JP2002322263A - フラットパネルディスプレー用フィルム - Google Patents

フラットパネルディスプレー用フィルム

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JP2002322263A JP2001125559A JP2001125559A JP2002322263A JP 2002322263 A JP2002322263 A JP 2002322263A JP 2001125559 A JP2001125559 A JP 2001125559A JP 2001125559 A JP2001125559 A JP 2001125559A JP 2002322263 A JP2002322263 A JP 2002322263A
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Noriyoshi Ogawa
典慶 小川
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】液晶ディスプレーを初めとする表示品位に優れ
たフラットパネルディスプレーに好適に使用されるフラ
ットパネルディスプレー用フィルムを提供する。 【解決手段】 ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオ
レン(A)とビス〔(ヒドロキシフェニル)アルキル、
ポリシロキサン(B)、または(A)と(B)とビスフ
ェノール類(C)を、炭酸エステル形成化合物と反応さ
せて得られるポリカーボネートであって、(B)が全モ
ノマー成分〔(A)+(B)+(C)〕に対して、20
〜60wt%であり、かつ極限粘度[η]が、0.2〜1.
0[dl/g]であるポリカーボネート樹脂よりなるフラッ
トパネルディスプレー用フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレー
を初めとする表示品位に優れたフラットパネルディスプ
レーに好適に使用されるフラットパネルディスプレー用
フィルムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレーをはじめとする
フラットパネルディスプレーの表示品位は、従来ディス
プレーとして広く用いられてきたCRTとほぼ同等のレ
ベルに到達しており、また生産工程の見直し等の努力に
より低価格化が図られつつあることから、その利用分野
は拡大の一途にある。ノートパソコンを始めとし、テレ
ビ、デスクトップパソコン、FAX等のOA、家電製
品、携帯電話、PDA等の携帯情報端末機器用ディスプ
レーなど多くの製品に広く使用されている。
【0003】ビスフェノールAから誘導されるポリカー
ボネート樹脂は、その透明性、耐熱性、寸法安定性など
の特徴を生かして、最近では液晶ディスプレーを構成す
るフィルム材料の一部である拡散フィルムなどとして広
く用いられるようになった。しかしながら、液晶ディス
プレー用に、該ポリカーボネートフィルム材料を用いる
場合にいくつかの問題点があった。
【0004】このような拡散フィルムは通常、溶融押出
フィルム成形によって製造される。溶融押出フィルム成
形では、流れ方向に延伸しながら製造するため、延伸方
向と平行にポリマー分子鎖が並び偏光(位相差)が生ず
ることとなる。液晶ディスプレー用のある種の拡散フィ
ルムとしてこのような性質のフィルムを用いると、拡散
フィルム通過時に位相差をおこし、偏光板への透過率が
悪くなり液晶画面が暗く見えることになる。また、偏光
度合いが場所により異なっていると、外光が偏光板を透
過し、拡散シートに入り、その下層の部材で反射され再
び、拡散シートに入り、偏光板を透過した光が虹模様に
見えることがある。これは拡散シートが位相差板となり
場所によりこの位相差が異なるため光が干渉を起こし虹
模様に見える。
【0005】かかる偏光(位相差)を生じさせないため
に溶融押出フィルム成形ではなく、湿式フィルム成形す
る技術は一般的に行われている(特開平8−05461
5、特開平8−160222)。しかし湿式フィルム成
形によるフィルムの製造は、有機溶剤を使用することか
ら、コスト高、環境に悪影響を及ぼすことは避けられな
かった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、偏光
(位相差)が少なく、好みに応じた形状をフィルム面に
付与可能な転写性に優れたフラットパネルディスプレー
用フィルムを溶融押出フィルム成形により安価に提供す
ることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、特定の数種類
のビスフェノール類より誘導された共重合ポリカーボネ
ート樹脂は、溶融押出フィルム成形を行っても、偏光
(位相差)が少なく、転写性が良好で、透明性と成形性
を兼ね備えた良質のフラットパネルディスプレー用フィ
ルムとなることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
【発明の実施の形態】即ち、本発明は、一般式(A)と
一般式(B)、または一般式(A)と一般式(B)と一
般式(C)で表される化合物を、炭酸エステル形成化合
物と反応させて得られるポリカーボネートであって、一
般式(B)が全モノマー成分〔一般式(A)+一般式
(B)+一般式(C)〕に対して、20〜60wt%であ
り、かつ極限粘度[η]が、0.2〜1.0[dl/g]で
あるポリカーボネート樹脂よりなるフラットパネルディ
スプレー用フィルムである。
【0009】
【化5】 (式中、R1 〜R4 は、各々独立して、水素原子、炭素
数1〜5のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、
炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキ
シ基、又は炭素数7〜17のアラルキル基を表す。これ
らの基に炭素原子を有する場合には置換基として、炭素
数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のアルケニル基、
炭素数1〜5のアルコキシ基を有することもできる。)
【0010】
【化6】 (式中、R5 〜R8 は、各々独立して、水素原子、炭素
数1〜5のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、
炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキ
シ基、又は炭素数7〜17のアラルキル基であり、これ
らの基に炭素原子を有する場合には置換基として、炭素
数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のアルケニル基、
炭素数1〜5のアルコキシ基を有することもできる。R
9 〜R12は、各々独立して、水素原子、炭素数1〜5の
アルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数2〜
5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、又は
炭素数7〜17のアラルキル基であり、これらの基に炭
素原子を有する場合には置換基として、炭素数1〜5の
アルキル基、炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜
5のアルコキシ基を有することもできる。R13は炭素数
1〜6の脂肪族基を表すか単に結合を表す。Xは、−Si
O(R14)(R15)−および/または−SiO(R16)(R17)−
の単独重合体、ブロックまたはランダム共重合体を表
し、重合度は0〜200であり、R14〜R17は、各々独
立して、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数
6〜12のアリール基、炭素数2〜5のアルケニル基、
炭素数1〜5のアルコキシ基、又は炭素数7〜17のア
ラルキル基であり、これらの基に炭素原子を有する場合
には置換基として、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数
2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基を
有することもできる。)
【0011】
【化7】 (式中、R18〜R19は、各々独立して、水素原子、炭素
数1〜10のアルキル基、炭素数6〜12のアリール
基、炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアル
コキシ基、又は炭素数7〜17のアラルキル基であり、
これらの基に炭素原子を有する場合には置換基として、
炭素数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のアルケニル
基、炭素数1〜5のアルコキシ基を有することもでき
る。Yは、
【化8】 であり、ここにR20,R21は、各々独立して、水素原
子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜5のアル
ケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、又は炭素数6
〜12のアリール基を表すか、R20とR21が一緒に結合
して、炭素数3〜6の炭素環または複素環を形成する基
を表し、これらの基に炭素原子を有する場合には置換基
として、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のア
ルケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基を有すること
もできる。aは0〜20の整数を表す。)
【0012】本発明のフラットパネルディスプレー用フ
ィルムに用いられるポリカーボネート樹脂は、前記一般
式(A)と一般式(B)、または一般式(A)と一般式
(B)と一般式(C)の化合物とを、炭酸エステル形成
化合物と反応させることによって、製造することができ
るものであり、ビスフェノールAから誘導されるポリカ
ーボネートを製造する際に用いられている公知の方法、
例えばビスフェノール類とホスゲンとの直接反応(ホス
ゲン法)、あるいはビスフェノール類とビスアリールカ
ーボネートとのエステル交換反応(エステル交換法)な
どの方法を採用することができる。
【0013】本発明中の炭酸エステル形成性化合物とし
ては、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ
−p−トリルカーボネート、フェニル−p−トリルカー
ボネート、ジ−p−クロロフェニルカーボネート、ジナ
フチルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙
げられる。これらの化合物は2種類以上併用して使用す
ることも可能である。
【0014】本発明に用いられる一般式(A)の化合物
としては、具体的には、9,9−ビス(4−ヒドロキシ
−2−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4
−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,
9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、3,
6−ジメチル−9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(3−メトキシ−4−ヒ
ドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−エ
トキシ−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9
−ビス(3−エチル−4−ヒドロキシフェニル)フルオ
レン、4,5−ジメチル−9,9−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−フェニル
−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、3,6−ジメ
チル−9,9−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)フルオレン及び3,6−ジフェニル−9,9−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン等を挙げるこ
とができる。中でも特に、9,9−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキ
シ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス
(4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)フルオレンが
好ましい。これらの化合物は2種類以上併用して使用す
ることも可能である。
【0015】本発明に用いられる一般式(B)の化合物
としては、具体的には、下記のものが例示される。
【0016】
【化9】
【0017】これらは、2種類以上併用することも可能
である。Xには、ジメチルシロキサンが1〜100個ま
たはジフェニルシロキサンが1〜100個含まれるもの
およびそれらのランダム共重合体が好ましい。中でも、
特に、α,ω−ビス[3-(o-ヒドロキシフェニル)プロピ
ル]ポリジメチルジフェニルランダム共重合シロキサ
ン、α,ω−ビス[3-(o-ヒドロキシフェニル)プロピ
ル]ポリジメチルシロキサンが好ましい。
【0018】本発明中の一般式(C)の化合物として
は、具体的には、4,4'−ビフェニルジオール、ビス(4-
ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)エーテル、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、ビス(4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル)スルホ
ン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス
(4-ヒドロキシフェニル)スルファイド、ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)ケトン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)エタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロ
パン(ビスフェノ−ルA;BPA)、2,2-ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)ブタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン(ビスフェノ−ルZ;BPZ)、2,2-ビ
ス(4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル)プロパン(ジメ
チルビスフェノールA)、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3,
5-ジメチルフェニル)プロパン、1,1-ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)−1-フェニルエタン(ビスフェノールA
P;BPAP)、ビス(4-ヒドロキシフェニル)ジフェニル
メタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-アリルフェニル)
プロパン、3,3,5-トリメチル−1,1-ビス(4-ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン(トリメチルビスフェノール
−Z;TMBPZ)などが例示される。これらは、2種類以上
併用することも可能である。また、これらの中でも特に
2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパンが好まし
い。
【0019】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
(A)の化合物および一般式(B)の化合物の反応性を
考慮した場合、ホスゲン法の方が好ましい。
【0020】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、本発明における一般式
(A)の化合物と一般式(B)の化合物、または一般式
(A)の化合物と一般式(B)の化合物と一般式(C)
の化合物とを、ホスゲンと反応させる。酸結合剤として
は、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられる。
また、溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホル
ム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さら
に、縮重合反応の触媒として、トリエチルアミンのよう
な第三級アミンなどが使用される。重合度調節には、フ
ェノール、p−t−ブチルフェノール、p-クミルフェノ
ール、アルキル置換フェノール類、ヒドロキシ安息香酸
アルキル類やアルキルオキシフェノール類などの一官能
基化合物を分子量調節剤として加える。さらにまた、所
望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイトな
どの酸化防止剤や、フロログルシン、イサチンビスフェ
ノール、1,1,1-トリス(4-ヒドロキシフェニル)エタ
ン、α,α',α"-トリス(4-ヒドロキシフェニル)-1,3,
5-トリイソプロピルベンゼンなど分岐化剤を小量添加し
てもよい。反応は通常0〜150℃、好ましくは5〜4
0℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温度
によって左右されるが、通常0.5分〜10時間、好ま
しくは1分〜2時間である。また、反応中は、反応系の
pHを10以上に保持することが望ましい。
【0021】一方、後者のエステル交換法においては、
本発明における一般式(A)の化合物と一般式(B)の
化合物または一般式(A)の化合物と一般式(B)の化
合物と一般式(C)の化合物とをビスアリールカーボネ
ートと混合し、減圧下で高温において反応させる。この
時、フェノール、p−t−ブチルフェノール、p-クミル
フェノール、アルキル置換フェノール類、ヒドロキシ安
息香酸アルキル類やアルキルオキシフェノール類などの
一官能基化合物を分子量調節剤として加えてもよい。反
応は通常150〜350℃、好ましくは200〜300
℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好
ましくは1mmHg以下にして、エステル交換反応により生
成した該ビスアリールカーボネートから由来するフェノ
ール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧
度などによって左右されるが、通常1〜10時間程度で
ある。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下
で行うことが好ましく、また、所望に応じ、酸化防止剤
や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【0022】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、用いられる三級アミン重合触媒として、例えばトリ
エチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−
ブチルアミン、N,N’―ジメチルシクロヘキシルアミ
ン、N,N’―ジエチルアニリン、ジエチルアミノピリ
ジン等があるが、触媒活性や洗浄除去の問題からトリエ
チルアミンが好ましい。重合触媒の添加量は、使用され
る全ビスフェノール類に対して、 0.001〜5mol%が好ま
しい。
【0023】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、反応を効率よく行うため第四級アンモニウム塩を少
量添加してもよい。具体的には、テトラメチルアンモニ
ウムクロライド、トリメチルベンジルアンモニウムクロ
ライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド、
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−n−ブ
チルアンモニウムアイオダイドなどが例示され、これら
のうちトリメチルベンジルアンモニウムクロライド、ト
リエチルベンジルアンモニウムクロライドが好ましい。
この第四級アンモニウム塩は、使用される全ビスフェノ
ール類に対して、一般に0.0005〜5mol%使用されること
が好ましい。
【0024】更に、本発明に分子量調節剤を用いる場合
には、特に一価フェノールが好ましく、具体的にはフェ
ノールやブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニ
ルフェノール、デカニルフェノール、テトラデカニルフ
ェノール、ヘプタデカニルフェノール、オクタデカニル
フェノール等のアルキル置換フェノール;ヒドロキシ安
息香酸ブチル、ヒドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキ
シ安息香酸ノニル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒド
ロキシ安息香酸ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸
アルキルエステル;ブトキシフェノール、オクチルオキ
シフェノール、ノニルオキシフェノール、デカニルオキ
シフェノール、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプ
タデカニルオキシフェノール、オクタデカニルオキシフ
ェノール等のアルキルオキシフェノール類が例示され
る。この分子量調節剤の添加量は全ビスフェノール類に
対して0.1〜50mol%である。好ましくは、0.
5〜10mol%である。
【0025】これらの反応で合成された本発明のポリカ
ーボネート樹脂は、フラットパネルディスプレー用フィ
ルムとして成形するための溶融押出フィルム成形、射出
フィルム成形、圧縮フィルム成形、湿式フィルム成形な
ど公知の成形法で成形可能であるが、溶融押出フィルム
成形により、フラットパネルディスプレー用フィルムと
して成形されるには、容易に溶融押出フィルム成形でき
ることが望ましく、極限粘度が0.2〜1.0dl/g
の範囲であることが好ましい。
【0026】また、前記一般式(B)の使用量はフラッ
トパネルディスプレー用フィルムの強度を考慮すると、
前記一般式(A)及び一般式(B)及び一般式(C)の
合計量に対して20〜60重量%が好ましい。前記一般
式(B)が20重量%未満では、剛直に成りすぎて脆
く、60重量%を越えるとフラットパネルディスプレー
用フィルムとして必要な耐熱性が不足する。
【0027】前記一般式(C)の使用は、諸性能の向上
やコスト低減等のため使用可能であるが、特にビスフェ
ノールAを用いた場合、従来のビスフェノールA型ポリ
カーボネートとの相溶性がよく、リサイクル性や他品種
押出機内の樹脂置換性が向上する利点を有する。フラッ
トパネルディスプレー用フィルムの偏光(位相差)を考
慮すると、前記一般式(C)は、前記一般式(A)及び
一般式(C)の合計量に対して50重量%未満が好まし
い。前記一般式(C)が前記一般式(A)及び一般式
(C)の合計量に対して50重量%以上では偏光(位相
差)が著しく悪化し不充分となる。
【0028】本発明のポリカーボネート樹脂は、従来の
フラットパネルディスプレー用フィルムの材料であるポ
リカーボネート樹脂と同様に高度に精製されたものが好
ましい。具体的には、直径50μm以上のダストが実質
上検出されず、直径0.5〜50μmのダストが3×1
4 以下、無機および有機残留塩素が2ppm以下、残
留アルカリ金属が2ppm以下、残存水酸基200pp
m以下、残存窒素量5ppm以下、残存モノマー20p
pm以下等の基準を可能な限り満たすように精製され
る。また、低分子量体除去や溶媒除去のため抽出等の後
処理が行われる場合もある。また、原材料の一般式
(A)、一般式(B)および一般式(C)の化合物や炭
酸エステル形成化合物等についても不純物や異性体など
を極力低減した材料を用いることが好ましい。
【0029】本発明のポリカーボネート樹脂は、フラッ
トパネルディスプレー用フィルム成形時に必要な安定性
や離型性を確保するため、所望に応じて、ヒンダードフ
ェノール系やホスファイト系酸化防止剤;シリコン系、
脂肪酸エステル系、脂肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密
ろう等天然油脂などの滑剤や離型剤;ベンゾトリアゾー
ル系、ベンゾフェノン系、ジベンゾイルメタン系、サリ
チレート系等の光安定剤;ポリアルキレングリコール、
脂肪酸グリセリド等帯電防止剤などを適宜併用してよ
い。
【0030】さらにはコスト低減等の目的で、本発明の
ポリカーボネート樹脂と従来のビスフェノールA型ポリ
カーボネートと性能を損なわない範囲で任意に混合して
使用する事も可能である。
【0031】本発明のポリカーボネート樹脂を用いたフ
ラットパネルディスプレー用フィルムは、通常溶融押出
フィルム成形で成形する場合には、230〜380℃の
範囲で成形されることが好ましく、溶融粘度が高化式フ
ローテスター(280℃、15.7MPa 、ノズル径1mm ×10mm)
の1×10-2cc/sec以上であることがあることが好まし
い。1×10-2cc/sec未満では溶融粘度が大きすぎるた
め押出が難しく、成形温度や分子量により調整し、物性
を損なわない範囲で成形可能な流動性を得ることが好ま
しい。
【0032】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【0033】実施例1 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液49リットルに9,
9-ビス(4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル)フルオレン
3.5kg(以下、BCFLと略称)とハイドロサルファイト
10g を加え溶解した。これにメチレンクロライド25リッ
トルを加え、15℃に保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン2.
3kgを30分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、1分間
激しく撹拌して反応液を乳化させ、p-ターシャルブチル
フェノール84g (以下PTBPと略称)と下記ポリシロキ
サン化合物3.5kg(以下Si1 と略称)とを加え、さら
に10分間撹拌後、20mlのトリエチルアミンを加え、さ
らに60分撹拌を継続し重合させた。
【0034】
【化10】
【0035】重合液を水相と有機相に分離し、有機相を
リン酸で中和し、洗液の導電率が10μS/cm 以下になる
まで水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得た。得られた
精製樹脂液0.5μm径テフロン(登録商標)フィルタ
ーで濾過後、強攪拌されている60℃の純水に樹脂液を
ゆっくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を固形化し
た。固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合体を得
た。
【0036】この重合体は、メチレンクロライドを溶媒
とする濃度0.5g/dlの溶液の温度20℃(ハギンズ定数0.
45)における極限粘度[η]は0.38dl/g であった。
【0037】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μmポリマーフ
ィルターを付けたベント付き50mm押出機にて280
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。
【0038】得られたペレットを、水平3本ロールを備
えたベント付き90mm溶融フィルム押出機にて280
℃で押出し、溶融成形フィルムを得た。得られたポリカ
ーボネートフィルムの厚さは102μmで、幅方向の厚
みムラは±3μmであった。
【0039】実施例2 Si1 の代わりに下記ポリシロキサン化合物2.3Kg(以
下Si2 と略称)に変更し、PTBPを48g に変更し、さら
にBCFL投入と同時にトリエチルベンジルアンモニウムク
ロライド0.5g加えた以外は実施例1と同様に重合反応を
行った。
【0040】
【化11】
【0041】得られた重合体の極限粘度[η]は0.28dl
/gであった。実施例1と同様にペレット化後、得られた
溶融成形ポリカーボネートフィルムの厚さは101μm
で、幅方向の厚みムラは±3μmであった。
【0042】実施例3 Si1 の代わりに下記ポリシロキサン化合物3.5Kg(以
下Si3 と略称)に変更し、PTBPの代わりにフェノール4
8g (以下PHと略称)に変更した以外は実施例1と同様
に重合反応を行った。
【0043】
【化12】
【0044】得られた重合体の極限粘度[η]は0.29dl
/g であった。実施例1と同様にペレット化後、得られ
た溶融成形ポリカーボネートフィルムの厚さは99μm
で、幅方向の厚みムラは±3μmであった。
【0045】実施例4 BCFLを2.5kg、Si1 を1.8kgに変更し、さらにBCFL
投入と同時に2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパ
ン0.60kg(以下、BPA と略称)を加えた以外は、実
施例1と同様に重合反応を行った。得られた重合体の極
限粘度[η]は0.35dl/g であった。実施例1と同様に
ペレット化後、得られた溶融成形ポリカーボネートフィ
ルムの厚さは101μmで、幅方向の厚みムラは±3μ
mであった。
【0046】比較例1 実施例1のポリカーボネートの代わりに、市販のビスフ
ェノールA型光学用ポリカーボネート樹脂(三菱瓦斯化
学(株)製ユーピロH-4000)を用いた以外は実施例1と
同様にペレット化した。得られた溶融成形ポリカーボネ
ートフィルムの厚さは100μmで、幅方向の厚みムラ
は±3μmであった。
【0047】比較例2 BCFLの代わりに、9,9-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フ
ルオレン0.65kg(以下BFLと略称)とBPA3.8kgを用い、P
TBPを90g に変更し、Si1 を用いなかった以外は、実施
例1と同様に反応重合を行った。得られた重合体の極限
粘度[η]は0.32dl/g であった。実施例1と同様にペ
レット化後、得られた溶融成形ポリカーボネートフィル
ムの厚さは102μmで、幅方向の厚みムラは±3μm
であった。
【0048】比較例3 BCFLの代わりに、3,3,5-トリメチル−1,1-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)シクロヘキサン0.87kg(以下TMBPZ と
略称)とBPA3.6kgを用い、PTBPを92g に変更し、Si1 を
用いなかった以外は、実施例1と同様に反応重合を行っ
た。得られた重合体の極限粘度[η]は0.31dl/g であ
った。実施例1と同様にペレット化後、得られた溶融成
形ポリカーボネートフィルムの厚さは100μmで、幅
方向の厚みムラは±3μmであった。
【0049】実施例1〜4及び比較例1〜3の各試験後
の外観、偏光板の間に挟んでの透過率の結果を表1に示
す。偏光板の間に挟んでの透過率の測定は各試験片が位
相差をどのくらい起こしているかを確認する評価であ
る。偏光軸を合わせた2枚の偏光板の間に偏光軸と試験
片の延伸方向(シートのMD方向、巻き取り方向)を合
わせ挟んだ構成を(α)とし、偏光軸と試験片の延伸軸
(シートのMD方向、巻き取り方向)を45°傾けて挟ん
だ構成を(β)とする。試験片が偏光(位相差)を起こ
していても偏光軸と樹脂の配向軸が一致していれば偏光
状態は崩れず、偏光(位相差)による透過率低下は無
い。しかし、偏光軸と樹脂の配向軸が45°傾けると、位
相差を起こし偏光状態が崩れ透過率は低下する。このた
め(α)と(β)の値が大きく異なるほど、偏光(位相
差)を起こしているシートとなる。
【0050】
【表1】
【0051】BCFL:9,9−ビス(3−メチル4-ヒ
ドロキシフェニル)フルオレン BPA:2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン BFL:9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フル
オレン TMBPZ:3,3,5-トリメチル−1,1-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)シクロヘキサン 極限粘度:0.5g/100mlジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数 0.45で極限粘度[η](dl/g)を求め
た。 透過率:スガ試験器(株)製 HGM-2DPを用いて測定(JIS
K 6714)を行った。
【0052】
【発明の効果】本発明より、偏光(位相差)が少なく、
好みに応じた形状をフィルム面に付与可能な転写性に優
れたフラットパネルディスプレー用フィルムが作成でき
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金川 達也 大阪府豊中市神州町2丁目12番地 三菱瓦 斯化学株式会社大阪工場内 (72)発明者 小川 典慶 大阪府豊中市神州町2丁目12番地 三菱瓦 斯化学株式会社大阪工場内 (72)発明者 岡部 元彦 和歌山県日高郡印南原4026−13 恵和株式 会社研究開発センター内 Fターム(参考) 2H090 JB03 4F071 AA50 AF35 AH19 BC01 4J002 CG01X CG02W FD100 FD160 GP00 4J029 AA09 AC02 AD01 AE03 AE18 BB12A BB12B BB13A BD09A BD09B BE05A BE05B BF03 BF04 BF14A BF14B BH02 BH04 DB07 DB11 DB13 GA02 HA01 HC01 HC05A HC05B JE222

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(A)と一般式(B)、または一
    般式(A)と一般式(B)と一般式(C)で表される化
    合物を、炭酸エステル形成化合物と反応させて得られる
    ポリカーボネートであって、一般式(B)が全モノマー
    成分〔一般式(A)+一般式(B)+一般式(C)〕に
    対して、20〜60wt%であり、かつ極限粘度[η]
    が、0.2〜1.0[dl/g]であるポリカーボネート樹
    脂よりなるフラットパネルディスプレー用フィルム。 【化1】 (式中、R1 〜R4 は、各々独立して、水素原子、炭素
    数1〜5のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、
    炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキ
    シ基、又は炭素数7〜17のアラルキル基を表す。これ
    らの基に炭素原子を有する場合には置換基として、炭素
    数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のアルケニル基、
    炭素数1〜5のアルコキシ基を有することもできる。) 【化2】 (式中、R5 〜R8 は、各々独立して、水素原子、炭素
    数1〜5のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、
    炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキ
    シ基、又は炭素数7〜17のアラルキル基であり、これ
    らの基に炭素原子を有する場合には置換基として、炭素
    数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のアルケニル基、
    炭素数1〜5のアルコキシ基を有することもできる。R
    9 〜R12は、各々独立して、水素原子、炭素数1〜5の
    アルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数2〜
    5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、又は
    炭素数7〜17のアラルキル基であり、これらの基に炭
    素原子を有する場合には置換基として、炭素数1〜5の
    アルキル基、炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜
    5のアルコキシ基を有することもできる。R13は炭素数
    1〜6の脂肪族基を表すか単に結合を表す。Xは、−Si
    O(R14)(R15)−および/または−SiO(R16)(R17)−
    の単独重合体、ブロックまたはランダム共重合体を表
    し、重合度は0〜200であり、R14〜R17は、各々独
    立して、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数
    6〜12のアリール基、炭素数2〜5のアルケニル基、
    炭素数1〜5のアルコキシ基、又は炭素数7〜17のア
    ラルキル基であり、これらの基に炭素原子を有する場合
    には置換基として、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数
    2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基を
    有することもできる。) 【化3】 (式中、R18〜R19は、各々独立して、水素原子、炭素
    数1〜10のアルキル基、炭素数6〜12のアリール
    基、炭素数2〜5のアルケニル基、炭素数1〜5のアル
    コキシ基、又は炭素数7〜17のアラルキル基であり、
    これらの基に炭素原子を有する場合には置換基として、
    炭素数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のアルケニル
    基、炭素数1〜5のアルコキシ基を有することもでき
    る。Yは、 【化4】 であり、ここにR20,R21は、各々独立して、水素原
    子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜5のアル
    ケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、又は炭素数6
    〜12のアリール基を表すか、R20とR21が一緒に結合
    して、炭素数3〜6の炭素環または複素環を形成する基
    を表し、これらの基に炭素原子を有する場合には置換基
    として、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数2〜5のア
    ルケニル基、炭素数1〜5のアルコキシ基を有すること
    もできる。aは0〜20の整数を表す。)
  2. 【請求項2】 一般式(A)が、9,9−ビス(4−ヒ
    ドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒ
    ドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、及び9,
    9−ビス(4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)フル
    オレンの群から選ばれた少なくとも1種である請求項1
    記載のフラットパネルディスプレー用フィルム。
  3. 【請求項3】 炭酸エステル形成化合物がホスゲンであ
    る請求項1記載のフラットパネルディスプレー用フィル
    ム。
  4. 【請求項4】 一般式(B)のR9 〜R12がメチル基お
    よびフェニル基から選ばれる少なくとも1種である請求
    項1記載のフラットパネルディスプレー用フィルム。
  5. 【請求項5】 一般式(B)が、α,ω位に3-(o-ヒド
    ロキシフェニル)プロピル基を有するジメチルシロキサ
    ンとジフェニルシロキサンのランダム共重合体および
    α,ω−ビス[3-(o-ヒドロキシフェニル)プロピル]ポ
    リジメチルシロキサンの群より誘導された少なくとも1
    種である請求項1記載のフラットパネルディスプレー用
    フィルム。
  6. 【請求項6】 一般式(C)が2,2−ビス(4−ヒド
    ロキシフェニル)プロパンである請求項1記載のフラッ
    トパネルディスプレー用フィルム。
  7. 【請求項7】 一般式(C)の割合が、重量比で一般式
    (C)/〔一般式(A)+一般式(C)〕が0.5以下
    である請求項1記載のフラットパネルディスプレー用フ
    ィルム。
  8. 【請求項8】 請求項1記載のポリカーボネート樹脂と
    2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンから
    誘導されたポリカーボネート樹脂を混合したポリカーボ
    ネート樹脂組成物を用いた請求項1記載のフラットパネ
    ルディスプレー用フィルム。
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