JPH10112475A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フェースダウンボンディングによって基板上
に接着フィルムを介して半導体チップをフリップチップ
実装してなる半導体装置では、接着フィルムの接着端部
に集中する熱応力によって導電性パターンが破損する。 【解決手段】 導電性パターン１１ａが設けられた基板
１１と、導電性パターン１１ａに重なる状態で基板１１
上に接着フィルム１０を介してフリップチップ実装され
た半導体チップ１３とからなり、接着フィルム１０の周
縁部１０ｃが半導体チップ１３の側周にはみ出してなる
半導体装置１において、接着フィルム１０は、基板１１
と半導体チップ１３とに挟まれた部分の膜厚よりも、周
縁部１０ｃの膜厚が薄く成形されたものである。これに
よって、基板１１と半導体チップ１３との熱膨張係数の
違いによって接着フィルム１０に熱ストレスが掛かった
場合に、接着フィルム１０と基板１１との接着端部Ａに
生じる熱応力を低く抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及び半
導体装置の製造方法に関し、特には基板上に半導体チッ
プをフリップチップ実装してなる半導体装置及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に半導体チップを実装してなる半
導体装置では、半導体チップをモールド樹脂で封止した
パッケージを基板上に実装していた。しかし、基板への
半導体チップの実装高密を高めるために、基板上に半導
体チップを直接実装するベアチップ実装が提案された。
その中でも、基板表面に設けられた導電性パターンと半
導体チップ表面に設けられたバンプとを、ワイヤーを用
いることなく直接接続するフェースダウンボンディング
は、より高密度実装が可能な手法として注目されてい
る。図５（１）には、上記フェースダウンボンディング
によって基板１１上に接着フィルム１２を介して半導体
チップ１３を実装してなる半導体装置５の斜視図を示
し、図５（２）にはその断面図を示す。

【０００３】以下、図６を用いて、上記半導体装置の構
成をその製造手順にしたがって説明する。先ず、図６
（１）に示すように、基板１１の表面上に接着フィルム
１２を介して半導体チップ１３を載置する。上記基板１
１は、表面に導電性パターン１１ａが設けられたもので
ある。また、上記接着フィルム１２は異方性導電フィル
ムであり、半導体チップ１３よりも広い接着面１２ａと
当該接着面１２ａに対して略垂直に切断された側端面１
２ｂとを有している。また、接着フィルム１２の膜厚
は、半導体チップ１３の表面側に設けられたバンプ１３
ａの高さよりも十分大きくかつ十分な接着性が得られる
厚さであることとする。そして、半導体チップ１３は、
その表面に形成された複数のバンプ１３ａを各導電性パ
ターン１１ａに対向させかつ周囲に接着フィルム１２の
周縁部１２ｃを露出させる状態で基板１１上に載置され
る。

【０００４】次に、図６（２）に示すように、加熱した
基板１１に対して半導体チップ１３を押し圧してバンプ
１３ａと導電性パターン１１ａとを接続し、かつ接着フ
ィルム１２を介して半導体チップ１３と基板１１とを接
着する。

【０００５】以上によって、ワイヤーボンディングを行
うことなく、基板１１上に接着フィルム１２を介して半
導体チップ１３を実装してなる半導体装置５が得られ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記フェース
ダウンボンディングによって半導体チップをフリップチ
ップ実装してなる半導体装置には、以下のような課題が
あった。すなわち、半導体チップは単結晶シリコンのよ
うな半導体材料からなるものであり、その熱膨張係数は
３ｐｐｍ程度である。これに対して、基板はガラスエポ
キシのような樹脂を主成分としたものであり、その熱膨
張係数は１５ｐｐｍにもなる。しかも、上記半導体装置
では、動作状態のＯＮ／ＯＦＦにともない温度変化が生
じる。このため、図５に示すように、半導体チップ１３
及び基板１１がそれぞれの熱膨張係数に対応する大きさ
で伸縮し、半導体チップ１３と基板１１との間の接着フ
ィルム１２に熱ストレスが加わり、接着フィルム１２と
基板１１及び接着フィルム１２と半導体チップ１３との
間に熱応力が生じる。この熱応力は、接着フィルム１２
の周辺方向程大きくその側端面１２ｂで最大になる。こ
のため、側端面１２ｂ直下の接着端部Ａには上記熱応力
が集中する。

【０００７】ところが、上記半導体装置５では、バンプ
１３ａと導電性パターン１１ａとを接続させるために、
導電性パターン１１ａと半導体チップ１３とを重ねる必
要がある。このような状態においては、基板１１と半導
体チップ１３との間に挟み込まれた接着フィルム１２も
導電性パターン１１ａ上に重ねられる。このため、接着
フィルム１２の接着端部Ａの熱ストレスが導電性パター
ン１１ａに伝わり、これによって導電性パターン１１ａ
に亀裂のような破損Ｂが生じて導電性パターン１１ａが
導通不良となる場合がある。

【０００８】以上のように、フェースダウンボンディン
グによって半導体チップをフリップチップ実装してなる
半導体装置５では、接着フィルム１２の接着端部Ａに生
じる熱ストレスが、半導体装置５の信頼性を低下させる
要因になっている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために成された半導体装置及び半導体装置の製造方
法である。すなわち、本発明の半導体装置は、導電性パ
ターンが設けられた基板と、この導電性パターンに重な
る状態で基板上に接着フィルムを介してフリップチップ
実装された半導体チップとからなり、半導体チップの周
囲に上記接着フィルムの周縁部がはみ出してなる半導体
装置において、上記接着フィルムの周縁部の膜厚は、当
該接着フィルムにおいて前記基板と前記半導体チップと
の間に挟まれた部分の膜厚よりも薄いことを特徴として
いる。

【００１０】上記半導体装置では、接着フィルムの周縁
部の膜厚が、当該接着フィルムの基板と半導体チップと
の間における膜厚よりも薄いことから、接着端部の上方
における接着フィルム端に生じる熱応力（基板と半導体
チップとの熱膨張係数違いによって生じるストレス）
は、膜厚の減少分だけ小さくなる。このため、この接着
端部と基板及び基板上の導電性パターンとの間に生じる
熱応力が小さく抑えられる。

【００１１】そして、本発明の第１の半導体装置の製造
方法は、導電性パターンが設けられた基板の表面上に接
着フィルムを載置し、接着フィルムの周縁部を当該接着
フィルムの周縁部を側周方向にはみ出させかつ上記導電
性パターンに重ねる状態で当該接着フィルム上に半導体
チップを載置する。その後、上記半導体チップを上記基
板に対して押し圧することで接着フィルムを介して半導
体チップと基板とを接着すると共に、上記接着フィルム
の上記周縁部を押し圧して当該接着フィルムにおける当
該周縁部の膜厚を上記半導体チップと上記基板との間に
挟まれた部分の膜厚よりも薄く成形する。

【００１２】また、本発明の第２の半導体装置の製造方
法は、導電性パターンが設けられた基板の表面上に当該
導電性パターンに重ねる状態で接着フィルムを載置し、
当該接着フィルムの周縁部を上記基板に対して押し圧し
て当該接着フィルムを当該基板に仮接着すると共に当該
接着フィルムにおける当該周縁部の膜厚をその他の部分
の膜厚よりも薄く成形する。その後、上記接着フィルム
の周縁部を側周方向にはみ出させる状態で当該接着フィ
ルム上に半導体チップを載置し、当該半導体チップを上
記基板に対して押し圧して半導体チップと基板とを接着
する。

【００１３】さらに、本発明の第３の半導体装置の製造
方法は、導電性パターンが設けられた基板の表面上に、
当該導電性パターンに重ねる状態で周縁部の膜厚が他の
部分の膜厚よりも薄く成形された接着フィルムを載置
し、当該接着フィルムの周縁部をはみ出させる状態で当
該接着フィルム上に半導体チップを載置する。その後、
上記半導体チップを上記基板に対して押し圧して半導体
チップと基板とを接着する。

【００１４】上記各方法によれば、導電性パターンが設
けられた基板と、この導電性パターンに重なる状態で接
着フィルムを介して基板上にフリップチップ実装された
半導体チップとからなる半導体装置が形成される。この
半導体装置においては、接着フィルムの周縁部が半導体
チップからはみ出した状態になり、しかも、接着フィル
ムにおける上記周縁部の膜厚は基板−半導体チップ間に
挟まれた部分の膜厚よりも薄くなる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置及びそ
の製造方法の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
尚、以下の実施形態においては、従来の技術と同様の構
成要素には同一の符号を用いて説明する。

【００１６】（第１実施形態）図１は、フェースダウン
ボンディングによって基板に半導体チップをフリップチ
ップ実装してなる半導体装置に本発明の半導体装置を適
用した場合の一例を示す図であり、図１（１）は上記半
導体装置の斜視図であり、図１（２）は断面図である。
以下に、この図を用いて半導体装置１の構成を説明す
る。

【００１７】この半導体装置１は、基板１１と、この基
板１１上に設けられた接着フィルム１０と、当該接着フ
ィルム１０を介して基板１１上にフリプチップ実装され
た半導体チップ１３とからなるものである。そして、半
導体チップ１３は、素子が形成されているその表面側を
基板１１の表面に対向させた状態で当該基板１１上に実
装されている。

【００１８】上記基板１１は、ガラスエポキシ材のよう
な樹脂を主成分としてなる板材の表面に導電性パターン
１１ａを設けてなるプリント基板からなるものである。
この導電性パターン１１ａは、半導体チップ１３が実装
される基板１１部分にも配置されている。

【００１９】また、上記接着フィルム１０は、例えば主
成分となるエポキシ樹脂中に導電性材料からなる粒子を
分散させてなる異方性導電材料からなる。この接着フィ
ルム１０は、半導体チップ１３の表面よりも広い接着面
１０ａを有している。そして、接着フィルム１０の周縁
部１０ｃは、平面視的に半導体チップ１３の側周にはみ
出した状態になっている。また、この接着フィルム１０
は、半導体チップ１３が実装される基板１１部分の上部
に配置された導電性パターン１１ａを埋め込む状態にな
っている。

【００２０】さらに、接着フィルム１０の周縁部１０ｃ
の成形形状は、接着フィルム１０の接着端部Ａの膜厚が
最も小さく、接着フィルム１０の接着端部Ａから中心方
向に向かって徐々に膜厚が大きくなるような成形形状を
有している。具体的な成形形状としては、接着フィルム
１０の接着端部１０ｃから中心方向に向かって、膜厚の
上昇率が一定かまたは増大し、平均で４５°以下の角度
で徐々に膜厚が大きくなるような形状であることとす
る。ただし、半導体チップ１３の側端面近傍における接
着フィルム１０の膜厚は、基板１１と半導体チップ１３
とに挟まれた部分における接着フィルム１０の膜厚と比
較して厚くても薄くてもまた同程度でも良い。

【００２１】そして、半導体チップ１３は、素子が形成
されたその表面側に電極となる複数のバンプ１３ａが設
けられたものであり、この表面側を基板１１の表面に対
向させる状態で当該基板１１上に実装されている。しか
も、基板１１上に実装された状態においては、ワイヤー
を用いることなく、各バンプ１３ａが各導電性パターン
１１ａに対して直接かまたは接着フィルムのみを介して
接続された状態になっている。尚、上記バンプ１３ａ
は、スタッド方式によって形成された金スタッドや、メ
ッキ法によって形成された金メッキまたははんだメッキ
であることとする。

【００２２】上記構成の半導体装置１では、接着フィル
ム１０の周縁部１０ｃの成形形状が、接着フィルム１０
の接着端部Ａ上でその膜厚が最も小さく、接着フィルム
１０の接着端部Ａから中心方向に向かって徐々に膜厚が
大きくなるように成形されている。このため、基板１０
と半導体チップ１３との熱膨張係数の違いによって接着
フィルム１０の側端面部分に生じる熱ストレスは、接着
フィルム１０の周縁部１０ｃの形状に沿って平面方向に
分散する。このため、上記熱ストレスによって基板１１
及び導電性パターン１１ａと接着フィルム１０のとの間
に生じる熱応力のうち、接着フィルム１０の接着端部Ａ
に集中する熱応力は、当該接着端部Ａ上の接着フィルム
１０の膜厚に対応して小さい値になる。

【００２３】したがって、半導体装置１の動作のＯＮ／
ＯＦＦに伴って、熱膨張係数の異なる基板１１と半導体
チップ１３とが伸縮して接着フィルム１０に熱ストレス
が加わった場合に、接着フィルム１０の接着端部Ａ下の
導電性パターン１１ａに加わる熱応力が小さく抑えら
れ、当該熱応力によって導電性パターン１１ａが破損す
ることを防止できる。

【００２４】次に、本発明の半導体装置の製造方法を、
上記半導体装置の製造方法に適用した場合の実施形態を
説明する。

【００２５】（第２実施形態）先ず、図２（１）に示す
ように、導電性パターン１１ａが形成された基板１１の
表面上に、導電性パターン１１ａに重ねる状態で接着フ
ィルム１２を載置する。この際、上記接着フィルム１２
は、従来の接着フィルムと同様のものであり、半導体チ
ップ１３よりも広い接着面１２ａを有する状態に予め切
断されており、接着面１２ａ対して略垂直に切断された
側端面１２ｂを有している。また、接着フィルム１２の
膜厚は、半導体チップ１３の表面に設けられたバンプ１
３ａの高さよりも大きく、かつ接着面１２ａおいて十分
な接着力が得られる程度の均一な厚さであることとす
る。

【００２６】次に、表面側にバンプ１３ａが形成された
半導体チップ１３を、接着フィルム１２上に載置する。
この際、半導体チップ１３は、その表面側に形成された
バンプ１３ａを基板１１の表面側に形成された各導電性
パターン１１ａに対向させ、かつ当該半導体チップ１３
の側周側に接着フィルム１２の周縁部１２ｃをはみ出さ
せる状態で、接着フィルム１２上に載置される。

【００２７】次の図２（２）に示す工程が、本実施形態
において特徴的な工程になる。すなわちここでは、基板
１１に対して半導体チップ１３を押し圧することによっ
て、バンプ１３ａと導電性パターン１１ａとを接続し、
かつ接着フィルム１２を介して半導体チップ１３と基板
１１とを接着する。これと共に、半導体チップ１３の周
囲にはみ出している接着フィルム１２の周縁部１２ｃを
押し圧し、これによって、接着フィルム１２における当
該周縁部１２ｃの膜厚を他の部分よりも薄く成形する。
これによって、この接着フィルム１２を、周縁部の膜厚
が半導体チップ１３−基板１１間に挟まれた部分の膜厚
よりも薄く成形された接着フィルム１０にする。この
際、導電性パターン１１ａとバンプ１３ａとが接続さ
れ、かつ接着フィルム１２が硬化して基板１１と半導体
チップ１３とを接着させるのに十分な温度にまで基板１
１を加熱する。

【００２８】ここで、上記周縁部１２ｃにおける接着フ
ィルム１２の成形形状は、上記第１実施形態で説明した
接着フィルム１０の周縁部１０ｃの成形形状と同様であ
ることとする。

【００２９】上記工程を行うに際しては、例えば図示し
たような成形金型２を用いる。この成形金型２は、平面
形状の押し圧面２１と、この押し圧面２１の周囲に当該
押し圧面２１から突出する状態で設けられた成形部２２
とを有している。押し圧面２１は、半導体チップ１３の
裏面と同一形状かこれより多少広めに形成されている。
また、成形部２２は、接着フィルム１２の接着端部Ａが
この成形部２２の最も高い部分とほぼ一致するか僅かに
内側になる程度に、その内側面２２ａが押し圧面２１か
ら外側に向かって広げられた形状になっている。

【００３０】すなわち、この内側面２２ａは、第１実施
形態で説明した上記接着フィルム１０の周縁部１０ａの
成形形状に対応する形状に成形されている。そして、成
形部２２の高さは、少なくとも半導体チップ１３の高さ
よりも高く、半導体チップ１３とバンプ１３ａとを合わ
せた高さ以下であることとする。ここでは、一例とし
て、成形部２２の高さを、半導体チップ１３とバンプ１
３ａとを合わせた高さと同程度にする。

【００３１】上記のように構成された成形金型２は、以
下のようにして用いる。すなわち、接着フィルム１２上
に載置された半導体チップ１３の裏面上に、当該裏面に
一致させた状態で成形金型２の押し圧面２１を配置し、
成形金型２を基板１１に対して押し圧する。

【００３２】これによって、半導体チップ１３が接着フ
ィルム１２を介して基板１１に押し圧されると共に、半
導体チップ１３の側周側にはみ出した接着フィルム１２
の周縁部１２ｃが成形金型２の成形部２２における内側
面２２ａによって押し圧される。この際、基板１１を上
述のように加熱することによって、接着フィルム１２を
介して半導体チップ１３と基板１１とが接着され、接着
フィルム１２における周縁部１２ａの膜厚が半導体チッ
プ１３と基板１１とに挟まれた部分の膜厚よりも薄く成
形される。

【００３３】上記製造方法によれば、基板１１表面の導
電性パターン１１ａと半導体チップ１３表面のバンプ１
３ａとがワイヤーを用いることなく直接または接着フィ
ルム１２を介して接続された状態で、当該基板１１上に
接着フィルム１２を介して半導体チップ１３がフリップ
チップ実装される。そして、基板１１と半導体チップ１
３との間の接着フィルム１２は、導電性パターン１１ａ
上にも重ねられた状態になる。しかも、この接着フィル
ム１２は、半導体チップ１３−基板１１間に挟まれた部
分の膜厚よりも半導体チップ１３の側周側にはみ出した
周縁部１２ａの膜厚が薄く成形された形状を有するも
の、すなわち、図１で説明したと同様の接着フィルム１
０になる。

【００３４】したがって、上記製造方法によって、上記
第１実施形態で説明したと同様の半導体装置１が製造さ
れる。

【００３５】（第３実施形態）図３は、上記図１で示し
た半導体装置の他の製造方法を示す図であり、以下にこ
の図を用いて上記半導体装置の製造方法を説明する。

【００３６】先ず、図３（１）に示すように、上記第２
実施形態と同様の基板１１の表面上に、上記第２実施形
態と同様の接着フィルム１２を載置する。接着フィルム
１２の載置状態は、上記第２実施形態と同様とする。こ
こでは、上記第２実施形態と同様の基板１１の表面上
に、未切断の接着フィルム１０２を載置しても良い。

【００３７】次に、接着フィルム１２の周縁部１２ｃを
基板１１に対して押し圧して、接着フィルム１２を基板
１１に仮接着させると共に接着フィルム１２の周縁部１
２ｃの膜厚をその他の部分の膜厚よりも薄く成形する。
この際、接着フィルム１２が基板１１に対して仮接着さ
れる程度の温度にまで基板１１を加熱する。

【００３８】また、未切断の接着フィルム１０２を用い
た場合には、次に基板１１上に載置する半導体チップ１
３の外周になる部分に対応する当該接着フィルム１０２
部分を基板１１に対して押し圧して、接着フィルム１０
２を基板１１に仮接着させると共に接着フィルム１０２
部分の厚さをその他の部分よりも薄く成形する。さら
に、仮接着された接着フィルム１０２部分よりも外側の
接着フィルムを除去する。これによって、接着フィルム
１０２は、所定の接着面積に切断された接着フィルム１
２になる。

【００３９】ここで、接着フィルム１２の周縁部１２ｃ
は、上記第１実施形態で説明した接着フィルム（１０）
の周縁部（１０ａ）の成形形状と同様に成形されること
とする。

【００４０】上記工程を行うに際しては、例えば図示し
たような成形金型３を用いる。この成形金型３は、接着
フィルム１２の周縁部１２ｃに対応する成形部３１を有
している。この成形部３１は、接着フィルム１２の接着
端部Ａがこの成形部３１の最も高い先端部分とほぼ一致
するか僅かに内側になる程度に、その内側面３１ａが外
側に向かって広げられた形状になっている。すなわち、
この内側面３１ａは、第１実施形態で説明した上記接着
フィルム（１０）の周縁部（１０ｃ）の成形形状に対応
する形状に成形されている。そして、未切断の接着フィ
ルム１０２を用いる場合には、上記成形部３１の先端部
分を僅かに尖った形状にすることで、当該接着フィルム
１０２が切断され易くなっている。

【００４１】上記のように構成された成形金型３は、以
下のようにして用いる。すなわち、接着フィルム１２の
周縁部１２ｃと成形金型３の成形部３１とを一致させる
状態で上記周縁部１２ｃ上に成形金型３の成形部３１を
配置し、成形金型３を基板１１に対して押し圧する。

【００４２】これによって、接着フィルム１２の周縁部
１２ｃが成形金型３の成形部３１における内側面３１ａ
によって押し圧される。そして、上述のように、接着フ
ィルム１２が基板１１に仮接着されると共に接着フィル
ム１２の周縁部１２ｃの膜厚が他の部分の膜厚よりも薄
く成形される。

【００４３】また、未切断の接着フィルム１０２を用い
た場合には、上記のように成形金型３を基板１１に対し
て押し圧することによって、接着フィルム１０２が切断
されて所定の接着面積を有する接着フィルム１２が形成
される。これと共に、上記と同様に接着フィルム１２が
基板１１に仮接着され、さらに接着フィルム１２の周縁
部１２ａの膜厚がその他の部分の膜厚よりも薄く成形さ
れる。

【００４４】次に、図３（２）に示すように、成形され
た接着フィルム１２上に、半導体チップ１３を載置す
る。ここでは、上記第２実施形態と同様に、接着フィル
ム１２の周縁部１２ｃを半導体チップ１３の側周側には
み出させる状態で、半導体チップ１３を載置する。

【００４５】その後、基板１１に対して半導体チップ１
３を押し圧することによって、バンプ１３ａと導電性パ
ターン１１ａとを接続し、かつ接着フィルム１２を介し
て半導体チップ１３と基板１１とを接着する。この際、
導電性パターン１１ａとバンプ１３ａとが接続され、か
つ接着フィルム１２が硬化して基板１１と半導体チップ
１３とを接着させるのに十分な温度にまで基板１１を加
熱する。

【００４６】以上によって、接着フィルム１２が、導電
性パターン１１ａ上に重ねられた状態になり、しかも、
この接着フィルム１２は、半導体チップ１３と基板１１
とに挟まれた部分の膜厚よりも半導体チップ１３の側周
側にはみ出した周縁部１２ｃの膜厚が薄く成形された形
状を有するもの、すなわち、図１で説明したと同様の接
着フィルム１０になる。

【００４７】したがって、上記製造方法によれば、図１
で説明したと同様の半導体装置１を得ることができる。

【００４８】（第４実施形態）図４は、上記図１で示し
た半導体装置のさらに他の製造方法を示す図であり、以
下にこの図を用いて上記半導体装置の製造方法を説明す
る。先ず、図４（１）に示すように、上記第１実施形態
と同様の基板１１の表面上に、接着フィルム４０を載置
する。ただし、この接着フィルム４０は、予めその周縁
部４０ｃの膜厚が他の部分の膜厚よりも薄く成形された
接着フィルム４０を載置する。この工程が、本実施形態
の特徴的な工程になる。この接着フィルム４０の接着面
４０ａは、半導体チップの面積よりも大きく、周縁部４
０ｃの成形形状は、上記第１実施形態における接着フィ
ルム（１０）の周縁部（１０ｃ）の成形形状と同様であ
ることとする。

【００４９】次に、接着フィルム４０上に、上記第２実
施形態と同様の半導体チップ１３を上記第２実施形態と
同様に載置する。

【００５０】その後、図４（２）に示すように、基板１
１に対して半導体チップ１３を押し圧することによっ
て、バンプ１３ａと導電性パターン１１ａとを接続し、
かつ接着フィルム４０を介して半導体チップ１３と基板
１１とを接着する。この際、導電性パターン１１ａとバ
ンプ１３ａとが接続され、かつ接着フィルム４０が硬化
して基板１１と半導体チップ１３とを接着させるのに十
分な温度にまで基板１１を加熱する。

【００５１】以上によって、接着フィルム４０が、導電
性パターン１１ａ上に重ねられた状態になり、しかも、
この接着フィルム４０は、半導体チップ１３と基板１１
とに挟まれた部分の間の膜厚よりも、半導体チップ１３
の側周側にはみ出している周縁部４０ｃの膜厚が薄く成
形された形状を有するもの、すなわち、図１で説明した
と同様の接着フィルム１０になる。

【００５２】したがって、上記製造方法によれば、図１
で説明したと同様の半導体装置１を得ることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば、フェ−スダウンボンディングによって接着フ
ィルムを介して半導体チップを基板上にフリップチップ
実装してなる半導体装置において、接着フィルムの膜厚
を基板と半導体チップとに挟まれた部分よりも半導体チ
ップからはみ出している周縁部において薄くしたことに
よって、接着フィルムと基板との接着端部に生じる熱応
力を低く抑えることが可能になる。このため、接着端部
に基板上の導電性パターンが位置する場合に、この熱応
力によって当該導電性パターンが破損することを防止で
き、半導体装置の信頼性を向上させることが可能にな
る。

【００５４】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、フェ−スダウンボンディングによって半導体チッ
プをフリップチップ実装してなる半導体装置を製造する
際、半導体チップの側周側にはみ出させた接着フィルム
の周縁部を押し圧するか、または予め周縁部を他の部分
よりも薄く成形してなる接着フィルムを用いて半導体チ
ップと基板とを接着させることによって、上記半導体装
置を得ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の一例を示す図である。

【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す図
である。

【図３】本発明の半導体装置の製造方法の他の例を示す
図である。

【図４】本発明の半導体装置の製造方法のさらに他の例
を示す図である。

【図５】従来の半導体装置を示す図である。

【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 １０，１２，４０ 接着フィルム １０ｃ，１２ｃ，４０ｃ 周縁部 １１ 基板 １
１ａ 導電性パターン １３ 半導体チップ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性パターンが設けられた基板と、前
   記導電性パターンに重なる状態で前記基板上に接着フィ
   ルムを介してフリップチップ実装された半導体チップと
   からなり、前記半導体チップの側周に前記接着フィルム
   の周縁部がはみ出してなる半導体装置において、 前記接着フィルムの周縁部の膜厚は、当該接着フィルム
   において前記基板と前記半導体チップとの間に挟まれた
   部分の膜厚よりも薄いこと、 を特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 導電性パターンが設けられた基板の表面
   上に接着フィルムを載置し、当該接着フィルムの周縁部
   を側周側にはみ出させかつ前記導電性パターンに重ねる
   状態で当該接着フィルム上に半導体チップを載置し、 前記半導体チップを前記基板に対して押し圧することに
   よって前記接着フィルムを介して当該半導体チップと当
   該基板とを接着すると共に、前記接着フィルムの前記周
   縁部を押し圧して当該接着フィルムにおける当該周縁部
   の膜厚を前記半導体チップと前記基板との間に挟まれた
   部分の膜厚よりも薄く成形すること、 を特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 導電性パターンが設けられた基板の表面
   上に当該導電性パターンに重ねる状態で接着フィルムを
   載置し、当該接着フィルムの周縁部を前記基板に対して
   押し圧して当該接着フィルムを当該基板に仮接着すると
   共に当該接着フィルムにおける当該周縁部の膜厚をその
   他の部分の膜厚よりも薄く成形し、 前記接着フィルムの周縁部を側周側にはみ出させる状態
   で当該接着フィルム上に半導体チップを載置し、当該半
   導体チップを前記基板に対して押し圧することによって
   当該半導体チップと当該基板とを接着すること、 を特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 導電性パターンが設けられた基板の表面
   上に、当該導電性パターンに重ねる状態で周縁部の膜厚
   が他の部分の膜厚よりも薄く成形された接着フィルムを
   載置し、当該接着フィルムの周縁部を側周側にはみ出さ
   せる状態で当該接着フィルム上に半導体チップを載置
   し、 前記半導体チップを前記基板に対して押し圧することに
   よって前記接着フィルムを介して当該半導体チップと当
   該基板とを接着すること、 を特徴とする半導体装置の製造方法。