JPH07101662B2 - 欠陥のない薄い半導体層を形成する方法 - Google Patents

欠陥のない薄い半導体層を形成する方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハの構造とウェー
ハの製造法、具体的には、シリコン・オン・インシュレ
ータ構造の形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化物で接着されたウェーハの上のシリ
コンを薄くするため、いままで多くの仕事がなされてき
た。 例えばシリコンを薄くすることは、HF、 HNO3、お
よび、CH3COOHの混合物のようなウェット・シリコン・
エッチングによって達成されている。他のウェット・シ
リコン・エッチングには、Ｄ.Ｊ.ゴッドビー他による E
CS,137巻, 3219ページ（1990年）で開示されているKO
H、K2Cr2O7、プロパノール、および水による混合物、ま
た、Ｋ.イマによる Jap.J.Appl.Phys.30, 1154ページ
（1991年）に記載されているエチレンジアミンーピロカ
テコールー水（ethylenediamine-pyrocatechol-water）
の混合物がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコン・エ
ッチングの短所は、エッチバックしている間に、転位部
位においてエッチピットが形成されることである。ウェ
ット・エッチ・ストップ層をデバイスシリコンとシリコ
ンウェーハ基板の間に効果的に挿入することで、エッチ
ピットの形状的影響は減らすことができる。しかし、エ
ッチ・ストップ層を挿入することは、高温（1100℃）で
のウェーハ接着処理の間に、転位をストップ層からデバ
イスシリコン層に拡大させ、デバイスシリコン中に転位
を生じる可能性がある。
【０００４】従って、酸化物で接着されたウェーハの上
のシリコンを薄くし、上に述べた転位部位のエッチピッ
トと転位の拡大をなくす方法を提供することが望まし
い。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はウェット・シリ
コン・エッチバックの技術を使わずに、酸化物で接着さ
れたウェーハの上のシリコンを薄くする新しいプロセス
を提供することを目的とする。
【０００６】本発明は、後処理において半導体構造が形
成できる基本的に欠陥のない薄い半導体層を形成する方
法を提供するものであり、この方法は、（１）第１の導
電性を持つシリコン基板と、該シリコン基板の上に形成
された第２の導電性タイプで第１のエッチ特性を持つ拡
散層と、該拡散層上に形成された上記第２の導電性タイ
プで上記拡散層の上記第１のエッチ特性とは異なる第２
のエッチ特性とを持つ薄いエピタキシャル層と、上記エ
ピタキシャル層上に形成された薄い酸化物層を有する第
１のウェーハを用意し、（２）薄い酸化物の層がその表
面に形成されたシリコン基板からなる第２のウェーハを
用意し、（３）上記第１のウェーハと上記第２のウェー
ハを接着し、（４）上記第１のウェーハのシリコン基板
を制御された機械的方法で除去し、（５）下部の薄いエ
ピタキシャル層を露出するために、露出されたエピタキ
シャル層に最小の浅いプラズマ照射損傷で済むようにし
て上記拡散層を除去できる、第１のエッチ特性と第２の
エッチ特性とのエッチ比を持つ選択性の低エネルギー・
ドライ・プラズマ・プロセスを使って、上記第１のウェ
ーハの拡散層を除去すること、よりなるステップを含む
ものである。
【０００７】
【実施例】図１に示すように、本発明の方法は、第１の
半導体基板即ちシリコンウェーハ１０を用意することか
ら始まる。ウェーハ１０は例えばＰ-又はＮ-基板であ
る。第１のエッチ特性を持つＮ+拡散層１２がウェーハ
１０の上に通常の手段で形成される。望ましくは、拡散
層１２は拡大されたサブコレクター拡散層からなり、幅
２から３μｍのＮ+領域を形成する。拡散層１２の上
に、第２のエッチ特性を持つ厚さ０.０５から２.０μｍ
のＮ-ドープされた薄いエピタキシャル層１４が、有意
なＮ+外拡散が下部のＮ+層からエピタキシャルＮ-層に
起こるのを防ぐために、よく知られた低温シリコン・エ
ピタキシャル・プロセス（low temperature silicon ep
itaxial process：ＬＴＥ）によって形成される。ＬＴ
Ｅプロセスは、例えば、Ｔ.Ｎ.グエン他の「ＵＨＶ／Ｃ
ＶＤ技術による低温（550℃）エピタキシで製造された
ＩＣデバイスの特徴付け」（"Characterization of IC
Devices Fabricated in Low Temperature (550℃) Epit
axy by UHV/CVD Technique",IEDM 86, 304-307 ページ
(1986)）、さらに、Ｂ.Ｓ.メイヤーソンによる「超真空
／化学蒸着による低温シリコンエピタキシ」（"Low Tem
perature Silicon Epitaxy by Ultrahigh Vacuum/Chemi
cal Vapor Deposition" Appl.Phys.Lett. 48(12), Marc
h 24, 1986, 797-799ページ）に記載のプロセスが使用
できる。ＬＴＥプロセスは約５５０ー６５０℃の温度範
囲が特徴で、シリコン層のエピタキシの成長の間、下部
の拡散層からの外拡散を防ぐ。拡散は普通８５０℃より
高温で起こる。低温エピタキシャル・プロセスの結果、
Ｎ-エピタキシャル層１４が形成されている間のＮ+外拡
散は制御され、密なＮ+拡散層１２が維持され、良質の
Ｎ-エピタキシャル層１４が作られる。層１４の第２の
エッチ特性は層１２の第１のエッチ特性と異なることが
特徴だが、これは後で説明する。さらに、薄い酸化物層
１６（例えばＳｉＯ2を有する）が薄いエピタキシャル
層１４の上に形成される。
【０００８】次に図２に示すように、第２のシリコン基
板即ちサポートウェーハ１８を用意する。ウェーハ１８
の表面には酸化物層２０が形成される。酸化物層２０は
例えばＳｉＯ2を有する。ウェーハを接着する前に、第
１のウェーハ１０がひっくり返され、第２のウェーハ１
８と完全な接触を作る。ウェーハ接着は周知の技術だか
らここでは簡単にしか述べない。酸化物層１６は酸化物
層２０と接触する。その後、ウェーハ１０と１８は、予
め定められた時間熱処理を受け、酸化物層１６と酸化物
層２０が接着されて、図３に示すように、結合された酸
化物層２２が形成される。
【０００９】その後、制御された機械処理により基板即
ちウェーハ１０を除去し、図４に示す構造物が得られ
る。これは、ウェーハ１０を擦り／磨いて除き、その
後、化学的機械的ポリッシングをして達成する。磨いた
結果拡散層１２の近くのシリコンに起こった可能性のあ
る残留損傷を、化学的機械的ポリッシングによって取り
除くのは、その後のプロセスで下部の拡散層１２および
エピタキシャル層１４に同様の損傷が拡大するのを予防
するためである。擦り／磨き、化学的機械的ポリッシン
グは周知の技術であるからここでは述べない。
【００１０】次のステップで、拡散層１２が選択的に除
去され、エピタキシャル層１４を損傷しないようにして
露出する（図５）。具体的には、例えばＣｌ2プラズマ
のような、既知の低エネルギー・ドライ・プラズマ・プ
ロセスによって、Ｎ+拡散層１２を取り除く。このよう
な低エネルギー・ドライ・プラズマ・プロセスは、エピ
タキシャル層１４に最小限のプラズマ損傷で済むように
して拡散層１２が除去されるような、拡散層１２とエピ
タキシャル層１４の間の高い選択性を持っていることが
特徴である。Ｃｌ2を使うと、Ｎ+／Ｎ-のエッチ比４０
が得られ、プラズマ損傷があったとしてもごく僅かであ
る。この最小限のプラズマ損傷を「浅い」プラズマ損傷
と呼ぶことができよう。拡散層１２を除去するのに、上
記ではＣｌ2プラズマの使用を述べたが、他の同様の低
エネルギー・ドライ・プラズマも使える。層１２と層１
４のエッチ特性に関連して得られる「浅い」プラズマ損
傷の所望のレベルと、使用しようとしている特定のエッ
チャント・ガスの選択性に基づいて適切なプラズマを選
択することができる。
【００１１】前ステップで起こった浅いプラズマ損傷の
除去は、露出されたエピタキシャル層１４の上に犠牲的
熱酸化物層を形成し（図６）、その後、熱酸化物層２４
を除去することによって行うことができる（図７）。熱
酸化物層の形成はよく知られた技術である。熱酸化物層
２４は浅いプラズマ損傷を費消(consume)する。浅いプ
ラズマ損傷が費消された後、熱酸化物層２４はＨＦ緩衝
液中でウェットエッチングにより除去される。その結
果、欠陥の少ない薄いエピタキシャル層からなるエピタ
キシャル層１４ができる。
【００１２】本発明の、薄いシリコン・オン・インシュ
レータ構造を形成する第２の具体化は、基本的には上で
述べた具体化方法と同じだが、以下に述べる点が異な
る。図８に示すように、第１のシリコン基板即ちウェー
ハ３０は第１の導電性タイプ、例えばＰ-又はＮ-基板を
有する。ウェーハ３０の上に、通常の方法で、第２の導
電性タイプと第１のエッチ特性を持つシリコン拡散層３
２が形成される。拡散層３２は幅２から３μｍのＮ+拡
散層である。さらに拡散層３２の上に、既知の低温シリ
コン・エピタキシャル・プロセスによって、第２の導電
性タイプと、層３２の第１のエッチ特性とは異なる第２
のエッチ特性を持つ薄いエピタキシャル層３４が形成さ
れる。エピタキシャル層３４は厚さ０.０５から２.０μ
ｍの、例えばＮ-ドープされた層を有する。
【００１３】図９に示すように、エピタキシャル層３４
の所望の領域３６がドープされ、第２の導電性タイプと
拡散層３２の第１のエッチ特性と同じエッチ特性を持つ
拡散領域が形成される。ただ１つの領域３６を図示した
が、具体的な半導体ウェーハ構造の要求に従って、同様
の領域が多数ドープされるものと理解されたい。拡散領
域３６を形成するときの固有の性質から、拡散領域３６
と拡散層３２から結合された拡散層３８が形成される。
【００１４】第２の導電性タイプで第２のエッチ特性を
持つ第２の薄いエピタキシャル層４０が、第１のエピタ
キシャル層３４と拡散層３６の上に、ＬＴＥによって形
成される（図１０）。第２のエピタキシャル層４０は、
例えば厚さ０.０５から２.０μｍのＮ-ドープされたエ
ピタキシャル層である。図１０に示すように、エピタキ
シャル層を形成するときの固有の性質から、エピタキシ
ャル層４０と下部のエピタキシャル層３４が結合され、
エピタキシャル層４２が形成される。この後、エピタキ
シャル層４２の上に、例えばＳｉＯ2を有する薄い酸化
物層４４が形成される。
【００１５】図１１に示すように、第２のシリコン基板
即ちサポート上４６を用意する。ウェーハ４６の表面に
は例えばＳｉＯ2を有する酸化物層４８が形成される。
ウェーハ接着の前に、第１のウェーハ３０がひっくり返
され、第２のウェーハ４６と完全な接触を作る。即ち酸
化物層４４と酸化物層４８が接触され、その後、ウェー
ハ３０と４６は予め定められた時間熱処理を受け、図１
２に示すように、酸化物層４４と酸化物層４８が接着さ
れ、結合した酸化物層５０が形成される。
【００１６】その後、制御された機械処理により基板即
ちウェーハ３０を除去し、図１３に示す構造物が得られ
る。除去の仕方は、前に述べたウェーハ１０の除去の仕
方と同じである。
【００１７】次のステップで、拡散層３８が選択的に除
去され、エピタキシャル層４２を損傷しないようにして
露出する（図１４）。拡散層３８の選択的除去は、拡散
層１２の除去に関して前に述べたように、低エネルギー
・ドライ・プラズマ・プロセスを使用する。拡散層３８
は、エピタキシャル層４２へのプラズマ損傷が最小であ
るようにして除去される。結果として起こりうる浅いプ
ラズマ損傷は、前に述べたように、エピタキシャル層４
２に犠牲的酸化物層を成長させ、その後、犠牲的酸化物
層を除去することによって除去することができる。
【００１８】その結果できた構造物として、図１４に示
すように、厚さの異なる領域５２と５４を持つエピタキ
シャル層４２ができる。領域５２は、例えばＣＭＯＳ半
導体デバイスを後で形成できるように０.０５から２.０
μｍの厚さの層を有する。同様に領域５４は、バイポー
ラ半導体デバイスを後で形成できるように厚さ０.１か
ら４.０μｍの厚さの層を有する。結果として、第２の
具体化は、実質的に欠陥のない、バイＣＭＯＳ半導体デ
バイスの用途にふさわしい、薄いシリコン層を持つ構造
を提供することができる。
【００１９】次に本発明の第３の具体化を提供する。薄
いシリコン・オン・インシュレータ構造を形成する方法
は前述の具体化と基本的に同じだが、以下に述べる点を
異にする。図１５に示すように、第１のシリコン基板即
ちウェーハ６０は第１の導電性タイプ例えばＰ-又はＮ-
基板を有する。ウェーハ６０の上に、通常の方法を使っ
て、第２の導電性タイプで第１のエッチ特性を持つシリ
コン拡散層６２が形成される。拡散層６２は幅２から３
μｍのＮ+拡散層である。さらに、拡散層６２の上に、
周知の低温シリコン・エピタキシャル・プロセスによっ
て、第２の導電性タイプで、層６２の第１のエッチ特性
とは異なる第２のエッチ特性を持つ薄いエピタキシャル
層６４が形成される。エピタキシャル層６４は、例えば
厚さ０.０５から４μｍを持つＮ-ドープされた層を有す
る。
【００２０】図１６に示すように、エピタキシャル層６
４に、酸化物でパターン付けをしたエピタキシャル層６
８を形成するために、酸化物領域６６が形成される。酸
化物領域６６は、例えばＳｉＯ2を有し、本発明が参照
し包含する米国特許4,671,851に記載されているような
通常の方法で形成できる。１つしか領域６６を図示して
いないが、具体的な半導体ウェーハ構造の要求によっ
て、同様の領域が多数形成できるものと理解されたい。
この後で、例えばＣＶＤ ＳｉＯ2を有する薄い酸化物
層７０が、エピタキシャル層６８と酸化物領域６６の上
に形成される（図１７）。酸化物層７０の形成上の固有
な性質から、酸化物領域６６と酸化物層７０が結合し、
プレーナ表面を備えた酸化物層７２が形成される。これ
に代わる方法として、層６４の上にポリッシュ・ストッ
プ層（図示せず）を形成することにより、酸化物領域６
６を形成する方法もある。ポリッシュ・ストップ層は厚
さ約０.０１μｍの窒化物層を有するものでもよい。そ
の後、層６４とポリッシュ・ストップ層は浅いトレンチ
を形成するために、予め定められた所望の深さでパター
ンが作られエッチングされる。その後、トレンチは酸化
物で満たされ、ポリッシュ・ストップ層までポリッシュ
バックされる。薄い酸化物層７０はＣＶＤ酸化物を有
し、ポリッシュ・ストップ層のポリッシュされた表面と
酸化物領域６６の表面に付着される。
【００２１】図１８に示すように、第２のシリコン基板
即ちサポート上７４を用意する。ウェーハ７４の表面の
上に酸化物層７６が形成されている。酸化物層は例えば
ＳｉＯ2を有する。ウェーハを接着する前に、ウェーハ
６０がひっくり返され、第２のウェーハ７４と完全な接
触を作る。即ち酸化物層７２は酸化物層７６に接触し、
ウェーハ６０と７４は、その後、予め定められた時間熱
処理を受け、酸化物層７２と酸化物層７６が接着され、
図１９に示すように、結合された酸化物層７８が形成さ
れる。
【００２２】その後、制御された機械処理により基板即
ちウェーハ６０を除去し、図２０に示す構造物が得られ
る。除去の仕方は、前に述べたウェーハ１０の除去の仕
方と同じである。
【００２３】次のステップで、拡散層６２が選択的に除
去され、エピタキシャル層６８を損傷しないようにして
露出する（図２１）。拡散層６２の選択的除去は、拡散
層１２の除去に関して前に述べたように、低エネルギー
・ドライ・プラズマ・プロセスを使用する。拡散層６２
は、エピタキシャル層６８へのプラズマ損傷が最小であ
るようにして除去される。結果として起こりうる浅いプ
ラズマ損傷は、前に述べたように、エピタキシャル層６
８に犠牲的酸化物層を成長させ、その後、犠牲的酸化物
層を除去することによって除去することができる。
【００２４】その結果できた構造物として、図２１に示
すように、厚さの異なる領域８０と８２を持つエピタキ
シャル層６８ができる。領域８０は、例えばＣＭＯＳ半
導体デバイスを後で形成できるように０.０５から２.０
μｍの厚さの層を有する。同様に領域８２は、バイポー
ラ半導体デバイスを後で形成できるように厚さ０.１か
ら４.０μｍの厚さを有する。結果として、第３の具体
化は、実質的に欠陥のない、バイＣＭＯＳ半導体デバイ
スの用途にふさわしい、薄いシリコン層を持つ構造を提
供することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、ウェーハ接着によって形成さ
れる、実質的に欠陥のない、薄いシリコン・オン・イン
シュレータ層を作る方法を提供する。拡散層を選択的に
除去することにより、エピタキシャル層へのプラズマ損
傷を最小にすることができ、さらに、このプラズマ損傷
は、犠牲的酸化物の使用により、容易に除去することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１から図７は第１の具体化の各ステップにお
ける基板を示し、図１は第１の基板の断面図。
【図２】第２のシリコン基板と、ひっくり返した第１の
シリコン基板の断面図。
【図３】第１と第２の基板を接着してできた基板の断面
図。
【図４】図３の基板１０を除去した後の基板の断面図。
【図５】拡散層１２を選択的に除去しエピタキシャル層
を露出した後の基板の断面図。
【図６】図５に示す基板の上に犠牲的熱酸化物層を形成
した基板の断面図。
【図７】図６の基板から犠牲的熱酸化物層を除去した後
の基板の断面図。
【図８】図８から図１４までは第２の具体化の各ステッ
プにおける基板を示し、図８は第１のシリコン基板の断
面図。
【図９】第１の基板上に形成された拡散領域と結合され
た拡散層を示す断面図。
【図１０】第２のエピタキシャル層が形成され、その
後、第１のエピタキシャル層と結合され、その上に酸化
物層が形成された断面図。
【図１１】第２のシリコン基板とひっくり返した第１の
シリコン基板の断面図。
【図１２】第１の基板と第２の基板とを接着してできた
基板の断面図。
【図１３】図１２の基板３０を除去した後の基板の断面
図。
【図１４】拡散層３８を選択的に除去し、厚さの異なる
領域を持つエピタキシャル層を持つ基板の断面図。
【図１５】図１５から図２１までは第３の具体化の各ス
テップにおける基板を示し、図１５は第１のシリコン基
板の断面図。
【図１６】酸化物でパターンを付けたエピタキシャル層
を形成するために酸化物領域が形成された基板の断面
図。
【図１７】酸化物領域と酸化物層が結合し、プレーナ表
面を備えた酸化物層を形成した基板の断面図。
【図１８】第２のシリコン基板と、ひっくり返した第１
のシリコン基板の断面図。
【図１９】第１の基板と第２の基板を接着してできた基
板の断面図。
【図２０】図１９の層６０を除去した後の基板の断面
図。
【図２１】拡散層６２を選択的に除去し、厚さの異なる
領域を持つエピタキシャル層を持つ基板の断面図。
【符号の説明】
１０、３０、６０ 第１の半導体基板即ちシリコ
ンウェーハ １２、３２、６２ 拡散層 １４、３４、６４、６８ エピタキシャル層 １６、４４、７０ 酸化物層 １８、４６ 第２のシリコン基板即ちサポ
ートウェーハ ２０、４８ 第２のシリコン基板の酸化物
層 ２２ 結合された酸化物層 ２４ 熱酸化物層 ３６ 拡散領域 ３８ 結合された拡散層 ４０ 第２のエピタキシャル層 ５２、５４、８０、８２ 領域 ６６ 酸化物領域 ６８ 酸化物でパターン付けされた
エピタキシャル層 ７２ プレーナ表面を備えた酸化物
層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ビクター ジョゼフ シルベストリ アメリカ合衆国 12533 ニューヨーク州 ホープウェルジャンクション ビバリー コート ３ (72)発明者 アンドリー エス． ヤプシール アメリカ合衆国 12533 ニューヨーク州 プレザントバレー デイナドライブ ４

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 後処理において半導体構造が形成できる
    基本的に欠陥のない薄い半導体層を形成する方法であっ
    て、上記方法は、 第１の導電性を持つシリコン基板と、該シリコン基板の
    上に形成された第２の導電性タイプで第１のエッチ特性
    を持つ拡散層と、該拡散層上に形成された上記第２の導
    電性タイプで上記拡散層の上記第１のエッチ特性とは異
    なる第２のエッチ特性とを持つ薄いエピタキシャル層
    と、上記エピタキシャル層上に形成された薄い酸化物層
    を有する第１のウェーハを用意し、 薄い酸化物層がその表面に形成されたシリコン基板を有
    する第２のウェーハを用意し、 上記第１のウェーハと上記第２のウェーハを接着し、 上記第１のウェーハのシリコン基板を制御された機械的
    方法で除去し、 下部の薄いエピタキシャル層を露出するために、露出さ
    れたエピタキシャル層に最小の浅いプラズマ照射損傷で
    済むようにして上記拡散層を除去できる、第１のエッチ
    特性と第２のエッチ特性とのエッチ比を持つ選択性の低
    エネルギー・ドライ・プラズマ・プロセスを使って、上
    記第１のウェーハの上記拡散層を除去すること、 よりなる方法。
  2. 【請求項２】 上記半導体層を形成する方法において、
    上記第１のウェーハを用意するステップが、シリコン基
    板を用意し該シリコン基板上にＮ+拡散層を形成し、該
    Ｎ+拡散層上に所望の厚さの薄いＮ-エピタキシャル層を
    形成し、該Ｎ-エピタキシャル層上に薄い酸化物層を形
    成することからなる請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 上記半導体層を形成する方法において、
    上記第１のウェーハを用意するステップが、シリコン基
    板を用意し該シリコン基板上にＮ+拡散層を形成し、該
    Ｎ+拡散層上に０.０５から２.０μｍの範囲の所望の厚
    さのＮ-エピタキシャル層を形成し、該Ｎ-エピタキシャ
    ル層上に薄い酸化物層を形成することからなる請求項１
    に記載の方法。
  4. 【請求項４】 上記半導体層を形成する方法において、
    選択性の低エネルギー・ドライ・プラズマ・プロセスを
    使用して、上記第１のウェーハの上記拡散層を除去する
    ステップが、Ｃｌ2プラズマを使いＮ+／Ｎ-エッチ比４
    ０が得られる請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 上記半導体層を形成する方法において、
    上記方法がさらに、薄いエピタキシャル層の露出された
    表面から浅いプラズマ照射損傷を除去することからなる
    請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 後処理において半導体構造が形成できる
    基本的に欠陥のない薄い半導体層を形成する方法であっ
    て、上記方法は、 第１の導電性のシリコン基板と、該シリコン基板上に形
    成された第２の導電性タイプで第１のエッチ特性を特徴
    とするシリコン拡散層を有する第１のウェーハを用意
    し、 上記拡散層上に、第２の導電性タイプで上記拡散層の第
    １のエッチ特性とは異なる第２のエッチ特性を特徴とす
    る第１の薄いエピタキシャル層を形成し、 上記第１のエピタキシャル層の中の予め定められた領域
    において上記第１のエピタキシャル層をドープし、上記
    第２の導電性タイプで上記第１のエッチ特性を特徴とす
    る拡散領域を形成し、 上記第１のエピタキシャル層上に、上記第２の導電性タ
    イプで上記第２のエッチ特性を特徴とする第２の薄いエ
    ピタキシャル層を形成し、 上記第２のエピタキシャル層に薄い酸化物層を形成し、 薄い酸化物層がその表面上に形成されたシリコン基板を
    有する第２のウェーハを用意し、 上記第１のウェーハと上記第２のウェーハを接着し、 上記第１のウェーハのシリコン基板を制御された機械的
    方法で除去し、 上記拡散層と上記拡散領域とにそれぞれ接する下部の第
    １および第２の薄いエピタキシャル層の部位を露出する
    ために、露出された上記第１および第２のエピタキシャ
    ル層の部位に最小の浅いプラズマ照射損傷で済むように
    して上記拡散層および上記拡散領域を除去できる、第１
    のエッチ特性と第２のエッチ特性とのエッチ比を持つ選
    択性低エネルギー・ドライ・プラズマ・プロセスを使っ
    て、上記第１のウェーハの上記拡散層および上記拡散領
    域を除去すること、よりなる方法。
  7. 【請求項７】 上記半導体層を形成する方法において、
    上記第１のウェーハの上記拡散層および上記拡散領域を
    除去するステップが、選択性の低エネルギー・ドライ・
    Ｃｌ2プラズマを使い、Ｎ+／Ｎ-エッチ比４０が得られ
    る請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 上記半導体層を形成する方法において、
    上記方法がさらに、上記第１および第２のエピタキシャ
    ル層の露出された表面から浅いプラズマ照射損傷を除去
    することからなる請求項６に記載の方法。
  9. 【請求項９】 後処理において半導体構造が形成できる
    基本的に欠陥のない薄い半導体層を形成する方法であっ
    て、上記方法は、 第１の導電性のシリコン基板と、該シリコン基板上に形
    成された第２の導電性タイプで第１のエッチ特性を特徴
    とするシリコン拡散層を有する第１のウェーハを用意
    し、 上記拡散層上に、第２の導電性タイプで上記拡散層の第
    １のエッチ特性とは異なる第２のエッチ特性を持つこと
    を特徴とするエピタキシャル層を形成し、 上記エピタキシャル層中の予め定められた領域にトレン
    チを形成し、 上記トレンチをトレンチ充填物で充填し、 上記エピタキシャル層および充填後の上記トレンチの上
    部表面をプレーナ化し、 上記プレーナ化されたエピタキシャル層および充填後ト
    レンチの上に薄い酸化物層を形成し、 薄い酸化物層がその表面上に形成されたシリコン基板を
    有する第２のウェーハを用意し、 上記第２のウェーハと上記第２のウェーハを接着し、 上記第１のウェーハのシリコン基板を制御された機械的
    方法で除去し、 下部の薄いエピタキシャル層を露出するために、露出さ
    れたエピタキシャル層に最小の浅いプラズマ照射損傷で
    済むようにして上記拡散層を除去できる、第１のエッチ
    特性と第２のエッチ特性との間のエッチ比を持つ選択性
    低エネルギー・ドライ・プラズマ・プロセスを使って、
    上記第１のウェーハの上記拡散層を除去すること、 よりなる方法。
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