JPH08134199A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents
光記録媒体用成形材料Info
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- JPH08134199A JPH08134199A JP6279075A JP27907594A JPH08134199A JP H08134199 A JPH08134199 A JP H08134199A JP 6279075 A JP6279075 A JP 6279075A JP 27907594 A JP27907594 A JP 27907594A JP H08134199 A JPH08134199 A JP H08134199A
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- Japan
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- carbon atoms
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- bis
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供することにある。 【構成】 フルオレン構造を有する下記一般式（Ａ）お
よび下記一般式（Ｂ）であ表される構成単位を有し、一
般式（Ａ）で表される構成単位が全構成単位中５〜４０
mol ％であり、極限粘度が０．３０〜０．５０dl/gであ
るポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材料に関す
る。 【化１】 【化２】
用成形材料を提供することにある。 【構成】 フルオレン構造を有する下記一般式（Ａ）お
よび下記一般式（Ｂ）であ表される構成単位を有し、一
般式（Ａ）で表される構成単位が全構成単位中５〜４０
mol ％であり、極限粘度が０．３０〜０．５０dl/gであ
るポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材料に関す
る。 【化１】 【化２】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンパクトディスク、
レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの光記
録媒体を製造するのに好適な耐熱性、成形性などが優れ
るとともに複屈折の低減されたポリカーボネート樹脂光
記録媒体用成形材料に関する。
レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの光記
録媒体を製造するのに好適な耐熱性、成形性などが優れ
るとともに複屈折の低減されたポリカーボネート樹脂光
記録媒体用成形材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。
【０００３】これらの複屈折の低減を目的とした様々な
ポリカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭
６０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しか
しながら、これらの複屈折は信頼性がさらに要求される
現在の光ディスクには十分とは言えない。そのため、さ
らに複屈折を低減したポリカーボネート−ポリスチレン
共重合体（ＰＣ−ＰＳ）が開発されている。（特開平２
−２９４１２） この共重合体は複屈折に関しては、従来のものに比べ大
幅に改良されているがポリスチレンを用いているため耐
熱性に問題があり用途が限られている。また、最近では
成形条件で改善が困難な斜め入射の複屈折の低減が要求
されてきている。
ポリカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭
６０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しか
しながら、これらの複屈折は信頼性がさらに要求される
現在の光ディスクには十分とは言えない。そのため、さ
らに複屈折を低減したポリカーボネート−ポリスチレン
共重合体（ＰＣ−ＰＳ）が開発されている。（特開平２
−２９４１２） この共重合体は複屈折に関しては、従来のものに比べ大
幅に改良されているがポリスチレンを用いているため耐
熱性に問題があり用途が限られている。また、最近では
成形条件で改善が困難な斜め入射の複屈折の低減が要求
されてきている。
【０００４】一方、変性ポリカーボネートとして耐熱性
や選択的気体透過性等を有するフルオレン構造を有する
ポリカーボネートの存在が知られている。（特開昭４８
−６４１９９、特開昭６３−１８２３３６、特開平６−
１９２４１１、特開平６−１４５３２７）
や選択的気体透過性等を有するフルオレン構造を有する
ポリカーボネートの存在が知られている。（特開昭４８
−６４１９９、特開昭６３−１８２３３６、特開平６−
１９２４１１、特開平６−１４５３２７）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑み、低複屈折性と耐熱性を兼ね備えた良質の光記録媒
体成形材料を提供することにある。
鑑み、低複屈折性と耐熱性を兼ね備えた良質の光記録媒
体成形材料を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のフルオレ
ン構造を有するポリカーボネート樹脂は、低複屈折性と
耐熱性を兼ね備えた良質の光記録媒体成形材料となるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のフルオレ
ン構造を有するポリカーボネート樹脂は、低複屈折性と
耐熱性を兼ね備えた良質の光記録媒体成形材料となるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明はフルオレン構造を有す
る下記一般式（Ａ）および下記一般式（Ｂ）で表される
構成単位を有し、一般式（Ａ）の構成単位が全構成単位
中５〜40mol ％であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/g
であるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材料
を提供するものである。
る下記一般式（Ａ）および下記一般式（Ｂ）で表される
構成単位を有し、一般式（Ａ）の構成単位が全構成単位
中５〜40mol ％であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/g
であるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材料
を提供するものである。
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は水素原子、フッ素、
塩素、臭素原子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの
基の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜
５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のア
ルコキシ基、フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン
原子、ジメチルポリシロキシ基である。）
塩素、臭素原子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの
基の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜
５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のア
ルコキシ基、フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン
原子、ジメチルポリシロキシ基である。）
【００１０】
【化５】
【００１１】（式中、Ｒ5 〜Ｒ8 はそれぞれ、水素、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有しても
よい、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のア
リール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５
のアルコキシ基、炭素数７〜１７のアラルキル基であ
り、これらの基の炭素にいずれも有してもよい置換基
が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素から選ばれるハロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示
す。Ｘは、下記で表される一種の基である。
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有しても
よい、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のア
リール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５
のアルコキシ基、炭素数７〜１７のアラルキル基であ
り、これらの基の炭素にいずれも有してもよい置換基
が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素から選ばれるハロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示
す。Ｘは、下記で表される一種の基である。
【００１２】
【化６】
【００１３】ここにＲ9 、Ｒ10はそれぞれ、水素、各々
置換基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、アル
コキシ基又は炭素数６〜１２アリール基を表すか、Ｒ9
及びＲ10が一緒に結合して、炭素環または複素環を形成
する基を表し、これらの基の炭素に有してもよい置換基
が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素から選ばれるハロゲンである。a は０〜２０の整数、
b およびc は１〜１００の整数を表す。）
置換基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、アル
コキシ基又は炭素数６〜１２アリール基を表すか、Ｒ9
及びＲ10が一緒に結合して、炭素環または複素環を形成
する基を表し、これらの基の炭素に有してもよい置換基
が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素から選ばれるハロゲンである。a は０〜２０の整数、
b およびc は１〜１００の整数を表す。）
【００１４】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールＡからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの
直接反応（ホスゲン法）、あるいは二価フェノールとビ
スアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステ
ル交換法）などの方法を採用することができる。
ールＡからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの
直接反応（ホスゲン法）、あるいは二価フェノールとビ
スアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステ
ル交換法）などの方法を採用することができる。
【００１５】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ａ）構造を誘導するフルオレン含有二価フェノールの
反応性を考慮した場合、ホスゲン法の方が好ましい。
（Ａ）構造を誘導するフルオレン含有二価フェノールの
反応性を考慮した場合、ホスゲン法の方が好ましい。
【００１６】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、一般式（Ｂ）を誘導す
る二価フェノールと本発明における一般式（Ａ）を誘導
するフルオレン含有二価フェノールとホスゲンを反応さ
せる。
剤および溶媒の存在下において、一般式（Ｂ）を誘導す
る二価フェノールと本発明における一般式（Ａ）を誘導
するフルオレン含有二価フェノールとホスゲンを反応さ
せる。
【００１７】酸結合剤としては、例えばピリジンや、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物などが用いられ、また溶媒としては、例えば塩
化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレン
などが用いられる。さらに、縮重合反応を促進するため
に、トリエチルアミンのような第三級アミンまたは第四
級アンモニウム塩などの触媒が使用される。
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物などが用いられ、また溶媒としては、例えば塩
化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレン
などが用いられる。さらに、縮重合反応を促進するため
に、トリエチルアミンのような第三級アミンまたは第四
級アンモニウム塩などの触媒が使用される。
【００１８】また重合度を調節には、フェノール、ｐ−
ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノール、長鎖アル
キル置換フェノール等一官能基化合物が分子量調節剤が
使用される。また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイ
ドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノールなど分岐化剤を小量添加し
てもよい。
ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノール、長鎖アル
キル置換フェノール等一官能基化合物が分子量調節剤が
使用される。また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイ
ドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノールなど分岐化剤を小量添加し
てもよい。
【００１９】反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜
４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温
度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好
ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系
のpHを１０以上に保持することが望ましい。
４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温
度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好
ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系
のpHを１０以上に保持することが望ましい。
【００２０】一方後者のエステル交換法においては、一
般式（Ａ）を誘導するフルオレン含有二価フェノールと
一般式（Ｂ）を誘導する二価フェノールとビスアリール
カーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応さ
せる。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００
〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は
最終で好ましくは１mmHg以下にして、エステル交換反応
により生成した該ビスアリールカーボネートから由来す
るフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温
度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時間
程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、酸化
防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
般式（Ａ）を誘導するフルオレン含有二価フェノールと
一般式（Ｂ）を誘導する二価フェノールとビスアリール
カーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応さ
せる。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００
〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は
最終で好ましくは１mmHg以下にして、エステル交換反応
により生成した該ビスアリールカーボネートから由来す
るフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温
度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時間
程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、酸化
防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【００２１】本発明中にのポリカーボネートの製造に使
用される一般式（Ｂ）を誘導する二価フェノールとして
は、具体的にはビフェノール、ビス（4 −ヒドロキシフ
ェニル）メタン、ビス（4 −ヒドロキシフェニル）エー
テル、ビス（4 −ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（4 −ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（4−
ヒドロキシフェニル）スルファイド、ビス（4 −ヒドロ
キシフェニル）ケトン、1,1-ビス（4 −ヒドロキシフェ
ニル）エタン、2,2-ビス（4 −ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（ビスフェノ−ルＡ；BPA ）、2,2-ビス（4 −ヒ
ドロキシフェニル）ブタン、1,1-ビス（4 −ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン（ビスフェノ−ルZ ；BPZ
）、1,1-ビス（4 −ヒドロキシフェニル）-3,3,5- ト
リメチルシクロヘキサン、2,2-ビス（4 −ヒドロキシ−
3,5-ジブロモフェニル）プロパン、2,2-ビス（4 −ヒド
ロキシ−3,5-ジクロロフェニル）プロパン、2,2-ビス
（4 −ヒドロキシ−3-ブロモフェニル）プロパン、2,2-
ビス（4 −ヒドロキシ−3-クロロフェニル）プロパン、
2,2-ビス（4 −ヒドロキシ−3-メチルフェニル）プロパ
ン、2,2-ビス（4 −ヒドロキシ−3,5-ジメチルフェニ
ル）プロパン、1,1-ビス（4−ヒドロキシフェニル）-1-
フェニルエタン、ビス（4 −ヒドロキシフェニル）ジ
フェニルメタン、α, ω- ビス［２−（P −ヒドロキシ
フェニル）エチル］ポリジメチルシロキサン、α, ω-
ビス［３−（O −ヒドロキシフェニル）プロピル］ポリ
ジメチルシロキサンなどが例示される。これらは、２種
類以上併用して用いてもよい。また、これらの中でも特
に2,2-ビス（4 −ヒドロキシフェニル）プロパンから選
ばれることが好ましい。
用される一般式（Ｂ）を誘導する二価フェノールとして
は、具体的にはビフェノール、ビス（4 −ヒドロキシフ
ェニル）メタン、ビス（4 −ヒドロキシフェニル）エー
テル、ビス（4 −ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（4 −ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（4−
ヒドロキシフェニル）スルファイド、ビス（4 −ヒドロ
キシフェニル）ケトン、1,1-ビス（4 −ヒドロキシフェ
ニル）エタン、2,2-ビス（4 −ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（ビスフェノ−ルＡ；BPA ）、2,2-ビス（4 −ヒ
ドロキシフェニル）ブタン、1,1-ビス（4 −ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン（ビスフェノ−ルZ ；BPZ
）、1,1-ビス（4 −ヒドロキシフェニル）-3,3,5- ト
リメチルシクロヘキサン、2,2-ビス（4 −ヒドロキシ−
3,5-ジブロモフェニル）プロパン、2,2-ビス（4 −ヒド
ロキシ−3,5-ジクロロフェニル）プロパン、2,2-ビス
（4 −ヒドロキシ−3-ブロモフェニル）プロパン、2,2-
ビス（4 −ヒドロキシ−3-クロロフェニル）プロパン、
2,2-ビス（4 −ヒドロキシ−3-メチルフェニル）プロパ
ン、2,2-ビス（4 −ヒドロキシ−3,5-ジメチルフェニ
ル）プロパン、1,1-ビス（4−ヒドロキシフェニル）-1-
フェニルエタン、ビス（4 −ヒドロキシフェニル）ジ
フェニルメタン、α, ω- ビス［２−（P −ヒドロキシ
フェニル）エチル］ポリジメチルシロキサン、α, ω-
ビス［３−（O −ヒドロキシフェニル）プロピル］ポリ
ジメチルシロキサンなどが例示される。これらは、２種
類以上併用して用いてもよい。また、これらの中でも特
に2,2-ビス（4 −ヒドロキシフェニル）プロパンから選
ばれることが好ましい。
【００２２】一方、炭酸エステル形成性化合物として
は、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−
ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボ
ネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフ
チルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げ
られる。これらの化合物は２種類以上併用して使用する
ことも可能である。
は、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−
ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボ
ネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフ
チルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げ
られる。これらの化合物は２種類以上併用して使用する
ことも可能である。
【００２３】前記一般式（Ａ）を誘導するフルオレン含
有二価フェノールは、具体的には、次の構造式で示され
る化合物が例示される。
有二価フェノールは、具体的には、次の構造式で示され
る化合物が例示される。
【００２４】
【化７】
【００２５】これらのうち９，９−ビス（ヒドロキシフ
ェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）フルオレン、３，６−ジメチル−
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンな
どが好適である。また、上記二価フェノールを２種類以
上併用して使用することも可能である。
ェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）フルオレン、３，６−ジメチル−
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンな
どが好適である。また、上記二価フェノールを２種類以
上併用して使用することも可能である。
【００２６】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.30〜0.50dl/gの範囲であることが好まし
い。
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.30〜0.50dl/gの範囲であることが好まし
い。
【００２７】本発明の一般式（Ａ）のフルオレン構成単
位は成形性、耐熱性、低複屈折性を考慮すると全構成単
位中５〜40mol ％が好ましいが、特に耐熱性と低複屈折
性をより明確とするためには15〜30mol ％が好ましい。
フルオレン構成単位が5mol％未満では、複屈折性が大き
くなりすぎ、15mol ％未満でも複屈折はかなり改善され
るが必ずしも十分なものとはいえない。30mol%を越える
とガラス転移温度上昇により成形条件が狭くなり成形不
良や分子配向による複屈折増加をおこしやすく、40mol%
を越えると射出成形が著しく困難となり好ましくない。
位は成形性、耐熱性、低複屈折性を考慮すると全構成単
位中５〜40mol ％が好ましいが、特に耐熱性と低複屈折
性をより明確とするためには15〜30mol ％が好ましい。
フルオレン構成単位が5mol％未満では、複屈折性が大き
くなりすぎ、15mol ％未満でも複屈折はかなり改善され
るが必ずしも十分なものとはいえない。30mol%を越える
とガラス転移温度上昇により成形条件が狭くなり成形不
良や分子配向による複屈折増加をおこしやすく、40mol%
を越えると射出成形が著しく困難となり好ましくない。
【００２８】前記の一般式（Ａ）で示されるフルオレン
構成単位において、Ｒ3 ，Ｒ4 に置換基を有する場合、
複屈折性を損なうことなくポリマーのガラス転移温度が
低下し流動性が向上し成形性が良好となる。特にＲ3 ，
Ｒ4 が、炭素数1 〜5 のアルキル基、アルコキシ基など
が好適である。
構成単位において、Ｒ3 ，Ｒ4 に置換基を有する場合、
複屈折性を損なうことなくポリマーのガラス転移温度が
低下し流動性が向上し成形性が良好となる。特にＲ3 ，
Ｒ4 が、炭素数1 〜5 のアルキル基、アルコキシ基など
が好適である。
【００２９】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０4 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０4 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
【００３０】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から一般の光記録媒体用ポリカーボネートと性
能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可能
である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形温
度は、流動性の観点から280 〜360 ℃が好ましい。
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から一般の光記録媒体用ポリカーボネートと性
能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可能
である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形温
度は、流動性の観点から280 〜360 ℃が好ましい。
【００３１】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００３２】合成例１ ８．８％(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液６０リットル
に、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（BPA
）６．３８ｋｇ（28mol ）と9,9 −ビス（4-ヒドロキ
シフェニル）フルオレン（BPFL）４．２０ｋｇ（12mol
）とハイドロサルファイト５０ｇを加え溶解した。こ
れに、メチレンクロライド３６リットル加え攪拌し、溶
液温度を１５℃に保ちつつ、ホスゲン５ｋｇを６０分か
けて吹き込んだ。吹き込み終了後、ｐ−ｔ−ブチルフェ
ノールを０．３９ｋｇ（2.6mol）を加え激しく攪拌し
て、反応液を乳化させ、乳化後20mlのトリエチルアミン
を加え、約１時間攪拌し重合させた。重合液を水相と有
機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液のpHを中
性になるまで純水で水洗を繰り返した後、０．５μｍフ
ィルターにて有機相を濾過した。有機相にイソプロパノ
ール４７リットルを加え、重合物を沈澱させた。沈澱物
を濾過後、クリーン乾燥機にて乾燥し粉末状重合体を得
た。この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度 0.5
g ／dlの溶液の温度20℃における極限粘度［η］は0.35
dl／g であった。
に、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（BPA
）６．３８ｋｇ（28mol ）と9,9 −ビス（4-ヒドロキ
シフェニル）フルオレン（BPFL）４．２０ｋｇ（12mol
）とハイドロサルファイト５０ｇを加え溶解した。こ
れに、メチレンクロライド３６リットル加え攪拌し、溶
液温度を１５℃に保ちつつ、ホスゲン５ｋｇを６０分か
けて吹き込んだ。吹き込み終了後、ｐ−ｔ−ブチルフェ
ノールを０．３９ｋｇ（2.6mol）を加え激しく攪拌し
て、反応液を乳化させ、乳化後20mlのトリエチルアミン
を加え、約１時間攪拌し重合させた。重合液を水相と有
機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液のpHを中
性になるまで純水で水洗を繰り返した後、０．５μｍフ
ィルターにて有機相を濾過した。有機相にイソプロパノ
ール４７リットルを加え、重合物を沈澱させた。沈澱物
を濾過後、クリーン乾燥機にて乾燥し粉末状重合体を得
た。この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度 0.5
g ／dlの溶液の温度20℃における極限粘度［η］は0.35
dl／g であった。
【００３３】得られた上記重合体を赤外線吸収スペクト
ルより分析した結果、1770cm-1付近にカルボニル基によ
る吸収、1240cm-1付近にエーテル結合による吸収が認め
られ、カーボネート結合を有することが確認された。ま
た、3650〜3200cm-1の位置に水酸基由来の吸収はほとん
ど認められなかった。吸光光度法による残存フェノール
性ＯＨ量は１７２ｐｐｍであった。ＧＰＣによるモノマ
ー分析の結果、ＢＰＡ及びＢＰＦＬのいずれも２０ｐｐ
ｍ以下であった。この結果、この重合体は下記構造を有
するポリカーボネート重合体と認められる。
ルより分析した結果、1770cm-1付近にカルボニル基によ
る吸収、1240cm-1付近にエーテル結合による吸収が認め
られ、カーボネート結合を有することが確認された。ま
た、3650〜3200cm-1の位置に水酸基由来の吸収はほとん
ど認められなかった。吸光光度法による残存フェノール
性ＯＨ量は１７２ｐｐｍであった。ＧＰＣによるモノマ
ー分析の結果、ＢＰＡ及びＢＰＦＬのいずれも２０ｐｐ
ｍ以下であった。この結果、この重合体は下記構造を有
するポリカーボネート重合体と認められる。
【００３４】
【化８】
【００３５】合成例２ 合成例１のBPFLの代わりに、9,9 −ビス（3-メチル-4-
ヒドロキシフェニル）フルオレン４．５４ｋｇ（12mol
）を用いた以外は、合成例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は0.36dl/g赤外吸収スペクト
ル分析等よりこの重合体は下記構造を有するポリカーボ
ネート重合体と認められる。
ヒドロキシフェニル）フルオレン４．５４ｋｇ（12mol
）を用いた以外は、合成例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は0.36dl/g赤外吸収スペクト
ル分析等よりこの重合体は下記構造を有するポリカーボ
ネート重合体と認められる。
【００３６】
【化９】
【００３７】合成例３ ｐ−ｔ−ブチルフェノールを０．３４５ｋｇ（0.23mol
）に変更した以外は合成例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は0.43dl／g で、赤外吸収ス
ペクトル分析等より重合度以外は合成例１と同等のポリ
カーボネート重合体と認められる。
）に変更した以外は合成例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は0.43dl／g で、赤外吸収ス
ペクトル分析等より重合度以外は合成例１と同等のポリ
カーボネート重合体と認められる。
【００３８】合成例４ BPA を７．７５ｋｇ（34mol ）、BPFLを２．１０ｋｇ
（6mol）に変更した以外は合成例１と同様に行った。得
られた重合体の極限粘度［η］は0.34dl／g で、赤外吸
収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等の
ポリカーボネート重合体と認められる。
（6mol）に変更した以外は合成例１と同様に行った。得
られた重合体の極限粘度［η］は0.34dl／g で、赤外吸
収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等の
ポリカーボネート重合体と認められる。
【００３９】合成例５ BPA を８．６６ｋｇ（38mol ）、BPFLを０．７０ｋｇ
（2mol）に変更した以外は合成例１と同様に行った。得
られた重合体の極限粘度［η］は0.36dl／g で、赤外吸
収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等の
ポリカーボネート重合体と認められる。
（2mol）に変更した以外は合成例１と同様に行った。得
られた重合体の極限粘度［η］は0.36dl／g で、赤外吸
収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等の
ポリカーボネート重合体と認められる。
【００４０】合成例６ BPA を５．７０ｋｇ（25mol ）、BPFLを５．２５ｋｇ
（15mol ）に変更した以外は合成例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度［η］は0.37dl／g で、赤外
吸収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等
のポリカーボネート重合体と認められる。
（15mol ）に変更した以外は合成例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度［η］は0.37dl／g で、赤外
吸収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等
のポリカーボネート重合体と認められる。
【００４１】合成例７ 合成例１のBPFLの代わりに、３，６−ジメチル−９，９
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン４．５ｋ
ｇ（12mol)を用いた以外は、合成例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度〔η〕は0.37 dl/g であり、
赤外線吸収スペクトル分析等よりこの重合体は下記構造
を有するポリカーボネート重合体であると認められる。
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン４．５ｋ
ｇ（12mol)を用いた以外は、合成例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度〔η〕は0.37 dl/g であり、
赤外線吸収スペクトル分析等よりこの重合体は下記構造
を有するポリカーボネート重合体であると認められる。
【００４２】
【化１０】
【００４３】合成例８ BPA を５．０２ｋｇ（22mol ）、BPFLを６．３０ｋｇ
（18mol ）に変更した以外は合成例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度［η］は0.36dl／g で、赤外
吸収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等
のポリカーボネート重合体と認められる。
（18mol ）に変更した以外は合成例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度［η］は0.36dl／g で、赤外
吸収スペクトル分析等より重合比以外は合成例１と同等
のポリカーボネート重合体と認められる。
【００４４】合成例９ BPA を９．１２ｋｇ（40mol ）に変更し、BPFLを用い
ず、ｐ−ｔ−ブチルフェノールの代わりにｐ−ヘプタデ
カニルフェノール０．８６ｋｇ（2.6mol）に変更した以
外は実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘
度［η］は0.37dl／g で、赤外吸収スペクトル分析等よ
り下記構造のポリカーボネート重合体と認められる。
ず、ｐ−ｔ−ブチルフェノールの代わりにｐ−ヘプタデ
カニルフェノール０．８６ｋｇ（2.6mol）に変更した以
外は実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘
度［η］は0.37dl／g で、赤外吸収スペクトル分析等よ
り下記構造のポリカーボネート重合体と認められる。
【００４５】
【化１１】 ｎは重合度を表す。（ｎ≒３１）
【００４６】実施例１ 合成例１ポリカーボネート粉末に市販ビーズワックス10
00ppm を添加し、50μm ポリマーフィルターを付けたベ
ント付き５０ｍｍ押出機にて２９０℃で押出し、溶融ペ
レット化を行った。得られたペレットを樹脂温度３２０
℃と３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出圧３００
Kg/cm2の条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円
盤を射出成形し、２日間室内放置後の３０℃斜め入射時
の複屈折を測定した。また、押出ペレットについてガラ
ス転移温度（Ｔｇ）を測定し、耐熱性の目安とした。
00ppm を添加し、50μm ポリマーフィルターを付けたベ
ント付き５０ｍｍ押出機にて２９０℃で押出し、溶融ペ
レット化を行った。得られたペレットを樹脂温度３２０
℃と３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出圧３００
Kg/cm2の条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円
盤を射出成形し、２日間室内放置後の３０℃斜め入射時
の複屈折を測定した。また、押出ペレットについてガラ
ス転移温度（Ｔｇ）を測定し、耐熱性の目安とした。
【００４７】実施例２〜７ 合成例２〜７のポリカーボネート粉末を用いて、実施例
１と同様に射出成形品を成形し、実施例１と同様に試験
を行った。
１と同様に射出成形品を成形し、実施例１と同様に試験
を行った。
【００４８】比較例１ 合成例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用ＢＰＡ型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製
Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１と
同様の試験を行った。
体用ＢＰＡ型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製
Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１と
同様の試験を行った。
【００４９】比較例２ 合成例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用ポリカーボネート−ポリスチレン共重合体（三菱瓦
斯化学（株）製ＯＤＸ、［η］＝1.08dl/g）を用いて実
施例１と同様の試験を行った。
体用ポリカーボネート−ポリスチレン共重合体（三菱瓦
斯化学（株）製ＯＤＸ、［η］＝1.08dl/g）を用いて実
施例１と同様の試験を行った。
【００５０】比較例３ 合成例９のポリカーボネート粉末を用いて、実施例１と
同様の試験を行った。
同様の試験を行った。
【００５１】比較例４ 合成例８のポリカーボネート粉末を用いて、実施例１と
同様の試験を行った。
同様の試験を行った。
【００５２】実施例１〜６、比較例１〜４までの試験結
果を表１に示した。
果を表１に示した。
【００５３】
【表１】 表 １ 斜め複屈折(nm) 耐熱性 外観 実施例 FL濃度 成形温度 中心からの距離 カ゛ラス転移温度比較例 mol% ℃ R=24mm R=42mm R=56mm ℃ 実 施例１ ３０ ３５０ １７ １１ １２ ２０５ 良好 ２ ３０ ３５０ １２ ８ ７ １８２ 〃 ３ ３０ ３５０ １６ １３ １９ ２０６ 〃 ４ １５ ３２０ ３４ ２６ ３３ １７８ 〃 ５ ５ ３２０ ５５ ５０ ５８ １５９ 〃 ６ ３８ ３５０ ２６ ２４ ３０ ２１９ 〃 ７ ３０ ３５０ １１ ９ １０ １８０ 〃 比較例１ ３５０ ９２ ７５ ９０ １４３ 良好 ２ ３５０ ２２ １６ １５ １１３ シルハ゛ー 発生 ３ ３５０ ４１ ３６ ３９ １０３ シルハ゛ー 発生 ４ ４５ ３５０ −− −− −− ２３４ ヒケ (充填不良）
【００５４】複屈折： (株) 溝尻光学工業製、自動エリフ゜
ソメータ-使用。測定波長632.8nm 。カ゛ラス 転移温度：島津製作所（株）製ＤＳＣにより測
定。 FL濃度：一般式（Ａ）構成単位の全構成単位に対する割
合(mol%)
ソメータ-使用。測定波長632.8nm 。カ゛ラス 転移温度：島津製作所（株）製ＤＳＣにより測
定。 FL濃度：一般式（Ａ）構成単位の全構成単位に対する割
合(mol%)
【００５５】
【発明の効果】本発明は、優れた耐熱性と低複屈折性を
両立した光記録媒体用成形材料を提供でき、特に、高密
度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスクおよ
び光磁気ディスクに好適である。
両立した光記録媒体用成形材料を提供でき、特に、高密
度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスクおよ
び光磁気ディスクに好適である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は水素原子、フッ素、塩素、臭素原
子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数１〜５のア
ルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５
のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数
７〜１７のアラルキル基であり、これらの基の炭素にい
ずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５のアルキル
基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、
フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン原子、ジメチ
ルポリシロキシ基である。）
子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数１〜５のア
ルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５
のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数
７〜１７のアラルキル基であり、これらの基の炭素にい
ずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５のアルキル
基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、
フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン原子、ジメチ
ルポリシロキシ基である。）
【化２】 （式中、Ｒ5 〜Ｒ8 はそれぞれ、水素、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの基
の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５
のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハ
ロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示す。Ｘは、下記で
表される基の一種である。
臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの基
の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５
のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハ
ロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示す。Ｘは、下記で
表される基の一種である。
【化３】 ここにＲ9 、Ｒ10はそれぞれ、水素、各々置換基を有し
てもよい炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基又は
炭素数６〜１２のアリール基を表すか、Ｒ9 及びＲ10が
一緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表
し、これらの基の炭素に有してもよい置換基が、炭素数
１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５
のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ば
れるハロゲンである。a は０〜２０の整数、b およびc
は１〜１００の整数を表す。）
てもよい炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基又は
炭素数６〜１２のアリール基を表すか、Ｒ9 及びＲ10が
一緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表
し、これらの基の炭素に有してもよい置換基が、炭素数
１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５
のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ば
れるハロゲンである。a は０〜２０の整数、b およびc
は１〜１００の整数を表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】ここにＲ9 、Ｒ10はそれぞれ、水素、各々
置換基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、アル
コキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表すか、Ｒ
9 及びＲ10が一緒に結合して、炭素環または複素環を形
成する基を表し、これらの基の炭素に有してもよい置換
基が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、
炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素から選ばれるハロゲンである。a は０〜２０の整
数、b およびc は１〜１００の整数を表す。）
置換基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、アル
コキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表すか、Ｒ
9 及びＲ10が一緒に結合して、炭素環または複素環を形
成する基を表し、これらの基の炭素に有してもよい置換
基が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、
炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素から選ばれるハロゲンである。a は０〜２０の整
数、b およびc は１〜１００の整数を表す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】前記の一般式（Ａ）で表されるフルオレン
構造単位において、Ｒ3 ，Ｒ4 に置換基を有する場合、
複屈折性を損なうことなくポリマーのガラス転移温度が
低下し流動性が向上し成形性が良好となる。特にＲ3 ，
Ｒ4 が、炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基など
が好適である。
構造単位において、Ｒ3 ，Ｒ4 に置換基を有する場合、
複屈折性を損なうことなくポリマーのガラス転移温度が
低下し流動性が向上し成形性が良好となる。特にＲ3 ，
Ｒ4 が、炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基など
が好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】実施例１ 合成例１のポリカーボネート粉末に市販ビーズワックス
１０００ppm を添加し、５０μｍポリマーフィルターを
付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて２９０℃で押出
し、溶融ペッレット化を行った。得られたペッレットを
樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出圧３
００kg/cm2の条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ
の円盤を射出成形し、２日間室内放置後の３０℃斜め入
射時の複屈折を測定した。また、押出ペッレットについ
てガラス転移温度（Ｔｇ）を測定し、耐熱性の目安とし
た。
１０００ppm を添加し、５０μｍポリマーフィルターを
付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて２９０℃で押出
し、溶融ペッレット化を行った。得られたペッレットを
樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出圧３
００kg/cm2の条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ
の円盤を射出成形し、２日間室内放置後の３０℃斜め入
射時の複屈折を測定した。また、押出ペッレットについ
てガラス転移温度（Ｔｇ）を測定し、耐熱性の目安とし
た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】実施例１〜７、比較例１〜４までの試験結
果を表１に示した。
果を表１に示した。
フロントページの続き (72)発明者 赤堀 和之 神奈川県平塚市東八幡５丁目６番２号 三 菱エンジニアリングプラスチックス株式会 社平塚技術センター内
Claims (3)
- 【請求項１】 フルオレン構造を有する下記一般式
（Ａ）および下記一般式（Ｂ）で表される構成単位を有
し、一般式（Ａ）の構成単位が全構成単位中５〜40mol
％であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/gであるポリカ
ーボネートからなる光記録媒体用成形材料。 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は水素原子、フッ素、塩素、臭素原
子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数１〜５のア
ルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５
のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数
７〜１７のアラルキル基であり、これらの基の炭素にい
ずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５のアルキル
基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、
フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン原子、ジメチ
ルポリシロキシ基である。） 【化２】 （式中、Ｒ5 〜Ｒ8 はそれぞれ、水素、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの基
の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５
のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハ
ロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示す。Ｘは、下記で
表される基の一種である。 【化３】 ここにＲ9 、Ｒ10はそれぞれ、水素、各々置換基を有し
てもよい炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基又は
炭素数６〜１２アリール基を表すか、Ｒ9 及びＲ10が一
緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表
し、これらの基の炭素に有してもよい置換基が、炭素数
１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５
のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ば
れるハロゲンである。a は０〜２０の整数、b およびc
は１〜１００の整数を表す。） - 【請求項２】 一般式（Ｂ）が２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンから誘導された構成単位、一
般式（Ａ）が９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）フルオレン、３，６−ジメチル−９，９−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンからなる群
から誘導された構成単位を有する請求項１記載の光記録
媒体用成形材料。 - 【請求項３】 一般式（Ａ）の構成単位が全構成単位中
15〜30mol ％である請求項１記載の光記録媒体用成形材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27907594A JP3486989B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 光記録媒体用成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27907594A JP3486989B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 光記録媒体用成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002317042A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光情報記録媒体用カバー層フィルム |
| JP2002322263A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フラットパネルディスプレー用フィルム |
| JP2005325230A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Teijin Chem Ltd | 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、及びそれより形成された光ディスク基板 |
| JP2011089050A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | シロキサン共重合ポリカーボネート、ポリカーボネート樹脂組成物、及び成形品 |
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11199663A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Osaka Gas Co Ltd | ポリカーボネート重合体 |
| JPH11342510A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-12-14 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形材料 |
| DE10083810B3 (de) * | 1999-01-12 | 2016-09-15 | Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. | Polycarbonatharz mit geringer Tendenz zur Freisetzung von endokrinen Umweltstörfaktoren |
| US6469127B1 (en) | 1999-01-12 | 2002-10-22 | Space Environmental Technology Company, Inc, | Polycarbonate resin having low tendency of releasing environmental endocrine disruptors |
| WO2001032745A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate de resine et son procede de production |
| EP1153955A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin and process for producing the same |
| US6355768B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-03-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin and process for producing the same |
| EP1153955A4 (en) * | 1999-10-29 | 2002-03-20 | Mitsubishi Gas Chemical Co | POLYCARBONATE RESIN AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US6417318B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-07-09 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for the removal of dissolved oxygen from phenol |
| JP2002030140A (ja) * | 2000-02-22 | 2002-01-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカーボネート樹脂及びその製造方法 |
| US6340737B2 (en) | 2000-03-29 | 2002-01-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin and optical article used the same |
| JP2002317042A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光情報記録媒体用カバー層フィルム |
| JP2002322263A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フラットパネルディスプレー用フィルム |
| JP2005325230A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Teijin Chem Ltd | 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、及びそれより形成された光ディスク基板 |
| JP2011089050A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | シロキサン共重合ポリカーボネート、ポリカーボネート樹脂組成物、及び成形品 |
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