JPH07109342A

JPH07109342A - 光学製品の製造に対する特殊なポリカーボネートの使用法

Info

Publication number: JPH07109342A
Application number: JP6248286A
Authority: JP
Inventors: Wilfried Haese; ビルフリート・ヘーゼ; Friedrich Bruder; フリードリヒ・ブルダー; Ralf Pakull; ラルフ・パクル; Juergen Kirsch; ユルゲン・キルシユ; Hartmut Loewer; ハルトムート・レバー
Original assignee: Bayer AG
Current assignee: Bayer AG
Priority date: 1993-09-22
Filing date: 1994-09-19
Publication date: 1995-04-25
Also published as: ITRM940605A0; BE1009103A5; NL9401529A; ITRM940605A1; IT1273984B

Abstract

(57)【要約】【構成】ポリカーボネート中の２官能性カーボネート
構造単位の全モル量に対して式（Ｉ）【化１】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なってもよく且つＨ
又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］の２官能性カーボネー
ト構造単位を２０〜９０モル％の量で含有するポリカー
ボネートが提供される。【効果】ポリカーボネートは、式（Ｉ）の構造単位を
含むことによって特に非常に複屈折率の低い光学製品、
例えばレンズ、コンパクトディスクなどへ利用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、特殊なポリカーボネートが、そ
のポリカーボネート中の２官能性カーボネート構造単位
の全モル量に対して式（Ｉ）

【０００２】

【化９】

【０００３】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なって
もよく且つＨ又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル、例えばＣＨ₃、好
ましくはＲ₅＝Ｒ₆＝Ｈである］の２官能性カーボネート
構造単位を２０〜９０モル％、好ましくは５０〜８０モ
ル％の量で含有する光学薬品の製造に対する該特殊なポ
リカーボネートの使用法を提供する。

【０００４】８０〜１０モル％、好ましくは５０〜２０
モル％の補完量は式（ＩＩ）

【０００５】

【化１０】

【０００６】［式中、−Ｏ−Ｒ−Ｏ−はいずれか他の所
望のジフェノレート残基であり、但し−Ｒ−は炭素数６
〜３０の芳香族残基であって、１つ又はそれ以上の芳香
族環を含有していてよく、置換されていてよく、且つ脂
肪族残基、脂環族残基又はヘテロ原子を架橋員として含
有していてもよい］の他の２官能性カーボネート構造単
位を含んでなる。

【０００７】本発明によるポリカーボネートは、公知の
ように単離されたポリカーボネートをペレットに押出
し、そして随時添加剤の混入後にこれらのペレットを射
出成形で加工することによって光学製品にすることがで
きる。

【０００８】９，９−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−フルオレンから製造されるポリカーボネートは公
知である［参照、例えばＰ．Ｗ．モーガン、マクロモレ
キュールズ（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）、３、５
３６〜５４４（１９７０）、又はＲ．Ｐ．カンブア（Ｋ
ａｍｂｏｕｒ）ら、ジャーナル・オブ・アプライド・ポ
リマー・サイエンス（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌ
ｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅ）、３０、３２
７５〜３２９２（１９７６）及びＲ．Ｐ．カンブアら、
Ｊ．ポリム・サイ（Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．）、ポリマー
・レターズ・エディション（ＰｏｌｙｍｅｒＬｅｔｔ
ｅｒｓＥｄｉｔｉｏｎ）、１６、３２７〜３３３（１
９７８）］。

【０００９】本申請者の見解では、光学製品の製造に対
するそのようなポリカーボネートの使用は、文献におい
て推奨されてもいないし、明らかにもされていない。

【００１０】本発明に従う光学製品は、特に非常に低い
複屈折率を有する又はそれを必要とするもの、例えばレ
ンズ、プリズム、光学データ貯蔵媒体、コンパクト・デ
ィスクであるが、特には光学的情報を貯蔵するための、
繰返し読みとり且つ書き込みが可能な光学データ貯蔵媒
体である。

【００１１】低複屈折率を有するポリカーボネートは例
えばＧ．カンフ（Ｋａｅｍｐｆ）ら、ポリマー・プレプ
リンツ（ＰｏｌｙｍｅｒＰｒｅｐｒｉｎｔｓ）、２
９、２０９及び２１０（１９８８）から公知である。し
かしながらこの刊行物は本発明の主題に対する参考文献
を含んでいない。

【００１２】ヨーロッパ特許第１７７７１３号は、特別
なポリカーボネート及びその光学ディスクとしての使用
を記述している。このポリカーボネートは式（ＩＩＩ）

【００１３】

【化１１】

【００１４】［式中、残基Ｘ及びＹの少くとも１つは炭
素数６〜１２のアリール又はアラルキルである］の構造
単位を含む。

【００１５】ビス−（４−ヒドロキシフェニル）ジフェ
ニルメタン

【００１６】

【化１２】

【００１７】は（ＩＩＩ）の製造に対して例示されてい
る（ヨーロッパ特許第１７７７１３号、５頁、２２
行）。ヨーロッパ特許第１７７７１３号によるポリカー
ボネートは、光学的目的に適当である一連の良好な性質
を有する（９頁、１９行以降）。式（Ｉ）の２官能性単
位を含む本発明で使用しうるポリカーボネートと比べ
て、その複屈折率は依然高すぎる。例えばビス−（４−
ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタンから製造される
ポリカーボネートの複屈折率は依然としてビスフェノー
ルＡポリカーボネートのそれの約１５％である［応用物
理学誌、２９（５）、８９８〜９０１（１９９０）］。

【００１８】ヨーロッパ特許第２８７８８７号は、６，
６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチ
ル−１，１′−スピロ（ビス）インダンに基づくポリカ
ーボネートを記述している。この化合物から非常に低い
光学複屈折率の材料を製造することが意図されているけ
れど、それはスピロビスインダンビスフェノール含量が
非常に高い場合だけ可能である（参照、該ヨーロッパ特
許の表（ＩＩＩ）、更に対照実施例）。しかしながらこ
れはこのポリカーボネートを非常に脆くし、加工を困難
にする。

【００１９】中でもビス−（４−ヒドロキシフェニル）
ジフェニルメタンは、付加的ジフェノールとしても使用
されている（３頁、４８行）。

【００２０】斯くして本発明の目的は、容易に光学製品
に加工でき、且つ更に低複屈折率と良好な機械的性質を
有する光学製品を与える、光学製品製造のための特別な
ポリカーボネートを提供することであった。

【００２１】これは特に式（ＩＶ）

【００２２】

【化１３】

【００２３】［式中、ＭはＣ₁〜Ｃ_８アルキレン、Ｃ₂〜
Ｃ_８アルキリデン、Ｃ₅〜Ｃ₁₀シクロアルキリデン、−
Ｓ−及び単結合であり、またＲ_１及びＲ_２は同一でも異
なってもよく且つＣＨ₃、Ｃｌ、Ｂｒ又はＨである］の
構造単位が式（ＩＩ）の構造単位としての補完的な量で
存在する場合である。構造単位（ＩＶ）に基づくジフェ
ノール（ＩＶａ）

【００２４】

【化１４】

【００２５】［式中、Ｍ、Ｒ_１及びＲ_２は（ＩＶ）に対
して言及した意味を有する］の例は、４，４′−ジヒド
ロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス−（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス−（３−クロル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビス−（３，３−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビス−（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチル
ブタン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（３，５−
ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン及び１，１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサンである。

【００２６】好適なジフェノール（ＩＶａ）は２，２−
ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（３，５
−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，
１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン
及び１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサンである。

【００２７】ジフェノール（ＩＩａ）ＨＯ−Ｒ−ＯＨ（ＩＩａ）［式中、一般にＲは式（ＩＩ）に対して言及した意味を
有する］及び特別なジフェノール（ＩＶａ）の両方は、
式（Ｉ）の構造単位を有する本発明で使用しうるコポリ
カーボネートの製造に対してそれぞれ又は組合せて使用
することができる。

【００２８】式（Ｉ）の構造単位を有する本発明で使用
しうるポリカーボネートは、少くとも９０００、特に９
５００〜１２０，０００、好ましくは１００００〜６０
００

【００２９】

【外３】

【００３０】均）を有する。またそれらは１５０℃以上
のガラス転移温度を有する。

【００３１】式（Ｉ）の構造単位を有する本発明で使用
しうるポリカーボネートは、分子鎖端に通常のフェニル
又はアルキルフェニル末端基を有する。この基はポリカ
ーボネートの合成中、フェノール又はアルキルフェノー
ルを延鎖停止剤として用いる公知の方法で導入される。

【００３２】式（Ｉ）の構造単位を有する本発明で使用
しうるポリカーボネートは、分岐していてもよい。これ
は公知の方法により３官能性又はそれ以上の化合物を混
入することによって行われる。本ポリカーボネートは更
に通常の混入される添加剤例えば離型剤、ＵＶ安定剤及
び熱安定剤を含有していてもよい。

【００３３】式（Ｉ）の構造単位を有する本発明で使用
しうるポリカーボネートのいくつか、即ち式（Ｖ）

【００３４】

【化１５】

【００３５】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は式（ＩＶ）に対し
て言及した意味を有し、ｍは４又は５であり、そしてＲ
_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立に且つ相互にも独立にＨ
又はＣＨ_３であり、またＸは炭素原子である］の構造単
位を補完構造単位（ＩＩ）として含有するものは新規で
ある。

【００３６】これらのポリカーボネートは、公知の方法
に従い、例えば米国特許第４，９８２，０１４号及び独
国公開特許第３８３２３９６号に最も理解しやすく記述
されているように、（Ｉａ）と（Ｖａ）の量比をモル％
で２０：８０〜９０：１０、好ましくは５０：５０〜８
０：２０にして、ジフェノール（Ｉａ）

【００３７】

【化１６】

【００３８】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は式（Ｉ）に対して
言及した意味を有する］及びジフェノール（Ｖａ）

【００３９】

【化１７】

【００４０】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｘ及びｍは
式（Ｖ）に対して言及した意味を有する］から製造され
る。

【００４１】斯くして本発明は、式（Ｉ）の２官能性カ
ーボネート構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性
カーボネート構造単位の全モル量に対して２０〜９０モ
ル％、好ましくは５０〜８０モル％の量で、及び式
（Ｖ）の２官能性カーボネート構造単位を、ポリカーボ
ネート中の２官能性カーボネート構造単位の全モル量に
対して８０〜１０モル％、好ましくは５０〜２０モル％
の量で、含有する、但し構

【００４２】

【外４】

【００４３】正後のゲルクロマトグラフィーによって測
定した重量平均分子量）が少くとも９０００、特に９５
００〜１２００００、好ましくは１００００〜６０００
０の熱可塑性の芳香族ポリカーボネートも提供する。

【００４４】通常のアリーレン末端基を含有し且つ分岐
していてもよいこれら新規なポリカーボネートは、更に
通常の添加剤例えば離型剤、ＵＶ安定剤、熱安定剤又は
難燃剤を、事実熱可塑性ポリカーボネートに対して通常
の量で含有していてもよい。斯くして本発明は、それぞ
れジフェノール（Ｉａ）及び（Ｖａ）の合計１００モル
％に基づいて、２０〜９０モル％、好ましくは５０〜８
０モル％の量でジフェノール（Ｉａ）を、８０〜１０モ
ル％、好ましくは５０〜２０モル％の量のジフェノール
（Ｖａ）と一緒に、公知の方法に従い、延鎖停止剤及び
随時分岐鎖剤の存在下に、ホスゲンと又はジフェニルカ
ーボネートと反応させる、式（Ｉ）及び（Ｖ）の２官能
性構造単位からのポリカーボネートの製造法も提供す
る。

【００４５】しかしながら特別なジフェノール（Ｖａ）
の一部分は、通常の構造（ＩＩａ）の他のジフェノー
ル、好ましくはすでに前述したもの、即ち４，４′−ジ
ヒドロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキ
シフェニル）−プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス−
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス−（３−クロル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス−（３，３−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、２，２−ビス−（３，５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビ
ス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−
２−メチルブタン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン及び１，１−ビス−
（（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンで代替さ
れていてもよい。

【００４６】通常の構造式（ＩＩａ）の他のジフェノー
ルの割合は、用いるジフェノール（Ｖａ）の特別なモル
％の２／３まで、好ましくは１／２まで、特に１／３ま
での量であるべきである。

【００４７】斯くして本発明は、構造単位（Ｖ）の２／
３まで、好ましくは１／２まで、特に１／３までが一般
式（ＩＩ）の他の構造単位で代替されていてよい式
（Ｉ）及び（Ｖ）の２官能性構造単位からのポリカーボ
ネートの製造に際して、それぞれジフェノール（Ｉａ）
及び（Ｖａ）の１００モル％に基づいて、２０〜９０モ
ル％、好ましくは５０〜８０モル％の量のジフェノール
（Ｉａ）を、８０〜１０モル％、好ましくは５０〜２０
モル％の量のジフェノール（Ｖａ）と一緒に、公知の方
法に従い、延鎖停止剤及び随時分岐剤の存在下に、ホス
ゲンと又はジフェニルカーボネートと反応させる、但し
ジフェノール（Ｖａ）のモル％の２／３まで、好ましく
は１／２まで、特に１／３までが一般構造式（ＩＩａ）
の他のジフェノールで代替されていてもよい、該ポリカ
ーボネートの製造法も提供する。

【００４８】これらの場合、勿論ジフェノール（Ｖａ）
と他のジフェノール（ＩＩａ）の全モル量は８０〜１０
モル％、好ましくは５０〜２０モル％である。

【００４９】更に本発明は上記方法に従って製造しうる
コポリカーボネートを提供する。

【００５０】本新規なポリカーボネートは、公知の方法
で単離でき、そして公知の装置により種々の成形物に、
特に最初に言及した光学製品に、即ちレンズ、プリズ
ム、光学データ貯蔵媒体などに加工することができる。

【００５１】本新規なポリカーボネートは当然フィルム
にキャストでき或いは二重壁シートに押出すこともで
き、これらは電気工学及び構造体に使用される。

【００５２】

【実施例】実施例１〜７次のコポリカーボネートを製造し、そのレオ光学（ｒｈ
ｅｏｏｐｔｉｃａｌ）定数を測定した。

【００５３】

【表１】

【００５４】コポリカーボネートの製造９，９−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（フルオレノンビスフェノール）（表１から）ａｇビスフェノール（表１から）（ビスフェノールＡの合計０．２５モル）ｂｇ水酸化カリウム１１２．２ｇ水（表１から）ｃｇを一緒に撹拌し、不活性な気体下に溶解した。次いで塩
化メチレン（表１から）ｄｇを添加した。ｐＨ１１〜
１４及び２０〜２５℃において、ホスゲン６１．８ｇ
を、約２ｇ／分の速度で完全撹拌溶液中に導入した。次
いでイソオクチルフェノール１．１６ｇ及びＮ−エチル
ピペリジン０．４２５ｇを添加し、この混合物を更に４
５分間撹拌した。ビスフェノレートを含有しない溶液を
分離し、有機相を酸性にし、次いで中性になるまで水洗
し、溶媒を除去した。

【００５５】得られたポリカーボネートは１．２〜１．
３の範囲の相対溶液粘度を有した。対照実施例６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラ
メチル−１，１′−スピロ（ビス）インダン（スピロビ
スインダン）に基づく次の共重合体を合成し、その性質
を測定した：対照実施例モル比（スピロビスインダン／ビスフェノールＡ）５５０：５０６７５：２５７９０：１０６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラ
メチル−１，１′−スピロ（ビス）インダン及び対応す
る重合体の合成は例えばヨーロッパ特許第２８７８８７
号に記述されている。

【００５６】複屈折率の決定レオ光学定数Ｃを決定するために、単軸引張り応力△σ
を熱溶融テープに適用することによって重合体を配向さ
せた。

【００５７】試験片を作るために、適当なスロット口金
を有する加熱されたプランジャー注入器を使用した。可
能ならば、溶融温度を最初に粘度が７×１０³〜１．５
×１０⁴Ｐａ・ｓとなるように調節した。巻と取りモー
タを用いてテープを上方へ取り出し、スロット口金上の
熱域におけるテープの延伸を制御した。テープの延伸に
はある一定の引張り力Ｆを使用した。

【００５８】引張り力Ｆの作用下に生ずる単軸の、圧縮
できない延伸流のために、口金からの距離が増大するに
つれて、テープの断面積は減少した。しかしながら、溶
融物は同時に非常に速く冷却し、完全な配向過程は遅く
ともガラス転位温度で終り、その配向が凍結された。異
なる大きさの取出し力を適用して、種々の配向度を作る
ことができた。

【００５９】一端テープが冷却すると、断面積Ａを決定
することができる。引張り力Ｆとの関連において、引張
り応力△σは△σ＝Ｆ／Ａから得ることができた。バビ
ネット（Ｂａｂｉｎｅｔ）補償器を用いて、テープの厚
さｄを通しての光学的行路差Ｔを白色光で決定した。次
いで比行路差△ｎを△ｎ＝Ｔ／ｄから計算した。関係式
△ｎ＝Ｃ×△σに基づいて、単位１／Ｐａのレオ光学定
数Ｃを、ポイント対（△σ、△ｎ）の線形回帰により計
算した。１０×１０^-11（１／Ｐａ）より小さい値のレ
オ光学定数は最早や上述した方法を用いて正確に測定で
きなかった。

【００６０】次の値を測定した：実施例８〜１０

【００６１】

【表２】

【００６２】ビスフェノールＴＭＣの略号は１，１−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサンを示す。

【００６３】コポリカーボネートは実施例１〜４におい
て記述した方法で製造した。

【００６４】上述の方法による複屈折率の決定はレオ光
学定数に対して次の値を明らかにした。

【００６５】本発明の特徴と態様は以下の通りである：１．光学製品の製造に際して、ポリカーボネート中の２
官能性カーボネート構造単位の全モル量に対して式
（Ｉ）

【００６６】

【化１８】

【００６７】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なって
もよく且つＨ又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］の２官能
性カーボネート構造単位を２０〜９０モル％の量で含有
するポリカーボネートを使用する方法。

【００６８】２．ポリカーボネートが式（ＩＩ）

【００６９】

【化１９】

【００７０】［式中、−Ｏ−Ｒ−Ｏ−はいずれか他の所
望のジフェノレート残基であり、但し−Ｒ−は炭素数６
〜３０の芳香族残基であって、１つ又はそれ以上の芳香
族環を含有していてよく、置換されていてよく、且つ脂
肪族残基、脂環族残基又はヘテロ原子を架橋員として含
有していてもよい］の他の２官能性カーボネート構造単
位を８０〜１０モル％の補完的な量で含有する上記１の
使用法。

【００７１】３．ポリカーボネートが式（ＩＶ）

【００７２】

【化２０】

【００７３】［式中、ＭはＣ₁〜Ｃ_８アルキレン、Ｃ₂〜
Ｃ_８アルキリデン、Ｃ₅〜Ｃ₁₀シクロアルキリデン、−
Ｓ−及び単結合であり、またＲ_１及びＲ_２は同一でも異
なってもよく且つＣＨ₃、Ｃｌ、Ｂｒ又はＨである］の
構造単位を、他のカーボネート構造単位として含有する
上記２の使用法。

【００７４】４．ポリカーボネートが式（Ｖ）

【００７５】

【化２１】

【００７６】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は同一でも異なって
もよく且つＣＨ₃、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＨであり、ｍは４
又は５であり、そしてＲ_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立
に且つ相互にも独立にＨ又はＣＨ_３であり、またＸは炭
素原子である］の構造単位を、他のカーボネート構造単
位として含有する上記２の使用法。

【００７７】５．上記１の式（Ｉ）の２官能性カーボネ
ート構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボ
ネート構造単位の全モル量に対して２０〜９０モル％の
量で、及び上記４の式（Ｖ）の２官能性カーボネート構
造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボネート
構造単位の全モル量に対して８０〜１０モル％の量で、
含有する、但し構造単位（Ｉ）及び（Ｖ）の合計が各場
合に１００モル％であ

【００７８】

【外５】

【００７９】子量）が少くとも９０００の熱可塑性芳香
族ポリカーボネート。

【００８０】６．下記ジフェノール（Ｉａ）及び（Ｖ
ａ）の１００モル％に基づいて、２０〜９０モル％の量
のジフェノール（Ｉａ）

【００８１】

【化２２】

【００８２】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なって
もよく且つＨ又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］を、８０
〜１０モル％の量のジフェノール（Ｖａ）

【００８３】

【化２３】

【００８４】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は同一でも異なって
もよく且つＣＨ₃、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＨであり、ｍは４
又は５であり、そしてＲ_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立
に且つ相互にも独立にＨ又はＣＨ_３であり、またＸは炭
素原子である］と一緒に、公知の方法に従い、延鎖停止
剤及び随時分岐剤の存在下に、ホスゲンと又はジフェニ
ルカーボネートと反応させる上記５のポリカーボネート
の製造法。

【００８５】７．上記１の式（Ｉ）の２官能性カーボネ
ート構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボ
ネート構造単位の全モル量に対して２０〜９０モル％の
量で、及び上記４の式（Ｖ）の２官能性カーボネート構
造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボネート
構造単位の全モル量に対して８０〜１０モル％の量で、
含有する、但し構造単位（Ｖ）の特定のモル％の２／３
までが上記２の一般式

【００８６】

【外６】

【００８７】マトグラフィーによって測定した重量平均
分子量）が少くとも９０００のポリカーボネートを製造
するに際して、下記ジフェノール（Ｉａ）及び（Ｖａ）
の１００モル％に基づいて、２０〜９０モル％の量のジ
フェノール（Ｉａ）

【００８８】

【化２４】

【００８９】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なって
もよく且つＨ又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］を、８０
〜１０モル％の量のジフェノール（Ｖａ）

【００９０】

【化２５】

【００９１】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は同一でも異なって
もよく且つＣＨ₃、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＨであり、ｍは４
又は５であり、そしてＲ_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立
に且つ相互にも独立にＨ又はＣＨ_３であり、またＸは炭
素原子である］と一緒に、公知の方法に従い、延鎖停止
剤及び随時分岐剤の存在下に、ホスゲンと又はジフェニ
ルカーボネートと反応させる、但しジフェノール（Ｖ
ａ）の特定のモル％の２／３までが一般構造式（ＩＩ
ａ）ＨＯ−Ｒ−ＯＨ［式中、−Ｒ−は炭素数６〜３０の芳香族残基である］
の他のジフェノールで代替されていてもよい、該ポリカ
ーボネートの製造法。

【００９２】８．上記７に従って製造されるコポリカー
ボネート。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ラルフ・パクルドイツ50259プルハイム・マルテインシユトラーセ24 (72)発明者ユルゲン・キルシユドイツ51375レーフエルクーゼン・フエルクリンガーシユトラーセ20 (72)発明者ハルトムート・レバードイツ47802クレーフエルト・ベンガープフアート12ツエー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学製品の製造に際して、ポリカーボネ
ート中の２官能性カーボネート構造単位の全モル量に対
して式（Ｉ）【化１】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なってもよく且つＨ
又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］の２官能性カーボネー
ト構造単位を２０〜９０モル％の量で含有するポリカー
ボネートを使用する方法。
【請求項２】ポリカーボネートが式（ＩＩ）【化２】［式中、−Ｏ−Ｒ−Ｏ−はいずれか他の所望のジフェノ
レート残基であり、但し−Ｒ−は炭素数６〜３０の芳香
族残基であって、１つ又はそれ以上の芳香族環を含有し
ていてよく、置換されていてよく、且つ脂肪族残基、脂
環族残基又はヘテロ原子を架橋員として含有していても
よい］の他の２官能性カーボネート構造単位を８０〜１
０モル％の補完的な量で含有する請求項１の使用法。
【請求項３】ポリカーボネートが式（ＩＶ）【化３】［式中、ＭはＣ₁〜Ｃ_８アルキレン、Ｃ₂〜Ｃ_８アルキリ
デン、Ｃ₅〜Ｃ₁₀シクロアルキリデン、−Ｓ−及び単結
合であり、またＲ_１及びＲ_２は同一でも異なってもよく
且つＣＨ₃、Ｃｌ、Ｂｒ又はＨである］の構造単位を、
他のカーボネート構造単位として含有する請求項２の使
用法。
【請求項４】ポリカーボネートが式（Ｖ）【化４】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は同一でも異なってもよく且つＣ
Ｈ₃、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＨであり、ｍは４又は５であ
り、そしてＲ_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立に且つ相互
にも独立にＨ又はＣＨ_３であり、またＸは炭素原子であ
る］の構造単位を、他のカーボネート構造単位として含
有する請求項２の使用法。
【請求項５】請求項１の式（Ｉ）の２官能性カーボネ
ート構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボ
ネート構造単位の全モル量に対して２０〜９０モル％の
量で、及び請求項４の式（Ｖ）の２官能性カーボネート
構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボネー
ト構造単位の全モル量に対して８０〜１０モル％の量
で、含有する、但し構造単位（Ｉ）及び（Ｖ）の合計が
各場合に【外１】定した重量平均分子量）が少くとも９０００の熱可塑性
芳香族ポリカーボネート。
【請求項６】下記ジフェノール（Ｉａ）及び（Ｖａ）
の１００モル％に基づいて、２０〜９０モル％の量のジ
フェノール（Ｉａ）【化５】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なってもよく且つＨ
又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］を、８０〜１０モル％
の量のジフェノール（Ｖａ）【化６】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は同一でも異なってもよく且つＣ
Ｈ₃、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＨであり、ｍは４又は５であ
り、そしてＲ_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立に且つ相互
にも独立にＨ又はＣＨ_３であり、またＸは炭素原子であ
る］と一緒に、公知の方法に従い、延鎖停止剤及び随時
分岐剤の存在下に、ホスゲンと又はジフェニルカーボネ
ートと反応させる請求項５のポリカーボネートの製造
法。
【請求項７】請求項１の式（Ｉ）の２官能性カーボネ
ート構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボ
ネート構造単位の全モル量に対して２０〜９０モル％の
量で、及び請求項４の式（Ｖ）の２官能性カーボネート
構造単位を、ポリカーボネート中の２官能性カーボネー
ト構造単位の全モル量に対して８０〜１０モル％の量
で、含有する、但し構造単位（Ｖ）の特定のモル％の２
／３まで【外２】め補正後のゲルクロマトグラフィーによって測定した重
量平均分子量）が少くとも９０００のポリカーボネート
を製造するに際して、下記ジフェノール（Ｉａ）及び
（Ｖａ）の１００モル％に基づいて、２０〜９０モル％
の量のジフェノール（Ｉａ）【化７】［式中、Ｒ_５及びＲ_６は同一でも異なってもよく且つＨ
又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルである］を、８０〜１０モル％
の量のジフェノール（Ｖａ）【化８】［式中、Ｒ_１及びＲ_２は同一でも異なってもよく且つＣ
Ｈ₃、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＨであり、ｍは４又は５であ
り、そしてＲ_３及びＲ_４は各Ｘに対して独立に且つ相互
にも独立にＨ又はＣＨ_３であり、またＸは炭素原子であ
る］と一緒に、公知の方法に従い、延鎖停止剤及び随時
分岐剤の存在下に、ホスゲンと又はジフェニルカーボネ
ートと反応させる、但しジフェノール（Ｖａ）の特定の
モル％の２／３までが一般構造式（ＩＩａ）ＨＯ−Ｒ−ＯＨ［式中、−Ｒ−は炭素数６〜３０の芳香族残基である］
の他のジフェノールで代替されていてもよい、該ポリカ
ーボネートの製造法。