JP3325133B2 - 容量型加速度センサの製造方法 - Google Patents
容量型加速度センサの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細加工技術を用いた直
列容量型の半導体加速度センサの製造方法に関する。
列容量型の半導体加速度センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン基板の微細加工により加
速度を受けて変位するウエイトをカンチレバーで支持
し、ウエイトの可動電極に対して微小間隙を隔てて形成
された固定電極とで直列接続の静電容量を形成した静電
容量型加速度センサが知られている（特開平１−１５２
３６９号公報）。このセンサでは、ウエイトとカンチレ
バーとを微細加工で製作した半導体基板を両面からガラ
ス基板で接合している。この時、両ガラス基板の裏面に
形成されている固定電極に対する配線層の引出しに際
し、配線層が半導体基板とガラス基板との接合部で半導
体と接触しないように、配線層が通過する溝が形成され
ている。従って、各チップにスクライビングする時、こ
の溝を通して砥粒や切削液がセンサの内部空間に侵入す
る。
速度を受けて変位するウエイトをカンチレバーで支持
し、ウエイトの可動電極に対して微小間隙を隔てて形成
された固定電極とで直列接続の静電容量を形成した静電
容量型加速度センサが知られている（特開平１−１５２
３６９号公報）。このセンサでは、ウエイトとカンチレ
バーとを微細加工で製作した半導体基板を両面からガラ
ス基板で接合している。この時、両ガラス基板の裏面に
形成されている固定電極に対する配線層の引出しに際
し、配線層が半導体基板とガラス基板との接合部で半導
体と接触しないように、配線層が通過する溝が形成され
ている。従って、各チップにスクライビングする時、こ
の溝を通して砥粒や切削液がセンサの内部空間に侵入す
る。
【０００３】このことを防止するために、スクライビン
グの前にガラス基板の溝に対応する位置に縦穴を形成
し、その縦穴から軟質の接着剤を充填して、配線層と溝
との隙間を封止した後、スクライビングしている。
グの前にガラス基板の溝に対応する位置に縦穴を形成
し、その縦穴から軟質の接着剤を充填して、配線層と溝
との隙間を封止した後、スクライビングしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】よって、この構造の加
速度センサの製造には、スクライビングの前に配線層と
溝との間の隙間を樹脂で気密封止するという特別の工程
を必要とし、製造工程を複雑としていた。
速度センサの製造には、スクライビングの前に配線層と
溝との間の隙間を樹脂で気密封止するという特別の工程
を必要とし、製造工程を複雑としていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ウエイトと梁の形成され
た半導体基板をガラス基板で両面から接合した直列容量
型の加速度センサでは、ガラス基板の裏面に形成された
固定電極の配線層をガラス基板で覆われていないセンサ
の周辺部に引き出す必要がある。この時、この配線層は
ガラス基板と半導体基板との接合部を周辺部に向かって
通過する必要がある。しかも、配線層を半導体基板に対
して絶縁する必要があるため、ガラス基板と半導体基板
との間に配線層を案内する溝を形成する必要がある。
又、固定電極に対するパッド部の半導体基板は他のウエ
イト等の半導体基板と絶縁分離する必要があるため、こ
のパッド部の半導体基板を溝で島に分離している。この
溝は、必然的に、半導体基板とガラス基板との接合面に
形成された溝（配線層を案内する）と連続することにな
り、スクライビング時に、端面にその溝が開口し、セン
サの内部空間が外部と連通することになる。
た半導体基板をガラス基板で両面から接合した直列容量
型の加速度センサでは、ガラス基板の裏面に形成された
固定電極の配線層をガラス基板で覆われていないセンサ
の周辺部に引き出す必要がある。この時、この配線層は
ガラス基板と半導体基板との接合部を周辺部に向かって
通過する必要がある。しかも、配線層を半導体基板に対
して絶縁する必要があるため、ガラス基板と半導体基板
との間に配線層を案内する溝を形成する必要がある。
又、固定電極に対するパッド部の半導体基板は他のウエ
イト等の半導体基板と絶縁分離する必要があるため、こ
のパッド部の半導体基板を溝で島に分離している。この
溝は、必然的に、半導体基板とガラス基板との接合面に
形成された溝（配線層を案内する）と連続することにな
り、スクライビング時に、端面にその溝が開口し、セン
サの内部空間が外部と連通することになる。
【０００６】本発明はこのような配線層を案内させるた
めの溝が半導体基板とガラス基板との接合面に形成され
た加速度センサに関する。上記センサでは、溝がＸ軸方
向に形成され、Ｘ軸方向に配線層が引き出されている。
各チップに切断後にはガラス基板で覆われなくなる半導
体基板のＹ軸方向に延びた電極取出面には配線層に延長
したパッド部が形成されている。
めの溝が半導体基板とガラス基板との接合面に形成され
た加速度センサに関する。上記センサでは、溝がＸ軸方
向に形成され、Ｘ軸方向に配線層が引き出されている。
各チップに切断後にはガラス基板で覆われなくなる半導
体基板のＹ軸方向に延びた電極取出面には配線層に延長
したパッド部が形成されている。
【０００７】このような構造のチップパターンが繰り返
し形成され、半導体基板を両面からガラス基板で接合し
たウエハを各チップに切断する。この場合に、次の特徴
を有している。 １）半導体基板の電極取出面に対応する上部ガラス基板
の内表面には、ガラス基板が半導体基板に接合しないよ
うにＹ軸方向に凹部が形成されている。 ２）半導体基板はチップのＸ軸に垂直な端面に当たる位
置に、チッピングの可能な肉厚を残してＹ軸方向に延び
た端面溝が形成されている。 ３）Ｙ軸方向の切断に対して、上部ガラス基板の外表面
から、凹部のウエイトの形成されている側に近いエッジ
位置で、Ｙ軸方向に沿って、チッピング可能な肉厚を残
してハーフカットの切断溝を形成する。 ４）Ｙ軸方向の切断に対して、下部ガラス基板の外表面
から、半導体基板に形成された端面溝に該当する位置
に、Ｙ軸方向に沿って、チッピング可能な肉厚を残して
ハーフカットの切断溝を形成する。 ５）Ｘ軸方向に上部ガラス基板、半導体基板、下部ガラ
ス基板の接合板をスクライビングした後、Ｙ軸方向には
チッピングにより、各チップに分離する。
し形成され、半導体基板を両面からガラス基板で接合し
たウエハを各チップに切断する。この場合に、次の特徴
を有している。 １）半導体基板の電極取出面に対応する上部ガラス基板
の内表面には、ガラス基板が半導体基板に接合しないよ
うにＹ軸方向に凹部が形成されている。 ２）半導体基板はチップのＸ軸に垂直な端面に当たる位
置に、チッピングの可能な肉厚を残してＹ軸方向に延び
た端面溝が形成されている。 ３）Ｙ軸方向の切断に対して、上部ガラス基板の外表面
から、凹部のウエイトの形成されている側に近いエッジ
位置で、Ｙ軸方向に沿って、チッピング可能な肉厚を残
してハーフカットの切断溝を形成する。 ４）Ｙ軸方向の切断に対して、下部ガラス基板の外表面
から、半導体基板に形成された端面溝に該当する位置
に、Ｙ軸方向に沿って、チッピング可能な肉厚を残して
ハーフカットの切断溝を形成する。 ５）Ｘ軸方向に上部ガラス基板、半導体基板、下部ガラ
ス基板の接合板をスクライビングした後、Ｙ軸方向には
チッピングにより、各チップに分離する。
【０００８】
【作用及び発明の効果】上記の半導体基板とガラス基板
との接合面に形成されている溝及びその溝に連続し、パ
ッド部を島に分離する溝は、チップが連続して形成され
ている半導体ウエハとガラス基板ウエハとの接合状態で
は、ウエハの端面には開口していない。この状態でＸ軸
方向にスクライビングしても、その溝は端面に開口して
いないので、その溝を介して研削粒、研削水等が侵入す
ることはない。Ｙ軸方向に対しては、上記の様に上部ガ
ラス基板と下部ガラス基板とにハーフカットの切断溝が
形成される。その後、上部ガラス基板の切断溝と予め上
部ガラス基板に形成されている凹部との間の薄肉部が割
られ、下部ガラス基板の切断溝と半導体基板に予め形成
されている端面溝との間の薄肉部と半導体基板の端面溝
における薄肉部とが割られる。従って、ガラス基板と半
導体基板との接合面に形成されている溝はこのチッピン
グ後に初めて、端面に開口することになるので、各チッ
プの分割に際して水分子、研削粒子がセンサ内部の空間
に侵入することがない。
との接合面に形成されている溝及びその溝に連続し、パ
ッド部を島に分離する溝は、チップが連続して形成され
ている半導体ウエハとガラス基板ウエハとの接合状態で
は、ウエハの端面には開口していない。この状態でＸ軸
方向にスクライビングしても、その溝は端面に開口して
いないので、その溝を介して研削粒、研削水等が侵入す
ることはない。Ｙ軸方向に対しては、上記の様に上部ガ
ラス基板と下部ガラス基板とにハーフカットの切断溝が
形成される。その後、上部ガラス基板の切断溝と予め上
部ガラス基板に形成されている凹部との間の薄肉部が割
られ、下部ガラス基板の切断溝と半導体基板に予め形成
されている端面溝との間の薄肉部と半導体基板の端面溝
における薄肉部とが割られる。従って、ガラス基板と半
導体基板との接合面に形成されている溝はこのチッピン
グ後に初めて、端面に開口することになるので、各チッ
プの分割に際して水分子、研削粒子がセンサ内部の空間
に侵入することがない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は加速度センサ１の構成を示した断面図で
あり、図２はその平面図である。２は上部ガラス基板、
３は下部ガラス基板であり、微細加工されたシリコン基
板４がそれらのガラス基板２、３に接合されている。十
分に不純物が拡散され、導電性の高いシリコン基板４に
は、微細加工により十字状に形成された４本の梁５と、
それによって支持され、梁５の周囲に形成されたウエイ
ト６とが形成されている。このウエイト６の両平面には
可動電極７ａ、７ｂが形成されている。この可動電極７
ａ、７ｂは導電性のあるシリコン基板４の表面が兼ねて
いる。又、その可動電極７ａ、７ｂに対する配線もシリ
コン基板４が兼ねている。
明する。図１は加速度センサ１の構成を示した断面図で
あり、図２はその平面図である。２は上部ガラス基板、
３は下部ガラス基板であり、微細加工されたシリコン基
板４がそれらのガラス基板２、３に接合されている。十
分に不純物が拡散され、導電性の高いシリコン基板４に
は、微細加工により十字状に形成された４本の梁５と、
それによって支持され、梁５の周囲に形成されたウエイ
ト６とが形成されている。このウエイト６の両平面には
可動電極７ａ、７ｂが形成されている。この可動電極７
ａ、７ｂは導電性のあるシリコン基板４の表面が兼ねて
いる。又、その可動電極７ａ、７ｂに対する配線もシリ
コン基板４が兼ねている。
【００１０】ウエイト６の両表面の可動電極７ａ、７ｂ
は、それぞれ、微小ギャップ８ａ、８ｂを隔てて、上部
ガラス基板２に形成された上部固定電極９ａ、下部ガラ
ス基板３に形成された下部固定電極９ｂと対面してい
る。この可動電極７ａと上部固定電極９ａとで第１の静
電容量Ｃ１が、可動電極７ｂと下部固定電極９ｂとで第
２の静電容量Ｃ２とが、それぞれ、構成される。尚、４
２ａ，４２ｂは、それぞれ、可動電極７ａ、７ｂが上部
固定電極９ａ、下部固定電極９ｂに接触しないようにす
るための絶縁ストッパーである。
は、それぞれ、微小ギャップ８ａ、８ｂを隔てて、上部
ガラス基板２に形成された上部固定電極９ａ、下部ガラ
ス基板３に形成された下部固定電極９ｂと対面してい
る。この可動電極７ａと上部固定電極９ａとで第１の静
電容量Ｃ１が、可動電極７ｂと下部固定電極９ｂとで第
２の静電容量Ｃ２とが、それぞれ、構成される。尚、４
２ａ，４２ｂは、それぞれ、可動電極７ａ、７ｂが上部
固定電極９ａ、下部固定電極９ｂに接触しないようにす
るための絶縁ストッパーである。
【００１１】上部固定電極９ａと下部固定電極９ｂと
は、それぞれ、配線層１１ａ、１１ｂにより、上部ガラ
ス基板２で覆われていないシリコン基板４の上面４ａで
ある電極取出面１２に形成されたパッド１０ａ、１０ｂ
に接続されている。又、可動電極７ａ、７ｂは導電性の
シリコン基板４の梁５を介して上部ガラス基板２で覆わ
れていないシリコン基板４の上面４ａに形成されたパッ
ド１３に電気的に接続されている。
は、それぞれ、配線層１１ａ、１１ｂにより、上部ガラ
ス基板２で覆われていないシリコン基板４の上面４ａで
ある電極取出面１２に形成されたパッド１０ａ、１０ｂ
に接続されている。又、可動電極７ａ、７ｂは導電性の
シリコン基板４の梁５を介して上部ガラス基板２で覆わ
れていないシリコン基板４の上面４ａに形成されたパッ
ド１３に電気的に接続されている。
【００１２】配線層１１ａ，１１ｂは、それぞれ、シリ
コン基板４と上部ガラス基板２，３との接合部１４に形
成された溝１５ａ，１５ｂに案内されて、電極取出面１
２に延びている。又、固定電極９ａ，９ｂに対するパッ
ド１０ａ，１０ｂが形成されるシリコン基板４の部分は
島１６ａ，１６ｂとして、溝１７ａ，１７ｂで絶縁分離
されている。尚、下部ガラス基板３の内表面に形成され
ている配線層１１ｂは、シリコン基板４の島１６ｂに裏
面で接合し、シリコン基板４の導電性を利用して、島１
６ｂの表面のパッド１０ｂと電気的に接続されている。
コン基板４と上部ガラス基板２，３との接合部１４に形
成された溝１５ａ，１５ｂに案内されて、電極取出面１
２に延びている。又、固定電極９ａ，９ｂに対するパッ
ド１０ａ，１０ｂが形成されるシリコン基板４の部分は
島１６ａ，１６ｂとして、溝１７ａ，１７ｂで絶縁分離
されている。尚、下部ガラス基板３の内表面に形成され
ている配線層１１ｂは、シリコン基板４の島１６ｂに裏
面で接合し、シリコン基板４の導電性を利用して、島１
６ｂの表面のパッド１０ｂと電気的に接続されている。
【００１３】次に、上記の加速度センサ１の製造方法に
ついて、図３、図４を参照して説明する。図３の（ａ）
に示すように、（１００）面、ｎ+ 型、厚さ２２０μｍ
のシリコン基板４の熱酸化膜４１ａ，４１ｂの上に図１
に示す絶縁ストッパー４２ａ，４２ｂとなるSi3N4 膜４
２ａ，４２ｂを形成する。次に、図３の（ｂ）に示すよ
うに、熱酸化膜４１ａ，４１ｂがフォトリソグラフィに
より所定パターンにエッチングされる。この所定パター
ンの熱酸化膜４１ａ，４１ｂはシリコン基板４をエッチ
ングするための第２マスクとなる。この熱酸化膜４１
ａ，４１ｂのマスクは、シリコン基板４のウエイト６、
及び、上部ガラス基板２、下部ガラス基板３との接合面
を形成するためのものである。
ついて、図３、図４を参照して説明する。図３の（ａ）
に示すように、（１００）面、ｎ+ 型、厚さ２２０μｍ
のシリコン基板４の熱酸化膜４１ａ，４１ｂの上に図１
に示す絶縁ストッパー４２ａ，４２ｂとなるSi3N4 膜４
２ａ，４２ｂを形成する。次に、図３の（ｂ）に示すよ
うに、熱酸化膜４１ａ，４１ｂがフォトリソグラフィに
より所定パターンにエッチングされる。この所定パター
ンの熱酸化膜４１ａ，４１ｂはシリコン基板４をエッチ
ングするための第２マスクとなる。この熱酸化膜４１
ａ，４１ｂのマスクは、シリコン基板４のウエイト６、
及び、上部ガラス基板２、下部ガラス基板３との接合面
を形成するためのものである。
【００１４】次に、図３の（ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィにより所定パターンのＰＳＧ膜４３ａ，４
３ｂが形成される。このＰＳＧ膜４３ａ，４３ｂはシリ
コン基板４をエッチングするための第１マスクとなる。
この第１マスクは梁５及び薄肉部５０を形成するための
ものである。次に、所定部分に、Cr-Au を蒸着してパッ
ド１０ａ，１０ｂ，１１を形成する。
リソグラフィにより所定パターンのＰＳＧ膜４３ａ，４
３ｂが形成される。このＰＳＧ膜４３ａ，４３ｂはシリ
コン基板４をエッチングするための第１マスクとなる。
この第１マスクは梁５及び薄肉部５０を形成するための
ものである。次に、所定部分に、Cr-Au を蒸着してパッ
ド１０ａ，１０ｂ，１１を形成する。
【００１５】次に、９０℃、２２％のＴＭＡＨ（テトラ
メチルアンモニウムハイドライド）液を用いて、シリコ
ン基板４をエッチングする。この時、全くマスクされて
いない部分は、シリコン基板４が残留部なしに完全にエ
ッチングされた、ウエイト６を可動可能とするための溝
６０、島１６ａ、１６ｂを分離するための溝１７ａ，１
７ｂとなる。又、ＰＳＧ膜４３ａ，４３ｂによる第１マ
スクだけが形成されている部分は、梁５及び後述するチ
ッピングのための薄肉部５０が形成される。この薄肉部
５０の両側がチッピングのための端面溝５１ａ、５１ｂ
となる。又、熱酸化膜４１ａ，４１ｂの第２マスクとＰ
ＳＧ膜４３ａ，４３ｂによる第１マスクとが２層に形成
されている部分は、シリコン基板４はエッチングされず
に、エッチング終了時に、熱酸化膜４１ａ，４１ｂはエ
ッチングされて、シリコン基板４の表面が露出する。梁
５及び薄肉部５０の厚さは２５μｍである。
メチルアンモニウムハイドライド）液を用いて、シリコ
ン基板４をエッチングする。この時、全くマスクされて
いない部分は、シリコン基板４が残留部なしに完全にエ
ッチングされた、ウエイト６を可動可能とするための溝
６０、島１６ａ、１６ｂを分離するための溝１７ａ，１
７ｂとなる。又、ＰＳＧ膜４３ａ，４３ｂによる第１マ
スクだけが形成されている部分は、梁５及び後述するチ
ッピングのための薄肉部５０が形成される。この薄肉部
５０の両側がチッピングのための端面溝５１ａ、５１ｂ
となる。又、熱酸化膜４１ａ，４１ｂの第２マスクとＰ
ＳＧ膜４３ａ，４３ｂによる第１マスクとが２層に形成
されている部分は、シリコン基板４はエッチングされず
に、エッチング終了時に、熱酸化膜４１ａ，４１ｂはエ
ッチングされて、シリコン基板４の表面が露出する。梁
５及び薄肉部５０の厚さは２５μｍである。
【００１６】厚さ５００μｍの上部ガラス基板２、下部
ガラス基板３は、図３の（ｄ）に示すように加工され
る。上部ガラス基板２の固定電極９ａ，９ｂが形成され
る部分は深さ２．５μｍにエッチングされてキャビティ
５４が形成され、電極取出面１２に該当する位置は、深
さ１０μｍにエッチングされ凹部５３が形成される。
又、パッド１０ａに連続する位置に溝１５ａ（図２）が
形成される。尚、図４の（ｅ）では、下部ガラス基板３
の溝１６ｂが図示されている。
ガラス基板３は、図３の（ｄ）に示すように加工され
る。上部ガラス基板２の固定電極９ａ，９ｂが形成され
る部分は深さ２．５μｍにエッチングされてキャビティ
５４が形成され、電極取出面１２に該当する位置は、深
さ１０μｍにエッチングされ凹部５３が形成される。
又、パッド１０ａに連続する位置に溝１５ａ（図２）が
形成される。尚、図４の（ｅ）では、下部ガラス基板３
の溝１６ｂが図示されている。
【００１７】次に、キャビティ５４に該当する上部ガラ
ス基板２の内面に、０．１５μｍのチタン、０．１μの
アルミニウムを蒸着して、固定電極９ａを形成する。こ
の時、配線層１１ａ（図２）も同時に形成される。尚、
図４の（ｅ）では、下部ガラス基板３の配線層１１ｂが
図示されている。下部ガラス基板３も上部ガラス基板２
と同様に形成される。
ス基板２の内面に、０．１５μｍのチタン、０．１μの
アルミニウムを蒸着して、固定電極９ａを形成する。こ
の時、配線層１１ａ（図２）も同時に形成される。尚、
図４の（ｅ）では、下部ガラス基板３の配線層１１ｂが
図示されている。下部ガラス基板３も上部ガラス基板２
と同様に形成される。
【００１８】次に、図４の（ｅ）に示すように、上部ガ
ラス基板２、シリコン基板４、下部ガラス基板３を、そ
れぞれ、陽極接合により接合する。次に、Ｘ軸方向には
スクライビングにより切断され、Ｙ軸方向には、ハーフ
カットにより、上部ガラス基板２及び下部ガラス基板３
に、それぞれ、切断溝５５、５６が形成される。この切
断溝５５は、図４の（ｅ）に示すように、上部ガラス基
板２の外表面から、上部ガラス基板２の凹部５３の固定
電極９ａ側のエッジ位置５３ａに、Ｙ軸方向に沿って、
薄肉部５７を残して形成される。又、切断溝５６は、図
４の（ｅ）に示すように、下部ガラス基板３の外表面か
ら、シリコン基板４の端面溝５１ｂ、薄肉部５０の位置
に、Ｙ軸方向に沿って、薄肉部５８を残して形成され
る。
ラス基板２、シリコン基板４、下部ガラス基板３を、そ
れぞれ、陽極接合により接合する。次に、Ｘ軸方向には
スクライビングにより切断され、Ｙ軸方向には、ハーフ
カットにより、上部ガラス基板２及び下部ガラス基板３
に、それぞれ、切断溝５５、５６が形成される。この切
断溝５５は、図４の（ｅ）に示すように、上部ガラス基
板２の外表面から、上部ガラス基板２の凹部５３の固定
電極９ａ側のエッジ位置５３ａに、Ｙ軸方向に沿って、
薄肉部５７を残して形成される。又、切断溝５６は、図
４の（ｅ）に示すように、下部ガラス基板３の外表面か
ら、シリコン基板４の端面溝５１ｂ、薄肉部５０の位置
に、Ｙ軸方向に沿って、薄肉部５８を残して形成され
る。
【００１９】次に、上部ガラス基板２は切断溝５５の位
置で、シリコン基板４と下部ガラス基板３は切断溝５６
の位置で、機械的に荷重を与えることで、それぞれ、図
４の（ｆ）に示すように、上部ガラス基板２の薄肉部５
７と下部ガラス基板３の薄肉部５８及びシリコン基板４
の薄肉部５０が割られる。このようにして、加速度セン
サの各チップに分離される。又、上部ガラス基板２は図
４の（ｆ）のように割られることから、シリコン基板４
の電極取出面１２は露出することになる。
置で、シリコン基板４と下部ガラス基板３は切断溝５６
の位置で、機械的に荷重を与えることで、それぞれ、図
４の（ｆ）に示すように、上部ガラス基板２の薄肉部５
７と下部ガラス基板３の薄肉部５８及びシリコン基板４
の薄肉部５０が割られる。このようにして、加速度セン
サの各チップに分離される。又、上部ガラス基板２は図
４の（ｆ）のように割られることから、シリコン基板４
の電極取出面１２は露出することになる。
【００２０】上記のＸ軸方向のスクライビング工程と、
Ｙ軸方向のハーフカット工程においては、溝１５ａ、１
５ｂ、１７ａ、１７ｂは、切断面に開口しないため、切
削時において、砥粒や切削液がセンサ内部に侵入するこ
とはない。
Ｙ軸方向のハーフカット工程においては、溝１５ａ、１
５ｂ、１７ａ、１７ｂは、切断面に開口しないため、切
削時において、砥粒や切削液がセンサ内部に侵入するこ
とはない。
【図１】本発明の具体的な一実施例にかかる容量型加速
度センサの構成を示した側面断面図。
度センサの構成を示した側面断面図。
【図２】同実施例にかかる容量型加速度センサの構成を
示した平面図。
示した平面図。
【図３】同実施例にかかる容量型加速度センサの製造方
法を示した断面図。
法を示した断面図。
【図４】同実施例にかかる容量型加速度センサの製造方
法を示した断面図。
法を示した断面図。
Ｃ１…第１の静電容量 Ｃ２…第２の静電容量 ２…上部ガラス基板 ３…下部ガラス基板 ４…シリコン基板 ５…梁 ６…ウエイト ７ａ，７ｂ…可動電極 ８ａ，８ｂ…微小ギャップ ９ａ，９ｂ…固定電極 １１ａ，１１ｂ…配線層 １２…電極取出面 １０ａ，１０ｂ，１３…パッド １５ａ，１５ｂ，１７ａ，１７ｂ…溝 １６ａ，１６ｂ…島 ５１ａ，５１ｂ…端面溝 ５３…凹部 ５５，５６…切断溝 ５０，５７，５８…薄肉部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜井 止水城 愛知県刈谷市朝日町１丁目１番地 豊田 工機株式会社内 (72)発明者 江刺 正喜 宮城県仙台市太白区八木山南１丁目11番 地９ (56)参考文献 特開 平５−203669（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−134570（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−273231（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−299267（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 15/125 H01L 29/84
Claims (1)
- 【請求項１】加速度による力を受けるウエイトとこのウ
エイトを撓み可能に支持する梁とからなる１チップの微
細パターンが、相互に直行するＸ軸方向とＹ軸方向に繰
り返し形成された半導体基板と、表面に固定電極とその
固定電極に対してＸ軸方向に引き出された配線層とが形
成され、前記ウエイトに対して微小間隔を隔てて、前記
半導体基板の両面に接合する上部ガラス基板、下部ガラ
ス基板とを有し、前記半導体基板と前記両ガラス基板と
の接合面には、前記配線層を前記半導体基板に非接触で
案内する前記Ｘ軸方向に延びた溝が形成され、各チップ
に切断後には前記ガラス基板で覆われなくなる前記半導
体基板の前記Ｙ軸方向に延びた電極取出面には前記配線
層に接続するパッド部が形成され、固定電極に対するパ
ッド部は前記溝に連続した溝により島に分離された容量
型加速度センサであって、 前記半導体基板の両面に前記上部ガラス基板と前記下部
ガラス基板とを接合した後、前記Ｘ軸方向及び前記Ｙ軸
方向に分離して多数の容量型加速度センサのチップを得
る方法において、 前記半導体基板の前記電極取出面に対応する前記上部ガ
ラス基板の内表面には、ガラス基板が半導体基板に接合
しないように前記Ｙ軸方向に凹部が形成されており、 前記半導体基板は前記チップの前記Ｘ軸に垂直な端面に
当たる位置に、チッピングの可能な肉厚を残して前記Ｙ
軸方向に延びた端面溝が形成されており、 前記Ｙ軸方向の切断に対して、前記上部ガラス基板の外
表面から、前記凹部の前記ウエイトの形成されている側
に近いエッジ位置で、Ｙ軸方向に沿って、チッピング可
能な肉厚を残してハーフカットの切断溝を形成し、 前記Ｙ軸方向の切断に対して、前記下部ガラス基板の外
表面から、前記半導体基板に形成された端面溝に該当す
る位置に、前記Ｙ軸方向に沿って、チッピング可能な肉
厚を残してハーフカットの切断溝を形成し、 前記Ｘ軸方向に前記上部ガラス基板、前記半導体基板、
前記下部ガラス基板の接合板をスクライビングした後、
前記Ｙ軸方向にはチッピングにより、各チップに分離す
ることを特徴とする容量型加速度センサの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP25924094A JP3325133B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 容量型加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP25924094A JP3325133B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 容量型加速度センサの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894666A JPH0894666A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3325133B2 true JP3325133B2 (ja) | 2002-09-17 |
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ID=17331361
Family Applications (1)
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| JP25924094A Expired - Fee Related JP3325133B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 容量型加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-09-28 JP JP25924094A patent/JP3325133B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9377484B2 (en) | 2012-04-11 | 2016-06-28 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor and electronic apparatus |
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| JPH0894666A (ja) | 1996-04-12 |
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