JP2002539323A

JP2002539323A - 脂環式ビスフェノールから誘導されるポリカーボネート

Info

Publication number: JP2002539323A
Application number: JP2000606005A
Authority: JP
Inventors: デービス，ゲーリー・チャールズ
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1999-03-18
Filing date: 2000-02-07
Publication date: 2002-11-19
Also published as: DE60027884T2; EP1169703A1; EP1169703B1; DE60027884D1; ATE326050T1; US6060577A; WO2000055851A1

Abstract

(57)【要約】本発明は、脂環式ビスフェノール又は脂環式ビスフェノール誘導体由来の残基を含有するポリカーボネート、並びにかかるポリカーボネートから成形した光学製品に関する。ポリカーボネートは光情報記録媒体での使用に適した特性を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、光学製品に使用するのに適したポリカーボネート及びかかるポリカ
ーボネートの製造方法に関する。本発明は、さらに、光学製品並びにポリカーボ
ネートから光学製品を製造する方法に関する。本発明のポリカーボネートは脂環
式ビスフェノール又は脂環式ビスフェノール誘導体由来の残基を含む。

【０００２】

【発明の技術的背景】

ポリカーボネートその他のポリマー材料はコンパクトディスクなどの光情報記
録媒体に利用されている。光情報記録媒体では、ポリカーボネート樹脂が透明性
、低い親水性、良好な加工性、良好な耐熱性及び低い複屈折などの良好な性能特
性を有することが極めて重要である。高い複屈折は高密度光情報記録媒体では特
に望ましくない。

【０００３】情報記憶密度の向上を始めとする光情報記録媒体の改良が極めて望ましく、か
かる改良が達成されると、読取り専用（ｒｅａｄｏｎｌｙ）ディスク、追記型
（ｗｒｉｔｅｏｎｃｅ）ディスク、書換型（ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）ディスク
、デジタル・バーサタイル・ディスク及び光磁気（ＭＯ）ディスクのような既存
の最新コンピューター技術が改良されると期待される。

【０００４】ＣＤ−ＲＯＭ技術の場合、読取られる情報はビスフェノールＡ（ＢＰＡ）ポリ
カーボネートのような成形可能な透明プラスチック材料に直接刻まれる。情報は
ポリマー表面にエンボス加工した浅い窪み（ピット）の形態で記憶される。表面
は反射性金属膜でコートされ、窪みの位置と長さで表されたデジタル情報は低出
力（５ｍＷ）集束レーザービームで光学的に読取られる。ユーザーはディスクか
ら情報（デジタルデータ）を引き出すことだけができ、データの変更又は追加は
一切できない。すなわち、「読出し」は可能であるが、情報の「書込み」や「消
去」はできない。

【０００５】ＷＯＲＭドライブの動作原理は、集束レーザービーム（２０〜４０ｍＷ）を用
いてディスクの薄膜に恒久的な跡を付けることである。情報は、例えば反射率や
吸光度のようなディスクの光学的性質の変化として読出される。こうした変化は
様々な形態をとることができ、「ホールバーニング」は蒸発、溶融又は剥離（レ
ーザーアブレーションとも呼ばれる。）による材料（通常はテルルの薄膜）の除
去であり、バブル又はピット形成は表面（通常は金属反射体のポリマーオーバー
コート）の変形を伴う。

【０００６】ＣＤ−ＲＯＭ及びＷＯＲＭフォーマットは成功裡に開発され、特定の用途には
十分適しているが、コンピューター産業では消去可能な光記憶媒体（ＥＯＤ）に
関心が集中している。ＥＯＤには、相変化型（ＰＣ）と光磁気型（ＭＯ）の２つ
のタイプがある。ＭＯ記憶では、１ビットの情報は、磁化の増減した直径約１μ
ｍの磁区として記憶される。情報は、磁性膜表面から反射された光の平面偏光の
回転をモニターすることで読出しできる。この回転は、磁気光学カー効果（ＭＯ
ＫＥ）と呼ばれ、通例０．５度未満である。ＭＯ記憶用の材料は一般に希土類及
び遷移金属の非晶質合金である。

【０００７】非晶質材料は、「グレインノイズ」（つまり多結晶質薄膜における結晶粒のラ
ンダムな配向に起因する反射光の偏向面の擬似バラツキ）がないので、ＭＯ記憶
で極めて有利である。ビットの書込みは磁場の存在下でキュリー点Ｔｃ以上に加
熱・冷却することで行われ、このプロセスは熱磁気書込みとして知られる。相変
化材料では、情報は、通例非晶質と結晶質の相状態の異なる領域に記憶される。
これらの薄膜は通常、溶融と急冷とで非晶質状態に急冷できるテルルの合金又は
化合物である。薄膜は最初は結晶化温度以上に加熱することで結晶化している。
大半の材料では、結晶化温度はガラス転移温度に近い。薄膜を短い高出力集束レ
ーザーパルスで加熱すると、薄膜を溶融して非晶質状態に急冷することができる
。非晶質スポットはデジタル「１」すなわち１ビットの情報を表すことができる
。情報の読出しは、同じレーザーを低出力に設定してスキャンし、反射率をモニ
ターすることによって行われる。

【０００８】ＷＯＲＭ及びＥＯＤ技術の場合、記録層は透明な非干渉性シールド層で環境か
ら隔てられる。かかる「リードスルー」光情報記憶用途に選択される材料は、成
形性、延性、一般の使用に適した丈夫さ、高温又は高湿度に曝されたときの変形
耐性など個々の物性又はその組合せに卓越していなければならない。かかる材料
は、記憶デバイスから情報を取り出したり追加したりする際に媒体を通過するレ
ーザー光との干渉が最小限であるべきである。

【０００９】デジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）や短期又は長期情報保管用の高
密度データディスクのような新技術に適合すべく光情報記録媒体における情報記
憶密度の増大に伴って、光情報記憶デバイスの透明プラスチック成分に対する設
計要件は次第に厳しくなっている。こうした多くの用途では、従前使用されてい
たＢＰＡポリカーボネート材料のようなポリカーボネート材料は適していない。
次第に短波長化しつつある現在及び将来の「読出し・書込み」波長で低い複屈折
を示す材料が、光情報記憶デバイス分野における多大な努力の目標である。

【００１０】低い複屈折だけで光情報記録媒体用の材料の設計要件のすべてが満たされるわ
けではなく、高い透明性、耐熱性、低い吸水率、延性、高純度、及び不均質性又
は微粒子が少ないことも必要とされる。現在使われている材料はこれらの特性の
１以上に欠けることが分かっており、光情報記録媒体で情報記憶密度を高めるに
は新しい材料が必要である。加えて、光学的性質の改良された新材料はレンズ、
回折格子、ビームスプリッターなどの他の光学製品の生産にも広い有用性をもつ
と期待される。

【００１１】ポリマー材料から成形した製品の複屈折は成分ポリマー鎖の配向及び変形に関
連している。複屈折には、ポリマー材料の構造及び物性、ポリマー材料の分子配
向の程度、及び加工ポリマー材料の熱応力を始めとする幾つかの原因がある。例
えば、成形光学製品の複屈折は、そのポリマー成分の分子構造と、熱応力及びポ
リマー鎖の配向を生じる可能性のある加工条件（例えば金型充填及び冷却時に加
わる力）とによってある程度決まる。

【００１２】そこで、ディスクで観察される複屈折は、固有の複屈折を左右する分子構造と
、熱応力及びポリマー鎖の配向を生じる可能性のある加工条件とで決まる。具体
的には、観測される複屈折は典型的には固有の複屈折に加えて光ディスクなどの
製品の成形時に導入された複屈折の関数である。光ディスクで観察される複屈折
は、通例、以下で詳しく説明する「垂直複屈折」（ＶＢＲともいう。）と呼ばれ
る測定を用いて定量化される。

【００１３】成形光情報記憶ディスクのような成形光学製品用の材料の適性に関する二つの
有用な判断基準は、その材料の溶融状態における応力光学係数（Ｃ_m）と、ガラ
ス状態における応力光学係数（Ｃ_g）である。Ｃ_m、Ｃ_g及び複屈折の関係は以下
の通り表すことができる。 Δｎ＝Ｃ_m×Δσ_m （１） Δｎ＝Ｃ_g×Δσ_g （２）式中、Δｎは複屈折の測定値であり、Δσ_m及びΔσ_gはそれぞれ溶融状態及びガ
ラス状態で加わえられた応力である。応力光学係数Ｃ_m及びＣ_gは、材料について
、金型充填時の配向と変形及び成形品冷却時の応力による複屈折の誘起し易さの
尺度である。

【００１４】応力光学係数Ｃ_m及びＣ_gは一般的な材料選別手段として有用であり、成形品の
垂直複屈折（ＶＢＲ）の予想にも用いることができる。垂直複屈折（ＶＢＲ）は
所与の材料を成形光学製品に旨く使用できるか否かにとって極めて重要な量であ
る。成形光ディスクでは、ＶＢＲは次の通り定義される。ＶＢＲ＝（ｎ_r−ｎ_z）＝Δｎ_rz （３）式中、ｎ_r及びｎ_zはディスクの円柱軸ｒ及びｚに沿った屈折率であり、ｎ_rは半
径方向に偏光した光ビームで観察される屈折率であり、ｎ_zはディスク平面に垂
直に偏光した光に対する屈折率である。ＶＢＲはデフォーカス限界（defocusing
margin）を支配しており、ＶＢＲの低減は、機械的補正の不可能な諸問題の軽
減につながる。

【００１５】光学製品用の改良材料を探索するに当たり、Ｃ_m及びＣ_gが特に有用である。こ
れらは材料の必要量が少なく、非制御測定パラメーター又はサンプル調製法によ
る影響が少ないのに対し、ＶＢＲの測定には格段に多量の材料が必要とされ、成
形条件によって左右されるからである。一般に、Ｃ_g及びＣ_mの低い材料はＣ_g及
びＣ_mの高い材料に比べて光情報記憶用途におけるＶＢＲなどの性能特性が向上
することが判明した。したがって、改善された光学品質の開発を目指した研究で
は、かかる用途に対する候補を評価するとともに既に発見されている材料と比較
するためにＣ_g及びＣ_mの測定が広く使われている。

【００１６】高い記憶密度が必要とされる用途では、光学製品の製造に用いたポリマー材料
の低複屈折及び低吸水率という性質が一段と重要性を増す。高記憶密度化を達成
するには、コンパクトディスクのような光学製品をレーザービームが通過すると
きの干渉が最小限となるように低い複屈折が必要とされる。

【００１７】高情報記憶密度用途に必要とされる別の重要な特性はディスクの平面度である
。吸湿性が高すぎるとディスクが歪み、転じて信頼性の低下につながることが知
られている。ディスクの大部分はポリマー材料からなるので、ディスクの平面度
はポリマー材料の吸水性の低さに依存する。射出成形での高品質ディスクの生産
には、ポリカーボネートなどのポリマーが容易に加工できなければならない。

【００１８】米国特許第４９５０７３１号には、ビスフェノールＡとＳＢＩから誘導された
ポリカーボネート材料或いは光学材料での使用が開示されている。ビスフェノー
ルＡポリカーボネートは溶融相での応力光学係数（Ｃ_m）が高く、ガラス状態で
の応力光学係数（Ｃ_g）が高いが、これを、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，
３′，３′−テトラメチルスピロビインダン（ＳＢＩ）（そのホモポリカーボネ
ートは負のＣ_m値を有する。）を組み込んで緩和している。ＢＰＡとＳＢＩから
製造されたコポリカーボネートの溶融状態での応力光学係数（Ｃ_m）は零又は零
に近いことが示されている。しかし、かかるコポリマーは、ビスフェノールＡポ
リカーボネートのような加工性に欠け、しかも親水性が高い。

【００１９】米国特許第５１３２１５４号には、光学用途用ポリカーボネート混合物が開示
されている。そのポリカーボネート樹脂は、脂環式環構造を有し該環構造の少な
くとも一部がアルキル基で置換されたビスフェノールを含む単位を含んでなる。
かかるポリマーは本発明の対象ではない。

【００２０】特開平３−２３７１３０号公報には、光学材料用のポリエーテル樹脂が開示さ
れている。その開示内容はポリエーテル樹脂に関するもので、ポリカーボネート
樹脂に関するものではない（第４頁最下行参照）。

【００２１】特開平４−４１５２４号公報には、光学材料用のポリエステルカーボネートが
開示されている。このポリエステルカーボネート樹脂はフタル酸から誘導された
単位を含んでいる。かかるポリマーは本発明の対象ではない。

【００２２】特開平３−２２１５２３号公報には、二価フェノール化合物とジハロゲン化合
物との反応で得られる、光学製品用のポリホルマール樹脂が開示されている。こ
の文献は第４頁に記載の通りポリカーボネート樹脂に関するものではなく、第４
頁第８〜１１行に記載の通りポリカーボネート樹脂を高い複屈折を示すものとし
て特徴付けている。

【００２３】特開平３−１６２４１３号公報には、光学材料用のポリマーが開示されている
。このポリマーはスピロビクロマンの残基を含んでいる。かかるポリマーは本発
明の対象ではない。

【００２４】特開平１０−１７６０４６号には、２，２−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４
−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−ｎ−ブタン残基を含む光学製品用のポリ
カーボネートコポリマーが開示されている。かかるポリマーは本発明の対象では
ない。

【００２５】特開平４−３４５６１６号公報には、ＢＰＡその他の芳香族ヒドロキシ化合物
とＳＢＩとからなり、光記録媒体に使用できるポリカーボネートが開示されてい
る。

【００２６】特開平９−６０２３号公報には、ホトレジスト用の耐摩耗性及び亀裂耐性を有
するコポリマーバインダーが開示されている。光学製品での使用に適した複屈折
その他の特性を有する光学材料も、これらの光学材料から製造された光学製品も
開示されていない。

【００２７】特公平０６−５２５８５号公報には、光学材料に使用できるコポリマーが開示
されている。出発原料には、１，１−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサンのようなビスフェノールを配合し得る。

【００２８】米国特許第５８５８８３３号及び欧州特許第０８４６７１１号には、６−ヒド
ロキシ−１−（４′−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン
（ＣＤ−１）から誘導された単位を有するヒドロキシフェニルインダノールから
誘導された光ディスクグレードのコポリエステルカーボネートが開示されている
。

【００２９】米国特許第４３０４８９９号及び欧州特許第００１６１６７号には、改良され
たバリヤー特性を有するポリカーボネート組成物が開示されている。光媒体用の
組成物は開示も教示もされていない。

【００３０】米国特許第５４２４３８９号には、光学用途用のビスフェノールＡとＳＢＩの
コポリマーが開示されている。かかるコポリマーは本発明の対象ではない。

【００３１】米国特許第５６３３０６０号には、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢＰＩ）から誘導された光ディスク
基板が開示されている。また、このポリカーボネートは、４，４′−（ｍ−フェ
ニレンジイソプロピリデン）ジフェノール及び／又は２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパンから誘導された単位を含むことがある。Ｂ
ＰＩ系ポリカーボネートは本発明の対象ではない。

【００３２】良好な光学的性質と良好な加工性を有し、高密度光記録媒体での使用に適した
組成物に対するニーズが存在する。ビスフェノールＡのような上述の芳香族ジヒ
ドロキシ化合物とＳＢＩのような他のモノマーとの共重合で製造したポリカーボ
ネートでは、妥当な複屈折を得ることができるが、ガラス転移温度が高すぎて加
工特性に劣ることが多い。そのため、得られる成形品は耐衝撃性が低い。さらに
、かかるポリカーボネートの吸水性は高密度用途には向かない。

【００３３】

【発明の概要】

本発明はこれらの問題を解決し、さらに驚くべき特性を提供する。本発明の上
記その他の目的は、以下の説明及び特許請求の範囲の記載から一段と明瞭に理解
できよう。

【００３４】一つの態様では、本発明は、（ａ）構造式（Ｉ）のカーボネート構造単位

【００３５】

【化５】

【００３６】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）及び、（ｂ）下記（１）〜（５）からなる群から選択されるカーボネート構造単位（１）式（II）のカーボネート構造単位

【００３７】

【化６】

【００３８】（式中、Ｒ₃、Ｒ₄及びＲ₆は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルを表し、各Ｒ₅は独立にＨ及
びＣ₁〜Ｃ₃アルキルからなる群から選択され、各ｎは独立に０、１及び２からな
る群から選択され、Ｒ₇はＨ又はＣ₁〜Ｃ₅アルキルである。）、（２）式（III）のカーボネート構造単位

【００３９】

【化７】

【００４０】（式中、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₂及びＲ₁₃は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり、Ｒ₁₀及びＲ ₁₁ は独立にＨ又はＣ₁〜Ｃ₅アルキルであり、各Ｒ₁₄は独立にＨ及びＣ₁〜Ｃ₃アル
キルからなる群から選択され、各ｎは独立に０、１及び２からなる群から選択さ
れる。）、（３）式（IV）のカーボネート構造単位

【００４１】

【化８】

【００４２】（式中、Ｒ₁₅は独立にＨ及びＣ₁〜Ｃ₃アルキルからなる群から選択され、Ｒ₁₆及
びＲ₁₇は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキル又はアリールである。）、（４）構造式（II）のカーボネート構造単位及び構造式（III）のカーボネー
ト構造単位、並びに（５）構造式（III）のカーボネート構造単位及び構造式（IV）のカーボネー
ト構造単位を含んでなり、約１２０〜約１８５℃のガラス転移温度及び約０．３３％未満の
吸水率を有する、ポリカーボネートに関する。

【００４３】本発明は、さらに、これらのポリカーボネートの製造方法、これらのポリカー
ボネートから製造された光学製品、及びこれらのポリカーボネートから光学製品
を製造する方法に関する。

【００４４】別の態様では、本発明は、（１）式（Ｉ）

【００４５】

【化９】

【００４６】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）の構造単位を含むポリカーボネート９０〜１００重量％、及び（２）別の添加剤０〜１０重量％を含んでなる光学製品であって、式（Ｉ）の構造単位がポリカーボネートの９０
〜１００モル％をなし、ポリカーボネートが約１２０〜約１８５℃のガラス転移
温度と約０．３３％未満の吸水率を有する、光学製品に関する。

【００４７】本発明はさらにこれらの組成物から光学製品を製造する方法にも関する。本発
明の一実施形態では、構造式（Ｉ）は１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）であり、別の実施形態では、ポリカーボ
ネートはＢＣＣのホモポリカーボネートである。

【００４８】

【発明の実施の形態】

本発明は、本発明の好ましい実施形態及びその実施例に関する以下の詳しい説
明を参照することでより容易に理解されるであろう。

【００４９】本発明の組成物及び方法の開示に先だって、本発明は特定の合成法又は特定の
配合に限定されるものではなく、様々な変更が可能であることを理解すべきであ
る。また、本明細書中で用いる用語は具体的な実施形態を説明するためのもので
あり、限定する意図はないものと理解されたい。

【００５０】本明細書及び特許請求の範囲では多くの用語を用いるが、以下の意味で定義さ
れるものである。

【００５１】単数形で表したものも、特に前後関係から明らかでない限り、複数の場合も含
めて意味する。

【００５２】「任意」又は「任意には」という用語は、その用語に続いて記載された事象又
は状況が起きても起きなくてもよいことを意味しており、かかる記載はその事象
又は状況が起きた場合と起こらない場合を包含する。

【００５３】本明細書中「ＢＰＡ」は、ビスフェノールＡつまり２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンと定義される。

【００５４】本明細書中「ＳＢＩ」は、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テ
トラメチルスピロビインダンと定義される。

【００５５】本明細書中「ＢＣＣ」は、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）シクロヘキサンと定義される。

【００５６】本明細書中「ＣＤ−１」は、６−ヒドロキシ−１−（４′−ヒドロキシフェニ
ル）−１，３，３−トリメチルインダンと定義される。

【００５７】「Ｃ_g」は、ブリュースター（１０^-13ｃｍ²／ダイン）単位で測定される、ガ
ラス状態のポリマー材料の応力光学係数である。

【００５８】「Ｃ_m」は、ブリュースター（１０^-13ｃｍ²／ダイン）単位で測定される、溶
融相での応力光学係数である。

【００５９】本明細書中「ポリカーボネート」は、コポリカーボネート、ホモポリカーボネ
ート及び（コ）ポリエステルカーボネートを包含する。

【００６０】本明細書中「光学製品」は、光ディスク及び光情報記録媒体、例えばコンパク
トディスク（ＣＤオーディオ又はＣＤ−ＲＯＭ）、ＤＶＤ（ＲＯＭ、ＲＡＭ、書
換型）としても知られるデジタル・バーサタイル・ディスク、光磁気（ＭＯ）デ
ィスクなど、光学レンズ、例えばコンタクトレンズ、眼鏡用レンズ、望遠鏡用レ
ンズ、及びプリズム、光ファイバー、情報記録媒体、情報転送媒体、高密度情報
記憶媒体、ビデオカメラ用ディスク、スチルカメラ用ディスクなど、並びに光学
記録材料が貼り付けられた基材を包含する。光学製品の製造材料としての用途に
加えて、ポリカーボネートはフィルムやシートの原料としても使用できる。

【００６１】特記しない限り、本明細書中でポリカーボネートの組成に関して「モル％」と
いうときは、ポリカーボネートの繰返し単位１００モル％を基準としたものであ
る。例えば、「９０モル％のＢＣＣを含むポリカーボネート」とは、繰返し単位
の９０モル％がＢＣＣジフェノール又はその対応誘導体から誘導された残基であ
るポリカーボネートをいう。対応誘導体としては、ジフェノールのオリゴマー、
ジフェノールのエステル及びそのオリゴマー、並びにジフェノールのクロロホル
メート及びそのオリゴマーが挙げられるが、これらに限定されない。

【００６２】ポリカーボネートの構成成分について用いる「残基」及び「構造単位」という
用語は本明細書全体を通して同義である。

【００６３】本明細書中で文献を引用した場合、その開示内容はすべて、本発明の属する技
術分野の技術水準を十分に説明するため、援用によって本明細書に取り込まれる
。

【００６４】Ｉ．光学製品での使用に適したポリカーボネート上述の通り、一つの態様では、本発明はポリカーボネート及びポリカーボネー
トの製造方法に関するが、当該ポリカーボネートは下記（ａ）及び（ｂ）を含ん
でなり、約１２０〜約１８５℃のガラス転移温度と約０．３３％未満の吸水率を
有する。（ａ）構造式（Ｉ）のカーボネート構造単位

【００６５】

【化１０】

【００６６】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）、及び（ｂ）下記（１）〜（５）からなる群から選択されるカーボネート構造単位（１）式（II）のカーボネート構造単位

【００６７】

【化１１】

【００６８】（式中、Ｒ₃、Ｒ₄及びＲ₆は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルを表し、各Ｒ₅は独立にＨ及
びＣ₁〜Ｃ₃アルキルからなる群から選択され、各ｎは独立に０、１及び２からな
る群から選択され、Ｒ₇はＨ又はＣ₁〜Ｃ₅アルキルである。）、（２）式（III）のカーボネート構造単位

【００６９】

【化１２】

【００７０】（式中、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₂及びＲ₁₃は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり、Ｒ₁₀及びＲ ₁₁ は独立にＨ又はＣ₁〜Ｃ₅アルキルであり、各Ｒ₁₄は独立にＨ及びＣ₁〜Ｃ₃アル
キルからなる群から選択され、各ｎは独立に０、１及び２からなる群から選択さ
れる。）、（３）式（IV）のカーボネート構造単位

【００７１】

【化１３】

【００７２】（式中、Ｒ₁₅は独立にＨ及びＣ₁〜Ｃ₃アルキルからなる群から選択され、Ｒ₁₆及
びＲ₁₇は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキル又はアリールである。）、（４）構造式（II）のカーボネート構造単位及び構造式（III）のカーボネー
ト構造単位、並びに（５）構造式（III）のカーボネート構造単位及び構造式（IV）のカーボネー
ト構造単位。

【００７３】本発明は上述の加工性及び吸水性の問題を解決し、良好な加工性及び低い吸水
率を有する組成物を提供する。本組成物はさらに、良好な光学的性質及び適当な
ガラス転移温度を有し、光学製品での使用に適したポリカーボネートを提供する
。適当なガラス転移温度は適度な加工性（例えば良好な成形特性）を与えるのに
必要とされる。

【００７４】さらに、本出願人は、本明細書で開示したカーボネート構造単位を含むポリカ
ーボネートが情報記憶密度の高い光媒体での使用に適していることを見出した。
特に、本発明のポリカーボネートは良好な透明性、低い吸水性、妥当な応力光学
係数、良好な加工性及び良好な熱安定性を有する。

【００７５】本出願人は、さらに、意外なことに、以下の構造式（Ｉ）の単位を服でなるポ
リカーボネートが低い親水性を示し、かつ意外にも低いＣ_g値、特に約６０ブリ
ュースター未満のＣ_g値を有することも見出した。

【００７６】

【化１４】

【００７７】式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として、
Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を表
し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数であ
る。式Ｉの構造単位は３位又は３′位で少なくとも１つのＲ₁又はＲ₂で置換され
ていることが極めて重要である。次式に示す通り、ｎ及びｐが１に等しく、Ｒ₁
及びＲ₂がそれぞれ３位と３′位に存在しているのが好ましい。

【００７８】

【化１５】

【００７９】Ｒ₁及びＲ₂は好ましくはＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₃ア
ルキルであり、さらに一段と好ましくはＣＨ₃である。ポリカーボネートは、光
学用途での使用に妥当な低吸水率を達成すべく構造Ｉの単位を約３０モル％以上
含むべきである。かかるポリカーボネートは妥当なＣ_m値、すなわち約３０００
ブリュースター未満のＣ_m値を有することも判明した。

【００８０】本発明では、ポリカーボネートが光媒体での使用に適した他の特性も有するこ
とも重要である。本発明のポリカーボネートは、好ましくは１２０〜約１８５℃
、さらに好ましくは１２５〜１６５℃、さらに一段と好ましくは１３０〜１５０
℃のガラス転移温度を有する。ポリカーボネートの吸水率は好ましくは０．３３
％未満、さらに一段と好ましくは約０．２％未満である。

【００８１】ポリカーボネートの数平均分子量（Ｍ_w）は、ゲルパーミエーションクロマト
グラフィーでポリスチレンを標準として測定して、好ましくは約１００００〜約
１０００００、さらに好ましくは約１００００〜約５００００、さらに一段と好
ましくは約１２０００〜約４００００である。

【００８２】ポリカーボネートは約８５％以上、さらに好ましくは約９０％以上の光透過率
、及び約６０ブリュースター未満、さらに好ましくは５５ブリュースター未満、
さらに一段と好ましくは５０ブリュースター未満のＣ_gを有する。ポリカーボネ
ートは好ましくは約３０００ブリュースター未満、さらに好ましくは約２５００
ブリュースター未満、さらに一段と好ましくは約２４５０ブリュースター未満の
Ｃ_mを有する。

【００８３】個々のポリカーボネートの組成は適当な特性プロフィールが達成される範囲内
で変更し得る。以下の説明では、望ましい実施形態での例示的な範囲を開示する
。

【００８４】成分（ｂ）として構造式（II）を選択する実施形態では、成分（ａ）は好まし
くはポリカーボネートの３０〜９９モル％をなし、さらに好ましくは６０〜９９
モル％をなす。構造式（II）のカーボネート単位は好ましくはポリカーボネート
の１〜７０モル％をなし、さらに好ましくは１〜４０モル％をなす。任意には、
ポリカーボネートは、次の構造式（Ｖ）の構造単位を０．１〜２０モル％含んで
いてもよい。

【００８５】

【化１６】

【００８６】式中、ＺはＣ₁〜Ｃ₄₀枝分れ又は直鎖アルキル或いは枝分れ又は直鎖シクロアル
キルである。

【００８７】成分（ａ）の代表的な単位には、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）シクロヘプタン、及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定さ
れない。ＢＣＣの残基が成分（ａ）として最も好ましい。成分（ｂ）の代表的な
単位には、６−ヒドロキシ−１−（４′−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−
トリメチルインダン（ＣＤ−１）、６−ヒドロキシ−１−（４′−ヒドロキシ−
３′−メチルフェニル）−１，３，３，５−テトラメチルインダンの残基がある
が、これらに限定されない。ＣＤ−１の残基が成分（ｂ）として最も好ましい。

【００８８】構造式（Ｖ）の代表的な単位には、ドデカン二酸、セバシン酸、アジピン酸、
オクタデカン二酸、オクタデス−９−エン二酸、９−カルボキシオクタデカン酸
及び１０−カルボキシオクタデカン酸の残基があるが、これらに限定されない。
ドデカン二酸（ＤＤＤＡ）の残基がさらに好ましい。

【００８９】構造式（III）を成分（ｂ）として選択する実施形態では、成分（ａ）は好ま
しくはポリカーボネートの約３０〜９９モル％をなし、さらに好ましくはポリカ
ーボネートの約６０〜９９モル％をなす。構造式（III）のカーボネート単位は
好ましくはポリカーボネートの約１〜約７０モル％をなし、さらに好ましくはポ
リカーボネートの約１〜約４０モル％をなす。任意には、ポリカーボネートは、
上記で定義した構造式（Ｖ）のカーボネート単位を０．１〜２０モル％含んでい
てもよい。

【００９０】成分（ａ）の代表的な単位には、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）シクロヘプタン、及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定さ
れない。ＢＣＣの残基が成分（ａ）として最も好ましい。成分（ｂ）の代表的な
単位には、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロ
ビインダン（ＳＢＩ）、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，５，３′，３′，５
′−ヘキサメチルスピロビインダン、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，５，７
，３′，３′，５′，７′−オクタメチルスピロビインダン、５，５′−ジエチ
ル−６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロビイン
ダン、及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定されない。ＳＢＩ及び
そのオルトアルキル化同族体の残基が成分（ｂ）として最も好ましい。

【００９１】構造式（Ｖ）の代表的な単位には、ドデカン二酸、セバシン酸、アジピン酸、
オクタデカン二酸、オクタデス−９−エン二酸、９−カルボキシオクタデカン酸
及び１０−カルボキシオクタデカン酸の残基があるが、これらに限定されない。
ドデカン二酸の残基がさらに好ましい。

【００９２】構造式（IV）を成分（ｂ）として選択する実施形態では、成分（ａ）は好まし
くはポリカーボネートの約３０〜９９モル％をなし、さらに好ましくはポリカー
ボネートの６０〜９９モル％をなす。構造式（IV）のカーボネート単位は好まし
くはポリカーボネートの１．０〜７０モル％をなし、さらに好ましくはポリカー
ボネートの１．０〜４０モル％をなす。ただし、成分（ｂ）がＢＰＡ残基だけ（
ポリカーボネート中の繰返し単位（ｂ）１００モル％を基準として１００モル％
）から選択される場合を除く。この場合、ＢＰＡに対応する構造単位はポリカー
ボネートの０．１〜５０モル％をなす。この場合、成分（ａ）がポリカーボネー
トの５０モル％以上をなすのが好ましく、さらに好ましくは成分（ａ）はＢＣＣ
の残基となるように選択する。

【００９３】構造式（IV）を成分（ｂ）として選択し、成分（ｂ）がＢＰＡ残基だけ（すな
わちポリカーボネート中の（ｂ）の繰返し単位１００モル％を基準として１００
モル％）から選択され、ポリカーボネートから成形すべき光学製品が光情報記録
媒体又は３０００以下のＣ_m及び５０ブリュースター以下のＣ_gが必要とされる光
情報記憶デバイスである場合、ポリカーボネートはＢＰＡの残基を２０モル％以
下しか含まないのが特に好ましい。この場合、ポリカーボネートは好ましくは８
０〜８５モル％のＢＣＣと１５〜２０モル％のＢＰＡからなる。一実施形態では
、ポリカーボネートはＢＣＣ残基８０モル％とＢＰＡ残基２０モル％からなる。

【００９４】構造式（IV）を成分（ｂ）として選択する実施形態では、ポリカーボネートは
任意には、上記で定義した構造式（Ｖ）のカーボネート構造単位を０．１〜２０
モル％含んでいてもよい。

【００９５】成分（ａ）の代表的な単位には、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）シクロヘプタン、及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定さ
れない。ＢＣＣの残基が成分（ａ）として好ましい。構造式（IV）を成分（ｂ）
として選択する実施形態では、成分（ｂ）の代表的な単位には、２，２−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＰＡ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、及びこれらの混合物の残基がある
が、これらに限定されない。この実施形態では、ＢＰＡの残基が成分（ｂ）とし
て好ましい。

【００９６】構造式（Ｖ）の代表的な単位には、ドデカン二酸、セバシン酸、アジピン酸、
オクタデカン二酸、オクタデス−９−エン二酸、９−カルボキシオクタデカン酸
及び１０−カルボキシオクタデカン酸の残基があるが、これらに限定されない。
ドデカン二酸の残基がさらに好ましい。

【００９７】構造式（II）と（III）の混合物を成分（ｂ）として選択する実施形態では、
成分（ａ）は好ましくはポリカーボネートの３０〜９９モル％をなし、さらに好
ましくはポリカーボネートの６０〜９９モル％をなす。式（II）と（III）のカ
ーボネート構造単位は好ましくはポリカーボネートの１〜７０モル％をなし、さ
らに好ましくはポリカーボネートの１〜４０モル％をなす。構造単位（II）と（
III）の比は好ましくは１：９９〜９９：１の範囲である。任意には、この実施
形態のポリカーボネートは上記で定義した構造式（Ｖ）を０．１〜２０モル％含
んでいてもよい。

【００９８】成分（ａ）の代表的な単位には、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）シクロヘプタン、及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定さ
れない。ＢＣＣが成分（ａ）として最も好ましい。この実施形態では、成分（ｂ
）の代表的な単位には、６−ヒドロキシ−１−（４′−ヒドロキシフェニル）−
１，３，３−トリメチルインダン（ＣＤ−１）、６−ヒドロキシ−１−（４′−
ヒドロキシ−３′−メチルフェニル）−１，３，３，５−テトラメチルインダン
、並びに６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロビ
インダン（ＳＢＩ）、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，５，３′，３′，５′
−ヘキサメチルスピロビインダン、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，５，７，
３′，３′，５′，７′−オクタメチルスピロビインダン、５，５′−ジエチル
−６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロビインダ
ンがあるが、これらに限定されない。ＣＤ−１及びＳＢＩの残基がそれぞれ構造
式（II）及び（III）として最も好ましい。

【００９９】この実施形態では、構造式（Ｖ）の代表的な単位には、ドデカン二酸、セバシ
ン酸、アジピン酸、オクタデカン二酸、オクタデス−９−エン二酸、９−カルボ
キシオクタデカン酸及び１０−カルボキシオクタデカン酸の残基があるが、これ
らに限定されない。ドデカン二酸の残基がさらに好ましい。

【０１００】構造式（III）と（IV）を成分（ｂ）として選択する実施形態では、成分（ａ
）は好ましくはポリカーボネートの３０〜９９モル％をなし、さらに好ましくは
ポリカーボネートの６０〜９９モル％をなす。式（III）と（IV）のカーボネー
ト構造単位は好ましくはポリカーボネートの１〜７０モル％をなし、さらに好ま
しくはポリカーボネートの１〜４０モル％をなす。構造単位（III）と（IV）の
比は１：９９〜９９：１の範囲であるのが好ましい。任意には、この実施形態の
ポリカーボネートは上記で定義した構造式（Ｖ）を約０．１〜２０モル％含んで
いてもよい。

【０１０１】成分（ａ）の代表的な単位には、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）シクロヘプタン、及びこれらの混合物の残基があるが、これらに限定さ
れない。ＢＣＣの残基が成分（ａ）として最も好ましい。構造式（III）と（IV
）を成分（ｂ）として選択する実施形態では、成分（ｂ）の代表的な単位には、
６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロビインダン
（ＳＢＩ）、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，５，３′，３′，５′−ヘキサ
メチルスピロビインダン、６，６′−ジヒドロキシ−３，３，５，７，３′，３
′，５′，７′−オクタメチルスピロビインダン、５，５′−ジエチル−６，６
′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロビインダンの残基
、並びに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＰＡ）、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、及びこれ
らの混合物の残基があるが、これらに限定されない。ＳＢＩ及びＢＰＡの残基が
それぞれ構造式（III）及び（IV）として最も好ましい。

【０１０２】この実施形態では、構造式（Ｖ）の代表的な単位には、ドデカン二酸、セバシ
ン酸、アジピン酸、オクタデカン二酸、オクタデス−９−エン二酸、９−カルボ
キシオクタデカン酸及び１０−カルボキシオクタデカン酸の残基があるが、これ
らに限定されない。ドデカン二酸の残基がさらに好ましい。

【０１０３】本発明のポリカーボネートは界面法又は溶融法で製造できる。界面法を用いる
場合、各種相間移動触媒の添加は任意である。適当な相間移動触媒には、トリエ
チルアミンのような第三級アミン、臭化テトラブチルアンモニウムのようなアン
モニウム塩、又は塩化へキサエチルグアニジウムがあるが、これらに限定されな
い。ｐ−クミルフェノールや４−ブチルフェノールのような単官能性フェノール
、カルダノールやノニルフェノールのような長鎖アルキルフェノール、及び二官
能性フェノールを連鎖停止剤として使用してもよい。任意には、繰返し単位の総
モル数を基準として０．１〜１０モル％、さらに好ましくは１〜５モル％の連鎖
停止剤をポリカーボネートに配合し得る。

【０１０４】場合によっては、ホスゲン化条件を調節しなければならない。特に、モノマー
特有の反応性（反応媒質中でのモノマーの溶解性及びモノマーの構造に関連する
。）によって不必要な環状オリゴマーの生成が優勢となる場合には、ホスゲン化
条件を調節すべきである。例えばＢＣＣの場合、標準的な界面重合条件下での環
状オリゴマーの生成比率は、例えばＢＰＡの場合よりも大きい。ＢＣＣ含有量が
約２０モル％をかなり上回るポリカーボネートでは、線状ビスクロロホルメート
オリゴマー生成を促すため過剰のホスゲンを使用するのが有利であり、線状ビス
クロロホルメートオリゴマーを部分加水分解と重縮合によって高分子量ポリマー
へと転化する。好ましくは、約２０〜２００モル％過剰のホスゲンを使用する。

【０１０５】本発明のポリカーボネートは溶融法つまりエステル交換法でも製造し得る。こ
のプロセスでは、ホスゲンや溶媒を使用する必要がなく、最終ポリマー中での環
状及び線状低分子量オリゴマーのような低分子量夾雑物の生成が最小になる。モ
ノマーをカーボネート源（炭酸ジアリールなど）及び少量の触媒（アルカリ金属
水酸化物や水酸化アンモニウムなど）と混合し、反応混合物上のヘッドスペース
の圧力を雰囲気圧力から約１トルに下げながら段階的に温度を上昇させるという
プロトコルに従って減圧下で加熱する。

【０１０６】適当なカーボネート源、触媒及び反応条件は米国特許第５８８０２４８号及びＫｉｒｋ−ＯｔｈｍｅｒＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版、第１９巻、５８５〜６００頁にみられる（援
用によって本明細書に取り込まれる。）。各段階の時間及び温度は、発泡などに
よる材料の機械的損失が避けられるようにする。フェノールと過剰のジフェニル
カーボネートを塔頂から除去して重合プロセスを完了させる。高分子量ポリマー
生成物はメルトとして単離されるが、これをペレタイズする前に安定剤や離型剤
のような他の添加剤を配合し得る。溶融法で合成した生成物は、界面法で合成し
た生成物に比べ、非溶解粒子の数が少なく、環状オリゴマーのような低分子量夾
雑物の含有量が少ない。

【０１０７】意外なことに、ポリカーボネートが８４モル％のＢＣＣと１６モル％のＳＢＩ
からなる本発明の好ましい実施形態では、溶融法で優れた生成物が生じることが
判明した。特に、溶融法では、Ｃ_gが３８ブリュースターのポリカーボネートが
得られた。界面法で合成した同一組成のポリカーボネートはＣ_gが４５．１ブリ
ュースターであった。

【０１０８】この実施形態では、ポリカーボネートは好ましくは約１５０℃未満のＴ_g、約
０．２％未満の吸水率、約５０ブリュースター未満のＣ_g及び約２５００ブリュ
ースター未満のＣ_mを有する。

【０１０９】８４モル％のＢＣＣと１６モル％のＳＢＩからなるポリカーボネートの製造方
法は、好ましくは、以下の段階を含んでなる。Ａ）ＢＣＣ：ＳＢＩモル比８４：１６のＢＣＣモノマーとＳＢＩモノマーを触媒
存在下でカーボネート源と混合して反応混合物を形成する段階、Ｂ）この反応混合物が溶融するまで反応混合物を加熱する段階、Ｃ）この混合物を熱平衡化させる段階、及びＤ）１以上の反応段階で反応混合物から揮発性成分を除去して分子量を増大させ
る段階。

【０１１０】揮発性成分にはフェノールと過剰のジフェニルカーボネートがある。８４モル
％のＢＣＣと１６モル％のＳＢＩからなるポリカーボネートの数平均分子量（Ｍ _w ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリスチレンを標準として
測定して、好ましくは約１００００〜約１０００００、さらに好ましくは約１０
０００〜約５００００、さらに一段と好ましくは約１２０００〜約４００００で
ある。

【０１１１】本発明のポリカーボネートは、任意には、光学製品の成形に当たり、特に限定
されないが染料、ＵＶ安定剤、酸化防止剤、熱安定剤及び離型剤を始めとする、
光学用途の慣用の添加剤とブレンドしてもよい。特に、所望の光学製品を成形す
るためにブレンドの加工の補助となる添加剤とポリカーボネートとのブレンドを
形成するのが好ましい。ブレンドは、任意には、所望の添加剤を０．０００１〜
１０重量％、好ましくは０．０００１〜１．０重量％含有し得る。

【０１１２】本発明のポリカーボネートに添加し得る物質又は添加剤には、耐熱性安定剤、
ＵＶ吸収剤、離型剤、帯電防止剤、スリップ剤、粘着防止剤、滑剤、曇り防止剤
、着色剤、天然油、合成油、ワックス、有機充填材、無機充填材及びこれらの混
合物があるが、これらに限定されない。

【０１１３】上述の耐熱性安定剤の例には、フェノール系安定剤、有機チオエーテル系安定
剤、有機リン化物安定剤、ヒンダードアミン系安定剤、エポキシ系安定剤及びこ
れらの混合物があるが、これらに限定されない。耐熱性安定剤は固体又は液体の
形態で添加し得る。

【０１１４】ＵＶ吸収剤の例には、サリチル酸系ＵＶ吸収剤、ベンゾフェノン系ＵＶ吸収剤
、ベンゾトリアゾール系ＵＶ吸収剤、シアノアクリレート系ＵＶ吸収剤及びこれ
らの混合物があるが、これらに限定されない。

【０１１５】離型剤の例には、天然及び合成パラフィン、ポリエチレンワックス、フルオロ
カーボン、その他の炭化水素系離型剤、ステアリン酸、ヒドロキシステアリン酸
、その他の高級脂肪酸、ヒドロキシ脂肪酸、その他の脂肪酸系離型剤、ステアリ
ン酸アミド、エチレンビスステアロアミド、その他の脂肪酸アミド、アルキレン
ビス脂肪酸アミド、その他の脂肪酸アミド系離型剤、ステアリルアルコール、セ
チルアルコール、その他の脂肪族アルコール、多価アルコール、ポリグリコール
、ポリグリセロール、その他のアルコール系離型剤、ステアリン酸ブチル、ペン
タエリトリトールテトラステアレート、その他の脂肪酸の低級アルコールエステ
ル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸のポリグリコールエステル、その
他の脂肪酸エステル系離型剤、シリコーンオイル、その他のシリコーン系離型剤
、及びこれらの任意の混合物があるが、これらに限定されない。

【０１１６】着色剤は顔料でも染料でもよい。本発明では無機着色剤と有機着色剤を別々又
は組合せて使用できる。

【０１１７】ポリカーボネートはランダムコポリマーでも、ブロックコポリマーでも、グラ
フトコポリマーでもよい。グラフトコポリマーその他の枝分れポリマーを製造す
るときには製造時に適当な枝分れ剤を使用する。

【０１１８】所望の光学製品は、射出成形、圧縮成形、押出法及び溶液鋳造法でポリカーボ
ネート又はポリカーボネートブレンドを成形することで得られる。射出成形が好
ましい製品の成形方法である。

【０１１９】本発明のポリカーボネートは低い吸水率、良好な加工性及び低い複屈折のよう
な有利な特性を有しているので、光学製品の製造に利用するのに都合がよい。本
発明の光学製品の最終用途には、デジタルオーディオディスク、デジタル・バー
サタイル・ディスク、光記憶ディスク、コンパクトディスク、ＡＳＭＯデバイス
など、光学レンズ、例えばコンタクトレンズ、眼鏡用レンズ、望遠鏡用レンズ、
及びプリズム、光ファイバー、光磁気ディスク、情報記録媒体、情報伝達媒体、
ビデオカメラ用ディスク、スチルカメラ用ディスク、などがあるが、これらに限
定されない。

【０１２０】ポリカーボネートは情報記憶媒体として機能し得る。すなわち、ポリカーボネ
ート上又はその内部に情報を固定できる。ポリカーボネートは、情報記憶媒体を
貼り付ける基材としても機能し得る。さらに、例えば情報記憶媒体の読取りに役
立つトラッキングと共にポリカーボネートにインプリントする場合のように、単
一デバイスに両機能を組合せて用いることもできる。

【０１２１】 II．脂環式ビスフェノールから誘導されたポリカーボネート及び脂環式ビスフェノールのポリカーボネートを９０重量％以上含有する光学製品別の態様では、本発明は、（１）構造式（Ｉ）

【０１２２】

【化１７】

【０１２３】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）のカーボネート構造単位を有するポリカーボネート９０〜１００重量％
、及び（２）別の添加剤０〜１０重量％とを含んでなる光学製品であって、式（Ｉ）の構造単位がポリカーボネートの９０
〜１００モル％をなし、ポリカーボネートが約１２０〜約１８５℃のガラス転移
温度と約０．３３％未満の吸水率を有する、光学製品に関する。

【０１２４】さらに、本発明は、ポリカーボネートからなる上記定義の光学製品にも関する
が、該ポリカーボネートは構造式（Ｉ）

【０１２５】

【化１８】

【０１２６】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）のカーボネート構造単位を有しており、式（Ｉ）の構造単位はポリカー
ボネートの９０〜１００モル％をなし、ポリカーボネートは約１２０〜約１８５
℃のガラス転移温度と約０．３３％未満の吸水率を有する。

【０１２７】本発明の一実施形態では、ポリカーボネートはＢＣＣ残基１００モル％からな
る。ポリカーボネートがＢＣＣ残基１００モル％からなる実施形態では、ポリカ
ーボネートは約１５０℃未満のガラス転移温度及び約０．１５％未満の吸水率を
有する。ホモポリカーボネートは約５０ブリュースター未満のＣ_g及び約２５０
０ブリュースター未満のＣ_mを有する。

【０１２８】ポリカーボネート中の構造式（Ｉ）の代表的な単位には、１，１−ビス（４−
ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン（ＢＣＣ）、１，１−ビス（
４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘプタン、及びこれらの混合物の残基が
あるが、これらに限定されない。ＢＣＣの残基が成分（ａ）として最も好ましい
。構造式（Ｉ）のビスフェノールは本明細書で「脂環式ビスフェノール」という
。

【０１２９】上記定義の光学製品の一実施形態では、光学製品の成分（１）はＢＣＣ残基１
００モル％、すなわち構造式（VI）のポリカーボネートである。ＢＣＣはシクロ
ヘキサノンとオルトクレゾールから容易に合成できる。

【０１３０】

【化１９】

【０１３１】ＢＣＣ由来の構造単位１００モル％からなるポリカーボネートを、本明細書中
では「ＢＣＣホモポリカーボネート」という。

【０１３２】意外なことに、９０〜１００モル％の構造式（Ｉ）からなるポリカーボネート
は、意外に低いＣ_g及び低い親水性及び適当な加工性を有しており、光学製品で
の使用に特に適していることが判明した。式（Ｉ）の構造単位は３位又は３′位
が少なくとも１つのＲ₁又はＲ₂で置換されていることが極めて重要である。ｎ及
びｐが１に等しく、Ｒ₁及びＲ₂がそれぞれ３位と３′位に存在するのが好ましい
。Ｒ₁及びＲ₂は好ましくはＣ₁〜Ｃ₆アルキル、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₃アルキ
ル、さらに一段と好ましくはＣＨ₃である。さらに、構造式（Ｉ）の単位９０〜
１００モル％からなるポリカーボネートは妥当なＣ_m値、すなわち約３０００ブ
リュースター未満の値を有することが判明した。

【０１３３】本発明では、さらに、ポリカーボネートが光学製品での使用に適した特性を有
していることが重要である。本発明のポリカーボネートは、好ましくは１２０〜
１８５℃、さらに好ましくは１２５〜１６５℃、さらに一段と好ましくは１３０
〜１５０℃の範囲のガラス転移温度を有する。ポリカーボネートの吸水率は好ま
しくは０．３３％未満、さらに好ましくは約０．２％未満である。

【０１３４】ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍ_w）は、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィーでポリスチレンを標準として測定して、好ましくは約１００００〜
約１０００００、さらに好ましくは約１００００〜約５００００、さらに一段と
好ましくは約２００００〜約３００００である。

【０１３５】ポリカーボネートは約８５％以上、さらに好ましくは約９０％以上の光透過率
、及び約６０ブリュースター未満、さらに好ましくは５０ブリュースター未満の
Ｃ_gを有する。ポリカーボネートは好ましくは約３０００ブリュースター未満、
さらに好ましくは約２５００ブリュースター未満のＣ_mを有する。

【０１３６】所望の光学製品は、射出成形、圧縮成形、押出法及び溶液鋳造法によってポリ
カーボネート又はポリカーボネートブレンドを成形することにより得られる。射
出成形が好ましい製品成形法である。

【０１３７】ポリカーボネートの製造法、最終用途、及びポリカーボネートとブレンドし得
る添加剤は、光学製品での使用に適したポリカーボネートに関連して本明細書の
項目Ｉに記載したものと同じである。

【０１３８】本明細書の項目Ｉでポリカーボネートに関して説明した通り、この項目IIで規
定する本発明の別の態様のポリカーボネート及びそれから製造した光学製品は、
ＣＤオーディオ、ＣＤＲＯＭ及び読取り専用ＤＶＤのような情報記憶媒体とし
て機能し得る。すなわち、ポリカーボネート上又はその内部に情報を固定できる
。ポリカーボネートは、情報記憶媒体を貼り付ける基材としても機能し得る。さ
らに、例えば情報記憶媒体の読取りに役立つトラッキングと共にポリカーボネー
トにインプリントする場合のように、単一デバイスに両機能を組合せて用いるこ
ともできる。

【０１３９】

【実施例】

以下の実施例は、特許請求の範囲に記載した組成物及び方法をいかに実施し評
価するかを当業者に示すために記載するものであり、本発明者らが発明として把
握している範囲を限定するものではない。数（例えば量、温度など）に関しては
正確を期したが、若干の誤差や偏差はあるであろう。特記しない限り、部は重量
部であり、温度は摂氏単位又は室温であり、圧力は大気圧又はその付近である。

【０１４０】以下に示す結果を得るのに用いた材料及び試験法は次の通りである。

【０１４１】分子量は重量平均分子量（Ｍ_w）として記載し、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィーでポリスチレンを標準として測定した。

【０１４２】吸水率（％Ｈ₂Ｏ）はＡＳＴＭＤ−０５７０法で測定した。

【０１４３】Ｔ_g値は示差走査熱量測定法で求めた。

【０１４４】Ｃ_g値は以下のようにして求めた。ポリカーボネート（７．０グラム）を寸法
５．０×０．５インチの加熱金型に装填し、そのガラス転移温度を上回る１２０
℃で標準的な圧縮成形装置を用いて、最初は０ポンドから最終的には２０００ポ
ンドの圧力を加えて圧縮成形した。これらの条件で所要時間経過後、金型を放冷
し、成形試験棒をカーバー（Ｃａｒｖｅｒ）プレスを用いて取り出した。成形試
験棒を次いで偏光顕微鏡で検査し、試験棒の観察領域を決めた。観察領域の選択
は、複屈折が観察されないこと及び試験棒の両端又は両側から十分な距離がある
ことを基準にした。次いで、既知量の力が棒に垂直に加わるように設計した装置
に試料を取付け、棒の観察領域を適切に偏光した光で照射した。次いで試験棒に
６レベルの応力を加え、各レベルでバビネ補償板を用いて複屈折を測定した。複
屈折を応力に対してプロットすると直線が得られ、その傾きが応力光学係数Ｃ_g
に等しい。

【０１４５】Ｃ_m値はＴｇ＋１００℃で示す。長方形の試料を既知の振動歪み速度に付して
剪断応力をモニターした。同時に、剪断面に平行に偏光レーザービームを送った
。Ｋａｎａｎａ，Ｍ．Ｒ．及びＫｏｒｎｆｉｅｌｄ，Ｊ．Ａ．著，ＪｏｕｒｎａｌｏｆＲｈｅｏｌｏｇｙ，１９９４，３８（４）に教示されているように、
電子変調器で光を変調して検出器で波の同位相成分と位相の異なる成分をモニタ
ーして複屈折及び配向を測定した。

【０１４６】実施例１底のスクラビング系に取り付けた磁気攪拌機、還流凝縮器、二元窒素／ホスゲ
ン導入管及び導出管を備えた５００ｍＬのモートン（Ｍｏｒｔｏｎ）フラスコに
、ＢＣＣ（２１．４ｇ、７２．３ｍｍｏｌ）、ＳＢＩ（４．２４ｇ、１３．８ｍ
ｍｏｌ）、ｐ−クミルフェノール（０．８２ｇ、３．９ｍｍｏｌ、４．５モル％
）、塩化メチレン（１１０ｍＬ）及び蒸留水（８０ｍＬ）を入れた。反応混合物
を５０重量％のＮａＯＨで処理してｐＨを１０．５にした。ＮａＯＨ溶液を添加
してｐＨを１０．５に維持しつつ、ホスゲン（１７．０ｇ、１７０ｍｍｏｌ、１
００モル％過剰）を０．６ｇ／分で加えた。クロロホルメート溶液をトリエチル
アミン（０．２０ｍＬ、２モル％）で処理した後、激しく還流した。ｐＨは１０
．５に維持した。クロロホルメートの分析試験によると、これらの条件下で約２
分後にはクロロホルメートは完全に消失していた。得られたポリマー溶液を塩水
から分離し、１ＮのＨＣｌで一回洗浄し、蒸留水で四回洗浄した。ポリマー溶液
をブレンダー中で沸騰水（７５０ｍＬ）に沈殿させ、水（５００ｍＬ）で洗浄し
、減圧下１２５℃で一晩乾燥した。このポリマーは３２５００のＭｗ、１４９℃
のＴｇを有していた。

【０１４７】実施例２実施例１と同様にして、ＢＣＣ（１９．６２ｇ、６７．７ｍｍｏｌ）、ＣＤ−
１（５．３１ｇ、１９．８ｍｍｏｌ）、ｐ−クミルフェノール（０．８２ｇ、３
．９ｍｍｏｌ、４．５モル％）をホスゲンと反応させて単離後にガラス転移温度
１４８℃のポリカーボネートを得た。

【０１４８】実施例３実施例１と同様に装備した５００ｍＬのモートンフラスコに、ＢＣＣ（２６．
９ｇ、１００ｍｍｏｌ）、塩化メチレン（１２５ｍＬ）及び蒸留水（９０ｍＬ）
を入れた。反応混合物を５０重量％のＮａＯＨで処理してｐＨを１０．５にした
。ＮａＯＨ溶液の添加によりｐＨを１０．５に維持しつつ、ホスゲン（２０．３
ｇ、２０５ｍｍｏｌ、１０５モル％過剰）を計量して０．６ｇ／分で反応混合物
中に導入した。１０．０グラムのホスゲンを加えた後、ｐ−クミルフェノール（
１．０６ｇ、５．０ｍｍｏｌ、５モル％）を加えた。ホスゲン添加が完了した後
、トリエチルアミン（０．１２５ｍＬ、０．９ｍｍｏｌ）を加え、ｐＨを１０．
９に維持するのに十分な５０％ＮａＯＨを加えた。２分後反応混合物中でクロロ
ホルメートは検出できなかった。追加のトリエチルアミン（０．１２５ｍＬ、０
．９ｍｍｏｌ）を加え、追加のホスゲン（４．５ｇ、４５ｍｍｏｌ）を計量して
０．６ｇ／分で反応混合物中に導入した。ポリマー溶液を塩水から分離し、１Ｎ
のＨＣｌで一回洗浄し、蒸留水で四回洗浄した。ポリマー溶液をブレンダー中で
沸騰水（７５０ｍＬ）に沈殿させ、水（５００ｍＬ）で洗浄し、減圧下１１０℃
で一晩乾燥した。このポリマーは１３８℃のＴｇを有していた。

【０１４９】実施例４実施例３と同様にして、ＢＣＣ（２４．０ｇ、８０ｍｍｏｌ）、ＢＰＡ（４．
５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）及びｐ−クミルフェノール（１．０６ｇ、５ｍｍｏｌ、
５モル％）をホスゲンと反応させて単離後にガラス転移温度１３８℃のポリカー
ボネートを得た。

【０１５０】実施例５実施例３と同様にして、ＢＣＣ（１７．８ｇ、６０ｍｍｏｌ）、ＢＰＡ（９．
１２ｇ、４０ｍｍｏｌ）及びｐ−クミルフェノール（１．０６ｇ、５ｍｍｏｌ、
５モル％）をホスゲンと反応させて単離後にガラス転移温度１３９℃のポリカー
ボネートを得た。

【０１５１】実施例６実施例１と同様に装備した５００ｍＬのモートンフラスコに、ＢＣＣ（２２．
２ｇ、７４．９ｍｍｏｌ）、ＳＢＩ（７．７ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ドデカン二酸
（ＤＤＤＡ、１．２４ｇ、５．４ｍｍｏｌ）、塩化メチレン（１２５ｍＬ）及び
蒸留水（１００ｍＬ）並びにトリエチルアミン（２００μＬ）を入れた。反応混
合物を５０重量％のＮａＯＨで処理してｐＨを８．５にした。ＮａＯＨ溶液を添
加してｐＨを８．５に維持しつつ、ホスゲン（６ｇ、６０ｍｍｏｌ）を計量して
０．６ｇ／分で反応混合物中に導入した。この時点でｐ−クミルフェノール（０
．９５ｇ、４．５ｍｍｏｌ）を加え、追加のホスゲン１ｇを計量して０．６ｇ／
分で反応混合物中に導入した。ホスゲン化を止め、５０％ＮａＯＨを加えてｐＨ
を１１に上げた。ホスゲン添加をｐＨ１１で再開し、合計１５．１ｇ（５０モル
％過剰）が添加されるまで続けた。この段階で混合物を試験したところクロロホ
ルメート基が検出された。トリエチルアミン（２００μＬ）と微量の４−ジメチ
ルアミノピリジン（結晶数個）を加えたところ、混合物からクロロホルメート基
が消失した。ポリマー溶液を塩水から分離し、１ＮのＨＣｌで一回、次いで蒸留
水で四回洗浄した。ポリマー溶液をブレンダー中で沸騰水（７５０ｍＬ）に沈殿
させ、水（５００ｍＬ）で洗浄し、減圧下１１０℃で一晩乾燥した。このポリマ
ーは１４３．７℃のＴｇを有していた。

【０１５２】実施例７酸洗浄し、濯ぎ、一晩７０℃で乾燥して予め不動態化しておいた１リットルガ
ラス溶融重合反応器に、ジフェニルカーボネート１３６．９ｇ（６３９ｍｍｏｌ
）、ＢＣＣ１５７．５ｇ（５３１ｍｍｏｌ）及びＳＢＩ２６．５ｇ（８６ｍｍｏ
ｌ）を装填した。３１６ステンレス鋼製らせん攪拌機を粉末中に入れ、１．０Ｍ
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液１５１μｌと０．００１Ｍ水酸化ナトリ
ウム水溶液４６１μｌを加えた。次いで、容器を排気し、窒素で三回パージし、
１８０℃に加熱したところ、反応混合物が溶融した。完全に溶融したら、５〜１
０分間熱平衡化した後、この混合物を攪拌しながら３０分間２１０℃に加熱した
。次いで、圧力を２４０ミリバールに下げたところ、反応器からフェノールから
留出し始めた。４５分後、圧力を１３０ミリバールに下げ、フェノールを流出し
ながら４５分間加熱（２４０℃）を続けた。２６０℃／９０ミリバール（３０分
）、２６０℃／２０ミリバール（１５分）、２７０℃／３ミリバール（３０分）
、２７０℃／１ミリバール（４０分）、３００℃／１ミリバール（９０分）、３
１０℃／１ミリバール（３０分）の温度／圧力プロフィールでさらに重合を続け
た。次に、反応器からポリマーをストランド化し、冷却してやや黄色いストラン
ド（Ｍｎ＝１５１００、Ｍｗ＝３５５００、Ｔｇ＝１４９℃）１７０ｇを得た。

【０１５３】実施例８ジフェニルカーボネート（１５６．８ｇ、７３２ｍｍｏｌ）、ＤＭＢＰＣ（１
２０．５ｇ、４０７ｍｍｏｌ）、ＢＰＡ（６１．９ｇ、２７１ｍｍｏｌ）、１．
０Ｍ水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液３０７μｌ及び０．００１Ｍ水酸化
ナトリウム水溶液４６０μｌを上記実施例７と同様に重合した。次に、反応器か
らポリマーをストランド化し、冷却してほぼ無色のストランド（Ｍｎ＝１６６０
０、Ｍｗ＝３７４００、Ｔｇ＝１３６℃）１７２ｇを得た。

【０１５４】比較例＃１ＢＰＡホモポリカーボネート（ＬＥＸＡＮ、光学品質グレード、界面重合法で
製造）。

【０１５５】比較例＃２実施例３と同様にして、ＢＣＣ（１１．８ｇ、４０ｍｍｏｌ）、ＢＰＡ（１３
．７ｇ、６０ｍｍｏｌ）及びｐ−クミルフェノール（１．０６ｇ、５ｍｍｏｌ、
４．５モル％）をホスゲンと反応させて単離後にガラス転移温度１４０℃のポリ
カーボネートを得た。６０モル％のＢＰＡで吸水率は０．２１１％であった。

【０１５６】比較例＃３実施例１と同様に装備した５００ｍＬのモートンフラスコに、（４，４′−（
ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（ＢＰＭ）（１９．０ｇ、５
５ｍｍｏｌ）、（１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサン（ＢＰＩ）（１３．９ｇ、４５ｍｍｏｌ）、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール（０．６８ｇ、４．５ｍｍｏｌ、４．５モル％）、塩化メチ
レン（１２５ｍＬ）、蒸留水（９０ｍＬ）及びトリエチルアミン（２００μＬ）
を入れた。反応混合物を５０重量％のＮａＯＨで処理してｐＨを１０．５にした
。ＮａＯＨ溶液を添加してｐＨを１０．５に維持しつつ、ホスゲン（１５．２ｇ
）を０．６ｇ／分で加えた。反応混合物を窒素でスパージして反応混合物から残
留ホスゲンを除いた。得られたポリマー溶液を塩水から分離し、１ＮのＨＣｌで
一回洗浄し、蒸留水で四回洗浄した。ポリマー溶液をブレンダー中で沸騰水（７
５０ｍＬ）に沈殿させ、水（５００ｍＬ）で洗浄し、減圧下１２５℃で一晩乾燥
した。このポリマーは１３３００のＭｎ、４２５００のＭｗ及び１３８℃のＴｇ
を有していた。¹Ｈ−ＮＭＲの分析から、ＢＰＭ残基とＢＰＩ残基の存在量はモ
ル比５５：４５であることが判明した。

【０１５７】次の表Ｉに実施例１〜７並びに比較例１、２及び３の結果をまとめる。

【０１５８】

【表１】

【０１５９】本発明を特にその好ましい実施形態を参照して詳しく説明してきたが、本発明
の技術思想及び技術的範囲内で様々な変形及び修正がかのうであることを理解さ
れたい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4J002 AE053 BB033 CD002 CG011 CP033 EB068 EC058 EC068 EE037 EF058 EF097 EH038 EH048 EJ006 EN006 EP018 EP028 ET007 EU177 EV046 EW006 FD032 FD036 FD057 FD163 FD168 GP00 GP01 GP02 4J029 AA09 AE04 BB12C BD09C BD10 HC01 JB063 JB123 JB153 JB163 JB183 JB193 JC023 JC123 JC143 JC283 JC343 JC413 JE043 JE153 JE223 5D029 KA08 KC20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記（１）及び（２）を含んでなる光学製品。（１）次の式（Ｉ）【化１】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）の構造単位を有するポリカーボネートであって、式（Ｉ）の構造単位が
当該ポリカーボネートの９０〜１００モル％をなし、約１２０〜約１８５℃のガ
ラス転移温度及び約０．３３％未満の吸水率を有するポリカーボネート９０〜１
００重量％、及び（２）０〜１０重量％の添加剤。
【請求項２】成分（１）が１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル
）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シク
ロヘプタン及びこれらの混合物の残基からなる群から選択される、請求項１記載
の光学製品。
【請求項３】下記（１）及び（２）を含んでなる光学製品。（１）次式【化２】（式中、Ｒ₁又はＲ₂はＣＨ₃である。）の構造単位を有するホモポリカーボネー
トであって、約１５０℃未満のガラス転移温度及び約０．１５％未満の吸水率を
有するホモポリカーボネート９０〜１００重量％、及び（２）０〜１０モル％の添加剤。
【請求項４】前記ホモポリカーボネートが約５０ブリュースター未満のＣ _g 及び約２５００ブリュースター未満のＣ_mを有する、請求項３記載の光学製品。
【請求項５】当該光学製品が光情報記録媒体である、請求項１記載の光学
製品。
【請求項６】当該光学製品が光情報記録媒体である、請求項３記載の光学
製品。
【請求項７】下記（１）及び（２）から基本的になる光学製品。（１）次式【化３】（式中、Ｒ₁又はＲ₂はＣＨ₃である。）の構造単位を有するホモポリカーボネー
トであって、約１５０℃未満のガラス転移温度及び約０．１５％未満の吸水率を
有するホモポリカーボネート９０〜１００重量％、及び（２）０〜１０モル％の添加剤。
【請求項８】当該光学製品が光情報記録媒体である、請求項７記載の光学
製品。
【請求項９】次の式（Ｉ）【化４】（式中、Ｒ₁又はＲ₂の少なくとも１つは３位又は３′位にあることを条件として
、Ｒ₁及びＲ₂は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルからなる群から選択され、ＸはＣＨ₂を
表し、ｍは４〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数で
ある。）の構造単位を有するポリカーボネートであって、式（Ｉ）の構造単位が
当該ポリカーボネートの９０〜１００モル％をなし、約１２０〜約１８５℃のガ
ラス転移温度及び約０．３３％未満の吸水率を有するポリカーボネート。
【請求項１０】構造（Ｉ）が１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シ
クロヘプタン及びこれらの混合物の残基からなる群から選択される、請求項９記
載のポリカーボネート。
【請求項１１】当該ポリカーボネートがＢＣＣ残基を含んでなる、請求項
９記載のポリカーボネート。
【請求項１２】構造（Ｉ）がＢＣＣであって、当該ポリカーボネートが１
００モル％のＢＣＣからなる、請求項９記載のポリカーボネート。
【請求項１３】Ｒ₁及びＲ₂がそれぞれ３位又は３′位にあり、ｎ及びｐが
共に１に等しい、請求項９記載のポリカーボネート。
【請求項１４】当該ポリカーボネートが約５０ブリュースター未満のＣ_g
及び約２５００ブリュースター未満のＣ_mを有する、請求項９記載のポリカーボ
ネート。
【請求項１５】当該ポリカーボネートが約５０ブリュースター未満のＣ_g
及び約２５００ブリュースター未満のＣ_mを有する、請求項１１記載のポリカー
ボネート。