JPH07135129A

JPH07135129A - Ｓｉ転写マスク、及び、Ｓｉ転写マスクの製造方法

Info

Publication number: JPH07135129A
Application number: JP15168493A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Kagami; 照行鏡味; Sakae Yaita; 栄矢板; Jiro Katane; 二朗片根; Mitsuo Tanabe; 光男田辺; Yoshinori Nakayama; 義則中山; Hidetoshi Sato; 秀寿佐藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-06-23
Filing date: 1993-06-23
Publication date: 1995-05-23
Anticipated expiration: 2017-03-18
Also published as: KR100300109B1; JP3265718B2; US5520297A

Abstract

(57)【要約】【目的】電子ビーム描画装置のマルチショット描画方式
などに用いるＳｉ転写マスクをドライエッチングと異方
性エッチングの組合わせで、作製することでＳｉ屑など
の異物を低減し、高信頼のＳｉ転写マスクを提供する。【構成】貼り合わせＳｉ基板の一表面へ転写マスクパタ
ーン４とチップ化するためのパターン５をドライエッチ
ングで加工し、保護膜を形成後、もう一方の表面へ形成
した開口パターン７および８をシリコンのシール剤を用
いて保護しウェハ一括異方性エッチング加工することで
Ｓｉ転写マスクをチップ化する。【効果】帯電防止膜の剥離や、チャージアップの生じな
いＳｉ転写マスクが得られ、高精度の描画ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、セルプロジェクション
タイプの電子ビーム描画装置等に用いられるＳｉ転写マ
スク、及び、Ｓｉ転写マスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の製造において
は、超微細パターンの加工に電子ビーム描画装置が使用
されており、パターンを描く絞り（転写マスク）には従
来Ｍｏ板が使用されていた。スループットの向上を図る
には加工精度が高いＳｉを用いた転写マスクをマルチシ
ョット描画方式に用いる案が提案されている（特開昭60
−81750号公報，特開平2−76216号公報，特開平4−2431
18号公報）。

【０００３】これらに知られたＳｉ転写マスクの製造工
程図を説明する。シリコン単結晶基板の一方の表面上に
シリコン窒化膜を形成し、アパーチャ絞りの開口部に該
当する部分のシリコン窒化膜を蝕刻除去する。もう一方
の表面上にシリコン窒化膜を形成し、その上にＴｉ薄膜
とＡｕ薄膜を順次形成する。Ａｕ薄膜上にマスクと相補
の関係にあるパターンをレジストにより形成し、Ａｕメ
ッキすることにより、電子線吸収層を形成し、レジスト
を除去する。イオンエッチング法により、電子線吸収層
の開口部分のＡｕ薄膜及びＴｉ薄膜をシリコン窒化膜が
露出するまで除去した後にシリコン窒化膜を保護マスク
としてシリコン単結晶基板の露出部を異方性エッチング
する。

【０００４】さらに、シリコン貼り合わせ単結晶基板の
一方の表面に転写マスクパターンを形成し、その後、転
写マスクパターンに相対する関係にあるパターンを開口
し、ダイシングによりチップ化する。なお表面転写マス
クパターン保護と開口部のマスク材にはＳｉ₃Ｎ₄膜を用
いている。つづいて、ガラス板へワックスで接着し、表
面の転写マスクパターン部を保護する。ＫＯＨ水溶液
（７５℃）へ入れ、所定の深さ（酸化膜の所）まで異方
性エッチングし、水洗後有機洗浄し、ガラスより剥離す
る。パターン表面へＡｕ等の金属膜を形成し、作製す
る。

【０００５】また、上記した特開平2−76216号公報に
は、Ｓｉを使った転写マスクに厚いリブを設ける構造が
記載されている。また、特開平4−243118 号公報には、
帯電防止膜を形成した構成が開示されている。

【０００６】このようにして、シリコン単結晶基板に
は、同様の転写マスクが複数形成される。従来の技術で
は、各々の転写マスクを切離すために、ダイシング加工
していた（ダイシングソウで切断）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のＳｉ転写マスク
の生産方法においては、ダイシング加工して、チップ化
し、ワックスで保護加工し、転写マスクとする方法が用
いられていたので下記のような問題点が付随していた。

【０００８】すなわち、ダイシングソウでＳｉを切断
し、チップ化するためＳｉ切削屑が転写マスクへ付着す
る。洗浄しても、完全にこのＳｉ屑は除去は困難であ
る。このため、転写マスクとして電子ビーム描画装置へ
搭載して使用した場合、この汚れがチャージアップなど
の原因となった。

【０００９】また、帯電防止膜を転写マスク表面に形成
しても、高い加速電圧ではＳｉ切削屑などの汚れが原因
で帯電防止膜が剥離するという大きな問題が発生してい
た。さらに、従来のワックスで保護して異方性エッチン
グする手法では、ワックスがＫＯＨ水溶液等７０℃以上
の高温の異方性エッチング液に耐久性がなく、何度も塗
り返さなければならなく、そしてエッチング液より出し
入れするため、汚れが付着して完全に除去できなかった
り、Ｓｉ転写マスクの外観形状に欠陥が発生し、製品歩
留まりが上がらない問題もあった。

【００１０】本発明の第１の目的は、上記Ｓｉ転写マス
クに汚れがなく、留まりの高い高信頼性のＳｉ転写マス
クとＳｉ転写マスクの製造方法を提供することにある。

【００１１】また、従来の転写マスク構造では不活性化
絶縁膜のＳｉ₃Ｎ₄膜やシリコン基板が露出しているた
め、ビームが膜を透過したり、チャージアップしたり、
そしてＡｕ等の電子線吸収層とＳｉ₃Ｎ₄などの支持染の
応力差で、使用時の照射ビームにより転写マスクが歪む
恐れがある。

【００１２】本発明の第２の目的は、照射ビームによる
転写マスクの歪みを抑えることが可能なＳｉ転写マスク
とＳｉ転写マスクの製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明では、シリコン膜に複数のパターンを
形成し、さらに、形成した各々のパターンの面積よりも
大きな開口を有するようにシリコン膜を脆弱部を形成す
るようにしてシリコン転写マスクを製造する。また、上
記第２の目的を達成するために、上記チップ化されたＳ
ｉ転写マスクは、両面から、帯電防止膜を形成するか、
またはマスクホルダーへ組み立て後、両面へマスクホル
ダーごと帯電防止膜を形成するようにする。

【００１４】

【作用】上記のように構成されると、脆弱部は、例えば
自重により、剪断力がかかりパターン部は切り離され、
チップ分離される。このように、Ｓｉ転写マスクは、タ
イシング加工の工程を経なくても、チップ化され、クリ
ーンプロセスで作製でき、Ｓｉ切削屑やワックス，薬品
等の汚れが付着しない。また、ウェハで一括エッチング
でチップ化されるため転写マスク１組を作るに要する時
間を低減できる。さらに、チップの両面と側壁へ帯電防
止膜を形成することにより、このＳｉ転写マスクは電子
ビーム描画装置へ搭載し使用してもチャージアップや、
帯電防止膜の剥離が発生せず、外観形状の欠陥による歩
留まり低下も消減する。また、望ましくは、Ｓｉを電子
ビーム吸収体とし、極く薄い金属膜を帯電防止膜とした
構造とすることにより、放熱性に優れ、照射電子ビーム
により発生する熱による歪を回避できる。

【００１５】

【実施例】

（実施例１）図１〜図７を用いて本発明によるＳｉ転写
マスクとＳｉ転写マスクの生産方法の一実施例を詳細に
説明する。まず、図１に示す製造工程に従い、なおか
つ、図５の工程フローを参照して説明する。

【００１６】図１−ａ）は、面方位（１００）の両面ミ
ラーの貼り合わせＳｉ単結晶基板１の両側にシリコン酸
化膜２および貼り合わせ用のシリコン酸化膜２′を形成
する（Ｓ１：図５）。

【００１７】図１−ｂ）は、貼り合わせＳｉ単結晶基板
１の一方の表面上へ、多層レジスト３を積層後、転写マ
スクパターン４とチップ分離するためのパターン５を形
成する（Ｓ２，Ｓ３：図５）。

【００１８】図示されていない転写マスクパターンに
は、転写マスク合わせパターン，装置調整用パターン，
精度確認用パターン、そして、ＩＣ／ＬＳＩ等で使用す
るプロセスパターンのＦＧパターンや、配線パターンそ
して、拡散パターン等が形成されている。Ｓｉをドライ
エッチングする加工幅としては、１μｍから２mmまであ
る。

【００１９】図１−ｃ）は、多層レジスト３をマスクに
して、ドライエッチング装置で、転写マスクパターン４
とチップ分離するためのパターン５を所定の深さまで同
時にエッチング加工する。ドライエッチングはシリコン
酸化膜２′の所で停止する（Ｓ４：図５）。

【００２０】その後、図１−ｄ）に示すように、両面に
７５０℃でＳｉ₃Ｎ₄膜６を３００ｎｍ形成する。

【００２１】図１−ｅ）は、転写マスクパターン４とチ
ップ化するためのパターン５と相対する関係になるよう
に両面アライナでパターン合わせしパターンを形成す
る。そして、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６とシリコン酸化膜２を開口７
および８する（Ｓ５，Ｓ６：図５）。

【００２２】図１−ｆ）は、ガラス板９へ転写マスクパ
ターン部４とチップ分離するためのパターン５を保護す
るように、シリコンのシール剤１０で転写マスク用Ｓｉ
ウェハを接着する（Ｓ７：図５）。

【００２３】なお、図２に、図１−ｆ）のガラス板９へ
シリコンシール剤１０でパターニングされた転写マスク
用Ｓｉウェハ１１は接着シールされた状態を示す。

【００２４】図１−ｇ）は、図１−ｆ）に示したガラス
板９へ接着されたＳｉウェハ１１を異方性エッチング液
（ＫＯＨ水溶液７０℃）に入れ、転写マスクパターン４
とチップ分離するためのパターン５と相対する関係にあ
る開口部７および８のＳｉを所定時間エッチングし、Ｓ
ｉ転写マスクパターン４の薄板化と同時にチップ分離す
るためのパターン５へ開口部８が、接近または到達した
ときを示している。もちろん転写マスクパターン４へも
開口部７が同時に到達している(Ｓ８：図５)。このと
き、転写マスクパターン４は図３に示すようになってい
る。一方、チップ分離するためのパターン５は図４に示
すようになっている。これから分かるように、転写マス
クパターン４の部分に、密に、パターンが形成されてい
るために、シリコン１′が比較的に密になっている。そ
のため、この部分の機械的強度はそれほど弱くない。一
方、チップ分離するためのパターン５では、Ｓｉ₃Ｎ₄膜
６及びシリコン酸化膜２′のみで形成されており（これ
らの膜はきわめて薄い）、また、シリコン１′が全く含
まれていないので、この部分は機械的な強度がかなり弱
くなっている（脆弱部）。そのために、異方性エッチン
グが進み、シリコン１が除去されると、チップの重みに
耐えられなくなり、剪断破壊する（チップ分離するため
のパターン５が割れる。）。このようにして、各々の転
写マスクはチップ分離する。

【００２５】すなわち、転写マスクパターン４は図１−
ｈ）に示すような形状になってチップ分離される。

【００２６】その後、酸エッチングにより図１−ｉ）に
示したようにＳｉ₃Ｎ₄膜６とシリコン酸化膜２，２′を
除去，洗浄・乾燥後（Ｓ９：図５）、転写マスクパター
ン４の両面から帯電防止膜のＰｄ２％含有Ｐｔ膜１２を
スパッタリングにより形成し（Ｓ１０：図５）、図１−
ｊ）に示したようにＳｉ転写マスク１３とする。このよ
うに作製されたＳｉ転写マスク１３は図６に示したよう
にマスクホルダー１４へ組み込まれ（Ｓ１１：図５）、
そして図７に示したように電子ビーム描画装置へ搭載さ
れる。このＳｉ転写マスクは、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６，シリコン
酸化膜２の除去のときよく洗浄できるため、帯電防止膜
の上・下に０.１μｍ以上の異物は全く観察されなく、
５０ｋＶの加速電圧で電子ビームの照射を連続３０００
ｈｒ経過しても帯電防止膜の剥離やチャージアップによ
る劣化がない（取得率従来３０％→本実施９８％)。

【００２７】（実施例２）図８，図９は、本発明による
Ｓｉ転写マスクとＳｉ転写マスクの製造方法の実施例の
断面図である。

【００２８】実施例１と同様の貼り合わせＳｉ単結晶基
板１を用い、作製工程も図１−ａ）から図１−ｅ）まで
は同じ工程で作製する。

【００２９】その後、図８に示したようにガラス板９へ
転写マスクパターン４とチップ分離するためのパターン
５を保護するため、ワックス１５で転写マスク用Ｓｉウ
ェハ１１を接着し、シリコンのシール剤１０でシールす
る。その後は実施例１と同様の工程で異方性エッチング
し、チップ分離される。そして洗浄・乾燥後、実施例１
と同様、帯電防止膜の金属膜を両面に形成し、Ｓｉ転写
マスク１００とする。なお、図９に示したように、帯電
防止膜の金属膜は、マスクホルダー１４へ組み込んでか
ら、形成してもよく、図９の形状であってもＳｉ転写マ
スクの信頼性には影響がない。

【００３０】もちろん、帯電防止膜の表面および膜の下
には異物は観察されない。

【００３１】また、５０ｋＶの加速電圧で、連続３００
０ｈｒ以上のビーム照射に対しても帯電防止膜の剥離や
チャージアップの劣化はなく、信頼性の高いＳｉ転写マ
スクが得られている。

【００３２】（実施例３）図１０は、本発明による他の
Ｓｉ転写マスクとＳｉ転写の製造方法を示す断面図であ
る。

【００３３】図１０−ａ）は、両方位（１００）のＳｉ
単結晶基板１８であり、シリコン酸化膜２が両面に形成
されている。

【００３４】図１０−ｂ）は、電子ビーム描画により転
写マスクパターン４とチップ分離するためのパターン５
をパターニングし、開口する。

【００３５】図１０−ｃ）は、シリコン酸化膜２をマス
クにドライエッチング装置で転写マスクパターン４とチ
ップ化するためのパターン５を所定の深さまでエッチン
グ加工する。

【００３６】その後、図１０−ｄ）に示すように、両面
に７５０℃でＳｉ₃Ｎ₄膜６を３５０ｎｍ形成する。

【００３７】さらに、転写マスクパターン４とチップ化
するためのパターン５と相対する関係になるように、パ
ターンを形成し、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６と、シリコン酸化膜２を
開口１９および２０とする。

【００３８】さらに実施例２と同様に、ガラス板９へ転
写マスクパターン４とチップ化するパターン５を保護す
るためワックス１５で転写マスク用Ｓｉウェハ２１を接
着し、シリコンのシール剤１０でシールする。

【００３９】その後は異方性エッチング液へ入れ、開口
部１９および２０のＳｉ部をエッチングし、転写マスク
パターン４およびチップ化するためのパターン部５へ接
近または到達する。

【００４０】エッチング後ワックスをとかしチップをガ
ラス板９より剥離し、洗浄する。

【００４１】つづいて、図１０−ｅ）に示すように、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄膜６とシリコン酸化膜２をエッチング除去し、チ
ップをよく洗浄する。

【００４２】このようにして作製されたＳｉ転写マスク
は、ダイシングによるＳｉ屑やワックスの塗り返しによ
る汚れが付着していない。

【００４３】図１０−ｆ）は、マスクホルダー１４へ組
み込んでから両面へ帯電防止膜であるタングステンシリ
サイド膜２２を５０ｎｍ形成した後の形状を示してい
る。

【００４４】このＳｉ転写マスクを電子ビーム描画装置
へ搭載し、５０ｋＶの電子ビームで照射されても連続３
０００ｈｒ経過しても帯電防止膜の剥離やチャージアッ
プによる劣化がない。

【００４５】（実施例４）図１１は、本発明による他の
Ｓｉ転写マスクとＳｉ転写マスクの製造方法を示す断面
図である。

【００４６】図１１へ達するまでの作製工程のうち実施
例１に示した図１−ａ)，図１−ｂ)，図１−ｃ）の工程
は同じである。その後、図１１に示すように、転写マス
クパターン４とチップ分離するパターン５を保護するた
め、従来のＳｉ₃Ｎ₄膜だけでは応力が弱く、クラックが
入りやすく、歩留まり向上のため下地にＣＶＤによりシ
リコン酸化膜２３を２００ｎｍ形成し、さらにＳｉ₃Ｎ₄
膜６２５０ｎｍを形成する。転写マスクパターン４と
チップ化するパターン５と相対する関係になるようＳｉ
₃Ｎ₄膜６とシリコン酸化膜２と２３を開口７および８
し、そのＳｉ部を同時に異方性エッチングする。さら
に、開口部７および８は、転写マスクパターン４および
チップ分離するパターン部５へ同時に接近または到達す
る。実施例１と同様チップ分離される。なお、図１１
は、実施例１や実施例２と同じく、ガラス板へワックス
で接着し、シリコンのシール剤でシールして、異方性エ
ッチングしても同様に作製できる。

【００４７】このような方法で作製されたＳｉ転写マス
クは、マスクホルダーへ組み込まれ両面へ帯電防止膜で
あるＡｕ膜を両面へ形成される。

【００４８】（実施例５）図１２は、本発明である他の
Ｓｉ転写マスクとＳｉ転写マスクの製造方法を示す断面
図である。

【００４９】図１２−ａ）は両方位（１００）のＳｉ単
結晶基板２４であり、シリコン酸化膜２(１.０μｍ）と
Ｓｉ₃Ｎ₄膜６(０.３μｍ）が両面に形成されている。

【００５０】図１２−ｂ）のＳｉ単結晶基板２４は、電
子ビーム描画により転写マスクパターンとチップ化する
パターンと相対する関係になるように、一方の表面をパ
ターニングし開口２５および２６とする。

【００５１】その後、開口部の２５および２６を異方性
エッチング後、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６およびシリコン酸化膜７を
除去し、洗浄する。図１２−ｃ）に示す形状のＳｉ転写
マスク用チップ２７が取得できる。

【００５２】このままのチップを電子ビーム描画装置
や、電子ビーム走査形電子顕微鏡用の転写マスクおよび
アパーチャ絞りとして使用してもよく、さらに帯電防止
用Ｐｄ入りＰｔ膜などを形成し用いても同様の効果が得
られる。

【００５３】（実施例６）図１３は、本発明である他の
Ｓｉ転写マスクとＳｉ転写マスクの製造方法を示す断面
図である。

【００５４】実施例１と同様に両面ミラー貼り合わせＳ
ｉ単結晶基板１を用い、図１−ａ）から図１−ｄ）まで
同じ工程で作製される。

【００５５】その後、図１２に示すように、転写マスク
パターン４とチップ分離するためのパターン５が形成さ
れている一表面上へタングステン膜２８をＣＶＤ法によ
り形成する。そして、転写マスクパターン４とチップ分
離するためのパターン５と相対する関係になるようにＳ
ｉ₃Ｎ₄膜６とシリコン酸化膜２を開口７および８とす
る。

【００５６】実施例２と同様、ガラス板へ転写マスクパ
ターン部４とチップ分離するためのパターン５をワック
スで保護するように接着し、さらにシリコンシール剤で
シールする。そして、異法性エッチング液で所定時間エ
ッチングし、チップ分離する。

【００５７】洗浄後チップ分離され、マスクホルダーへ
組み込まれ、２％Ｐｄ入りＰｔ膜が形成されたＳｉ転写
マスクとなる。

【００５８】このＳｉ転写マスクには異物は全く観察さ
れず、５０ｋＶの加速電圧で電子ビーム照射を連続３０
００ｈｒ以上照射しても帯電防止膜の剥離やチャージア
ップの劣化はない。

【００５９】（実施例７）図１４は、本発明である他の
転写マスクとＳｉ転写マスクの製造方法を示す断面図で
ある。

【００６０】実施例１と同様に両面ミラーの貼り合わせ
Ｓi単結晶基板１を用い、図１−ａ)から図１−ｃ）まで
同じ工程で作製される。

【００６１】その後Ｓｉドライエッチング用多層レジス
トマスクを除去後、図１０−ａ）に示すように、両面に
ＣＶＤ法によりタングステン膜２８を２００ｎｍ形成
し、転写マスクパターン４とチップ化するためのパター
ン５と相対する関係になるようにパターンを形成し、タ
ングステン膜２８とシリコン酸化膜２を開口２９および
３０とする。その後、図１−ｆ）と同様なシール剤１０
で保護し、異方性エッチングし、チップ化する。

【００６２】図１４−ｂ）は、マスクホルダー１４へ組
み込み、２％Ｐｄ入りＰｔ膜１２を両面から形成し、Ｓ
ｉ転写マスクとする。

【００６３】このようにして作製されたＳｉ転写マスク
には、異物は全く観察されず、電子ビーム描画装置へ搭
載し、マルチショット描画の転写マスクとして使用され
る。５０ｋＶの加速電圧で電子ビーム照射を連続３００
０ｈｒ以上照射しても帯電防止膜の剥離やチャージアッ
プの劣化はない。

【００６４】

【発明の効果】本発明により、異物を低減した半導体プ
ロセス生産方法で作製することにより、高信頼のＳｉ転
写マスクを提供することができる。

【００６５】すなわち本発明では、ドライエッチングで
転写マスクパターンとチップエリアを加工し、シリコン
酸化膜とＳｉ₃Ｎ₄膜の２層構造をマスク材としてウェハ
一括により異方性エッチングすることで、チップ化し、
Ｓｉ屑や異物のつかないＳｉ転写マスクを提供すること
ができる。

【００６６】実験によれば、異方性エッチングを用いな
いでチップ分離し、作製したＳｉ転写マスクをセルプロ
ジェクション描画用として電子ビーム描画装置へ搭載
し、５０ｋＶの加速電圧でビーム照射した所、連続照射
７０ｈｒでチャージアップが生じたが、本発明による異
物のつかない、ウェハ一括による異方性エッチングでチ
ップ分離したＳｉ転写マスクでは５０ｋＶの加速電圧で
連続ビーム照射3000hr以上たっても、帯電防止膜の剥離
やチャージアップは生じない。これにより本発明によれ
ば、４０倍以上寿命が延びたことがわかる。

【００６７】また、ウェハ一括でＳｉ転写マスクのチッ
プを取得できるので、従来のダイシング後ワックスで保
護し、応力に弱いＳｉ₃Ｎ₄膜だけのマスク材でチップで
の異方性エッチングではチップ取得は２０個のうち、６
０％に外観不良が発生したのに対して、本発明では９５
％以上の歩留まりで取得でき、また、取得に要する時間
も大幅に削減できる。

【００６８】さらに本発明では、大容量のＤＲＡＭのよ
うな微細パターンを加工するには異物のないＳｉ転写マ
スクの両面と側壁へ帯電防止膜の金属膜を形成しておく
ことで、帯電防止膜の剥離やチャージアップが生じない
Ｓｉ転写マスクを提供できるので、高精度のセルプロジ
ェクション描画ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における、Ｓｉ転写マス
クの製造工程を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施例における、転写マスク用
Ｓｉウェハが接着シールされた状態を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施例における、Ｓｉ転写マス
クパターン部を示す図である。

【図４】本発明の第１の実施例における、チップ分離の
ためのパターンを示す図である。

【図５】本発明の第１の実施例における、Ｓｉ転写マス
クの製造工程のフローを示す図である。

【図６】本発明の第１の実施例における、Ｓｉ転写マス
クをマスクホルダーに組込んだ状態を示す図である。

【図７】本発明の第１の実施例における、Ｓｉ転写マス
クをセルプロジェクション形電子ビーム描画装置に組込
んだ状態を示す図である。

【図８】本発明の第２の実施例における、Ｓｉ転写マス
クの製造方法を示す図である。

【図９】本発明の第２の実施例における、Ｓｉ転写マス
クの製造方法を示す図である。

【図１０】本発明の第３の実施例における、Ｓｉ転写マ
スクの製造方法を示す図である。

【図１１】本発明の第４の実施例における、Ｓｉ転写マ
スクの製造方法を示す図である。

【図１２】本発明の第５の実施例における、Ｓｉ転写マ
スクの製造方法を示す図である。

【図１３】本発明の第６の実施例における、Ｓｉ転写マ
スクの製造方法を示す図である。

【図１４】本発明の第７の実施例における、Ｓｉ転写マ
スクの製造方法を示す図である。

【符号の説明】

１…Ｓｉ単結晶基板、２，２′…シリコン酸化膜、３…
多層レジスト、４…転写マスクパターン、５…チップ化
するためのパターン、６…Ｓｉ₃Ｎ₄膜、７，８…開口
部、９…ガラス板、１０…シリコン・シール剤、１１…
転写マスク用Ｓｉウェハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田辺光男茨城県勝田市大字市毛882番地株式会社日立製作所計測器事業部内 (72)発明者中山義則東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者佐藤秀寿東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコンを除去してパターンを形成する工
程と、前記各々のパターンの面積よりも大きな開口を有
するようにシリコンを除去して脆弱部を形成する工程を
有することを特徴とするシリコン転写マスク製造方法。
【請求項２】請求項１において、複数のパターンを形成
する工程を有することを特徴とするシリコン転写マスク
製造方法。
【請求項３】請求項２において、前記脆弱部を、前記パ
ターンの間に形成することを特徴とするシリコン転写マ
スク製造方法。
【請求項４】請求項３において、前記シリコンに隣接し
てシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコンを前
記シリコン酸化膜付近まで除去することにより前記脆弱
部を形成することを特徴とするシリコン転写マスク製造
方法。
【請求項５】請求項４において、前記シリコンと前記シ
リコン酸化膜を挾んで反対側に形成された第２のシリコ
ンを、異方性エッチングで除去する工程を有することを
特徴とするシリコン転写マスク製造方法。
【請求項６】請求項５において、前記シリコン酸化膜を
除去する工程を有することを特徴とするシリコン転写マ
スク製造方法。
【請求項７】シリコンに形成されたパターンと、前記各
々のパターンの面積よりも大きな開口を有する脆弱部を
有することを特徴とするシリコン転写マスク。
【請求項８】シリコンに形成されたパターン部と、前記
パターン部よりも強度が弱い脆弱部を有することを特徴
とするシリコン転写マスク。
【請求項９】薄膜領域に荷電ビーム形成用の開口部を有
したシリコン転写マスクの製造方法において、該開口部
形成工程と該転写マスクのチップ分離工程が共通である
ことを特徴とするシリコン転写マスク製造方法。
【請求項１０】表面から加工開口しもう一方の表面から
加工開口する加工で作製するＳｉ転写マスクの製造方法
において、両面両表面がミラー面である貼り合わせＳｉ
ウエハの一方にシリコン酸化膜が形成されたＳｉ半導体
基板の一方の表面上へ転写マスクパターンとチップ分離
するためのパターンを同時に形成する工程と、前記Ｓｉ
転写マスクパターンとチップ分離するためのパターンを
所定の深さまで加工する工程と、もう一方の表面上へ転
写マスクパターンとチップ分離するためのパターンと相
対する関係になるように両面アライナを用いてパターン
を形成する工程と、前記Ｓｉ転写マスクパターンとチッ
プ分離するためのパターンと相対する関係にあるパター
ン部を同時に加工し、前記Ｓｉ転写マスクパターン部と
チップ分離するためのパターン部へ前記Ｓｉ転写マスク
パターンとチップ分離するためのパターンと相対する関
係にあるパターンの加工部が同時に到達または接近する
まで加工する工程と、前記Ｓｉ転写マスクパターン部と
チップ分離するためのパターン部へ、前記Ｓｉ転写マス
クパターンとチップ分離するためのパターンと相対する
関係にあるパターンの加工部が同時に到達または接近し
た時、転写パターンと薄板化とチップ分離を同時にする
工程を有することを特徴とするＳｉ転写マスクの製造方
法。
【請求項１１】基板の一部を除去してパターンを形成す
る工程と、前記各々のパターンの面積よりも大きな開口
を有するように前記基板の一部を除去して脆弱部を形成
する工程を有することを特徴とする基板製造方法。
【請求項１２】パターンと、前記各々のパターンの面積
よりも大きな開口を有する脆弱部を有することを特徴と
する基板。
【請求項１３】パターン部と、前記パターン部よりも強
度が弱い脆弱部を有することを特徴とする基板。
【請求項１４】シリコンを除去してパターンを形成する
工程と、該シリコンの外側に帯電防止膜を形成する工程
を有することを特徴とするシリコン転写マスク製造方
法。
【請求項１５】請求項１４において、該パターンを形成
したシリコンをマスクホルダーに設置する工程と、前記
パターンを形成したシリコン及び前記マスクホルダーに
共に帯電防止膜を形成する工程を有することを特徴とす
るシリコン転写マスク製造方法。
【請求項１６】シリコンに形成されたパターンと、前記
パターンの外側に形成された帯電防止膜を有することを
特徴とするシリコン転写マスク。
【請求項１７】請求項１６において、前記帯電防止膜は
金属膜であることを特徴とする転写マスク。