JP2000302856A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供する。 【解決手段】 ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェ
ニルメタン、一般式（１）のビスフェノール、及び
３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、炭
酸エステル形成化合物とを反応させてなる極限粘度が0.
30〜0.50dlであるポリカーボネートからなる光記録媒体
用成形材料。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの
光記録媒体を製造するのに好適な成形性とともに複屈折
の低減されたポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材
料に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。

【０００３】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。

【０００４】これらの複屈折低減を目的とした様々なポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭６
０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策は十分とは言えなかっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた成形
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のビスフェ
ノール類より誘導された分岐化ポリカーボネート樹脂
は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた良質の光記
録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を完成す
るに至った。

【０００７】

【発明の実施の形態】即ち、本発明は、ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）ジフェニルメタン、一般式（１）の
ビスフェノール、及び３官能以上のフェノール性水酸
基を有する化合物と、炭酸エステル形成化合物とを反応
させてなる極限粘度が0.30〜0.50dl/gであるポリカーボ
ネートからなる光記録媒体用成形材料である。

【０００８】

【化２】

【０００９】炭酸エステル形成化合物としては、例えば
ホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリル
カーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ
−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネートなどのビスアリールカーボネートが挙げられる。
これらの化合物は２種類以上併用して使用することも可
能である。

【００１０】本発明の一般式（１）のビスフェノールと
しては、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン)]ビスフェノール及び4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-
メチルエチリデン)]ビスフェノールが好ましく、4,4'-
[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン)]ビスフェ
ノールが、特に好ましい。

【００１１】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールＡからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えばビスフェノール類とホスゲンと
の直接反応（ホスゲン法）、あるいはビスフェノール類
とビスアリールカーボネートとのエステル交換反応（エ
ステル交換法）などの方法を採用することができる。

【００１２】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）ジフェニルメタン、4,4'-[1,3-フェニレン
ビス（1-メチルエチリデン）］ビスフェノールまたは4,
4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビス
フェノール、及び３官能以上のフェノール性水酸基を
有する化合物と、ホスゲンとを反応させる。酸結合剤と
しては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられ
る。また、溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロ
ロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いられ
る。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチル
アミンのような第三級アミン触媒および第四級アンモニ
ウム塩などの触媒が使用される。また、重合度調節に
は、フェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミル
フェノール等で表されるフェノール類等一官能基化合物
を分子量調節剤として加える。更に、所望に応じ亜硫酸
ナトリウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤を
小量添加してもよい。反応は、通常０〜１５０℃、好ま
しくは５〜４０℃の範囲とするのが適当である。反応時
間は反応温度によって左右されるが、通常０．５分〜１
０時間、好ましくは１分〜２時間である。また、反応中
は、反応系のpHを１０以上に保持することが望ましい。

【００１３】一方、後者のエステル交換法においては、
ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、
4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビ
スフェノールまたは4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチ
ルエチリデン）］ビスフェノール、及び３官能以上の
フェノール性水酸基を有する化合物と、ビスアリールカ
ーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応させ
る。この時、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェ
ノール類等の一官能基化合物を分子量調節剤として加え
てもよい。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２
００〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧
度は最終的には１mmHg以下にすることが好ましく、エス
テル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネー
トから由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応
時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通
常１〜６時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの
不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所望
に応じ、酸化防止剤を添加して反応を行ってもよい。

【００１４】ホスゲン法とエステル交換法では、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、4,4'-
[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビスフ
ェノールまたは4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエ
チリデン）］ビスフェノールの反応性を考慮した場合、
ホスゲン法の方が好ましい。

【００１５】更に、本発明の分子量調節剤としては、一
価フェノール類が好ましく、具体的には、ブチルフェノ
ール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカニ
ルフェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデカ
ニルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖ア
ルキル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、ヒ
ドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニ
ル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸
ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエ
ステル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノー
ル、ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノー
ル、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニル
オキシフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等
の長鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。

【００１６】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うため
第四級アンモニウム塩を少量添加することが好ましい。
具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライド、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチル
ベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイドなどが例示される。これらのうちトリメチル
ベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジル
アンモニウムクロライドが好ましい。この第四級アンモ
ニウム塩は、使用される全ビスフェノール類に対して、
一般に0.0005〜 5mol%使用されることが好ましい。第四
級アンモニウム塩の添加後、３〜１０分後に、トリエチ
ルアミンなどの三級アミン及び分子量調節剤を添加して
重合させることが好ましい。三級アミンの添加量は、全
ビスフェノール類に対して、0.01〜1.0mol% である。ま
た、分子量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に対
して、3 〜10mol%である。

【００１７】本発明中の分岐化剤として作用する３官能
以上のフェノール性水酸基を有する化合物としては、フ
ロログルシン、2,4,4'-トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,4,4' −トリヒドロキシフジェニルエーテル、2,2-ビ
ス（2,4-ジヒドロキシフェニル）プロパン、2,2',4,4'-
テトラヒドロキシジフェニルメタン、2,4,4'−トリヒド
ロキシジフェニルメタン、2,4,6-トリス（4-ヒドロキシ
フェニル)-2,6-ジメチル−ヘプテン-3、2,4,6-トリス
（4-ヒドロキシフェニル)-4,6-ジメチル−ヘプタン-2、
2,6-ビス（2-ヒドロキシ−5-メチルベンジル)-4-メチル
フェノール、2,6-ビス（2-ヒドロキシ−5-イソプロピル
ベンジル)-4-イソプロピルフェノール、テトラキス（4-
ヒドロキシフェニル）メタン、α，α',α"-トリス（4-
ヒドロキシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼ
ン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-メチ
ルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、1,
1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-ト
リス（4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス
（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、1,1,1-トリス（2-
メチル−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス
（2-メチル−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-ト
リス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,
1-トリス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）エタン、
1,1,1-トリス（3,5-ジメチル−4-ヒドロキシフェニル）
メタン、1,1,1-トリス（3,5-ジメチル−4-ヒドロキシフ
ェニル）エタン、1,1,1-トリス（3-クロロ−4-ヒドロキ
シフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3-クロロ−4-ヒド
ロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス（3,5-ジクロロ
−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3,5-
ジクロロ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリ
ス（3-ブロモ−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-
トリス（3-ブロモ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,
1,1-トリス（3,5-ジブロモ−4-ヒドロキシフェニル）メ
タン、1,1,1-トリス（3,5-ジブロモ−4-ヒドロキシフェ
ニル）エタン、1,1,1-トリス（3-フルオロ−4-ヒドロキ
シフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3-フルオロ−4-ヒ
ドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス（3,5-ジフル
オロ−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス
（3,5-ジフルオロ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,
1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニルメタ
ン等が例示される。そのうち、1,1,1-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル）エタン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシ
フェニル）−1-メチルエチル］フェニル］エチリデン］
ビスフェノール、及び2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェ
ニル）−2,6-ジメチル−3-ヘプテンが反応性や取り扱い
の容易さから最も好ましい。

【００１８】さらに、分岐化剤となる３官能以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物は、ビス（4-ヒドロキ
シフェニル）ジフェニルメタンと、4,4'-[1,3-フェニ
レンビス（1-メチルエチリデン）］ビスフェノールまた
は4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］
ビスフェノールからなるビスフェノール類の合計１００
モル部に対して、３官能以上のフェノール性水酸基を有
する化合物を0.2 〜3.0 モル部添加することが好まし
い。0.2 モル部未満では流動性改善効果が低く、3.0 モ
ル部を越えると耐衝撃性が劣ってくる。

【００１９】また、本発明では、ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）ジフェニルメタンと、4,4'-[1,3-フェニレ
ンビス（1-メチルエチリデン）］ビスフェノールまたは
4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビ
スフェノールとの使用モル割合は、1:9 〜9:1 が好まし
い。ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタンが
１割より少なくなると流動性が上がりすぎて成形性に問
題が生じる場合があると同時に複屈折改善効果が不十分
となる。また、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニ
ルメタンが９割を超えると流動性が悪くなり成形が困難
になる。

【００２０】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.30〜0.50dl/gの範囲であることが好まし
い。

【００２１】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（280 ℃、160kgf/c
m²、ノズル径1mm ×10mm）測定で、15〜90×10^-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10^-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10^-2cc/secを越えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。

【００２２】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０⁴ 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。

【００２３】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から、一般の光記録媒体用ポリカーボネートと
性能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可
能である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形
温度は、流動性の観点から280 〜380 ℃が好ましい。

【００２４】

【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定
されるものではない。

【００２５】実施例１ 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液58リットルに、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン7.04Kg（以
下BPBPと略称、20mol ）、4,4'-[1,3-フェニレンビス
（1-メチルエチリデン）］ビスフェノール6.92Kg（以下
BPM と略称、20mol）、1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフ
ェニル）エタン61.2g （以下THPEと略称、0.2mol）及び
ハイドロサルファイト10g を加え溶解した。これにメチ
レンクロライド36リットルを加え、15℃に保ちながら撹拌し
つつ、ホスゲン5kg を50分かけて吹き込んだ。吹き込み
終了後、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド5g
(0.022mol)を加え５分間激しく撹拌して反応液を乳化さ
せ、次にp-ターシャルブチルフェノール432g（以下PTBP
と略称、2.88mol ）を加え、さらに20mlのトリエチルア
ミン(0.14mol) を加え、約１時間撹拌し重合させた。重
合液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和
し、洗液の導電率が10μＳ以下になるまで水洗を繰り返
した後、精製樹脂液を得た。得られた精製樹脂液を、強
攪拌されている４５℃の温水に樹脂液をゆっくり滴下
し、溶媒を除去しつつ重合物を固形化した。固形物を濾
過後、乾燥して白色粉末状重合体を得た。この重合体
は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g／dlの溶液の温
度20℃における極限粘度［η］は0.33dl/gであった。得
られた上記重合体を赤外線吸収スペクトルより分析した
結果、1770cm^-1付近の位置にカルボニル基による吸収、
1240cm^-1付近の位置にエーテル結合による吸収が認めら
れ、カーボネート結合を有することが確認された。ま
た、3650〜3200cm^-1の位置に水酸基由来の吸収はほとん
ど認められなかった。このポリカーボネート中のモノマ
ーをＧＰＣ分析で測定した場合、いずれのモノマーも20
ppm 以下であった。これらを総合した結果、この重合体
は下記構造単位からなるポリカーボネート重合体と認め
られた。

【００２６】

【化３】

【００２７】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μｍポリマーフ
ィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３００
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレッ
トを樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出
圧２９．４ＭＰａの条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放置後３０度斜
め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットについて
は、流れ値（Ｑ値）を測定し、成形流動性の目安とし
た。またポリカーボネート粉末について、５０μｍ厚の
キャストフィルムを作成し、300 〜1100g の荷重をか
け、光弾性感度を測定した。結果を表１に示した。

【００２８】実施例２ THPEを122.4g（0.4mol）、PTBPを486g（3.24mol)に変更
した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体
の極限粘度［η］は0.35dl/gで、赤外吸収スペクトル分
析等よりこの重合体は分岐化度以外は、実施例１と同等
の構造を有するポリカーボネート重合体と認められた。
結果を表１に示した。

【００２９】実施例３ THPEを244.8g（0.8mol）、PTBPを624g（4.16mol)に変更
した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体
の極限粘度［η］は0.38dl/gで、赤外吸収スペクトル分
析等よりこの重合体は分岐化度以外は、実施例１と同等
の構造を有するポリカーボネート重合体と認められた。
結果を表１に示した。

【００３０】実施例４ BPBPを11.26kg （32mol ）、BPM を2.77kg（8mol）、PT
BPを493g（3.32mol)に変更し、THPEの代わりに4,4'-[1-
[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-メチルエチル］フ
ェニル］エチリデン］ビスフェノール139g（以下TPPAと
略称、0.4mol）を用いた以外は実施例１と同様に行っ
た。得られた重合体の極限粘度［η］は0.39dl/gで、赤
外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単位を有
するポリカーボネート重合体と認められた。結果を表１
に示した。

【００３１】

【化４】

【００３２】実施例５ BPBPを2.82kg（8mol）、BPM を11.07kg （32mol ）、PT
BPを496g（3.24mol ）に変更し、THPEの代わりに2,4,6-
トリス（4-ヒドロキシフェニル）−2,6-ジメチル−3-ヘ
プテン322g（以下P300と略称、0.8mol）を用いた以外は
実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は0.39dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重
合体は下記構造単位を有するポリカーボネート重合体と
認められた。結果を表１に示した。

【００３３】

【化５】

【００３４】比較例１ 実施例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPAと略称）型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）
製Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１
と同様の試験を行った。結果を表１に示した。

【００３５】比較例２ BPBPとTHPEを用いず、BPM のみ13.84Kg(40mol)用い、PT
BPを288g(1.92mol) に変更した以外は、実施例１と同様
に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.35dl/g
で、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単
位を有するポリカーボネート重合体と認められた。結果
を表１に示した。

【００３６】

【化６】

【００３７】比較例３ THPEとBPM を用いず、BPBPのみ14.08Kg(40mol)用い、PT
BPを360g(2.4mol)に変更した以外は実施例１と同様に行
った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.31dl/gで、
赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単位を
有するポリカーボネート重合体と認められたが、Ｑ値測
定が出来ないほど流動性が悪く射出成形は不可であっ
た。結果を表１に示した。

【００３８】

【化７】

【００３９】

【表１】

【００４０】〔表１の説明〕 複屈折：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長:632.8nm。 流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm²、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10^-2cc/sec） 光弾性感度：50μｍのキャストフィルムに300 〜1100g
の荷重をかけ、エリプソメーターで波長632.8mm にて、
光弾性感度を測定。 BPM :4,4'-[1,3−フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール。 BPBP：ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン。 THPE：1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニル
エタン。 TPPA:4,4'-[1-[4-[1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチル
エチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール。 P300：2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェニル)-2,6-ジメ
チル−3-ヘプテン。 BPA ：2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン BPBP濃度：全ビスフェノール類に対するBPBPモル% ＝BPBP
/(BPBP＋BPM)×100 。 BPM濃度：全ビスフェノール類に対するBPM モル% ＝BPM/
(BPBP ＋BPM)×100 。 分岐化剤：３官能以上のフェノール性水酸基を有する化
合物。 極限粘度：0.5g／100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求め
た。

【００４１】

【発明の効果】本発明より、優れた成形性、低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年５月１８日（１９９９．５．１
８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４０】〔表１の説明〕 複屈折：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長:632.8nm。 流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm²、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10^-2cc/sec） 光弾性感度：50μｍのキャストフィルムに300 〜1100g
の荷重をかけ、エリプソメーターで波長632.8mm にて、
光弾性感度を測定。 BPM ：4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール。 BPBP：ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン。 THPE：1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）エタン。 TPPA：4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル)-1-メチ
ルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール。 P300：2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェニル)-2,6-ジメ
チル−3-ヘプテン。 BPA ：2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン。 BPBP濃度：全ビスフェノール類に対するBPBPモル%=BPBP/
(BPBP＋BPM)×100 。 BPM 濃度：全ビスフェノール類に対するBPM モル%=BPM/(B
PBP ＋BPM)×100 。 分岐化剤：３官能以上のフェノール性水酸基を有する化
合物。 極限粘度：0.5g／100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求め
た。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB01 AC02 AD01 AE04 BB18 FA07 HC01 JC091 KB02 5D029 KA07 KC07

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェ
   ニルメタン、一般式（１）のビスフェノール、及び
   ３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、炭
   酸エステル形成化合物とを反応させてなる極限粘度が0.
   30〜0.50dl/gであることを特徴とするポリカーボネート
   からなる光記録媒体用成形材料。 【化１】
2. 【請求項２】 ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェ
   ニルメタンと、前記一般式（１）のビスフェノールと
   の使用モル割合が、1:9 〜9:1 である請求項１記載の光
   記録媒体用成形材料。
3. 【請求項３】 ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェ
   ニルメタンと、前記一般式（１）のビスフェノールか
   らなるビスフェノール類の合計１００モル部に対して、
   ３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物を、
   0.2 〜3.0モル部添加してなる請求項１記載の光記録媒
   体用成形材料。
4. 【請求項４】 ３官能以上のフェノール性水酸基を有
   する化合物が、1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）
   エタン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-
   メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノー
   ル、及び2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェニル）−2,6-
   ジメチル−3-ヘプテンからなる群より選択された少なく
   とも１種類である請求項１記載の光記録媒体用成形材
   料。
5. 【請求項５】 アルカリ水溶液と有機溶媒存在下で、
   ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、前
   記一般式（１）のビスフェノール、及び３官能以上の
   フェノール性水酸基を有する化合物に、ホスゲンを吹き
   込んだ後、第４級アンモニウム塩を添加し重縮合反応を
   開始させ、次に分子量調節剤となる一価フェノールを添
   加し、更に３級アミン重合触媒を添加し、重縮合を促進
   せしめることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体用
   成形材料の製造方法。
6. 【請求項６】 第４級アンモニウム塩が、トリエチルベ
   ンジルアンモニウムクロライドまたはトリメチルベンジ
   ルアンモニウムクロライドである請求項５記載の光記録
   媒体用成形材料の製造方法。