JP3525963B2 - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents
光記録媒体用成形材料Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンパクトディスク、
レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの光記
録媒体を製造するのに好適な耐熱性、成形性などが優れ
るとともに複屈折の低減された芳香族ポリカーボネート
樹脂光記録媒体用成形材料に関する。
レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの光記
録媒体を製造するのに好適な耐熱性、成形性などが優れ
るとともに複屈折の低減された芳香族ポリカーボネート
樹脂光記録媒体用成形材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク基盤材料として
広く用いられるようになった。光ディスク基盤としての
性能のうち、情報読み取り、書き込みに用いられるレー
ザー光線を実質的に弱めてしまう複屈折は最も重要な問
題であり、複屈折が大きい材料ではエラーが増加し、記
録媒体としての信頼性が劣ってしまう。
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク基盤材料として
広く用いられるようになった。光ディスク基盤としての
性能のうち、情報読み取り、書き込みに用いられるレー
ザー光線を実質的に弱めてしまう複屈折は最も重要な問
題であり、複屈折が大きい材料ではエラーが増加し、記
録媒体としての信頼性が劣ってしまう。
【０００３】通常の芳香族ポリカーボネートは複屈折が
大きく光ディスク基盤材料としてはやや問題点があっ
た。そこで、複屈折の低減を目的とした様々な芳香族ポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている（たとえば、
特開昭６０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１
５）。近年さらに高度の信頼性が要求される光ディスク
基盤材料としては、上記公報に提案されている程度の複
屈折の低減化では未だ十分とは言えず、さらに複屈折を
低減した芳香族ポリカーボネート・ポリスチレン共重合
体（ＰＣ−ＰＳ）が開発されている（特開平２−２９４
１２）。このＰＣ−ＰＳは、従来のものに比べ複屈折に
関しては大幅に改良されているがポリスチレン (ＰＳ)
を用いているため耐熱性に問題があり用途が限られてい
た。また、最近では成形条件で改善が困難な斜め入射の
複屈折の低減が要求されていた。
大きく光ディスク基盤材料としてはやや問題点があっ
た。そこで、複屈折の低減を目的とした様々な芳香族ポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている（たとえば、
特開昭６０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１
５）。近年さらに高度の信頼性が要求される光ディスク
基盤材料としては、上記公報に提案されている程度の複
屈折の低減化では未だ十分とは言えず、さらに複屈折を
低減した芳香族ポリカーボネート・ポリスチレン共重合
体（ＰＣ−ＰＳ）が開発されている（特開平２−２９４
１２）。このＰＣ−ＰＳは、従来のものに比べ複屈折に
関しては大幅に改良されているがポリスチレン (ＰＳ)
を用いているため耐熱性に問題があり用途が限られてい
た。また、最近では成形条件で改善が困難な斜め入射の
複屈折の低減が要求されていた。
【０００４】一方、変性ポリカーボネートとして耐熱性
や耐摩耗性、難燃性、選択的気体透過性等を有するシク
ロヘキサン構造を有する芳香族ポリカーボネートが知ら
れている（特開昭６０−１７２０４５、特開平２−３０
０２５８、特開平２−２９４３５９、特開平３−９１５
２８、）。
や耐摩耗性、難燃性、選択的気体透過性等を有するシク
ロヘキサン構造を有する芳香族ポリカーボネートが知ら
れている（特開昭６０−１７２０４５、特開平２−３０
０２５８、特開平２−２９４３５９、特開平３−９１５
２８、）。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のシクロヘ
キサン構造を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、耐
熱性と低複屈折性、優れた成形性を兼ね備えた良質の光
記録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を完成
するに至った。
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のシクロヘ
キサン構造を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、耐
熱性と低複屈折性、優れた成形性を兼ね備えた良質の光
記録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を完成
するに至った。
【０００６】すなわち、本発明はシクロヘキサン構造を
有する下記一般式（Ａ）および下記式（Ｂ）で表される
構造単位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構成単位
中５〜４０ｍｏｌ％（但し、一般式（Ａ）が１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサンから誘導される場合は、２０ｍｏｌ％
以上を含む場合を除く。）であり、かつ極限粘度が０．
３０〜０．５０dl/gである芳香族ポリカーボネートから
なる光記録媒体用成形材料に関する。
有する下記一般式（Ａ）および下記式（Ｂ）で表される
構造単位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構成単位
中５〜４０ｍｏｌ％（但し、一般式（Ａ）が１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサンから誘導される場合は、２０ｍｏｌ％
以上を含む場合を除く。）であり、かつ極限粘度が０．
３０〜０．５０dl/gである芳香族ポリカーボネートから
なる光記録媒体用成形材料に関する。
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中、Ｒ1〜Ｒ7は水素原子、ハロゲン原
子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリ
ール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５の
アルコキシ基、または炭素数７〜１７のアラルキル基で
あり、これらの基の炭素は炭素数１〜５のアルキル基も
しくはアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、またはポリジメチルシロキシ基で置換され
ていてもよい。）
子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリ
ール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５の
アルコキシ基、または炭素数７〜１７のアラルキル基で
あり、これらの基の炭素は炭素数１〜５のアルキル基も
しくはアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、またはポリジメチルシロキシ基で置換され
ていてもよい。）
【０００９】
【化４】
【００１０】本発明の芳香族ポリカーボネートは、ビス
フェノールＡからポリカーボネートを製造する際に用い
られている公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲ
ンとの直接反応（ホスゲン法）、あるいは二価フェノー
ルとビスアリールカーボネートとのエステル交換反応
（エステル交換法）などの方法により容易に得られる。
フェノールＡからポリカーボネートを製造する際に用い
られている公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲ
ンとの直接反応（ホスゲン法）、あるいは二価フェノー
ルとビスアリールカーボネートとのエステル交換反応
（エステル交換法）などの方法により容易に得られる。
【００１１】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ａ）構造を誘導するシクロヘキサン含有二価フェノー
ルの反応性を考慮した場合、ホスゲン法の方が好まし
い。
（Ａ）構造を誘導するシクロヘキサン含有二価フェノー
ルの反応性を考慮した場合、ホスゲン法の方が好まし
い。
【００１２】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、式（Ｂ）を形成する二
価フェノールと本発明における一般式（Ａ）を形成する
シクロヘキサン含有二価フェノールとホスゲンを反応さ
せる。酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化
物などが用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチ
レン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが
用いられる。
剤および溶媒の存在下において、式（Ｂ）を形成する二
価フェノールと本発明における一般式（Ａ）を形成する
シクロヘキサン含有二価フェノールとホスゲンを反応さ
せる。酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化
物などが用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチ
レン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが
用いられる。
【００１３】さらに、縮重合反応を促進するために、ト
リエチルアミンのような第三級アミンまたは第四級アン
モニウム塩などの触媒を、また重合度を調節には、フェ
ノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル、長鎖アルキル置換フェノール、ｐーヒドロキシ安息
香酸アルキル等一官能基化合物が分子量調節剤として使
用される。
リエチルアミンのような第三級アミンまたは第四級アン
モニウム塩などの触媒を、また重合度を調節には、フェ
ノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル、長鎖アルキル置換フェノール、ｐーヒドロキシ安息
香酸アルキル等一官能基化合物が分子量調節剤として使
用される。
【００１４】また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイ
ドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノールなど分岐化剤を小量添加し
てもよい。反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４
０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温度
によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好ま
しくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系の
ｐＨを１０以上に保持することが望ましい。
ドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノールなど分岐化剤を小量添加し
てもよい。反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４
０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温度
によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好ま
しくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系の
ｐＨを１０以上に保持することが望ましい。
【００１５】一方後者のエステル交換法においては、一
般式（Ａ）を形成するシクロヘキサン含有二価フェノー
ルと式（Ｂ）を形成する二価フェノールとビスアリール
カーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応さ
せる。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００
〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は
最終で好ましくは１ｍｍＨｇ以下にして、エステル交換
反応により生成した該ビスアリールカーボネートから由
来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反
応温度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４
時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガ
ス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、
酸化防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
般式（Ａ）を形成するシクロヘキサン含有二価フェノー
ルと式（Ｂ）を形成する二価フェノールとビスアリール
カーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応さ
せる。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００
〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は
最終で好ましくは１ｍｍＨｇ以下にして、エステル交換
反応により生成した該ビスアリールカーボネートから由
来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反
応温度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４
時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガ
ス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、
酸化防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【００１６】本発明における芳香族ポリカーボネートの
製造に使用される式（Ｂ）を形成する二価フェノールと
しては、具体的には、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（ビスフェノ−ルＡ；ＢＰＡ）であ
る。
製造に使用される式（Ｂ）を形成する二価フェノールと
しては、具体的には、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（ビスフェノ−ルＡ；ＢＰＡ）であ
る。
【００１７】一方、炭酸エステル形成性化合物として
は、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−
ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボ
ネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフ
チルカーボネートなどのビスアリールカーボネートが挙
げられる。これらの化合物は２種類以上併用して使用す
ることも可能である。
は、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−
ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボ
ネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフ
チルカーボネートなどのビスアリールカーボネートが挙
げられる。これらの化合物は２種類以上併用して使用す
ることも可能である。
【００１８】前記一般式（Ａ）で示されるシクロヘキサ
ン構造単位を形成するシクロヘキサン含有二価フェノー
ルは、具体的には、次の式で示される化合物が例示され
る。
ン構造単位を形成するシクロヘキサン含有二価フェノー
ルは、具体的には、次の式で示される化合物が例示され
る。
【００１９】
【化５】
【００２０】これらの中で、上記式（１）の１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、上記式
（２）の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンから選択される
ことが好ましい。また、上記二価フェノールを２種類以
上併用して使用することも可能である。
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、上記式
（２）の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンから選択される
ことが好ましい。また、上記二価フェノールを２種類以
上併用して使用することも可能である。
【００２１】これらのポリカーボネート重合体は、押出
成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成形、湿式成形など
公知の成形法で成形可能であるが、光記録媒体用成形材
料として使用するには、押出成形、射出成形が容易にで
きることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形では
極限粘度が０．３０〜０．５０ｄｌ／ｇの範囲であるこ
とが好ましい。
成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成形、湿式成形など
公知の成形法で成形可能であるが、光記録媒体用成形材
料として使用するには、押出成形、射出成形が容易にで
きることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形では
極限粘度が０．３０〜０．５０ｄｌ／ｇの範囲であるこ
とが好ましい。
【００２２】また、本発明の一般式（Ａ）で示されるシ
クロヘキサン構造単位は耐熱性、成形性、低複屈折性を
考慮し全構成単位中５〜４０ｍｏｌ％（但し、一般式
（Ａ）が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンから誘導される
場合は、２０ｍｏｌ％以上を含む場合を除く。）である
ことが好ましく、特に成形性と低複屈折性をより高度な
ものとするには、１０〜３０ｍｏｌ％（但し、一般式
（Ａ）が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンから誘導される
場合は、２０ｍｏｌ％以上を含む場合を除く。）である
ことが好ましい。シクロヘキサン構造単位が５ｍｏｌ％
未満では、複屈折性が大きくなりすぎ好ましくなく、１
０ｍｏｌ％未満では５ｍｏｌ％の場合よりかなり複屈折
は改善されるものの必要十分とは言えない。３０ｍｏｌ
％を超えるとガラス転移温度上昇により成形条件が狭く
なるため成形不良や分子配向による複屈折増加を引き起
こし易く、４０ｍｏｌ％を超えると射出成形が著しく困
難となる。なお、成形性の改善には、末端停止剤とし
て、ｐ−ヒドロキシ安息香酸アルキルの様なエステル構
造を持った化合物を使用し、流動性を改良することもで
きる。
クロヘキサン構造単位は耐熱性、成形性、低複屈折性を
考慮し全構成単位中５〜４０ｍｏｌ％（但し、一般式
（Ａ）が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンから誘導される
場合は、２０ｍｏｌ％以上を含む場合を除く。）である
ことが好ましく、特に成形性と低複屈折性をより高度な
ものとするには、１０〜３０ｍｏｌ％（但し、一般式
（Ａ）が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンから誘導される
場合は、２０ｍｏｌ％以上を含む場合を除く。）である
ことが好ましい。シクロヘキサン構造単位が５ｍｏｌ％
未満では、複屈折性が大きくなりすぎ好ましくなく、１
０ｍｏｌ％未満では５ｍｏｌ％の場合よりかなり複屈折
は改善されるものの必要十分とは言えない。３０ｍｏｌ
％を超えるとガラス転移温度上昇により成形条件が狭く
なるため成形不良や分子配向による複屈折増加を引き起
こし易く、４０ｍｏｌ％を超えると射出成形が著しく困
難となる。なお、成形性の改善には、末端停止剤とし
て、ｐ−ヒドロキシ安息香酸アルキルの様なエステル構
造を持った化合物を使用し、流動性を改良することもで
きる。
【００２３】本発明の光記録媒体用芳香族ポリカーボネ
ート成形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネート
と同様に高度に精製されたものでなければならない。具
体的には、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出され
ず、直径０．５〜５０μｍのダストが３×１０4以下、
無機および有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ
金属が２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残
存窒素量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等
の基準を可能な限り満たすように精製される。また、低
分子量体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われ
る場合もある。
ート成形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネート
と同様に高度に精製されたものでなければならない。具
体的には、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出され
ず、直径０．５〜５０μｍのダストが３×１０4以下、
無機および有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ
金属が２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残
存窒素量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等
の基準を可能な限り満たすように精製される。また、低
分子量体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われ
る場合もある。
【００２４】光記録媒体用芳香族ポリカーボネート成形
材料は押出成形時や射出成形時に必要とされる安定性や
離型性を確保するため、所望に応じて、ヒンダードフェ
ノール系やホスファイト系酸化防止剤；シリコン系、脂
肪酸エステル系、脂肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろ
う等天然油脂などの滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール
系、ベンゾフェノン系、ジベンゾイルメタン系、サリチ
レート系等の光安定剤；ポリアルキレングリコール、脂
肪酸グリセリド等帯電防止剤などを適宜併用してよいも
のであり、さらにはコスト等から一般の光記録媒体用ポ
リカーボネートと性能を損なわない範囲で任意に混合し
て使用する事も可能である。また、本成形材料を射出成
形する場合の成形温度は、流動性の観点から２８０〜３
６０℃が好ましい。
材料は押出成形時や射出成形時に必要とされる安定性や
離型性を確保するため、所望に応じて、ヒンダードフェ
ノール系やホスファイト系酸化防止剤；シリコン系、脂
肪酸エステル系、脂肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろ
う等天然油脂などの滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール
系、ベンゾフェノン系、ジベンゾイルメタン系、サリチ
レート系等の光安定剤；ポリアルキレングリコール、脂
肪酸グリセリド等帯電防止剤などを適宜併用してよいも
のであり、さらにはコスト等から一般の光記録媒体用ポ
リカーボネートと性能を損なわない範囲で任意に混合し
て使用する事も可能である。また、本成形材料を射出成
形する場合の成形温度は、流動性の観点から２８０〜３
６０℃が好ましい。
【００２５】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００２６】（合成例）
合成例１
８．８％（ｗ／ｖ）の水酸化ナトリウム水溶液６０リッ
トルに、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン（ＢＰＡ）６．３８ｋｇ（２８ｍｏｌ）と、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサン（ＢＰＴＭＣ)３．７０ｋｇ（１
２ｍｏｌ）およびハイドロサルファイト５０ｇを加え溶
解した。これに、メチレンクロライド３６リットル加え
攪拌し、溶液温度を１５℃に保持し、ホスゲン５ｋｇを
６０分を要して吹き込んだ。吹き込み終了後、ｐ−ｔ−
ブチルフェノール０．３９ｋｇ（２．６ｍｏｌ）を加え
激しく攪拌して、反応液を乳化させ、乳化後２０ｍｌの
トリエチルアミンを加え、約１時間攪拌し重合させた。
重合液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和
し、洗液のｐＨを中性になるまで純水で水洗を繰り返し
た後、０．５μｍフィルターにて有機相を濾過した。有
機相にイソプロパノール４７リットルを加え、重合物を
沈澱させた。沈澱物を濾過後、クリーン乾燥機にて乾燥
し粉末状重合体を得た。この重合体は、塩化メチレンを
溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液の温度２０℃にお
ける極限粘度［η］は０．３５ｄｌ／ｇであった。
トルに、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン（ＢＰＡ）６．３８ｋｇ（２８ｍｏｌ）と、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサン（ＢＰＴＭＣ)３．７０ｋｇ（１
２ｍｏｌ）およびハイドロサルファイト５０ｇを加え溶
解した。これに、メチレンクロライド３６リットル加え
攪拌し、溶液温度を１５℃に保持し、ホスゲン５ｋｇを
６０分を要して吹き込んだ。吹き込み終了後、ｐ−ｔ−
ブチルフェノール０．３９ｋｇ（２．６ｍｏｌ）を加え
激しく攪拌して、反応液を乳化させ、乳化後２０ｍｌの
トリエチルアミンを加え、約１時間攪拌し重合させた。
重合液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和
し、洗液のｐＨを中性になるまで純水で水洗を繰り返し
た後、０．５μｍフィルターにて有機相を濾過した。有
機相にイソプロパノール４７リットルを加え、重合物を
沈澱させた。沈澱物を濾過後、クリーン乾燥機にて乾燥
し粉末状重合体を得た。この重合体は、塩化メチレンを
溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液の温度２０℃にお
ける極限粘度［η］は０．３５ｄｌ／ｇであった。
【００２７】得られた上記重合体を赤外線吸収スペクト
ルより分析した結果、１７７０ｃｍ-1付近にカルボニル
基による吸収、１２４０ｃｍ-1付近にエーテル結合によ
る吸収が認められ、カーボネート結合を有することが確
認された。また、３６５０〜３２００ｃｍ-1位置に水酸
基由来の吸収はほとんど認められなかった。吸光光度法
による残存フェノール性ＯＨ量は１５０ｐｐｍであっ
た。ＧＰＣによるモノマー分析の結果、ＢＰＡ及びＢＰ
ＴＭＣのいずれも２０ｐｐｍ以下であった。この重合体
は末端にｐ−ｔ−ブチルフェノールを有し、下記構造か
らなるポリカーボネート重合体と判断される。
ルより分析した結果、１７７０ｃｍ-1付近にカルボニル
基による吸収、１２４０ｃｍ-1付近にエーテル結合によ
る吸収が認められ、カーボネート結合を有することが確
認された。また、３６５０〜３２００ｃｍ-1位置に水酸
基由来の吸収はほとんど認められなかった。吸光光度法
による残存フェノール性ＯＨ量は１５０ｐｐｍであっ
た。ＧＰＣによるモノマー分析の結果、ＢＰＡ及びＢＰ
ＴＭＣのいずれも２０ｐｐｍ以下であった。この重合体
は末端にｐ−ｔ−ブチルフェノールを有し、下記構造か
らなるポリカーボネート重合体と判断される。
【００２８】
【化６】
【００２９】合成例２
合成例１のＢＰＴＭＣの代わりに、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ＢＰＺ）３．１
９ｋｇ（１２ｍｏｌ）を用いた以外は、合成例１と同様
に行った。 得られた重合体の極限粘度［η］は０．３
６ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等よりこの重合
体は末端にｐ−ｔ−ブチルフェノールを有し、下記構造
からなるポリカーボネート重合体と認められる。
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ＢＰＺ）３．１
９ｋｇ（１２ｍｏｌ）を用いた以外は、合成例１と同様
に行った。 得られた重合体の極限粘度［η］は０．３
６ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等よりこの重合
体は末端にｐ−ｔ−ブチルフェノールを有し、下記構造
からなるポリカーボネート重合体と認められる。
【００３０】
【化７】
【００３１】合成例３
ＢＰＡを７．２９ｋｇ（３２ｍｏｌ）、ＢＰＴＭＣを
２．４６ｋｇ（８ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１と
同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は０．
３４ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重合度
以外は合成例１と同等の構造を有するポリカーボネート
重合体と認められる。
２．４６ｋｇ（８ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１と
同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は０．
３４ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重合度
以外は合成例１と同等の構造を有するポリカーボネート
重合体と認められる。
【００３２】合成例４
ＢＰＡを８．２１ｋｇ（３６ｍｏｌ）、ＢＰＴＭＣを
１．２３ｋｇ（４ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１と
同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は０．
３４ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重合比
以外は合成例１と同等の構造を有するポリカーボネート
重合体と認められる。
１．２３ｋｇ（４ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１と
同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は０．
３４ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重合比
以外は合成例１と同等の構造を有するポリカーボネート
重合体と認められる。
【００３３】合成例５
ＢＰＡを８．６６ｋｇ（３８ｍｏｌ）、ＢＰＴＭＣを
０．６２ｋｇ（２ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１と
同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は０．
３６ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重合比
が異なる以外は合成例１と同等の構造を有するポリカー
ボネート重合体と認められる。
０．６２ｋｇ（２ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１と
同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は０．
３６ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重合比
が異なる以外は合成例１と同等の構造を有するポリカー
ボネート重合体と認められる。
【００３４】合成例６
ＢＰＡを５．９３ｋｇ（２６ｍｏｌ）、ＢＰＴＭＣを
４．２４ｋｇ（１４ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１
と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は
０．３７ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重
合比が異なる以外は合成例１と同等の構造を有するポリ
カーボネート重合体と認められる。
４．２４ｋｇ（１４ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１
と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は
０．３７ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分析等より重
合比が異なる以外は合成例１と同等の構造を有するポリ
カーボネート重合体と認められる。
【００３５】合成例７
合成例１のＰＴＢＰの代わりに、ｐ−ヒドロキシ安息香
酸ブチルを０．５０ｋｇ（２．６ｍｏｌ）を用いた以外
は、合成例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘
度［η］は０．３７ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分
析等よりこの重合体は下記構造を有するポリカーボネー
ト重合体と認められる。
酸ブチルを０．５０ｋｇ（２．６ｍｏｌ）を用いた以外
は、合成例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘
度［η］は０．３７ｄｌ／ｇで、赤外吸収スペクトル分
析等よりこの重合体は下記構造を有するポリカーボネー
ト重合体と認められる。
【００３６】
【化８】
【００３７】合成例８
ＢＰＡを５．０２ｋｇ（２２ｍｏｌ）、ＢＰＴＭＣを
５．５４ｋｇ（１８ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１
と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は
０．３６ｄｌ／ｇ で、赤外吸収スペクトル分析等より
重合比が異なる以外は合成例１と同等の構造を有するポ
リカーボネート重合体と認められる。
５．５４ｋｇ（１８ｍｏｌ）に変更した以外は合成例１
と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は
０．３６ｄｌ／ｇ で、赤外吸収スペクトル分析等より
重合比が異なる以外は合成例１と同等の構造を有するポ
リカーボネート重合体と認められる。
【００３８】合成例９
ＢＰＴＭＣを用いず、ＢＰＡを９．１２ｋｇ（４０ｍｏ
ｌ）に変更し、ｐ−ｔ−ブチルフェノールの代わりにｐ
−ヘプタデカニルフェノール０．８６ｋｇ（２．６ｍｏ
ｌ）に変更した以外は実施例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は０．３７ｄｌ／ｇで、赤外
吸収スペクトル分析等より下記構造のポリカーボネート
重合体と認められる。
ｌ）に変更し、ｐ−ｔ−ブチルフェノールの代わりにｐ
−ヘプタデカニルフェノール０．８６ｋｇ（２．６ｍｏ
ｌ）に変更した以外は実施例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は０．３７ｄｌ／ｇで、赤外
吸収スペクトル分析等より下記構造のポリカーボネート
重合体と認められる。
【００３９】
【化９】
【００４０】参考例１
合成例１で得たポリカーボネート粉末に市販ビーズワッ
クス１０００ｐｐｍを添加し、５０μｍポリマーフィル
ターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて２９０℃で
押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレットを
樹脂温度３２０℃と３５０℃で、金型温度１００℃、及
び射出圧３００Ｋｇ／ｃｍ2の条件で、外径１２０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放
置後の３０℃斜め入射時の複屈折を測定した。また、押
出ペレットについてガラス転移温度（Ｔｇ）を測定し、
耐熱性の目安とした。
クス１０００ｐｐｍを添加し、５０μｍポリマーフィル
ターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて２９０℃で
押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレットを
樹脂温度３２０℃と３５０℃で、金型温度１００℃、及
び射出圧３００Ｋｇ／ｃｍ2の条件で、外径１２０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放
置後の３０℃斜め入射時の複屈折を測定した。また、押
出ペレットについてガラス転移温度（Ｔｇ）を測定し、
耐熱性の目安とした。
【００４１】実施例１
合成例２で得たポリカーボネート粉末を用いて、参考例
１と同様の試験を行った。
１と同様の試験を行った。
【００４２】参考例２
合成例３で得たポリカーボネート粉末を用いて、参考例
１と同様の試験を行った。
１と同様の試験を行った。
【００４３】実施例２〜３ 合成例４〜５
で得たポリカーボネート粉末を用いて、参
考例１と同様の試験を行った。
考例１と同様の試験を行った。
【００４４】参考例３〜４
合成例６〜７で得たポリカーボネート粉末を用いて、参
考例１と同様の試験を行った。
考例１と同様の試験を行った。
【００４５】比較例１
合成例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用ＢＰＡ型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製
ユーピロンＨ−４０００、［η］＝０．３５ｄｌ／ｇ）
を用いて参考例１と同様の試験を行った。
体用ＢＰＡ型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製
ユーピロンＨ−４０００、［η］＝０．３５ｄｌ／ｇ）
を用いて参考例１と同様の試験を行った。
【００４６】比較例２
合成例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用ポリカーボネート・ポリスチレン共重合体（三菱瓦
斯化学（株）製ユーピロンＯＤＸ、［η］＝１．０８ｄ
ｌ／ｇ）を用いて参考例１と同様の試験を行った。
体用ポリカーボネート・ポリスチレン共重合体（三菱瓦
斯化学（株）製ユーピロンＯＤＸ、［η］＝１．０８ｄ
ｌ／ｇ）を用いて参考例１と同様の試験を行った。
【００４７】比較例３
合成例９で得られたポリカーボネート粉末を用いて、参
考例１と同様の試験を行った。
考例１と同様の試験を行った。
【００４８】比較例４
合成例８で得られたポリカーボネート粉末を用いて、参
考例１と同様の試験を行った。
考例１と同様の試験を行った。
【００４９】実施例１〜３、参考例１〜４、比較例１〜
４までの試験結果を表１に示した。なお、表中、複屈折
は、（株）溝尻光学工業製、自動エリプソメーターによ
り測定した。測定波長６３２．８ｎｍ。ガラス転移温度
は、島津製作所（株）製ＤＳＣにより測定。（Ａ）成分
は、一般式（Ａ）構造単位の全構成単位に対する割合
（ｍｏｌ％）
４までの試験結果を表１に示した。なお、表中、複屈折
は、（株）溝尻光学工業製、自動エリプソメーターによ
り測定した。測定波長６３２．８ｎｍ。ガラス転移温度
は、島津製作所（株）製ＤＳＣにより測定。（Ａ）成分
は、一般式（Ａ）構造単位の全構成単位に対する割合
（ｍｏｌ％）
【００５０】
【発明の効果】本発明より、優れた耐熱性と低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。
【００５１】
【表１】
Claims (3)
- 【請求項１】 置換されたシクロヘキサン構造を有する
下記一般式（Ａ）および下記式（Ｂ）で表される構造単
位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構成単位中５〜
４０ｍｏｌ％（但し、一般式（Ａ）が１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンから誘導される場合は、２０ｍｏｌ％以上を
含む場合を除く。）であり、かつ極限粘度が０．３０〜
０．５０ｄｌ／ｇであるポリカーボネートからなる光記
録媒体用成形材料。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１
〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素
数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、または炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これ
らの基の炭素は炭素数１〜５のアルキル基もしくはアル
ケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハロゲン原
子、またはポリジメチルシロキシ基で置換されていても
よい。）【化２】 - 【請求項２】 一般式（Ａ）の構造単位が全構成単位中
１０〜３０ｍｏｌ％（但し、一般式（Ａ）が１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサンから誘導される場合は、２０ｍｏｌ％
以上を含む場合を除く。）である請求項１記載の光記録
媒体用成形材料。 - 【請求項３】 一般式（Ａ）が１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ー３，３，５ートリメチルシクロヘキ
サンまたは１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサンから誘導された、請求項１または請求項２
記載の光記録媒体用成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17497495A JP3525963B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 光記録媒体用成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17497495A JP3525963B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 光記録媒体用成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925339A JPH0925339A (ja) | 1997-01-28 |
| JP3525963B2 true JP3525963B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=15988007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17497495A Expired - Fee Related JP3525963B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 光記録媒体用成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3525963B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE19859050A1 (de) * | 1998-12-21 | 2000-06-29 | Bayer Ag | Neue Polymergemische mit Entformungsmitteln |
| DE19962016A1 (de) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Bayer Ag | Oligomere Bischlorkohlensäureester aus ausgewählten cycloaliphatischen Bisphenolen und anderen Bisphenolen |
| DE19952851A1 (de) * | 1999-11-03 | 2001-05-10 | Bayer Ag | Polycarbonat-Substrate |
| JP4629186B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2011-02-09 | 株式会社カネカ | 光線透過性フィルム |
| JP2003034718A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Mitsui Chemicals Inc | ポリカーボネート共重合体およびその用途 |
| DE102010014726A1 (de) * | 2010-04-13 | 2011-10-13 | Bayer Materialscience Ag | Polycarbonatzusammensetzungen mit verbesserten optischen und thermischen Eigenschaften |
| TWI693244B (zh) * | 2015-01-20 | 2020-05-11 | 德商科思創德意志股份有限公司 | 藉由轉酯化方法製備高耐熱之［共］聚碳酸酯 |
| US20200407498A1 (en) * | 2018-03-02 | 2020-12-31 | Teijin Limited | Polycarbonate having electro-optic effect, method for producing same, and light control element which uses said polycarbonate |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP17497495A patent/JP3525963B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0925339A (ja) | 1997-01-28 |
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