与模板材料质量比为0- 10：1，随后对混合物进行机械或磁力搅拌1-2小时，再以超声搅拌0.5-2小时，两者交替3-5次；
（2）涂胶，前烘：将上述搅拌后的混合物旋涂于衬底上，转速为200-4000转/分钟，之后在80-100℃下烘烤3-30分钟；
（3）曝光，后烘：通过光刻机曝光，曝光强度为60-3000mJ/cm2，曝光后在80-100℃下烘烤3-30分钟；
（4）显影，坚膜：用显影液使混合物膜显影，获得光刻平面图形，最后在100-120℃下烘烤3-30分钟，得到有平面图形的混合物膜；
（5）移除模板：用氢氟酸溶液或氢氟酸与乙醇体积比为1:1-5的混合溶液对已有平面图形的混合物膜进行刻蚀，去除其中的模板材料得到多孔聚合物膜；或者将已有平面图形的混合物膜在氮气或氩气的惰性气体氛围下，或者真空下加热至600-1500℃，保持10-300分钟进行碳化，降至常温后，用氢氟酸溶液或氢氟酸与乙醇的混合溶液刻蚀，去除其中模板材料得到多孔碳膜。
步骤（1）中的衬底为硅片、玻璃片或抛光金属片。
步骤（1）中的纳米模板材料，为氧化硅纳米颗粒或纳米多孔硅胶，其中氧化硅纳米颗粒粒径为5-500nm，纳米多孔硅胶孔隙为1-200nm。
步骤（1）中的光刻胶为负性光刻胶。
步骤（1）中的溶剂为醇类、酮类、酯类中的一种。
本发明的有益效果为：本发明通过一步标准光刻工艺及一次刻蚀直接在衬底上实现了具有微米尺寸图形的纳米多孔聚合物或碳膜，其操作简单，成本低，且具有极好的与其他微型电子机械系统集成的优点，可作为关键功能材料在传感器、微型储能器等方面有多种应用。
附图说明
图1为显微镜下的具有平面图形的纳米多孔碳膜。
图2 为显微镜下的具有平面图形的纳米多孔聚合物膜。
具体实施方式
实施例1
取亲油性纳米二氧化硅颗粒（二氧化硅含量>99%，粒径约30nm）1g，及SU-8系列光刻胶（型号为SU-8 2010）7g，混合，并加入3g环戊酮作为调节黏度的溶剂，避光条件下，磁力搅拌6小时，超声搅拌3小时，直至混合均匀；
将硅片置于匀胶机上，调节转速为1200转/分钟，将上述混合物旋涂于衬底上，在95oC下烘烤3min，冷却至室温后，通过光刻机曝光，曝光强度为496mJ/cm2，再于95oC下烘烤3min，使用SU-8专用显影液显影，获得光刻图形，最后在120 oC下烘烤5min，得到厚度为20μm的有平面图形的混合物膜；
用4wt%的氢氟酸溶液刻蚀薄膜30min，即获得保持了平面图形的纳米多孔聚合物膜，其中聚合物成分为交联后的SU-8。
将衬底上薄膜刮下并经氮气吸附测量，得到多孔膜比表面积为22.4m2/g，孔体积为0.105 cm3/g，平均孔径为18.7nm。
实施例2
取亲油性纳米二氧化硅粉末（二氧化硅含量>99%，粒径约30nm）3g，及SU-8系列光刻胶（型号为SU-8 2010）21g，混合，并加入6g环戊酮作为调节黏度的溶剂，避光条件下，搅拌4小时，超声搅拌2小时，直至混合均匀；
将硅片置于匀胶机上，调节转速为1500转/分钟，将上述混合物旋涂于衬底上，在95oC下烘烤3min，冷却至室温后，通过光刻机曝光，曝光强度为496mJ/cm2，再于95oC下烘烤3min，使用SU-8专用显影液显影，获得光刻图形，最后在120 oC下烘烤5min，得到厚度为8μm的有平面图形的混合物膜；
在氮气环境中加热至900oC，保持1小时后冷却至室温，将8wt%的氢氟酸溶液与乙醇按体积比1：1混合，用混合液刻蚀薄膜30min，即获得保持了平面图形的纳米多孔碳膜，碳膜的平面图形见图1，保持了平面图形的纳米多孔碳膜在显微镜下的图像，放大倍数为50倍。图中大圆直径为300μm，小圆直径为100μm，大正方形边长为300μm，小正方形边长100μm。
将衬底上薄膜刮下并经氮气吸附测量，得到多孔碳比表面积为393 m2/g，孔体积为0.521 cm3/g，平均孔径为14.4nm。
实施例3
取亲油性纳米二氧化硅粉末（二氧化硅含量>99%，粒径约30nm）7g，及SU-8系列光刻胶（型号为SU-8 2010）21g，混合，并加入21g环戊酮作为调节黏度的溶剂，避光条件下，磁力搅拌4小时，超声搅拌4小时，直至混合均匀；
将硅片置于匀胶机上，调节转速为1000转/分钟，将上述混合物旋涂于衬底上，在95oC下烘烤3min，冷却至室温后，通过光刻机曝光，曝光强度为1080mJ/cm2，再于95oC下烘烤3min，使用SU-8专用显影液显影，获得光刻图形，最后在120 oC下烘烤5min，得到厚度为7μm的有平面图形的混合物膜；
用4wt%的氢氟酸溶液刻蚀薄膜30min，即获得保持了平面图形的纳米多孔聚合物膜，膜的平面图形见图2，保持了平面图形的纳米多孔聚合物膜在显微镜下的图像，放大倍数为50倍。图中大圆直径为300μm，小圆直径为100μm。
实施例4
取亲油性纳米二氧化硅粉末（二氧化硅含量>99%，粒径约30nm）6g，及SU-8系列光刻胶（型号为SU-8 100）7g，混合，并加入14g丁内酯（Gamma Butyrolactone）作为调节黏度的溶剂，避光条件下，磁力搅拌12小时，超声搅拌6小时，直至混合均匀；
将玻璃片置于匀胶机上，调节转速为3000转/分钟，将上述混合物旋涂于衬底上，在95oC下烘烤3min，冷却至室温后，通过光刻机曝光，曝光强度为992mJ/cm2，再于95oC下烘烤3min，使用SU-8专用显影液显影，获得光刻图形，最后在120 oC下烘烤5min，得到厚度为10μm的有平面图形的混合物膜；
用4wt%的氢氟酸溶液刻蚀薄膜10min，即获得纳米多孔SU-8膜。
实施例5
取亲油性纳米二氧化硅粉末（二氧化硅含量>99%，粒径约30nm）0.3g，及SU-8系列光刻胶（型号为SU-8 2007）5g，混合，避光条件下，搅拌4小时，超声搅拌2小时，直至混合均匀；
将硅片置于匀胶机上，调节转速为2000转/分钟，将上述混合物旋涂于衬底上，在95oC下烘烤3min，冷却至室温后，通过光刻机曝光，曝光强度为248mJ/cm2，再于95oC下烘烤3min，使用SU-8专用显影液显影，获得光刻图形，最后在120 oC下烘烤2min，得到厚度为20μm的有平面图形的混合物膜；
在氮气环境中加热至700oC，保持1小时后冷却至室温，将8wt%的氢氟酸溶液与乙醇按体积比1：1混合，用混合液刻蚀薄膜15min，即获得保持了平面图形的纳米多孔碳膜。

Claims (6)

1.一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：
(1)混合：对光刻胶进行搅拌，在搅拌中加入纳米模板材料，纳米模板材料与光刻胶质量比为1：1-20，加入溶剂调节粘度，溶剂与模板材料质量比为0-10：1，随后对混合物进行机械或磁力搅拌1-2小时，再以超声搅拌0.5-2小时，两者交替3-5次；
(2)涂胶，前烘：将上述搅拌后的混合物旋涂于衬底上，转速为200-4000转/分钟，之后在80-100℃下烘烤3-30分钟；
(3)曝光，后烘：通过光刻机曝光，曝光强度为60-3000mJ/cm2，曝光后在80-100℃下烘烤3-30分钟；
(4)显影，坚膜：用显影液使混合物膜显影，获得光刻平面图形，最后在100-120℃下烘烤3-30分钟，得到有平面图形的混合物膜；
(5)移除模板：用氢氟酸溶液或氢氟酸与乙醇体积比为1:1-5的混合溶液对已有平面图形的混合物膜进行刻蚀，去除其中的模板材料得到多孔聚合物膜；或者将已有平面图形的混合物膜在氮气或氩气的惰性气体氛围下，或者真空下加热至600-1500℃，保持10-300分钟进行碳化，降至常温后，用氢氟酸溶液或氢氟酸与乙醇的混合溶液刻蚀，去除其中模板材料得到多孔碳膜。
2.根据权利要求1所述的一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的衬底为硅片、玻璃片或抛光金属片。
3.根据权利要求1所述的一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的纳米模板材料，为氧化硅纳米颗粒或纳米多孔硅胶，其中氧化硅纳米颗粒粒径为5-500nm，纳米多孔硅胶孔隙为1-200nm。
4.根据权利要求1所述的一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的光刻胶为负性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的溶剂为醇类、酮类、酯类中的一种。
6.权利要求1-5任一所述方法制备的一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料。
CN201210151084.XA 2012-05-15 2012-05-15 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法 Active CN102689870B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210151084.XA CN102689870B (zh) 2012-05-15 2012-05-15 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法
US14/004,757 US9046784B2 (en) 2012-05-15 2013-04-27 Nanoporous film patterned by direct photolithography and method for preparing the same
PCT/CN2013/000484 WO2013170624A1 (zh) 2012-05-15 2013-04-27 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210151084.XA CN102689870B (zh) 2012-05-15 2012-05-15 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102689870A CN102689870A (zh) 2012-09-26
CN102689870B true CN102689870B (zh) 2015-04-15

Family

ID=46855630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210151084.XA Active CN102689870B (zh) 2012-05-15 2012-05-15 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9046784B2 (zh)
CN (1) CN102689870B (zh)
WO (1) WO2013170624A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102689870B (zh) 2012-05-15 2015-04-15 清华大学 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法
CN103072938B (zh) * 2012-12-18 2015-07-08 厦门大学 一种平面碳膜电极的制备方法
CN103072984B (zh) * 2013-01-10 2014-11-12 海博瑞恩电子科技无锡有限公司 一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法
CN103353447B (zh) * 2013-06-28 2016-08-24 浙江大学 离子液体填充型多孔硅光学voc传感阵列及其制备方法
CN103746033A (zh) * 2013-12-30 2014-04-23 张家港鹏博光电科技有限公司 一种多晶硅太阳能电池酸腐制绒用光刻胶的去除方法
US10134634B2 (en) * 2014-11-04 2018-11-20 Georgia Tech Research Corporation Metal-assisted chemical etching of a semiconductive substrate with high aspect ratio, high geometic uniformity, and controlled 3D profiles
CN104502421A (zh) * 2014-12-16 2015-04-08 电子科技大学 一种室温p-n-p异质结型氢气传感器及其制备方法
CN104701416A (zh) * 2015-03-02 2015-06-10 徐州工业职业技术学院 二氧化硅光刻胶掩膜制备黑硅的方法
CN106887344A (zh) * 2017-02-06 2017-06-23 清华大学 超级电容器电极及其制备方法和超级电容器
CN108807007B (zh) * 2018-08-08 2019-10-25 武汉理工大学 三维纳米线状孔碳材料以及高电压微型超级电容器的制作工艺
WO2022046697A1 (en) 2020-08-24 2022-03-03 Johnson Ip Holding, Llc Thermo-electrochemical converter having dense metal electrode

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5542558A (en) * 1993-09-18 1996-08-06 Robert Bosch Gmbh Method for manufacturing micro-mechanical components using selective anodization of silicon
CN101203554A (zh) * 2005-06-20 2008-06-18 西门子水技术公司 聚合物膜的交联处理
CN102035043A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 上海比亚迪有限公司 聚合物多孔膜、其制备方法、聚合物电解质及聚合物电池和电池的制备方法
CN102247764A (zh) * 2011-07-26 2011-11-23 南京工业大学 一种碳/石墨/多孔基体复合膜及其制备方法和应用

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003131001A (ja) * 2001-05-25 2003-05-08 Shipley Co Llc 多孔性光学物質
EP1721657A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-15 SONY DEUTSCHLAND GmbH A method of fabricating a polymeric membrane having at least one pore
US8349547B1 (en) * 2009-12-22 2013-01-08 Sandia Corporation Lithographically defined microporous carbon structures
CN102689870B (zh) * 2012-05-15 2015-04-15 清华大学 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5542558A (en) * 1993-09-18 1996-08-06 Robert Bosch Gmbh Method for manufacturing micro-mechanical components using selective anodization of silicon
CN101203554A (zh) * 2005-06-20 2008-06-18 西门子水技术公司 聚合物膜的交联处理
CN102035043A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 上海比亚迪有限公司 聚合物多孔膜、其制备方法、聚合物电解质及聚合物电池和电池的制备方法
CN102247764A (zh) * 2011-07-26 2011-11-23 南京工业大学 一种碳/石墨/多孔基体复合膜及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
高级多孔微结构的聚合物膜的水滴模板法制备与应用研究;葛文佳;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》;20120315(第3期);摘要部分 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102689870A (zh) 2012-09-26
US20140295331A1 (en) 2014-10-02
US9046784B2 (en) 2015-06-02
WO2013170624A1 (zh) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102689870B (zh) 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法
Li et al. Ordered honeycomb-structured gold nanoparticle films with changeable pore morphology: From circle to ellipse
Yu et al. Syntheses of silica/polystyrene-block-poly (ethylene oxide) films with regular and reverse mesostructures of large characteristic length scales by solvent evaporation-induced self-assembly
Cheng et al. Morphology phase diagram of ultrathin anatase TiO2 films templated by a single PS-b-PEO block copolymer
CN102012633B (zh) 基于su-8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法
Son et al. Assembly of sub-10-nm block copolymer patterns with mixed morphology and period using electron irradiation and solvent annealing
Shen et al. Direct prototyping of patterned nanoporous carbon: a route from materials to on-chip devices
CN103043654B (zh) 一种含有石墨烯和/或氧化石墨烯的薄膜及其制备方法
CN102243435B (zh) 一种通过正负光刻胶复合显影制备微纳米流体系统的方法
Tan et al. Free-standing porous anodic alumina templates for atomic layer deposition of highly ordered TiO2 nanotube arrays on various substrates
Zhang et al. Pathways to mesoporous resin/carbon thin films with alternating gyroid morphology
Krishnamoorthy et al. Block copolymer micelles as switchable templates for nanofabrication
Black et al. Patterning disorder in monolayer resists for the fabrication of sub-100-nm structures in silver, gold, silicon, and aluminum
CN100514185C (zh) 一种制作聚合物自支撑纳微米线的方法
Miao et al. Improved metal assisted chemical etching method for uniform, vertical and deep silicon structure
She et al. Nanostructured thin films of degradable block copolymers and their applications
CN109135288A (zh) 一种用于提高纳米摩擦发电机性能的pdms-ptfe薄膜及其制备方法
CN103043596B (zh) 具有微米与纳米复合阵列结构的柔性材料及其制备方法和用途
CN104129752A (zh) 一种跨尺度微纳米褶皱结构的制备方法
CN104194018A (zh) 一种以蜂窝状多孔膜为模版构筑功能性有序多孔膜的方法
CN103372469B (zh) 微孔薄膜微流控芯片及其制备方法与应用
JP4808385B2 (ja) ナノ材料の製造方法
CN107093607B (zh) 阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板
CN106750473B (zh) 一种采用室温反压印技术制备高分辨率热塑性聚合物图案的方法
Crossland et al. In situ electrochemical monitoring of selective etching in ordered mesoporous block-copolymer templates

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant