JP2001131279A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents
光記録媒体用成形材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形品を提供する。 【解決手段】 一般式（Ａ）および（Ｂ）から誘導され
るポリカーボネートであって、一般式（Ａ）が一般式
（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対して３０〜８０重量％
であり、かつ極限粘度が０．２〜０．５dl/gであるポリ
カーボネートからなる光記録媒体用成形材料。 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、各々独立して水素原子、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ5 およびＲ6 は、炭素数１〜６の脂肪族基を
表し、Ｘはジメチルシロキサンとジフェニルシロキサン
のランダム共重合体であり、重合度は２から２００を表
す。）
用成形品を提供する。 【解決手段】 一般式（Ａ）および（Ｂ）から誘導され
るポリカーボネートであって、一般式（Ａ）が一般式
（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対して３０〜８０重量％
であり、かつ極限粘度が０．２〜０．５dl/gであるポリ
カーボネートからなる光記録媒体用成形材料。 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、各々独立して水素原子、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ5 およびＲ6 は、炭素数１〜６の脂肪族基を
表し、Ｘはジメチルシロキサンとジフェニルシロキサン
のランダム共重合体であり、重合度は２から２００を表
す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスク、デジ
タルビデオディスクなどの光記録媒体を製造するのに好
適な成形性、透明性と共に、複屈折の低減されたポリカ
ーボネート樹脂光記録媒体用成形材料に関する。
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスク、デジ
タルビデオディスクなどの光記録媒体を製造するのに好
適な成形性、透明性と共に、複屈折の低減されたポリカ
ーボネート樹脂光記録媒体用成形材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡから誘導されるポリカ
ーボネートは、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸
法安定性などの特徴を生かして、最近は光ディスク用基
盤材料として広く用いられるようになった。しかしなが
ら、光ディスク用に、該ポリカーボネートを用いる場合
いくつかの問題点があった。
ーボネートは、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸
法安定性などの特徴を生かして、最近は光ディスク用基
盤材料として広く用いられるようになった。しかしなが
ら、光ディスク用に、該ポリカーボネートを用いる場合
いくつかの問題点があった。
【０００３】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。これらの複屈折を低減することを
目的とした様々なポリカーボネート樹脂材料が開発され
ている（特開昭６０−２１５０２０，特開昭６２−１８
１１１５）。しかしながら、これらのポリカーボネート
樹脂材料では、より高密度化が進む光ディスクでは、複
屈折の低減が十分とは言えなかった。
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。これらの複屈折を低減することを
目的とした様々なポリカーボネート樹脂材料が開発され
ている（特開昭６０−２１５０２０，特開昭６２−１８
１１１５）。しかしながら、これらのポリカーボネート
樹脂材料では、より高密度化が進む光ディスクでは、複
屈折の低減が十分とは言えなかった。
【０００４】また、最近では成形条件で改善が困難な、
斜め入射の複屈折の低減が要求される様になった。この
斜め入射の複屈折の低減を目的として、フルオレン構造
を有するディスク材料が開発されている（特開平８−１
３４１９９）。けれども、この材料は、フルオレン類の
含有量を増すとガラス転移点の上昇および流動性の低下
により、転写性が低下するという問題点があった。
斜め入射の複屈折の低減が要求される様になった。この
斜め入射の複屈折の低減を目的として、フルオレン構造
を有するディスク材料が開発されている（特開平８−１
３４１９９）。けれども、この材料は、フルオレン類の
含有量を増すとガラス転移点の上昇および流動性の低下
により、転写性が低下するという問題点があった。
【０００５】一方、ポリオルガノシロキサンを含有する
光ディスク材料が開発されている（特開平３−１０６９
３１）。しかしながら、この材料は、ポリオルガノシロ
キサンの含有量を増すと光ディスクに必要な透明性が維
持できないため、含有量を増すことができず充分な複屈
折の低下が望めなかった。
光ディスク材料が開発されている（特開平３−１０６９
３１）。しかしながら、この材料は、ポリオルガノシロ
キサンの含有量を増すと光ディスクに必要な透明性が維
持できないため、含有量を増すことができず充分な複屈
折の低下が望めなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、斜め
入射の複屈折を低減し、かつ流動性の良好で転写性の良
好な光記録媒体用成形材料を提供することである。
入射の複屈折を低減し、かつ流動性の良好で転写性の良
好な光記録媒体用成形材料を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の２種類の
ビスフェノール類より誘導された共重合ポリカーボネー
ト樹脂は、低複屈折性と良好な透明性、成形性を兼ね備
えた良質の光記録媒体成形材料となることを見いだし、
本発明を完成するに至った。
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の２種類の
ビスフェノール類より誘導された共重合ポリカーボネー
ト樹脂は、低複屈折性と良好な透明性、成形性を兼ね備
えた良質の光記録媒体成形材料となることを見いだし、
本発明を完成するに至った。
【０００８】
【発明の実施の形態】即ち本発明は、一般式（Ａ）およ
び（Ｂ）から誘導されるポリカーボネートであって、一
般式（Ａ）が一般式（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対し
て３０〜８０重量％であり、かつ極限粘度が０．２〜
０．５dl/gであるポリカーボネートからなる光記録媒体
用成形材料である。
び（Ｂ）から誘導されるポリカーボネートであって、一
般式（Ａ）が一般式（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対し
て３０〜８０重量％であり、かつ極限粘度が０．２〜
０．５dl/gであるポリカーボネートからなる光記録媒体
用成形材料である。
【化３】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、各々独立して水素原子、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）
【化４】 （式中、Ｒ5 およびＲ6 は炭素数１〜６の脂肪族基を表
し、Ｘはジメチルシロキサンとジフェニルシロキサンの
ランダム共重合体であり、重合度は２から２００を表
す。）
し、Ｘはジメチルシロキサンとジフェニルシロキサンの
ランダム共重合体であり、重合度は２から２００を表
す。）
【０００９】本発明のポリカーボネートは、前記一般式
（Ａ）および（Ｂ）と、炭酸エステル形成性化合物を反
応させることによって、製造することができる。即ち、
ビスフェノールＡから誘導されるポリカーボネートを製
造する際に用いられている公知の方法、例えば二価フェ
ノールとホスゲンとの直接反応（ホスゲン法）、あるい
は二価フェノールとビスアリールカーボネートとのエス
テル交換反応（エステル交換法）などの方法を採用する
ことができる。
（Ａ）および（Ｂ）と、炭酸エステル形成性化合物を反
応させることによって、製造することができる。即ち、
ビスフェノールＡから誘導されるポリカーボネートを製
造する際に用いられている公知の方法、例えば二価フェ
ノールとホスゲンとの直接反応（ホスゲン法）、あるい
は二価フェノールとビスアリールカーボネートとのエス
テル交換反応（エステル交換法）などの方法を採用する
ことができる。
【００１０】炭酸エステル形成性化合物としては、例え
ばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリ
ルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、
ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカー
ボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げられる。
ばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリ
ルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、
ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカー
ボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げられる。
【００１１】前記一般式（Ａ）で表される化合物として
は、具体的には、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−２−
メチルフェニレン）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、３，６−
ジメチル−９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−エトキシ
−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
４，５−ジメチル−９，９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン、３，６−ジメチル−
９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン及び３，６−ジフェニル−９，９−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレン等を挙げることがで
きる。特に、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シ−２−メチルフェニル）フルオレンが好ましい。
は、具体的には、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−２−
メチルフェニレン）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、３，６−
ジメチル−９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−エトキシ
−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
４，５−ジメチル−９，９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン、３，６−ジメチル−
９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン及び３，６−ジフェニル−９，９−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレン等を挙げることがで
きる。特に、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シ−２−メチルフェニル）フルオレンが好ましい。
【００１２】前記一般式（Ｂ）で表される化合物として
は、具体的には、式中のＲ5 およびＲ6 がジメチレン、
トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレンおよび
ヘキサメチレンであり、Ｘがジメチルシロキサンが１〜
１００個とジフェニルシロキサンが１〜１００個からな
るランダム共重合体である。好ましくは、該ランダム共
重合体中にジフェニルシロキサンが２個以上で、ジメチ
ルシロキサンとジフェニルシロキサンの合計量が１００
個以下のものである。
は、具体的には、式中のＲ5 およびＲ6 がジメチレン、
トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレンおよび
ヘキサメチレンであり、Ｘがジメチルシロキサンが１〜
１００個とジフェニルシロキサンが１〜１００個からな
るランダム共重合体である。好ましくは、該ランダム共
重合体中にジフェニルシロキサンが２個以上で、ジメチ
ルシロキサンとジフェニルシロキサンの合計量が１００
個以下のものである。
【００１３】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ａ）および（Ｂ）で表される化合物の反応性を考慮し
た場合、ホスゲン法の方が好ましい。
（Ａ）および（Ｂ）で表される化合物の反応性を考慮し
た場合、ホスゲン法の方が好ましい。
【００１４】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、本発明における上記一
般式式（Ａ）および（Ｂ）と、ホスゲンを反応させる。
酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いら
れる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチ
ルアミンのような第三級アミン触媒および第四級アンモ
ニウム塩などの触媒が使用される。また、重合度調節に
は、フェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミル
フェノールなどのフェノール類等一官能基化合物を分子
量調節剤として加える。さらに、所望に応じ亜硫酸ナト
リウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フ
ロログルシン、イサチンビスフェノール、1,1,1-トリス
（4-ヒドロキシフェニル）エタン、α，α',α"-トリス
（4-ヒドロキシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベン
ゼンなど分岐化剤を小量添加してもよい。反応は通常０
〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲とするのが適
当である。反応時間は反応温度によって左右されるが、
通常０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間であ
る。また、反応中は反応系のpHを１０以上に保持するこ
とが望ましい。
剤および溶媒の存在下において、本発明における上記一
般式式（Ａ）および（Ｂ）と、ホスゲンを反応させる。
酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いら
れる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチ
ルアミンのような第三級アミン触媒および第四級アンモ
ニウム塩などの触媒が使用される。また、重合度調節に
は、フェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミル
フェノールなどのフェノール類等一官能基化合物を分子
量調節剤として加える。さらに、所望に応じ亜硫酸ナト
リウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フ
ロログルシン、イサチンビスフェノール、1,1,1-トリス
（4-ヒドロキシフェニル）エタン、α，α',α"-トリス
（4-ヒドロキシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベン
ゼンなど分岐化剤を小量添加してもよい。反応は通常０
〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲とするのが適
当である。反応時間は反応温度によって左右されるが、
通常０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間であ
る。また、反応中は反応系のpHを１０以上に保持するこ
とが望ましい。
【００１５】一方、後者のエステル交換法においては、
前記一般式（Ａ）および（Ｂ）のビスフェノール類とビ
スアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温にお
いて反応させる。この時、p-クミルフェノール等の一官
能基化合物を分子量調節剤として加えてもよい。反応は
通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の
範囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好まし
くは１mmHg以下にして、エステル交換反応により生成し
た該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール
類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度な
どによって左右されるが、通常１〜６時間程度である。
反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行う
ことが好ましく。また、所望に応じ、酸化防止剤や分岐
化剤を添加して反応を行ってもよい。
前記一般式（Ａ）および（Ｂ）のビスフェノール類とビ
スアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温にお
いて反応させる。この時、p-クミルフェノール等の一官
能基化合物を分子量調節剤として加えてもよい。反応は
通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の
範囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好まし
くは１mmHg以下にして、エステル交換反応により生成し
た該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール
類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度な
どによって左右されるが、通常１〜６時間程度である。
反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行う
ことが好ましく。また、所望に応じ、酸化防止剤や分岐
化剤を添加して反応を行ってもよい。
【００１６】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、ビスフェノール類とホスゲンの反応を効率よく行う
ため、ホスゲン吹き込み終了後に、トリエチルアミンの
ような三級アミンあるいはトリエチルベンジルアンモニ
ウムクロライドのような第四級アンモニウム塩を使用さ
れる。これらのアミン類の添加量は、全ビスフェノール
類に対して、０．０１〜１．０ｍｏｌ％である。
は、ビスフェノール類とホスゲンの反応を効率よく行う
ため、ホスゲン吹き込み終了後に、トリエチルアミンの
ような三級アミンあるいはトリエチルベンジルアンモニ
ウムクロライドのような第四級アンモニウム塩を使用さ
れる。これらのアミン類の添加量は、全ビスフェノール
類に対して、０．０１〜１．０ｍｏｌ％である。
【００１７】更に、本発明の分子量調節剤としては特に
一価フェノールが好ましく、具体的にはブチルフェノー
ル、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカニル
フェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデカニ
ルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖アル
キル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、ヒド
ロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニル、
ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸プタ
デカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエステ
ル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノール、
ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノール、
テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニルオキ
シフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等の長
鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。この分子
量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に対して３〜
１０ｍｏｌ％である。
一価フェノールが好ましく、具体的にはブチルフェノー
ル、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカニル
フェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデカニ
ルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖アル
キル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、ヒド
ロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニル、
ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸プタ
デカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエステ
ル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノール、
ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノール、
テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニルオキ
シフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等の長
鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。この分子
量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に対して３〜
１０ｍｏｌ％である。
【００１８】これらの反応で合成されたポリカーボネー
トは、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成形、湿
式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光記録媒
体用成形材料としては、容易に押出、射出成形ができる
ことが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形では極限
粘度が０．２〜０．５dl/gの範囲であることが好まし
い。
トは、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成形、湿
式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光記録媒
体用成形材料としては、容易に押出、射出成形ができる
ことが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形では極限
粘度が０．２〜０．５dl/gの範囲であることが好まし
い。
【００１９】また、前記一般式（Ａ）の使用量は成形品
の反りや強度、低複屈折性を考慮すると、前記一般式
（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対して３０〜８０重量％
が好ましい。前記一般式（Ａ）が３０重量％未満では、
ディスク成形品の反りが大きくなり、８０重量％を超え
ると強度が低下しディスク成形時に割れが生じる。
の反りや強度、低複屈折性を考慮すると、前記一般式
（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対して３０〜８０重量％
が好ましい。前記一般式（Ａ）が３０重量％未満では、
ディスク成形品の反りが大きくなり、８０重量％を超え
ると強度が低下しディスク成形時に割れが生じる。
【００２０】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（２８０℃、１６０
kgf/cm2 、ノズル径１ｍｍ×１０ｍｍ）測定で、１５〜
９０×１０-2cc/secの範囲が好ましい。１５×１０-2cc
/sec未満では、流動性が悪く金型への充填不良やフロー
マークが生じる場合があり、９０×１０-2cc/secを越え
ると金型剥離不良や反りを生じやすい。
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（２８０℃、１６０
kgf/cm2 、ノズル径１ｍｍ×１０ｍｍ）測定で、１５〜
９０×１０-2cc/secの範囲が好ましい。１５×１０-2cc
/sec未満では、流動性が悪く金型への充填不良やフロー
マークが生じる場合があり、９０×１０-2cc/secを越え
ると金型剥離不良や反りを生じやすい。
【００２１】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０４以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０４以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
【００２２】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から一般の光記録媒体用ポリカーボネートと性
能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可能
である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形温
度は、流動性の観点から２８０〜３８０℃が好ましい。
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から一般の光記録媒体用ポリカーボネートと性
能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可能
である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形温
度は、流動性の観点から２８０〜３８０℃が好ましい。
【００２３】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００２４】実施例１ ８．８％(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液４９リットルに
９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）
フルオレン２．８Kg（以下BCFLと略称、７．４１mol ）
とポリオルガノシロキサン〔一般式（Ｂ）において、Ｒ
5 及びＲ6 がトリメチレン基であり、Ｘとしてジメチル
シロキサンが３４個とジフェニルシロキサンが４個から
なるランダム共重合体であるもの。〕４．２Kg（以下Si
モノマーと略称、１．１５mol ）及びハイドロサルファイト
２０ｇを加え溶解した。これにメチレンクロライド３６
リットルを加え、１５℃に保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン
２．０２kgを３０分かけて吹き込んだ。吹き込み終了
後、p-ターシャルブチルフェノール７７ｇ（以下PTBPと
略称、０．５１mol ）を加え、１０分間激しく撹拌し
て、さらに２０mlのトリエチルアミンを加え、約１時間
撹拌し重合させた。
９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）
フルオレン２．８Kg（以下BCFLと略称、７．４１mol ）
とポリオルガノシロキサン〔一般式（Ｂ）において、Ｒ
5 及びＲ6 がトリメチレン基であり、Ｘとしてジメチル
シロキサンが３４個とジフェニルシロキサンが４個から
なるランダム共重合体であるもの。〕４．２Kg（以下Si
モノマーと略称、１．１５mol ）及びハイドロサルファイト
２０ｇを加え溶解した。これにメチレンクロライド３６
リットルを加え、１５℃に保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン
２．０２kgを３０分かけて吹き込んだ。吹き込み終了
後、p-ターシャルブチルフェノール７７ｇ（以下PTBPと
略称、０．５１mol ）を加え、１０分間激しく撹拌し
て、さらに２０mlのトリエチルアミンを加え、約１時間
撹拌し重合させた。
【００２５】重合液を水相と有機相に分離し、有機相を
リン酸で中和し、洗液の導電率が10μＳ以下になるまで
水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得た。得られた精製
樹脂液を、強攪拌されている６０℃の温水に樹脂液をゆ
っくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を固形化した。
固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合体を得た。こ
の重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５g/dl
の溶液の温度２０℃における極限粘度［η］は０．２５
dl/gであった。得られた上記重合体を赤外線吸収スペク
トルより分析した結果、1770cm-1付近の位置にカルボニ
ル基による吸収、1240cm-1付近の位置にエーテル結合に
よる吸収が認められ、カーボネート結合を有することが
確認された。また、3650〜3200cm-1の位置に水酸基由来
の吸収はほとんど認められなかった。このポリカーボネ
ート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、いずれ
のモノマーも２０ｐｐｍ以下であった。これらを総合し
た結果、このポリカーボネートのＢＣＦＬとＳｉモノマ
ーの比率は、仕込み比率と略同じであった。
リン酸で中和し、洗液の導電率が10μＳ以下になるまで
水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得た。得られた精製
樹脂液を、強攪拌されている６０℃の温水に樹脂液をゆ
っくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を固形化した。
固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合体を得た。こ
の重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５g/dl
の溶液の温度２０℃における極限粘度［η］は０．２５
dl/gであった。得られた上記重合体を赤外線吸収スペク
トルより分析した結果、1770cm-1付近の位置にカルボニ
ル基による吸収、1240cm-1付近の位置にエーテル結合に
よる吸収が認められ、カーボネート結合を有することが
確認された。また、3650〜3200cm-1の位置に水酸基由来
の吸収はほとんど認められなかった。このポリカーボネ
ート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、いずれ
のモノマーも２０ｐｐｍ以下であった。これらを総合し
た結果、このポリカーボネートのＢＣＦＬとＳｉモノマ
ーの比率は、仕込み比率と略同じであった。
【００２６】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、５０μｍポリマー
フィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３０
０℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレ
ットを樹脂温度３６５℃で、金型温度１１０℃、及び射
出圧２９．４ＭＰａ、成形サイクル１４秒／枚の条件
で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤を射出成形
し、２日間室内放置後、３０度斜め入射時の複屈折及び
転写性を測定した。 また、ポリカーボネート粉末を用
いて、５０μｍ厚キャストフィルムを作成し、３００〜
１１００ｇの荷重をかけ、光弾性感度を測定した。
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、５０μｍポリマー
フィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３０
０℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレ
ットを樹脂温度３６５℃で、金型温度１１０℃、及び射
出圧２９．４ＭＰａ、成形サイクル１４秒／枚の条件
で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤を射出成形
し、２日間室内放置後、３０度斜め入射時の複屈折及び
転写性を測定した。 また、ポリカーボネート粉末を用
いて、５０μｍ厚キャストフィルムを作成し、３００〜
１１００ｇの荷重をかけ、光弾性感度を測定した。
【００２７】実施例２ ＢＣＦＬを３．５０Kg（９．２６mol ）、Ｓｉモノマー
を３．５０Kg( ０．９６mol)、ＰＴＢＰを１１０ｇ
（０．７３mol ）、ホスゲンを２．４１Kgに変更した以
外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限
粘度［η］は０．２６dl/gで、赤外吸収スペクトル分析
等よりこの重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリ
カーボネート重合体構造を有することが認められた。
を３．５０Kg( ０．９６mol)、ＰＴＢＰを１１０ｇ
（０．７３mol ）、ホスゲンを２．４１Kgに変更した以
外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限
粘度［η］は０．２６dl/gで、赤外吸収スペクトル分析
等よりこの重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリ
カーボネート重合体構造を有することが認められた。
【００２８】実施例３ ＢＣＦＬを４．９０Kg（１２．９mol ）、Ｓｉモノマー
を２．１０Kg（０．５８mol ）、ＰＴＢＰを１５０ｇ
（０．１０mol ）、ホスゲンを３．１８Kgに変更した以
外は実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘
度［η］は０．２８dl/gで、赤外吸収スペクトル等より
この重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリカーボ
ネート重合体構造を有することが認められた。
を２．１０Kg（０．５８mol ）、ＰＴＢＰを１５０ｇ
（０．１０mol ）、ホスゲンを３．１８Kgに変更した以
外は実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘
度［η］は０．２８dl/gで、赤外吸収スペクトル等より
この重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリカーボ
ネート重合体構造を有することが認められた。
【００２９】比較例１ 実施例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPA と略称）から誘導されたポリカーボネート（三菱瓦
斯化学（株）製ユーピロンＨ−４０００、［η］＝0.35
dl/g）を用いて実施例１と同様の試験を行った。
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPA と略称）から誘導されたポリカーボネート（三菱瓦
斯化学（株）製ユーピロンＨ−４０００、［η］＝0.35
dl/g）を用いて実施例１と同様の試験を行った。
【００３０】比較例２ ＢＣＦＬを６．３０Kg（１６．７mol ）、Ｓｉモノマー
を０．７０Kg（０．１９mol ）、ＰＴＢＰを１９０ｇ
（１．２７mol ）、ホスゲンを４．１０Kgに変更した以
外は実施例１と同様に行った。 得られた重合体の極限
粘度［η］は０．３４dl/gで、赤外吸収スペクトル等よ
りこの重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリカー
ボネート重合体構造を有することが認められた。
を０．７０Kg（０．１９mol ）、ＰＴＢＰを１９０ｇ
（１．２７mol ）、ホスゲンを４．１０Kgに変更した以
外は実施例１と同様に行った。 得られた重合体の極限
粘度［η］は０．３４dl/gで、赤外吸収スペクトル等よ
りこの重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリカー
ボネート重合体構造を有することが認められた。
【００３１】比較例３ ＢＣＦＬを１．４０Kg（３．７０mol ）、Ｓｉモノマー
を５．６０Kg（１．５３mol ）、ＰＴＢＰを３１ｇ
（０．２１mol ）、ホスゲンを１．２３Kgに変更した以
外は実施例１と同様に行った。 得られた重合体の極限
粘度［η］は０．３２dl/gで、赤外吸収スペクトル等よ
りこの重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリカー
ボネート重合体構造を有することが認められた。
を５．６０Kg（１．５３mol ）、ＰＴＢＰを３１ｇ
（０．２１mol ）、ホスゲンを１．２３Kgに変更した以
外は実施例１と同様に行った。 得られた重合体の極限
粘度［η］は０．３２dl/gで、赤外吸収スペクトル等よ
りこの重合体は重合比以外は実施例１と同等のポリカー
ボネート重合体構造を有することが認められた。
【００３２】比較例４ ＳｉモノマーのかわりにＢＰＡを４．２Kg（１８．４mo
l ）とし、ＰＴＢＰを２５２ｇ（１．６８mol ）、ホス
ゲンを３．３２Kg（３３．５mol ）に変更した以外は実
施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は０．３４dl/gで、赤外吸収スペクトル等より、
このポリカーボネートのＢＣＦＬとＢＰＡの比率は、仕
込み比率と略同じであった。
l ）とし、ＰＴＢＰを２５２ｇ（１．６８mol ）、ホス
ゲンを３．３２Kg（３３．５mol ）に変更した以外は実
施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は０．３４dl/gで、赤外吸収スペクトル等より、
このポリカーボネートのＢＣＦＬとＢＰＡの比率は、仕
込み比率と略同じであった。
【００３３】
【表１】
【００３４】（表１の説明） 成形機：住友重機械工業（株）製 ＳＤ−４０αを使
用。 複屈折：オーク社製 ADR130N を使用。測定波長632.8n
m 。３０度斜め入射光 光弾性感度：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使
用。50μm 厚のキャストフィルムに300 〜1100g の荷重をかけ、
波長632.8nm にて光弾性感度を測定した。 転写性：オリンパス社製 原子間力顕微鏡ＮＶ２１００
を使用。 ＢＣＦＬ：９，９−ビス（３−メチル4-ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン ＢＰＡ：２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン ＢＣＦＬ濃度：式（Ａ）構造単位の全構造単位に対する
割合（重量％）。 極限粘度：0.5g／100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求め
た。
用。 複屈折：オーク社製 ADR130N を使用。測定波長632.8n
m 。３０度斜め入射光 光弾性感度：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使
用。50μm 厚のキャストフィルムに300 〜1100g の荷重をかけ、
波長632.8nm にて光弾性感度を測定した。 転写性：オリンパス社製 原子間力顕微鏡ＮＶ２１００
を使用。 ＢＣＦＬ：９，９−ビス（３−メチル4-ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン ＢＰＡ：２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン ＢＣＦＬ濃度：式（Ａ）構造単位の全構造単位に対する
割合（重量％）。 極限粘度：0.5g／100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求め
た。
【００３５】
【発明の効果】本発明より、低複屈折性、転写性、透明
性を兼ね備えた光記録媒体用成形材料を提供できる。特
に、高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディ
スクおよび光磁気ディスクに好適である。
性を兼ね備えた光記録媒体用成形材料を提供できる。特
に、高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディ
スクおよび光磁気ディスクに好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 典昭 大阪府豊中市神州町２丁目12番地 三菱瓦 斯化学株式会社大阪工場内 Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB01 AB07 AC02 AC03 AD01 AE18 BB11A BB11B BB11C BC09 BH04 HA01 HC01 HC05A HC05B HC06 JF312 5D029 HA05 HA07 KA07 KA30 KC04 KC07 KC20
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（Ａ）および（Ｂ）から誘導され
るポリカーボネートであって、一般式（Ａ）が一般式
（Ａ）および（Ｂ）の合計量に対して３０〜８０重量％
であり、かつ極限粘度が０．２〜０．５dl/gであるポリ
カーボネートからなることを特徴とする光記録媒体用成
形材料。 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、各々独立して水素原子、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ5 およびＲ6 は炭素数１〜６の脂肪族基を表
し、Ｘはジメチルシロキサンとジフェニルシロキサンの
ランダム共重合体であり、重合度は２から２００を表
す。） - 【請求項２】 一般式（Ａ）が、９，９−ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン及び９，９−
ビス（4-ヒドロキシ−２−メチルフェニル）フルオレン
の群から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の
光記録媒体用成形材料。 - 【請求項３】 一般式（Ａ）および（Ｂ）と、ホスゲン
を反応させることによって得られたものである請求項１
記載の光記録媒体用成形材料。 - 【請求項４】 ３０度斜め入射光の複屈折が１００ｎｍ
未満である請求項１記載の光記録媒体用成形材料。 - 【請求項５】 光弾性感度が０．８ｍｍ／Ｋｇ以下であ
る請求項１記載の光記録媒体用成形材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31207799A JP4314695B2 (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 光記録媒体用成形材料 |
| EP20000123379 EP1097956B1 (en) | 1999-11-02 | 2000-10-31 | Polycarbonat resin |
| DE2000627252 DE60027252T2 (de) | 1999-11-02 | 2000-10-31 | Polycarbonatharz |
| US09/949,851 US6576735B2 (en) | 1999-11-02 | 2001-09-12 | Polycarbonate resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31207799A JP4314695B2 (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 光記録媒体用成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131279A true JP2001131279A (ja) | 2001-05-15 |
| JP4314695B2 JP4314695B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=18024969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31207799A Expired - Fee Related JP4314695B2 (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 光記録媒体用成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4314695B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002030140A (ja) * | 2000-02-22 | 2002-01-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカーボネート樹脂及びその製造方法 |
| JP2002317042A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光情報記録媒体用カバー層フィルム |
| JP2002322263A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フラットパネルディスプレー用フィルム |
| JP2005089637A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 難燃性を有する導電性熱可塑性ポリカーボネート樹脂組成物およびその成形物品 |
| US8173720B2 (en) | 2005-01-20 | 2012-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Transparent gel and contact lense from the same |
-
1999
- 1999-11-02 JP JP31207799A patent/JP4314695B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002030140A (ja) * | 2000-02-22 | 2002-01-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカーボネート樹脂及びその製造方法 |
| JP2002317042A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光情報記録媒体用カバー層フィルム |
| JP4492774B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2010-06-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 光情報記録媒体用カバー層フィルム |
| JP2002322263A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フラットパネルディスプレー用フィルム |
| JP4484131B2 (ja) * | 2001-04-24 | 2010-06-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フラットパネルディスプレー用フィルム |
| JP2005089637A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 難燃性を有する導電性熱可塑性ポリカーボネート樹脂組成物およびその成形物品 |
| JP4595303B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2010-12-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 難燃性を有する導電性熱可塑性ポリカーボネート樹脂組成物およびその成形物品 |
| US8173720B2 (en) | 2005-01-20 | 2012-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Transparent gel and contact lense from the same |
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| Publication number | Publication date |
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