JPH07326556A - 電子ビーム描画装置用アパチャ - Google Patents
電子ビーム描画装置用アパチャInfo
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- JPH07326556A JPH07326556A JP6142233A JP14223394A JPH07326556A JP H07326556 A JPH07326556 A JP H07326556A JP 6142233 A JP6142233 A JP 6142233A JP 14223394 A JP14223394 A JP 14223394A JP H07326556 A JPH07326556 A JP H07326556A
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- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
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- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン部の開口（露光パターン）を高い精
度で形成することができるようにする。金属膜の剥離防
止。 【構成】 パターン部３４でのシリコン基板３１の厚さ
は１５μｍ程度に薄くなされている。基板の表裏面に
は、下地金属層３２ａ、３２ｂを介して金属層３３ａ、
３３ｂが形成されている。 【効果】 金属膜の合計膜厚を厚く形成することができ
ることから、パターン部の基板厚を薄くすることがで
き、高精度の加工が可能となる。両面に金属膜を設けた
ことにより応力の集中が緩和され、金属膜の剥離が抑制
される。
度で形成することができるようにする。金属膜の剥離防
止。 【構成】 パターン部３４でのシリコン基板３１の厚さ
は１５μｍ程度に薄くなされている。基板の表裏面に
は、下地金属層３２ａ、３２ｂを介して金属層３３ａ、
３３ｂが形成されている。 【効果】 金属膜の合計膜厚を厚く形成することができ
ることから、パターン部の基板厚を薄くすることがで
き、高精度の加工が可能となる。両面に金属膜を設けた
ことにより応力の集中が緩和され、金属膜の剥離が抑制
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置用
アパチャに関し、特に、半導体装置の製造工程において
用いられる電子ビーム描画装置の一括描画用のアパチャ
絞りに関するものである。
アパチャに関し、特に、半導体装置の製造工程において
用いられる電子ビーム描画装置の一括描画用のアパチャ
絞りに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームを用いた描画法は、光リソグ
ラフィ法に比較して高い解像度が得られることから微細
化されたパターンを有するＵＬＳＩの製造工程に広く採
用されるようになってきている。中でも一括描画法は他
の電子ビーム描画法と比較して高いスループットを実現
できることから注目されている。この種電子ビーム描画
法およびその際に用いられるアパチャは、Yoshinori
NAKAYAMA, Hidetoshi SATOH et al, "Thermal Characte
ristics of Si Mask for EB Cell Projection Lithogra
phy", Jpn.J.Appl.PHYS.Vol.31(1992)pp.4268-4272 Par
tl,No.12B,December 1992 およびYoshinori NAKAYAM
A, S.OKAZAKI, and N.SATOH,"Electron-Beam cell proj
ection lithography: A new high-throughput electron
beam direct-writing technology using a specially t
ailored Siapature", J.Vac.Sci. Technol.B8(6),Nov/D
ec 1990等により公知となっている。
ラフィ法に比較して高い解像度が得られることから微細
化されたパターンを有するＵＬＳＩの製造工程に広く採
用されるようになってきている。中でも一括描画法は他
の電子ビーム描画法と比較して高いスループットを実現
できることから注目されている。この種電子ビーム描画
法およびその際に用いられるアパチャは、Yoshinori
NAKAYAMA, Hidetoshi SATOH et al, "Thermal Characte
ristics of Si Mask for EB Cell Projection Lithogra
phy", Jpn.J.Appl.PHYS.Vol.31(1992)pp.4268-4272 Par
tl,No.12B,December 1992 およびYoshinori NAKAYAM
A, S.OKAZAKI, and N.SATOH,"Electron-Beam cell proj
ection lithography: A new high-throughput electron
beam direct-writing technology using a specially t
ailored Siapature", J.Vac.Sci. Technol.B8(6),Nov/D
ec 1990等により公知となっている。
【０００３】図５は、この種電子ビーム描画装置の概略
の構成を示す概念図である。同図に示されるように、電
子銃５１より出射された電子ビームは第１アパチャ５２
で成形された後、偏向器５３により偏向されて第２アパ
チャ５４に入射され、ここで所望のパターンに成形され
る。その後、縮小レンズ５５、投影レンズ５６を介して
ウェハ５７上に照射され、ウェハ上の電子線レジストを
パターニングする。
の構成を示す概念図である。同図に示されるように、電
子銃５１より出射された電子ビームは第１アパチャ５２
で成形された後、偏向器５３により偏向されて第２アパ
チャ５４に入射され、ここで所望のパターンに成形され
る。その後、縮小レンズ５５、投影レンズ５６を介して
ウェハ５７上に照射され、ウェハ上の電子線レジストを
パターニングする。
【０００４】この種電子ビーム描画装置用に用いられる
アパチャは、上記文献にも記載のあるように、高い加工
精度を確保できるシリコンが採用されている。図６は、
上記に記載された従来のアパチャの製造方法を示す工
程順断面図である。シリコン基板６１のパターン部６２
にフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を適
用して所望のパターンの開口６２ａを形成する。ここ
で、開口６２ａの深さは２０μｍである〔図６
（ａ）〕。次に、全面をシリコン窒化膜６３で被覆し、
基板裏面に所望の開口パターンを有するフォトレジスト
６４を形成する〔図６（ｂ）〕。フォトレジスト６４を
マスクにシリコン窒化膜６３を選択的に除去し、続い
て、等方性の湿式エッチング法を用いて裏面側から基板
をエッチングすると、パターン部６２の膜厚は２０μｍ
に形成される〔図６（ｃ）〕。最後に、シリコン窒化膜
６３を除去し、基板表面にチャージアップ防止用のＡｕ
層６５を形成する〔図６（ｄ）〕。なお、シリコン基板
６１の厚さは、５００μｍであり、上記文献にはＡｕ層
６５の膜厚についての記載はないが、現在０．５μｍ程
度になされている。
アパチャは、上記文献にも記載のあるように、高い加工
精度を確保できるシリコンが採用されている。図６は、
上記に記載された従来のアパチャの製造方法を示す工
程順断面図である。シリコン基板６１のパターン部６２
にフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を適
用して所望のパターンの開口６２ａを形成する。ここ
で、開口６２ａの深さは２０μｍである〔図６
（ａ）〕。次に、全面をシリコン窒化膜６３で被覆し、
基板裏面に所望の開口パターンを有するフォトレジスト
６４を形成する〔図６（ｂ）〕。フォトレジスト６４を
マスクにシリコン窒化膜６３を選択的に除去し、続い
て、等方性の湿式エッチング法を用いて裏面側から基板
をエッチングすると、パターン部６２の膜厚は２０μｍ
に形成される〔図６（ｃ）〕。最後に、シリコン窒化膜
６３を除去し、基板表面にチャージアップ防止用のＡｕ
層６５を形成する〔図６（ｄ）〕。なお、シリコン基板
６１の厚さは、５００μｍであり、上記文献にはＡｕ層
６５の膜厚についての記載はないが、現在０．５μｍ程
度になされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】アパチャの貫通孔パタ
ーンを精度よく形成することは、試料（ウェハ等）に描
画されるパターンの精度に直接関係するため、極めて重
要なことである。而して、上述した従来の電子ビーム描
画装置用アパチャでは、加工作業性および精度等を考慮
してレジストプロセスとドライエッチング法で開口パタ
ーン（後に貫通孔パターン）を形成しているが、エッチ
ングテーパ角を９０度に保ちつつ深さ約２０μｍの開口
を形成することは困難である。特に、真空度がひくく温
度制御の精度も低い旧モデルのエッチング装置ではエッ
チング深さが１５μｍを越えると飛躍的に難しくなる。
ーンを精度よく形成することは、試料（ウェハ等）に描
画されるパターンの精度に直接関係するため、極めて重
要なことである。而して、上述した従来の電子ビーム描
画装置用アパチャでは、加工作業性および精度等を考慮
してレジストプロセスとドライエッチング法で開口パタ
ーン（後に貫通孔パターン）を形成しているが、エッチ
ングテーパ角を９０度に保ちつつ深さ約２０μｍの開口
を形成することは困難である。特に、真空度がひくく温
度制御の精度も低い旧モデルのエッチング装置ではエッ
チング深さが１５μｍを越えると飛躍的に難しくなる。
【０００６】このように開口がマスクパターン（フォト
レジストパターン）に一致しない形状に開孔される理由
は次の通りである。 エッチング過程は、エッチングとデポジションとが
同時並行的行われるが２０μｍと深い開口では、上部と
下部でデポジションが不均一になるため、側壁を垂直に
形成することが困難になる。 シリコンの対レジストエッチング選択比は約２０で
あり、あまり高くないため、エッチングが進行すると、
マスク自身もエッチングされマスク形状が台形となって
いく。この形状がシリコンの開口に反映してテーパがつ
く。そのため、現在の最良の技術を駆使して加工を行っ
ても、８８〜８９度程度のテーパは形成される。このよ
うな開口の精度低下は開口の深さ（パターン部の基板厚
さ）を２０μｍ以下とすることによって改善することが
できる。
レジストパターン）に一致しない形状に開孔される理由
は次の通りである。 エッチング過程は、エッチングとデポジションとが
同時並行的行われるが２０μｍと深い開口では、上部と
下部でデポジションが不均一になるため、側壁を垂直に
形成することが困難になる。 シリコンの対レジストエッチング選択比は約２０で
あり、あまり高くないため、エッチングが進行すると、
マスク自身もエッチングされマスク形状が台形となって
いく。この形状がシリコンの開口に反映してテーパがつ
く。そのため、現在の最良の技術を駆使して加工を行っ
ても、８８〜８９度程度のテーパは形成される。このよ
うな開口の精度低下は開口の深さ（パターン部の基板厚
さ）を２０μｍ以下とすることによって改善することが
できる。
【０００７】而して、従来例のように、厚さ２０μｍの
基板上に０．５μｍ程度の金属膜を形成したものでは、
電子の加速電圧が５０ｋＶである場合に、後述するよう
に電子ビームを遮断できる限界の厚さとなっている。し
たがって、開口の深さを２０μｍ以下とした場合（つま
りパターン部の基板厚を２０μｍ以下とした場合）、電
子遮蔽能力の限界を超えてしまい解像度の高いパターン
を描画することができなくなる。そこで、基板厚さを薄
くした場合には、金属膜の膜厚を厚くすることが考えら
れる。しかし、従来構造のまま単に金属膜を厚くした場
合には、金属とシリコンとの熱膨張係数の差から応力集
中が起こり電子ビームの照射により金属膜が剥離しやす
くなる。さらに、従来のアパチャでは、基板の表面側に
のみ金属膜を設けるものであったため、基板裏面がチャ
ージアップしやすいう問題点もあった。基板裏面がチャ
ージアップした場合、このチャージにより電子ビームが
曲げられ、正確な描画ができないことになる。
基板上に０．５μｍ程度の金属膜を形成したものでは、
電子の加速電圧が５０ｋＶである場合に、後述するよう
に電子ビームを遮断できる限界の厚さとなっている。し
たがって、開口の深さを２０μｍ以下とした場合（つま
りパターン部の基板厚を２０μｍ以下とした場合）、電
子遮蔽能力の限界を超えてしまい解像度の高いパターン
を描画することができなくなる。そこで、基板厚さを薄
くした場合には、金属膜の膜厚を厚くすることが考えら
れる。しかし、従来構造のまま単に金属膜を厚くした場
合には、金属とシリコンとの熱膨張係数の差から応力集
中が起こり電子ビームの照射により金属膜が剥離しやす
くなる。さらに、従来のアパチャでは、基板の表面側に
のみ金属膜を設けるものであったため、基板裏面がチャ
ージアップしやすいう問題点もあった。基板裏面がチャ
ージアップした場合、このチャージにより電子ビームが
曲げられ、正確な描画ができないことになる。
【０００８】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであって、その目的とするところは、第１に、高い
精度のパターンを有するアパチャを提供しうるようにす
ることであり、第２に、電子ビームに対する遮断能力を
高めることであり、第３に、金属膜の剥離を防止しうる
ようにすることであり、第４に、チャージアップを防止
して正確に描画を行いうるようにすることである。
ものであって、その目的とするところは、第１に、高い
精度のパターンを有するアパチャを提供しうるようにす
ることであり、第２に、電子ビームに対する遮断能力を
高めることであり、第３に、金属膜の剥離を防止しうる
ようにすることであり、第４に、チャージアップを防止
して正確に描画を行いうるようにすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、電子銃から放出された電子ビーム
を所望の形状に成形するための電子ビーム描画装置用ア
パチャであって、アパチャ本体を構成する基材と該基材
の表裏両面に形成された金属膜とを有していることを特
徴とする電子ビーム描画装置用アパチャ、が提供され
る。
に、本発明によれば、電子銃から放出された電子ビーム
を所望の形状に成形するための電子ビーム描画装置用ア
パチャであって、アパチャ本体を構成する基材と該基材
の表裏両面に形成された金属膜とを有していることを特
徴とする電子ビーム描画装置用アパチャ、が提供され
る。
【００１０】
【作用】本発明のアパチャにおいては、電子ビーム遮蔽
能力については基板の表面に設けた金属膜も基板表面に
設けた金属膜と同等であるという本発明者の認識に基づ
き、基板の表裏両面に金属膜を設けている。これによ
り、パターン部での基板の厚さを薄くしたときに金属膜
の膜厚を極端に厚くしないでも済むようになる。金属膜
が比較的薄くなったことによりまた両面に形成して応力
が緩和されたことにより金属膜が剥離し難くなる。ま
た、基板を薄くすることができるので、加工精度が高く
なり、アパチャパターンの精度を高めることができる。
特に、基板膜厚を１５μｍ以下としたときには、高価な
最新のエッチング装置を使用しなくても必要なパターン
精度を確保することができるようになる。さらに、基板
裏面にも金属膜が形成されたことにより、基板裏面での
チャージアップを防止することが可能となる。
能力については基板の表面に設けた金属膜も基板表面に
設けた金属膜と同等であるという本発明者の認識に基づ
き、基板の表裏両面に金属膜を設けている。これによ
り、パターン部での基板の厚さを薄くしたときに金属膜
の膜厚を極端に厚くしないでも済むようになる。金属膜
が比較的薄くなったことによりまた両面に形成して応力
が緩和されたことにより金属膜が剥離し難くなる。ま
た、基板を薄くすることができるので、加工精度が高く
なり、アパチャパターンの精度を高めることができる。
特に、基板膜厚を１５μｍ以下としたときには、高価な
最新のエッチング装置を使用しなくても必要なパターン
精度を確保することができるようになる。さらに、基板
裏面にも金属膜が形成されたことにより、基板裏面での
チャージアップを防止することが可能となる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の実施例を説明するための
図であって、ガウシアンビームの入射電子により、加速
電圧５０ｋＶの条件で描画を行ったときの金属膜（Ａ
ｕ）の密度、金属膜の膜厚、必要アパチャ厚（シリコン
基板厚：図面では入射電子到達深さとして示されてい
る）の関係のシミュレーション（モンテカルロ法）結果
を示す図である。実現可能なＡｕの密度は１０．０〜１
８．９（ｇ／ｃｍ3 ）程度であり、通常はバルク密度
（１９．３ｇ／ｃｍ3 ）の約７０％以上なので、密度を
１３．５（ｇ／ｃｍ3 ）とした場合でみると、基板厚さ
が２０μｍでは、必要な金属膜の膜厚は０．５５μｍ、
基板厚さが１５μｍでは、必要な金属膜の膜厚は１．４
７μｍであることが分かる。また、同図より金属膜の密
度が大きいほど薄膜化できることが分かる。金属膜は、
Ａｕ以外のものであっても同等の密度であれば同等の膜
厚でよいことになる。
て説明する。図１は、本発明の実施例を説明するための
図であって、ガウシアンビームの入射電子により、加速
電圧５０ｋＶの条件で描画を行ったときの金属膜（Ａ
ｕ）の密度、金属膜の膜厚、必要アパチャ厚（シリコン
基板厚：図面では入射電子到達深さとして示されてい
る）の関係のシミュレーション（モンテカルロ法）結果
を示す図である。実現可能なＡｕの密度は１０．０〜１
８．９（ｇ／ｃｍ3 ）程度であり、通常はバルク密度
（１９．３ｇ／ｃｍ3 ）の約７０％以上なので、密度を
１３．５（ｇ／ｃｍ3 ）とした場合でみると、基板厚さ
が２０μｍでは、必要な金属膜の膜厚は０．５５μｍ、
基板厚さが１５μｍでは、必要な金属膜の膜厚は１．４
７μｍであることが分かる。また、同図より金属膜の密
度が大きいほど薄膜化できることが分かる。金属膜は、
Ａｕ以外のものであっても同等の密度であれば同等の膜
厚でよいことになる。
【００１２】図２は、表面のＡｕ膜厚を１．０μｍに固
定した場合の必要裏面金属膜膜厚とシリコン基板厚、金
属膜密度の関係のシミュレーション（モンテカルロ法）
結果を示すグラフである。図２により、膜厚ｔ（金属の
密度に依存）の金属膜をアパチャの表面（膜厚ｔ１）お
よび裏面（膜厚ｔ２）に分割して形成する時に、膜厚ｔ
＝ｔ１＋ｔ２となることが確認された。なお、例えば金
属膜としてＡｕ層を用いる場合、実際には、シリコン基
板とＡｕ層との間にはバリアとなるＴｉ層、Ｗ層等が５
００Å程度形成され、その分Ａｕそのものの膜厚は薄く
できる。しかし、説明を簡単にするために、膜厚につい
ての説明では他の金属についてはＡｕに換算し、全体が
Ａｕにより形成されているものとしている。
定した場合の必要裏面金属膜膜厚とシリコン基板厚、金
属膜密度の関係のシミュレーション（モンテカルロ法）
結果を示すグラフである。図２により、膜厚ｔ（金属の
密度に依存）の金属膜をアパチャの表面（膜厚ｔ１）お
よび裏面（膜厚ｔ２）に分割して形成する時に、膜厚ｔ
＝ｔ１＋ｔ２となることが確認された。なお、例えば金
属膜としてＡｕ層を用いる場合、実際には、シリコン基
板とＡｕ層との間にはバリアとなるＴｉ層、Ｗ層等が５
００Å程度形成され、その分Ａｕそのものの膜厚は薄く
できる。しかし、説明を簡単にするために、膜厚につい
ての説明では他の金属についてはＡｕに換算し、全体が
Ａｕにより形成されているものとしている。
【００１３】図３は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。同図に示されるように、シリコン基板３１の
表面には、Ｔｉからなる下地金属層３２ａとＡｕからな
る金属膜３３ａが形成され、同様に基板裏面には、Ｔｉ
からなる下地金属層３２ｂとＡｕからなる金属膜３３ｂ
が形成されている。本実施例において、パターン部３４
における基板厚は１５μｍになされており、ここには所
望の形状の開口３４ａが形成されている。
図である。同図に示されるように、シリコン基板３１の
表面には、Ｔｉからなる下地金属層３２ａとＡｕからな
る金属膜３３ａが形成され、同様に基板裏面には、Ｔｉ
からなる下地金属層３２ｂとＡｕからなる金属膜３３ｂ
が形成されている。本実施例において、パターン部３４
における基板厚は１５μｍになされており、ここには所
望の形状の開口３４ａが形成されている。
【００１４】図１を参照すると、金属膜の密度を１３．
５ｇ／ｃｍ3 とすれば、金属膜の必要膜厚は約１．５μ
ｍであることが求められ、これは表面（３３ａ）と裏面
（３３ｂ）との合計膜厚であるため、例えば、表面の金
属膜３３ａの膜厚を０．７５μｍにすると、裏面の金属
膜３３ｂの膜厚は０．７５μｍとなる。また、仮に、金
属膜の密度が１８．９ｇ／ｃｍ3 とした場合（現実に
は、このような高密度のＡｕ膜を形成することは困難で
ある）、金属膜の合計膜厚は図１から約１．０μｍでよ
いことが求められ、例えば、表面の金属膜３３ａの膜厚
を０．５０μｍにすると、裏面の金属膜３３ｂの膜厚は
０．５０μｍになる。
５ｇ／ｃｍ3 とすれば、金属膜の必要膜厚は約１．５μ
ｍであることが求められ、これは表面（３３ａ）と裏面
（３３ｂ）との合計膜厚であるため、例えば、表面の金
属膜３３ａの膜厚を０．７５μｍにすると、裏面の金属
膜３３ｂの膜厚は０．７５μｍとなる。また、仮に、金
属膜の密度が１８．９ｇ／ｃｍ3 とした場合（現実に
は、このような高密度のＡｕ膜を形成することは困難で
ある）、金属膜の合計膜厚は図１から約１．０μｍでよ
いことが求められ、例えば、表面の金属膜３３ａの膜厚
を０．５０μｍにすると、裏面の金属膜３３ｂの膜厚は
０．５０μｍになる。
【００１５】図４は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。同図において、図３に示した第１の実施例の
部分と共通する部分には、下１桁および添え字の共通す
る符号を付せられているので重複する説明は省略する
が、本実施例においては、パターン部４４における基板
の膜厚が１２μｍになされている。この場合、金属膜４
３ａ、４３ｂの合計膜厚は、図１から約２．０μｍ必要
（密度を１３．５ｇ／ｃｍ3 として）であることが分か
り、表面側金属膜４３ａの膜厚を１．０μｍにすれば、
裏面の金属膜４３ｂの膜厚は１．０μｍでよいことにな
る。
図である。同図において、図３に示した第１の実施例の
部分と共通する部分には、下１桁および添え字の共通す
る符号を付せられているので重複する説明は省略する
が、本実施例においては、パターン部４４における基板
の膜厚が１２μｍになされている。この場合、金属膜４
３ａ、４３ｂの合計膜厚は、図１から約２．０μｍ必要
（密度を１３．５ｇ／ｃｍ3 として）であることが分か
り、表面側金属膜４３ａの膜厚を１．０μｍにすれば、
裏面の金属膜４３ｂの膜厚は１．０μｍでよいことにな
る。
【００１６】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本願発
明の要旨を変更しない範囲内において各種の変更が可能
である。例えば、実施例では、金属膜として、下地層を
Ｔｉ膜としたＡｕ層を用いたていたが、この材料に限定
されるものではなく、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＷ、
Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の金属層を単独で
あるいは下地層とともに用いることができる。。また、
実施例では、表面側の金属膜と裏面側の金属膜とを同じ
膜厚にする例について説明したが、必ずしもそのように
する必要はなく、例えば、表面側の金属膜の方を厚く形
成することもできる。また、本発明による電子ビーム描
画装置用アパチャは、第１アパチャ、第２アパチャ（図
５参照）のいずれにも適用が可能なものである。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本願発
明の要旨を変更しない範囲内において各種の変更が可能
である。例えば、実施例では、金属膜として、下地層を
Ｔｉ膜としたＡｕ層を用いたていたが、この材料に限定
されるものではなく、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＷ、
Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の金属層を単独で
あるいは下地層とともに用いることができる。。また、
実施例では、表面側の金属膜と裏面側の金属膜とを同じ
膜厚にする例について説明したが、必ずしもそのように
する必要はなく、例えば、表面側の金属膜の方を厚く形
成することもできる。また、本発明による電子ビーム描
画装置用アパチャは、第１アパチャ、第２アパチャ（図
５参照）のいずれにも適用が可能なものである。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による電子
ビーム描画装置用アパチャは、基板の表裏両面に金属膜
を形成したものであるので、以下の効果を奏することが
できる。 基板の両面に金属膜を形成したことにより、片面の
みに形成した場合に比較して同じ電子ビーム遮蔽能力を
確保するのに、それぞれの側の金属膜を薄くすることが
でき、また、応力が緩和されることから金属膜の剥がれ
を防止することができる。
ビーム描画装置用アパチャは、基板の表裏両面に金属膜
を形成したものであるので、以下の効果を奏することが
できる。 基板の両面に金属膜を形成したことにより、片面の
みに形成した場合に比較して同じ電子ビーム遮蔽能力を
確保するのに、それぞれの側の金属膜を薄くすることが
でき、また、応力が緩和されることから金属膜の剥がれ
を防止することができる。
【００１８】 金属膜の合計膜厚を厚くすることがで
きることから、パターン部における基板の膜厚を薄くす
ること可能となる。すなわち、パターンとなる開口を形
成する際のエッチング深さを浅くすることができるの
で、精度の高いアパチャを提供することが可能となる。
特に、パターン部の基板厚さを１５μｍ以下とした場合
には、安価な旧モデルのエッチング装置を使用しても高
精度のパターンを形成することができるため、結果的に
コストダウンを図ることができる。 基板裏面でのチャージアップを防止することができ
るので、このチャージによってビームが曲げられること
がなくなり、正確にパターンを描画することが可能にな
る。
きることから、パターン部における基板の膜厚を薄くす
ること可能となる。すなわち、パターンとなる開口を形
成する際のエッチング深さを浅くすることができるの
で、精度の高いアパチャを提供することが可能となる。
特に、パターン部の基板厚さを１５μｍ以下とした場合
には、安価な旧モデルのエッチング装置を使用しても高
精度のパターンを形成することができるため、結果的に
コストダウンを図ることができる。 基板裏面でのチャージアップを防止することができ
るので、このチャージによってビームが曲げられること
がなくなり、正確にパターンを描画することが可能にな
る。
【図１】本発明の実施例を説明するための、金属膜の密
度と、金属膜の膜厚と、電子ビームの基板内到達深さと
の関係のシミュレーション結果を示すグラフ。
度と、金属膜の膜厚と、電子ビームの基板内到達深さと
の関係のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図２】本発明の実施例を説明するための、表面の金属
膜の膜厚を一定としたときの、基板厚さと、裏面金属膜
の必要な膜厚との関係のシミュレーション結果を示すグ
ラフ。
膜の膜厚を一定としたときの、基板厚さと、裏面金属膜
の必要な膜厚との関係のシミュレーション結果を示すグ
ラフ。
【図３】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図５】電子ビーム描画装置の概略を示す概念図。
【図６】従来例の製造方法を説明するための工程順断面
図。
図。
３１、４１、６１ シリコン基板 ３２ａ、３２ｂ、４２ａ、４２ｂ 下地金属層 ３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ 金属膜 ３４、４４、６２ パターン部 ３４ａ、４４ａ、６２ａ 開口 ５１ 電子銃 ５２ 第１アパチャ ５３ 偏向器 ５４ 第２アパチャ ５５ 縮小レンズ ５６ 投影レンズ ５７ ウェハ ６３ シリコン窒化膜 ６４ フォトレジスト ６５ Ａｕ層
Claims (5)
- 【請求項１】 電子銃から放出された電子ビームを所望
の形状に成形するための電子ビーム描画装置用アパチャ
であって、アパチャ本体を構成する基材と該基材の表裏
両面に形成された金属膜とを有していることを特徴とす
る電子ビーム描画装置用アパチャ。 - 【請求項２】 前記基材の膜厚と、前記表裏両面に形成
された金属膜の合計膜厚とが、そのアパチャが用いられ
る描画装置における加速電圧によって加速された電子の
通過を遮断できるように関連して選定されていることを
特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置用アパチ
ャ。 - 【請求項３】 前記基材が単結晶シリコンにより形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描
画装置用アパチャ。 - 【請求項４】 前記金属膜が、下地層と該下地層の上に
形成されたＡｕ層によって形成されていることを特徴と
する請求項１記載の電子ビーム描画装置用アパチャ。 - 【請求項５】 前記金属膜が、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＷ、
Ｗ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを主体とする金
属層によって形成されていることを特徴とする請求項１
記載の電子ビーム描画装置用アパチャ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142233A JP2606138B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 電子ビーム描画装置用アパチャ |
| KR1019950014647A KR0148646B1 (ko) | 1994-06-02 | 1995-06-02 | 패턴 기록능력을 갖는 전자빔 시스템용 전자빔 성형 마스크 |
| US08/458,849 US5593761A (en) | 1994-06-02 | 1995-06-02 | Electron beam shaping mask for an electron beam system with pattern writing capability |
| TW084105657A TW288113B (ja) | 1994-06-02 | 1995-06-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142233A JP2606138B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 電子ビーム描画装置用アパチャ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326556A true JPH07326556A (ja) | 1995-12-12 |
| JP2606138B2 JP2606138B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15310527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6142233A Expired - Fee Related JP2606138B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 電子ビーム描画装置用アパチャ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5593761A (ja) |
| JP (1) | JP2606138B2 (ja) |
| KR (1) | KR0148646B1 (ja) |
| TW (1) | TW288113B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189265A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Advantest Corp | マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2792453B2 (ja) * | 1995-01-13 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | アパーチャ及びその製造方法 |
| JP2910611B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 形状シミュレーション方法 |
| JP2904145B2 (ja) * | 1996-09-04 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 荷電ビーム描画装置用アパチャおよびその製造方法 |
| US6528934B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-03-04 | Chunghwa Picture Tubes Ltd. | Beam forming region for electron gun |
| US6815881B2 (en) * | 2002-02-11 | 2004-11-09 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Color CRT electron gun with progressively reduced electron beam passing aperture size |
| US6674228B2 (en) | 2002-04-04 | 2004-01-06 | Chunghwa Pictures Tubes, Ltd. | Multi-layer common lens arrangement for main focus lens of multi-beam electron gun |
| US10312091B1 (en) * | 2015-10-13 | 2019-06-04 | Multibeam Corporation | Secure permanent integrated circuit personalization |
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| JPH06120126A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置 |
| JPH06244091A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Fujitsu Ltd | 透過マスク及びその製造方法 |
| JPH07135129A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | Ｓｉ転写マスク、及び、Ｓｉ転写マスクの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2922416A1 (de) * | 1979-06-01 | 1980-12-11 | Ibm Deutschland | Schattenwurfmaske zum strukturieren von oberflaechenbereichen und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS57211732A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | X ray exposing mask and manufacture thereof |
| EP0244496B1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-01-16 | Ibm Deutschland Gmbh | Maske für die Ionen-, Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur ihrer Herstellung |
| US5234781A (en) * | 1988-11-07 | 1993-08-10 | Fujitsu Limited | Mask for lithographic patterning and a method of manufacturing the same |
| JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP6142233A patent/JP2606138B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-02 US US08/458,849 patent/US5593761A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-02 KR KR1019950014647A patent/KR0148646B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-06-06 TW TW084105657A patent/TW288113B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6613482B1 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Advantest Corporation | Member used for charged beam processing apparatus, and mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0148646B1 (ko) | 1998-12-01 |
| US5593761A (en) | 1997-01-14 |
| TW288113B (ja) | 1996-10-11 |
| KR960001870A (ko) | 1996-01-26 |
| JP2606138B2 (ja) | 1997-04-30 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |