JPH0653271A - 半導体装置のワイヤーボンディング方法 - Google Patents

半導体装置のワイヤーボンディング方法

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JPH0653271A
JPH0653271A JP4203295A JP20329592A JPH0653271A JP H0653271 A JPH0653271 A JP H0653271A JP 4203295 A JP4203295 A JP 4203295A JP 20329592 A JP20329592 A JP 20329592A JP H0653271 A JPH0653271 A JP H0653271A
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JP
Japan
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bonding pad
hole
semiconductor device
external lead
metal bonding
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JP4203295A
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Hiroshi Arakawa
博司 荒川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の金属ボンディングパッドと外部
引き出し細線とを機械的接合方法により強固に接合する
ワイヤーボンディング方法を提供する。 【構成】 金属ボンディングパッド４およびこの金属ボ
ンディングパッド４が設けられている層間絶縁膜３にわ
たって、表面付近が奥側よりも狭くなっている穴６を形
成し、外部引き出し細線５の先端をこの穴６に埋め込む
ことにより、外部引き出し細線５を金属ボンディングパ
ッド４に接合し、固化させてその機械的接合力により金
属ボンディングパッド４と外部引き出し細線５とを強固
に接合するもの。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、詳しくは
半導体装置の入出力部において金属ボンディングパッド
と外部引き出し細線とを接合するワイヤーボンディング
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の入出力部の金属ボン
ディングパッドに外部引き出し細線を結線するワイヤー
ボンディング方法としては、融点以下の温度で双方の金
属を加圧接触させて、その拡散によって接合する熱圧着
法や、超音波振動により表面の酸化膜を除去しながら振
動によって生ずる摩擦熱によって接合を強固なものとす
る超音波ボンディング法などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の接合方法においては、接合強度が不充分な
場合があり、また接合工程での熱や振動が半導体装置に
悪影響を与えるという問題があった。
【０００４】本発明は上記問題を解決するもので、多種
の材料において接合が容易でかつ接合強度の高いワイヤ
ーボンディング方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明は、金属ボンディングパッドが設けられている
半導体基板上の表面部分に、表面付近が奥側よりも狭く
なっている穴を形成し、外部引き出し細線の一部または
全部を前記穴に埋め込むことにより、外部引き出し細線
を金属ボンディングパッドに接合するものである。
【０００６】
【作用】上記構成により、外部引き出し細線が、金属ボ
ンディングパッドと直接接合力を持たない外部引き出し
細線材料からなるものであっても、この外部引き出し細
線を表面付近が狭くなっている穴内に導入後固化させる
ことにより、外部引き出し細線が奥側が広がった状態で
金属ボンディングパッドに結合するため、その機械的な
接合力により強固に接合できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例に係る半導
体装置の入力回路部分の断面図である。図１において、
１は半導体基板の一例としてのＰ型のシリコン基板、２
は厚い絶縁膜、３は絶縁膜２とは組成の違う層間絶縁
膜、４は金属ボンディングパッド、５は外部接続用ピン
と半導体装置の内部回路とを接続する外部引き出し細線
である。
【０００８】上記構造においてワイヤーボンディングを
する場合には、まず、ドライエッチングにより金属ボン
ディングパッド４に穴４ａを開け、その後、層間絶縁膜
３のみを溶解するウエットエッチングにって金属ボンデ
ィングパッド４の穴４ａよりも大きな穴３ａを開け、こ
れらの穴３ａ，４ａにより図１に示すように、奥側より
も表面付近が狭くなっている穴６を形成する。その後、
軟化させた外部引き出し細線５を穴６内に導入し、固化
させて接合する。
【０００９】このようにして金属ボンディングパッド４
に接合された外部引き出し細線５は、金属ボンディング
パッド４の穴４ａだけでなく、層間絶縁膜３の穴３ａに
も導入されて、奥側が広がった状態で金属ボンディング
パッド４に上下から食い込むように接合されるため、外
部引き出し細線５が金属ボンディングパッド４から剥が
れるおそれはない。
【００１０】なお、本発明は各種の半導体装置において
適用可能であり、また金属ボンディングパッド４と外部
引き出し細線５との材質を限定しないことは言うまでも
ない。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によれば、金属ボンディングパッドが設けられている
半導体基板上の表面部分に、表面付近が奥側よりも狭く
なっている穴を形成し、外部引き出し細線の一部または
全部を前記穴に埋め込むことにより、従来のように加圧
接触や超音波振動を用いて半導体装置に悪影響を与える
ことなく、外部引き出し細線を金属ボンディングパッド
に強固に接合することができ、製品の信頼性も向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の入力回路
部分の断面図
【符号の説明】
１ シリコン基板（半導体基板） ２ 絶縁膜 ３ 層間絶縁膜 ４ 金属ボンディングパッド ５ 外部引き出し細線 ６ 表面付近が狭くなっている穴

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属ボンディングパッドが設けられてい
    る半導体基板上の表面部分に、表面付近が奥側よりも狭
    くなっている穴を形成し、外部引き出し細線の一部また
    は全部を前記穴に埋め込むことにより、前記外部引き出
    し細線を前記金属ボンディングパッドに接合する半導体
    装置のワイヤーボンディング方法。
JP4203295A 1992-07-30 1992-07-30 半導体装置のワイヤーボンディング方法 Pending JPH0653271A (ja)

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