JPH0658529B2 - ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH0658529B2 JPH0658529B2 JP58150035A JP15003583A JPH0658529B2 JP H0658529 B2 JPH0658529 B2 JP H0658529B2 JP 58150035 A JP58150035 A JP 58150035A JP 15003583 A JP15003583 A JP 15003583A JP H0658529 B2 JPH0658529 B2 JP H0658529B2
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- positive
- cresol
- naphthoquinonediazide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は一般に輻射線に感応するポジ型フオトレジスト
組成物に関するものであり、詳しくはクレゾールホルム
アルデヒドノボラツク樹脂とナフトキノンジアジド感光
剤を含む組成物の改良に関するものである。
組成物に関するものであり、詳しくはクレゾールホルム
アルデヒドノボラツク樹脂とナフトキノンジアジド感光
剤を含む組成物の改良に関するものである。
集積回路の高集積度化は年々加速度的に進み現在では集
積度十万以上のいわゆる超ＬＳＩの時代に移行しつつあ
り３μｍルールさらには２μｍルールの設計の時代とな
つている。それに伴いフオトリソグフイー技術に対する
要求も年々厳しくなつてきている。このフオトリソグラ
フイー技術において、従来使用されてきたレジストはそ
の大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤ビスア
ジド化合物を添加して得られるネガ型レジストである。
しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤により解像
力に限度があり、３μｍの解像力を得ることはむずかし
い。
積度十万以上のいわゆる超ＬＳＩの時代に移行しつつあ
り３μｍルールさらには２μｍルールの設計の時代とな
つている。それに伴いフオトリソグフイー技術に対する
要求も年々厳しくなつてきている。このフオトリソグラ
フイー技術において、従来使用されてきたレジストはそ
の大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤ビスア
ジド化合物を添加して得られるネガ型レジストである。
しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤により解像
力に限度があり、３μｍの解像力を得ることはむずかし
い。
上記要求に応えることが出来るのはポジ型レジストであ
る。ポジ型レジスト組成物はアルカリ溶解性のフエノー
ル系ホルムアルデヒドノボラツク樹脂を、感光性物質、
一般には置換されたナフトキノンジアジドとともに含む
ものである。ナフトキノンジアジドは照射時に下式のよ
うに紫外線を吸収し、カルベンを経てケテンを生じ、系
中に存在する水分と反応してインデンカルボン酸とな
り、これが現像液のアルカリ水溶液に溶解する現像を応
用している。
る。ポジ型レジスト組成物はアルカリ溶解性のフエノー
ル系ホルムアルデヒドノボラツク樹脂を、感光性物質、
一般には置換されたナフトキノンジアジドとともに含む
ものである。ナフトキノンジアジドは照射時に下式のよ
うに紫外線を吸収し、カルベンを経てケテンを生じ、系
中に存在する水分と反応してインデンカルボン酸とな
り、これが現像液のアルカリ水溶液に溶解する現像を応
用している。
このように、ポジ型レジストは、現像液としてアルカリ
水溶液を用いるためネガ型の場合と異なりレジストが膨
潤せず、従つて解像力を高めることが可能なのである。
水溶液を用いるためネガ型の場合と異なりレジストが膨
潤せず、従つて解像力を高めることが可能なのである。
このようにポジ型のフオトレジストは高解像力を特徴と
するレジストであるが、半面感度、接着力などの面では
ネガ型のフオトレジストに比して劣つているといわれて
いる。このうち接着性に関しては基板の前処理などの操
作で改良出来るのに対して感度面での対策がたち遅れて
いた。
するレジストであるが、半面感度、接着力などの面では
ネガ型のフオトレジストに比して劣つているといわれて
いる。このうち接着性に関しては基板の前処理などの操
作で改良出来るのに対して感度面での対策がたち遅れて
いた。
さらに最近のリソグフイープロセスにおいては、解像力
を向上させるために光の強度の小さい単色光を用いて縮
小投影を行い、一枚のウエーハーを何回にも分割して露
光するプロセスが導入され、さらには集積度の向上に伴
い描くべき図形もますます複雑化し、従つて露光の回数
も増加しているといつたように全体のプロセスの中にし
める露光時間の割合が増加しつつある。従つてレジスト
の感度を向上させることは超ＬＳＩ製造のスループツト
を大きく向上させ、さらに縮小投影露光機といつたきわ
めて高価な機械を使用する工程のスルーブツトの向上を
行うためコストパフオーマンスへの寄与もきわめて大き
い。このような事情でポジ型レジストの特徴である高解
像度を維持したまま感度面を改良したポジ型レジストの
出現が切望されていたのである。
を向上させるために光の強度の小さい単色光を用いて縮
小投影を行い、一枚のウエーハーを何回にも分割して露
光するプロセスが導入され、さらには集積度の向上に伴
い描くべき図形もますます複雑化し、従つて露光の回数
も増加しているといつたように全体のプロセスの中にし
める露光時間の割合が増加しつつある。従つてレジスト
の感度を向上させることは超ＬＳＩ製造のスループツト
を大きく向上させ、さらに縮小投影露光機といつたきわ
めて高価な機械を使用する工程のスルーブツトの向上を
行うためコストパフオーマンスへの寄与もきわめて大き
い。このような事情でポジ型レジストの特徴である高解
像度を維持したまま感度面を改良したポジ型レジストの
出現が切望されていたのである。
特開昭５８−１７１１２号公報には、オルソー、メター
およびパラクレゾール混合物とホルムアルデヒドを縮合
して得られる軟化点１１０〜１４５℃のノボラツク樹脂
を含むポジ型レジスト組成物が記載されているが、本発
明者等の検討によれば、特定範囲のメターおよびパラク
レゾールの混合物とホルムアルデヒドを縮合して得られ
る重量平均分子量5,000〜15,000のノボラツク樹脂と2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸のトリエステルを９５％以
上含む1,2−ナフトキノンジアジドとを組合せることに
より、特に、感度及び残膜率の良好なポジ型レジスト組
成物が得られることを知得し、本発明を完成するに到つ
た。
およびパラクレゾール混合物とホルムアルデヒドを縮合
して得られる軟化点１１０〜１４５℃のノボラツク樹脂
を含むポジ型レジスト組成物が記載されているが、本発
明者等の検討によれば、特定範囲のメターおよびパラク
レゾールの混合物とホルムアルデヒドを縮合して得られ
る重量平均分子量5,000〜15,000のノボラツク樹脂と2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸のトリエステルを９５％以
上含む1,2−ナフトキノンジアジドとを組合せることに
より、特に、感度及び残膜率の良好なポジ型レジスト組
成物が得られることを知得し、本発明を完成するに到つ
た。
すなわち、本発明の要旨はクレゾールノボラツク樹脂と
1,2−ナフトキノンジアジドを含有するフオトレジスト
組成物において、 (a)該クレゾールノボラツク樹脂が、５５重量％：４５
重量％〜６８重量％：３２重量％の割合のメタクレゾー
ルとパラクレゾールの混合物をホルムアルデヒドと縮合
することによつて得られる重量平均分子量5,000〜15,00
0の樹脂であり、また、(b)該1,2−ナフトキノンジアジ
ドが、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであつ
て、且つ、その９５％以上がトリエステルであることを
特徴とするポジ型クレゾールノボラツクフオトレジスト
組成物に存する。
1,2−ナフトキノンジアジドを含有するフオトレジスト
組成物において、 (a)該クレゾールノボラツク樹脂が、５５重量％：４５
重量％〜６８重量％：３２重量％の割合のメタクレゾー
ルとパラクレゾールの混合物をホルムアルデヒドと縮合
することによつて得られる重量平均分子量5,000〜15,00
0の樹脂であり、また、(b)該1,2−ナフトキノンジアジ
ドが、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであつ
て、且つ、その９５％以上がトリエステルであることを
特徴とするポジ型クレゾールノボラツクフオトレジスト
組成物に存する。
以下、本発明を説明するに、本発明においては、５５重
量％：４５重量％〜６８重量％：３２重量％の割合のメ
タクレゾールとパラクレゾールとの混合物をホルムアル
デヒドと縮合させる必要がある。
量％：４５重量％〜６８重量％：３２重量％の割合のメ
タクレゾールとパラクレゾールとの混合物をホルムアル
デヒドと縮合させる必要がある。
該クレゾール系ノボラツク樹脂のメタクレゾール／パラ
クレゾールの比がこれよりも大きくなるとフオトレジス
ト膜全体の現像液に対する溶解度が増加するため見かけ
の感度は向上するが、未露光部の現像後の膜べりが激し
く、レジストとして使用に耐えない。以後本明細書にお
いては、未露光部の現像前の膜厚に対する現像後の膜厚
の百分率を残膜率と定義し、未露光部の現像後の膜べり
の程度を表す尺度とする。
クレゾールの比がこれよりも大きくなるとフオトレジス
ト膜全体の現像液に対する溶解度が増加するため見かけ
の感度は向上するが、未露光部の現像後の膜べりが激し
く、レジストとして使用に耐えない。以後本明細書にお
いては、未露光部の現像前の膜厚に対する現像後の膜厚
の百分率を残膜率と定義し、未露光部の現像後の膜べり
の程度を表す尺度とする。
又、該ノボラツク樹脂のメタ／パラ比がこれよりも小さ
くなると感度が低下してしまう。
くなると感度が低下してしまう。
分子量は、重量平均分子量で5,000〜15,000である必要
がある。この範囲より小さいとやはりフオトレジスト膜
全体の現像液に対する溶解度が減少し、従つて低残膜率
のレジストした得られず使用に耐えない。またガラス移
転点(Tg)が低下し耐熱性が低下する。またこの範囲より
分子量が高くなると感度の低下がみられる。更に重量平
均分子量と数平均分子量の比(MW/MN)が５〜１２である
と好適である。
がある。この範囲より小さいとやはりフオトレジスト膜
全体の現像液に対する溶解度が減少し、従つて低残膜率
のレジストした得られず使用に耐えない。またガラス移
転点(Tg)が低下し耐熱性が低下する。またこの範囲より
分子量が高くなると感度の低下がみられる。更に重量平
均分子量と数平均分子量の比(MW/MN)が５〜１２である
と好適である。
このようなノボラツク樹脂は上記の所定量のパラクレゾ
ールとメタクレゾールの混合物とホルムアルデヒド（ホ
ルマリン）を修酸、塩酸、リン酸などを触媒とし、所定
温度で所定時間反応させた後、減圧下さらに加熱して水
分及び未反応のモノマーを追出す公知の方法によつて容
易に合成することが出来る。
ールとメタクレゾールの混合物とホルムアルデヒド（ホ
ルマリン）を修酸、塩酸、リン酸などを触媒とし、所定
温度で所定時間反応させた後、減圧下さらに加熱して水
分及び未反応のモノマーを追出す公知の方法によつて容
易に合成することが出来る。
該ノボラツク樹脂の分子量はゲルパーミュレーシヨンク
ロマトグラフイーを用い、ポリスチレン換算値をもつて
分子量とした。
ロマトグラフイーを用い、ポリスチレン換算値をもつて
分子量とした。
該感光物は実質的に2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエ
ノンの３つの水酸基がすべてエステル化されたものが望
ましい。詳しく述べれば３分子のエステル化が進んだも
のの全体にしめる割合が９５％以上のもの、好ましくは
９８％以上のものが使用される。エステル化率がこれ以
下であると見かけの感度は上昇するものの残膜率の低下
をきたしてしまう。このような感光剤は2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフエノンと３倍モルの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロライドを塩基の存在下
ジオキサン、セロソルブ、アセトン等の溶媒中で反応さ
せる公知の方法によつて容易に合成することが可能であ
る。エステル化率は液体クロマトグラフイーにより定量
した。
ノンの３つの水酸基がすべてエステル化されたものが望
ましい。詳しく述べれば３分子のエステル化が進んだも
のの全体にしめる割合が９５％以上のもの、好ましくは
９８％以上のものが使用される。エステル化率がこれ以
下であると見かけの感度は上昇するものの残膜率の低下
をきたしてしまう。このような感光剤は2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフエノンと３倍モルの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロライドを塩基の存在下
ジオキサン、セロソルブ、アセトン等の溶媒中で反応さ
せる公知の方法によつて容易に合成することが可能であ
る。エステル化率は液体クロマトグラフイーにより定量
した。
感光剤はノボラツク樹脂１００重量部に対して１０〜３
０重量部好ましくは１２〜２５重量部を混合して用いら
れる。通常はこれらを適当な溶媒に溶かして用いる。溶
媒としては該感光剤、ノボラツク樹脂に対して反応せ
ず、充分な溶解度を持ち良好な塗膜性を与える溶媒であ
れば特に制限はないがメチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶
媒、ブチルアセテート、アミルアセテートなどのエステ
ル系溶媒又はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シドなどの高極性溶媒、あるいはこれらの混合系溶媒、
あるいはさらに芳香族炭化水素を添加したものなどが挙
げられる。
０重量部好ましくは１２〜２５重量部を混合して用いら
れる。通常はこれらを適当な溶媒に溶かして用いる。溶
媒としては該感光剤、ノボラツク樹脂に対して反応せ
ず、充分な溶解度を持ち良好な塗膜性を与える溶媒であ
れば特に制限はないがメチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶
媒、ブチルアセテート、アミルアセテートなどのエステ
ル系溶媒又はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シドなどの高極性溶媒、あるいはこれらの混合系溶媒、
あるいはさらに芳香族炭化水素を添加したものなどが挙
げられる。
上記レジスト組成物を公知の方法により、基板に塗布
後、所定のパターンに露光し、現像することによつて良
好なレジストを得ることができる。
後、所定のパターンに露光し、現像することによつて良
好なレジストを得ることができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物の現像液には、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
などの第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムハイドロキシオキサイドなどの第四級ア
ミン等の水溶液、もしくはこれにアルコール、界面活性
剤などを添加したものを使用することが出来る。
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
などの第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムハイドロキシオキサイドなどの第四級ア
ミン等の水溶液、もしくはこれにアルコール、界面活性
剤などを添加したものを使用することが出来る。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は超ＬＳＩ用のみなら
ず一般のＩＣ製造用さらにはマスク作製用、あるいはオ
フセツト印刷用としても有用である。
ず一般のＩＣ製造用さらにはマスク作製用、あるいはオ
フセツト印刷用としても有用である。
次に具体例をあげて本発明をさらに詳しく説明するが、
本発明は実施例によつて何ら制約はうけない。
本発明は実施例によつて何ら制約はうけない。
合成例１ ｍ−クレゾール１２０ｇ（1.11モル）、Ｐ−クレゾール
８０ｇ（0.74モル）、３７％ホルマリン１２０ｇ（1.48
モル）及びシュウ酸二水物2.8ｇを９１〜９４℃で攪拌
しながら一時間反応させる。その後室温まで冷却し、１
５mmHgまで減圧にして再び徐々に加熱して水分及び残存
モノマーを追出した。最終的には１８８℃まで加熱し時
間は２時間要した。残つた樹脂をステンレスのバツトに
流し込み冷却した。収量１７０ｇ。
８０ｇ（0.74モル）、３７％ホルマリン１２０ｇ（1.48
モル）及びシュウ酸二水物2.8ｇを９１〜９４℃で攪拌
しながら一時間反応させる。その後室温まで冷却し、１
５mmHgまで減圧にして再び徐々に加熱して水分及び残存
モノマーを追出した。最終的には１８８℃まで加熱し時
間は２時間要した。残つた樹脂をステンレスのバツトに
流し込み冷却した。収量１７０ｇ。
ゲルパーミュレーシヨンクロマトグラフイーでポリスチ
レン換算の重量平均分子量▲▼を求めると7,700で
あつた。
レン換算の重量平均分子量▲▼を求めると7,700で
あつた。
合成例２ 2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノン2.0ｇ（8.7mmol
e)、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリ
ド7.0ｇ（２６mmole）をジオキサン５７mlに溶解しかく
はんしながらトリエチルアミン3.2ｇを加え１時間２５
〜２７℃で反応をつづける。水１００mlを加え反応物を
析出させ別する。洗液がpH７になるまで水で洗浄をく
り返し、最後に１００mlのエタノール中で懸洗し別後
乾燥した。収量7.7ｇ（９６％）。液体クロマトグラフ
イーで分析した結果、トリエステル化したものの含有量
は98.1％であつた。
e)、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリ
ド7.0ｇ（２６mmole）をジオキサン５７mlに溶解しかく
はんしながらトリエチルアミン3.2ｇを加え１時間２５
〜２７℃で反応をつづける。水１００mlを加え反応物を
析出させ別する。洗液がpH７になるまで水で洗浄をく
り返し、最後に１００mlのエタノール中で懸洗し別後
乾燥した。収量7.7ｇ（９６％）。液体クロマトグラフ
イーで分析した結果、トリエステル化したものの含有量
は98.1％であつた。
合成例３ 合成例２において、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエ
ノンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ク
ロリドの使用割合をモル比で１：２としたほかは同様に
して1,2−ナフトキノンジアジドを得た。液体クロマト
グラフイーで分析した結果、トリエステル化したものの
含有量は約８１％であつた。
ノンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ク
ロリドの使用割合をモル比で１：２としたほかは同様に
して1,2−ナフトキノンジアジドを得た。液体クロマト
グラフイーで分析した結果、トリエステル化したものの
含有量は約８１％であつた。
実施例１ 合成例１でのべたようにして合成したノボラツク樹脂2.
3ｇ及び合成例２でのべた感光剤0.39ｇをエチルセロソ
ルブアセテート7.3ｇに溶解して0.2μのミリポアフイル
ターで過してポジ型レジスト塗布液を作つた。これを
５０００Åの酸化膜(SiO2)を持つたシリコンウエーハー
上にスピンコーテイングして９０℃３０分プリベークし
て1.0μの塗膜を得た。これにコダツク（株）製ステツ
プタプレツト及びミカサ（株）製マスクアライナーＭＡ
−１０を用いて感度（残膜率０となる最小露光時間の逆
数で表す。）を求めた。現像は東京応化（株）製ＮＭＤ
−３を用い２０℃１分間行つた。解像力のテストは凸版
印刷（株）の解像力テストパターンを用い上記のマスク
アライナーを使用して行つた。評価結果を表１にまとめ
る。
3ｇ及び合成例２でのべた感光剤0.39ｇをエチルセロソ
ルブアセテート7.3ｇに溶解して0.2μのミリポアフイル
ターで過してポジ型レジスト塗布液を作つた。これを
５０００Åの酸化膜(SiO2)を持つたシリコンウエーハー
上にスピンコーテイングして９０℃３０分プリベークし
て1.0μの塗膜を得た。これにコダツク（株）製ステツ
プタプレツト及びミカサ（株）製マスクアライナーＭＡ
−１０を用いて感度（残膜率０となる最小露光時間の逆
数で表す。）を求めた。現像は東京応化（株）製ＮＭＤ
−３を用い２０℃１分間行つた。解像力のテストは凸版
印刷（株）の解像力テストパターンを用い上記のマスク
アライナーを使用して行つた。評価結果を表１にまとめ
る。
比較例１〜５ 合成例１に準じて合成したノボラツク樹脂と合成例２又
は合成例３で合成した感光剤を使用し、実施例１と同様
にして評価を行つた。結果を表１に示す。
は合成例３で合成した感光剤を使用し、実施例１と同様
にして評価を行つた。結果を表１に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀山 泰弘 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−171172（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−182633（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】クレゾールノボラツク樹脂と1,2−ナフト
キノンジアジドを含有するフオトレジスト組成物におい
て、 (a)該クレゾールノボラツク樹脂が、５５重量％：４５
重量％〜６８重量％：３２重量％の割合のメタクレゾー
ルとパラクレゾールの混合物をホルムアルデヒドと縮合
することによつて得られる重量平均分子量5,000〜15,00
0の樹脂であり、また、(b)該1,2−ナフトキノンジアジ
ドが、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであつ
て、且つ、その９５％以上がトリエステルであることを
特徴とするポジ型クレゾールノボラツクフオトレジスト
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150035A JPH0658529B2 (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150035A JPH0658529B2 (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042753A JPS6042753A (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0658529B2 true JPH0658529B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=15488070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150035A Expired - Fee Related JPH0658529B2 (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658529B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
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| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS58182633A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型画像の形成方法 |
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|---|---|
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