JPH0684454A - 化学・機械研磨法を用いた冷陰極エミッタ先端部の周囲にセルフアライン型のゲート構造体を形成する方法 - Google Patents
化学・機械研磨法を用いた冷陰極エミッタ先端部の周囲にセルフアライン型のゲート構造体を形成する方法Info
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Abstract
ついても、より低い電子放出閾値電圧でより大きな電子
放出電流を得ることができるセルフアライン型ゲート構
造体を製造する方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の方法は、電子放出エミッタ(1
3)、誘電体層(18)、絶縁層(14)および導電層
(15)、そして所望により緩衝層を含むエミッタ(1
3)を取り囲むセルフアライン型のグリッド(15)構
造を形成する方法である。本発明の方法においては、上
に積層物を有するエミッタ(13)は化学・機械平滑化
法(CMP法)により平滑化され、ついで絶縁層(1
4)、誘電体層(18)および導電層(15)をエッチ
ング等で選択的に除去しエミッタ(13)の少なくとも
一部を露出させる。エミッタ先端部(13)は酸化によ
って先鋭化され、また低仕事関数値の材料で被覆され
る。
Description
特に化学・機械平滑化法(Chemical Mechanical Planar
ization;CMP法)を用いてエミッタの先端がセルフア
ライン(self-align)型のゲート構造体を形成する方法
に関する。
などによく用いられる陰極線管(CRT)ディスプレイ
では、電子銃からの走査電子線を、電子銃から離れた位
置にあるスクリーン上の蛍光体に衝突させている。衝突
した電子は蛍光体のエネルギーレベルを上げるが、蛍光
体はその正常なエネルギーレベルに戻るとき、励起電子
のエネルギーを、ガラススクリーンを見つめる人の目に
向かってディスプレイを透過する光子(フォトン)とし
て放出する。
製品においては、平面的なパネルディスプレイがますま
す重要になっている。近年そのようなスクリーンには電
界発光または液晶技術を使っているが、これについて従
来有望な技術は、スクリーン上の蛍光体を励起する冷陰
極電子放出装置のマトリックスアレイである。
442 号においては、透明な気密外囲器と、この外囲器内
で互いに平行に配置される二つの平面電極と、陰極発光
パネルを備えた表示パネルが開示されている。この二つ
の平面電極のうち、一つは冷陰極であり、他の一つは低
ポテンシャルのアノード、ゲートまたはグリッドであ
る。また、陰極発光パネルは透明ガラス板と、この透明
ガラス板の上に形成される透明電極、およびこの透明電
極上に被覆される蛍光体層からなる。この蛍光体層は、
例えば低エネルギー電子によっても励起可能な酸化亜鉛
などから形成される。
第3,665,241 号および同第3,812,559 号において電界放
出陰極構造を提唱している。所望の電界放出を得るに
は、電源の正端子にゲートもしくはグリッド、また負端
子にエミッタ電極(陰極導電基板)を接続する。電源
は、電子放出電流を制御するために可変とすることがで
きる。電極間に電源を設置するときは、電界がエミッタ
先端部と低ポテンシャルアノードグリッドの間に形成さ
れ、陰極先端部から放出される電子がグリッド電極の孔
を通過していくようにする。
なり合う位置にある点のアレイは、それぞれ1個または
それ以上の先端部を含み、適当な電圧の印加によって互
いに別個に電子を放出する複数の領域に小分割される陰
極の生産様式に合わせて決定される。
度は、エミッタ先端部の先鋭度、ゲートの配列と間隔、
先端部を取囲むグリッドの孔、画素の大きさ、陰極−ゲ
ート間および陰極−スクリーン間電圧など多数の要因に
よって決まる。これらの要因は、また相互に関係してい
る。例えば、エミッタ先端部から電子を放出させるのに
要求される電圧は、エミッタ先端部の先鋭度と陰極−ゲ
ート間隔に依存する。すでに知られている方法には、陰
極−ゲート間隔を非常に狭いものにでき、少なくともこ
れまで報告されているものよりも低いオーダーの電子放
出閾値電圧を可能にするという利点がある。すなわち、
電子放出電流は、印加されるエミッタ(陰極)−ゲート
電圧と電子放出閾値電圧の差に比例するため、この場合
いかなるエミッタ−ゲート電圧についても、より低い電
子放出閾値電圧のおかげでより大きな電子放出電流を得
ることができる。
放出ディスプレイにおけるゲート電極エッチング用のマ
スクは、エミッタ先端部に手で整列・配置していた。し
かし、手で整列・配置すると、バラツキが生じ、適正な
電子放出パターンが得にくくなることがある。そこで、
米国特許第3,970,887 号(発明の名称「マイクロ構造の
電界放出電子源」)は、セルフアライン(自己整列)型
のエミッタ先端部を紹介している。このセルフアライン
型エミッタ先端部および同型のゲートは、バラツキが大
幅に減少し、製造コストも下げることができる。そし
て、画像の鮮明度が向上したディスプレイが得られる。
は、電界放出ディスプレイにおいてエミッタ先端がセル
フアライン型であるゲート構造体の製造方法を改良する
ことである。本発明においては、多層で、かつ選択的に
エッチング可能な誘電体層に化学・機械平滑化法を適用
し、これまで文献に報告されているものよりもオーダー
の小さい電子放出閾値電圧を可能にする超微細なゲート
−エミッタ先端部間隔を実現する。先にも述べたよう
に、電子放出電流は、印加エミッタ−ゲート電圧と電子
放出閾値電圧の差に比例するため、本発明によれば、い
かなるエミッタ−ゲート電圧についても、より低い電子
放出閾値電圧のおかげでより大きな電子放出電流を得る
ことができる。
イを示す。基板11は、例えばガラス、あるいは他の適
当な材料でできている。好ましくは、シリコン単結晶が
よく、この上にドープした多結晶シリコンなどの陰極導
電層12を蒸着・形成する。陰極導電層12の電界放出
位置においては、マイクロカソード13を形成する。マ
イクロカソード13は、ピラミッド形や円錐形など電子
放出のための微小な点を有する種々の形状の隆起形にで
きる。マイクロカソード13を囲んで、低ポテンシャル
のアノードゲート15が設けられる。電源20からマイ
クロカソード13とゲート15間に電圧が印加された場
合は、電子の流れ17が蛍光体21を塗布したスクリー
ン16に向かって放出される。スクリーン16は陽極
で、蛍光体21側にはITO(Indium Tin Oxide)22が
被覆してある。電子放出先端部(マイクロカソード)1
3は、単結晶半導体からなる基板11と一体化され、陰
極導電体として作用する。ゲート15は、低ポテンシャ
ルアノードまたは対応するマイクロカソード13のため
のグリッドとして作用する。誘電体層14は導電陰極層
12の上に蒸着される。この誘電体層14は電界放出位
置に開口を有する。
終工程を示す図2ないし図7を参照すると、よりよく理
解できるであろう。
法はいくつかある。このような方法は、例えば先の米国
特許第3,970,887 号(発明の名称「マイクロ構造の電界
放出電子源」)に述べられている。
ドーピング技術により細長で互いに平行方向に延びるい
くつかのN型導電領域またはウエルを形成した単結晶の
P型シリコンウエハが用いられる。この場合、各N型導
電領域の幅はおよそ10μ、また厚さ(深さ)は約3μ
である。各導電領域間の間隔は任意で、与えられた大き
さのシリコン基板について、所望の数の電界放出カソー
ドが取れるように調整する。基板へのP型あるいはN型
導電領域の形成は、拡散あるいはエピタキシャル成長
等、周知の半導体製造技術により行われる。なお、当然
のことながら、P型およびN型領域は、最初に使う基板
およびドーパントを適宜選択することにより、互いに逆
転させることができる。
部を形成する場所となる。電界放出カソードのマイクロ
構造は、その下層となる半導体基板を使って製造され
る。半導体基板はP型とN型のいずれでもよく、まず電
界放出カソードを形成する位置の表面にマスクをする。
マスクの形成は、マスクした領域が半導体基板の表面に
島を形成するように行う。その後、そのマスクした島領
域の縁の下にある半導体基板の周辺領域について、選択
的にその側壁を除去する。こうすると、マスクした各島
領域の直下位置に、後に電界放出カソードをつくる基と
なる中央が盛り上がった半導体の電界放出先端部が得ら
れる。なお、この下層となる半導体基板の島周辺領域の
除去は、マスクした島領域を囲む半導体基板表面を酸化
することによって密接に制御するのが好ましい。このと
き酸化の工程は、マスクした領域の縁部の下方で酸化層
が横方向に成長し、マスクした島領域の直下にある基板
だけに非酸化先端部を残すよう充分時間をかけて行う。
酸化層は、その後少なくともマスクした島部分を直に囲
む領域において別々にエッチング除去することにより、
所望の各電界放出カソード位置において下層の半導体基
板と一体化した、中央部が盛り上がった半導体電界放出
先端部が得られる。この工程を図7に示すS1工程とす
る。
トをつくる前に、電子を放出するエミッタ先端部13
は、酸化工程によってより先鋭化される。シリコンウエ
ハ11およびエミッタ先端部13の表面は、SiO2 の
酸化物層(図示せず)を形成するため酸化される。この
酸化物層は、次いでエミッタ先端部13を先鋭化するた
め、エッチングされる。ここでのSiO2 層の形成およ
びエミッタ先端部13の先鋭化には公知の技術が用いら
れる。
にエッチング可能な層18を蒸着する。好ましい態様に
おいては、その下層の形状に合わせて蒸着される窒化物
層18が用いられる。層18には、続いて形成される絶
縁層14との間で選択的にエッチングできるものであれ
ば、他の材料でも用いることができる(例えば誘電体層
18にSiO2 、そして絶縁層14にオキシ窒化シリコ
ンの組合せ)が、窒化物層18は酸素の拡散に対して特
に有効なため、1000Å程度の薄い層に適用できる。
しかし好ましいのはそれ以上の厚さの層である。このよ
うな厚い窒化物層18を形成すると、ゲート15とカソ
ード13の間の距離が小さくなり、エミッタ駆動電圧
(電子放出閾値電圧)が低くなるという利点が生まれ
る。窒化物層18は、図2に示したように、下層との間
で形状適合性がある。すなわち、この窒化物層18は、
エミッタ先端部13の上に、その形状に合った形を取り
ながら蒸着される。
に示すようなもう一つの絶縁層14を蒸着する。この絶
縁層14は好ましくはスピン−オン−ガラス(spin-on-
glass ;SOG)や硼燐ケイ酸ガラス(BPSG)ある
いはポリイミドなど流動性をもつ材料で形成するのがよ
い。これらの材料は、所定の条件下で、容易にウエハの
表面を流れ、平滑化された層を形成する。
15と基板11の間の間隔を決定するが、実際には形状
適合性のある誘電体層18がゲート15とカソード(エ
ミッタ先端部)13の間の距離を決定し、絶縁層14の
厚さは、エミッタ先端部13と基板11の間の間隔に依
存する。もし誘電体層18を非常に厚くできる場合は、
絶縁層14は不要になる。しかし、好ましい態様は誘電
体層18と絶縁層14を両方含むものである。絶縁層1
4は好ましくはエミッタ先端部13より高い位置で蒸着
されるが、それより低い位置で蒸着することも可能であ
る。その場合は絶縁層14を流動させる工程はなくても
よい。
ス(BPSG)を用いる。BPSGは、ホスフィンガス
(PH3 )のようなリン源を用いた化学蒸着(CVD)
等により蒸着できる。このとき、ウエハの表面は、ジボ
ラン(B2 H6 )のようなホウ素源にも曝される。BP
SGを用いた絶縁層14は、最初は実質的にエミッタ先
端部13を被覆するが、その後流動させられる。
0〜1100℃で行われるが、実際には、再流動化温度
の上限は、基板および他の関連構成要素上での再流動作
用によって制御される。この再流動は、急速熱処理(ra
pid thermal processing;RTP)によっても行うこと
ができる。
は約1000℃まで加熱し、図3に示すようにエミッタ
先端部13より低い位置で均一な高さになるよう再流動
させる。
8 号の発明ではCVDを用いている。こうすると、BP
SGのようなケイ酸ガラスは、大気下で半導体ウエハの
領域にほぼ均一な厚さで蒸着される。このような大気下
でのCVD法については、ケルンおよびシュネーブル
(W.Kern,G.L.Schnable)「RCAリヴュー」第43巻,
第423〜457頁(1982年9月)を参照された
い。
ケルンの文献に記載されている。BPSGの蒸着に当っ
ては、プラズマ増幅(Plasma-enhanced)CVD(PEC
VD)も用いることができる。PECVDについては、
トング(J.E.Tong)、シャートンライブ(K.Schertenleib)
およびカルピオ(R.A.Carpio)「PECVD法によるVL
SI用硼燐ケイ酸膜の製法と膜特性」固体技術(Solid S
tate Technology),第161〜170頁(1984年1
月)が詳しい。BPSGについては、低圧CVD等、他
の蒸着方法も用いることができる。
タ先端部13の間隔をさらに調整するため、絶縁性の窒
化物層18をこの段階で蒸着することもできる(破線で
示すように、S3工程はS4工程の後にもう一度行うこ
ともできる)。
電体層18の蒸着を、このS4工程の後、すなわち流動
性の絶縁層14の蒸着・再流動を行った後に回すことも
できる。この場合は、絶縁層14の再流動の後、エミッ
タ先端部13を露出させ、ゲート層15用の導電性材料
を蒸着する前に、形状適合性のある誘電体層18を蒸着
する。
性ゲート材料の蒸着である。ゲート15層は、導電性の
層から形成される。このような導電性の層は、クロムや
モリブデンなどの金属で形成してもよいが、好ましいの
はドープした多結晶シリコンである。
その後の化学・機械研磨(CMP)工程の際にゲート層
15の下層となる部分を保護するため、緩衝層(図示せ
ず)を使用することもできる。ただしこの緩衝層はあく
までも任意である。そして、形成した緩衝層はそのまま
残すこともできるし、除去してもよい。
膜である。窒化物の緩衝層は、エミッタ先端部を保護す
る機能をもつ。
衝層は、実質的にはCMP法にとって妨げにはなる。そ
こで、緩衝層としてフォトレジストを用いることもでき
る。
平滑化(Chemical Mechanical Planarization;CMP
法)である。この化学・機械平滑化は、化学・機械研磨
(Chemical Mechanical Polishing;CMP法)とも呼ば
れる。この化学的な研磨技術を用いることにより、エミ
ッタ先端部13より上方に位置する緩衝層および他の層
(例えばゲート層15や誘電体層18)が研磨される。
むスラリー、研磨圧力および温度を調整しながら、湿ら
せた研磨表面に対して、半導体ウエハを保持・回転させ
る。アルミナやシリカを含むスラリーは、研磨剤として
用いる。また、このスラリーは、エッチング剤を含むこ
ともできる。スラリーは、7.5以上のpHをもつのが
好ましい。最も好ましいのはpH12である。
を形成するのに用いることができる。この場合その表面
は研磨あるいは平滑化された表面となる。CMP法を実
施するための装置は米国特許第4,193,226 号および同第
4,811,522 号に紹介されている。また、この装置には、
ウエステック・エンジニアリング(Westech Engineerin
g)社製のモデル372研磨機を用いることもできる。
いて、高圧下で行われる。CMP法はまず非常に速い研
磨速度で進められ、そしてピーク(ここでは誘電体1
8)の先端部が露出したら、今度は急激に研磨速度を下
げる。CMP法の研磨速度は、平滑化しようとする表面
の硬さと研磨時に加えられる圧力に比例する。
MP後の中間段階を示す。CMPにより平滑化された表
面が得られ、形状適合性のある誘電体層18が露出して
いる。図5は、誘電体層18がゲート15とカソード1
3の間の間隔を規定し、またゲート15がセルフアライ
ン型となる機構を示す。
13を露出させるため、流動性の絶縁層14に対して選
択的にエッチング可能な誘電体層18をウエットエッチ
ングするS8工程である。図6Aと6Bはそれぞれ、エ
ッチングによって絶縁キャビティ(空隙)が形成された
電界エミッタ装置を示す。図6Aは、誘電体層18が酸
化物のときの最終構造を、また図6Bは誘電体層が窒化
物のときの最終構造を示す。
関数値の低い材料で被覆することができる(図7のS9
工程)。そのような材料としては、サーメット(Cr3
Si+SiO2 )、セシウム、ルビジウム、窒化タンタ
ル、バリウム、ケイ化クロム、炭化チタン、モリブデン
およびニオブなどがあるが、これらに限定されるもので
はない。
法で行うことができる。仕事関数値の低い材料あるいは
その先駆物質は、スパッタリング等の適当な方法でエミ
ッタ先端部13上に蒸着される。そしてチタンやクロム
などの一部の金属は、その後の急速熱処理(RTP)工
程の際に、エミッタ先端部13を構成するシリコンと反
応してケイ化物を形成する。このRTP工程で未反応の
金属は、この工程後エミッタ先端部13から除去され
る。タンタルを蒸着したとき、窒素雰囲気下でRTP工
程を施すと、蒸着したタンタルは、仕事関数値のきわめ
て低い窒化タンタルに変化する。このようにコーティン
グを施すと、エミッタ先端部は何もコーティングをしな
いシリコンの先端部より先鋭になるだけでなく、腐食に
対する耐性が強くなり、仕事関数値も低くなる。ケイ化
物は、耐火性の金属とその下層にある多結晶シリコンの
間の焼鈍反応によって形成される。
めであって、本発明を限定する意味で記したものではな
い。
ゲート−エミッタ先端部間の間隔がごく狭くなってオー
ダーの小さい電子放出閾値電圧が可能になり、いかなる
エミッタ−ゲート電圧についても、より低い電子放出閾
値電圧により、より大きな電子放出電流を得ることがで
きる。
ライン型ゲートに囲まれた電子放出エミッタ先端部(あ
るいは電界放出カソード)を示す平面パネル表示装置の
断面説明図である。
に形成される流動性の絶縁層を備えた、本発明の方法に
より形成されるエミッタ先端部を示す断面図である。
より流動性の絶縁層を約1000℃の温度下で再流動さ
せた後のエミッタ先端部を示す断面図である。
より導電性のゲート層を蒸着した後のエミッタ先端部を
示す断面図である。
より化学・機械平滑化(CMP法)を施した後のエミッ
タ先端部を示す断面図である。
ら、さらに本発明の方法によりエミッタ先端部を露出さ
せるため誘電体層にウエットエッチングを施した後のエ
ミッタ先端部を示す断面図であり、図6(A)は誘電体
層が酸化物のものを、また図6(B)は誘電体層が窒化
物のものを示す。
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 電子放出エミッタ(13)の周りにセル
フアライン型のゲート構造体(15)を形成する方法で
あって、 基板(11)上に陰極エミッタ先端部(13)を形成す
る工程と、 前記エミッタ先端部(13)の上に絶縁性の層(1
4),(18)と導電性の層(15)を形成する工程
と、 上記各積層物を有する基板(11)に化学・機械平滑化
を施す工程と、 前記エミッタ先端部(13)を囲む前記絶縁性の層(1
4),(18)を除去し、前記エミッタ先端部(13)
を露出させる工程を含む方法。 - 【請求項2】 カソードエミッタ(13)の周囲にセル
フアライン型低ポテンシャルアノード構造体(15)を
形成する方法であって、 基板(11)上に少なくとも1個のエミッタ先端部(1
3)を有するカソード(12)を形成する工程と、 前記カソードエミッタ(13)上部の上に、ゲート−カ
ソード間のスペーサ層(18)を少なくとも一層形成す
る工程と、 前記スペーサ層(18)上に絶縁層(14)を蒸着する
工程と、 前記絶縁層(14)を前記エミッタ先端部(13)より
下方の位置へ再流動させる工程と、 前記絶縁層の上に導電性のゲート層(15)を蒸着する
工程と、 上記各層と基板からなるウエハを平滑化し、前記スペー
サ層(18)を露出させる工程と、 前記カソードエミッタ(13)先端部の周囲にあるスペ
ーサ層(18)を除去し、エミッタ(13)先端部を露
出させる工程を含む方法。 - 【請求項3】 電子放出カソード先端部(13)の周囲
にセルフアライン型ゲート構造体(15)を形成する方
法であって、 ウエハを処理して、エミッタ先端部(13)を有する少
なくとも1個のカソード(12)を形成する工程と、 前記カソード(12)の先端部(13)を酸化によって
先鋭化する工程と、 前記カソード(12)の先端部(13)の上に少なくと
も1個のスペーサ層(18)を蒸着する工程と、 前記スペーサ層(18)の上にもう一つの層(14)を
形成する工程と、 導電性のゲート層(15)を蒸着する工程と、 前記各層が形成されたウエハに化学・機械平滑化法を施
し、前記スペーサ層(18)を露出させる工程と、 前記エミッタ先端部(13)の上にあるスペーサ層(1
8)を除去する工程と、 前記エミッタ先端部(13)をシリコンより仕事関数値
の低い材料で被覆する工程を含む方法。 - 【請求項4】 前記層(18)は前記層(14)に対し
て選択的にエッチング可能な請求項1ないし3のいずれ
か一項記載の方法。 - 【請求項5】 前記層(18)はSi3 N4 ,SiO2
およびオキシ窒化シリコンの少なくとも1種を含む請求
項4記載の方法。 - 【請求項6】 前記導電性の層(15)は多結晶シリコ
ンを含む請求項5記載の方法。 - 【請求項7】 前記化学・機械平滑化法には研磨スラリ
ーを用いる請求項1ないし3のいずれか一項記載の方
法。 - 【請求項8】 前記ウエハの平滑化工程に先立って、前
記導電性の層(15)の上に緩衝層を蒸着する請求項7
記載の方法。 - 【請求項9】 前記層(14)は、硼燐ケイ酸ガラス
(BPSG)、スピン−オン−ガラス(SOG)、ポリ
イミド、スピン−オン−誘電体(spin-on-dielectric)お
よび流動性誘電体を含む流動性材料製である請求項1な
いし3のいずれか一項記載の方法。 - 【請求項10】 前記カソード先端部(13)は表示装
置のカソードのようなアレイ構造体に組み込まれる請求
項1ないし3のいずれか一項記載の方法。
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